JPH0261161B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0261161B2 JPH0261161B2 JP16665185A JP16665185A JPH0261161B2 JP H0261161 B2 JPH0261161 B2 JP H0261161B2 JP 16665185 A JP16665185 A JP 16665185A JP 16665185 A JP16665185 A JP 16665185A JP H0261161 B2 JPH0261161 B2 JP H0261161B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias
- circuit
- wavelength
- disk
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波帯で使用されるトランジス
タの直流バイアス回路に関する。
タの直流バイアス回路に関する。
従来、マイクロ波トランジスタのバイアス回路
としては、高インピーダンスのバイアス線路の一
端をRF信号線路に接続し、他端を貫通コンデン
サに接続してこの貫通コンデンサを介してバイア
スを供給していた。
としては、高インピーダンスのバイアス線路の一
端をRF信号線路に接続し、他端を貫通コンデン
サに接続してこの貫通コンデンサを介してバイア
スを供給していた。
しかしながら、この回路では周波数が高くなる
につれて、貫通コンデンサのRF短絡面が一定し
なかつたり、損失が生じてしまい、特に低損失を
要求される低雑音回路や高出力回路としては細か
い調整を必要としたり、帯域内でリツプルを生ず
る欠点があつた。加えて、多くのバイアス電流を
必要とする高出力回路では、高インピーダンスの
線路を得にくい等の欠点があつた。
につれて、貫通コンデンサのRF短絡面が一定し
なかつたり、損失が生じてしまい、特に低損失を
要求される低雑音回路や高出力回路としては細か
い調整を必要としたり、帯域内でリツプルを生ず
る欠点があつた。加えて、多くのバイアス電流を
必要とする高出力回路では、高インピーダンスの
線路を得にくい等の欠点があつた。
本発明は、上記の如き従来回路の欠点を補うべ
く、RF短絡面が一定し、かつきわめて損失のす
くない短絡面を与えることによつて、使用帯域内
で安定した特性を持ち、RF回路側の損失も少な
くなるようなマイクロ波トランジスタバイアス回
路を提供することを目的とする。
く、RF短絡面が一定し、かつきわめて損失のす
くない短絡面を与えることによつて、使用帯域内
で安定した特性を持ち、RF回路側の損失も少な
くなるようなマイクロ波トランジスタバイアス回
路を提供することを目的とする。
本発明はまた、バイアス引き出し線を十分高イ
ンピーダンスにしなくても済むようなマイクロ波
トランジスタバイアス回路を提供しようとするも
のである。
ンピーダンスにしなくても済むようなマイクロ波
トランジスタバイアス回路を提供しようとするも
のである。
本発明では、RF信号線路から1/4波長の位置の
バイアス線路に、導体円板を比誘電率εrの２枚の
誘電体フイルムで挟んだ構造のコンデンサを介在
させ、前記円板の直径を1/2波長の実質上１／√
εr倍とし、前記コンデンサを収容する穴径を１波
長の実質上１／√r倍としたことを特徴とする。
バイアス線路に、導体円板を比誘電率εrの２枚の
誘電体フイルムで挟んだ構造のコンデンサを介在
させ、前記円板の直径を1/2波長の実質上１／√
εr倍とし、前記コンデンサを収容する穴径を１波
長の実質上１／√r倍としたことを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
図は本発明の一実施例の縦断面図である。マイ
クロ波帯トランジスタ５はマイクロストリツプ線
路４に接続されている。マイクロストリツプ線路
４には上下２枚に分けられたシヤーシを貫いて直
流バイアス線１が接続されており、この直流バイ
アス線１にはマイクロストリツプ線路４より約1/
４波長（図中、Ｌで示す）の位置に、十分に薄く
直径ｄがほぼ１／２√r波長の導体円板２を比誘
電率εrの誘電体フイルム３及び３′で挟んだ構造
のコンデンサを介在させている。このコンデンサ
を収容する穴径はほぼ１／√r波長である。この
ようにして構成されたRF短絡面を介して、貫通
コンデンサ６が接続されている。
クロ波帯トランジスタ５はマイクロストリツプ線
路４に接続されている。マイクロストリツプ線路
４には上下２枚に分けられたシヤーシを貫いて直
流バイアス線１が接続されており、この直流バイ
アス線１にはマイクロストリツプ線路４より約1/
４波長（図中、Ｌで示す）の位置に、十分に薄く
直径ｄがほぼ１／２√r波長の導体円板２を比誘
電率εrの誘電体フイルム３及び３′で挟んだ構造
のコンデンサを介在させている。このコンデンサ
を収容する穴径はほぼ１／√r波長である。この
ようにして構成されたRF短絡面を介して、貫通
コンデンサ６が接続されている。
この様に構成することで円板２は径方向の先端
が開放され、中心がほぼ短絡面となるのみなら
ず、円板２と誘電体フイルム３，３′を収容した
穴そのものがラジアルチヨークを形成するので、
短絡面はより完全な短絡面となる。
が開放され、中心がほぼ短絡面となるのみなら
ず、円板２と誘電体フイルム３，３′を収容した
穴そのものがラジアルチヨークを形成するので、
短絡面はより完全な短絡面となる。
以上のように、円板２は中心がほぼ短絡面とな
るのみならず、その外導体となる穴径も中心で短
絡面となるよう構成されているから、極めて短絡
特性の良い短絡面を提供する。このため直流バイ
アス線路が多少太めで、十分高インピーダンスの
バイアス引き出し線となり得ない場合でも、この
バイアス回路はRF損失のないバイアス回路とな
り、RF信号線路すなわち、マイクロストリツプ
線路４に対しても影響が少なくなり、安定で高性
能のバイアス回路となる。しかも内導体、すなわ
ち直流バイアス線１は円板２でささえられている
ため、機械的にも安定な構成を与える効果もあ
る。
るのみならず、その外導体となる穴径も中心で短
絡面となるよう構成されているから、極めて短絡
特性の良い短絡面を提供する。このため直流バイ
アス線路が多少太めで、十分高インピーダンスの
バイアス引き出し線となり得ない場合でも、この
バイアス回路はRF損失のないバイアス回路とな
り、RF信号線路すなわち、マイクロストリツプ
線路４に対しても影響が少なくなり、安定で高性
能のバイアス回路となる。しかも内導体、すなわ
ち直流バイアス線１は円板２でささえられている
ため、機械的にも安定な構成を与える効果もあ
る。
以上説明してきたよえに、本発明によれば、使
用帯域内で安定した特性を有し、RF回路側の損
失も少なくすることができる。また、バイアス線
を十分高インピーダンスにしなくても良いため、
バイアス電流の容量も多くとれる。
用帯域内で安定した特性を有し、RF回路側の損
失も少なくすることができる。また、バイアス線
を十分高インピーダンスにしなくても良いため、
バイアス電流の容量も多くとれる。
図は本発明の一実施例の縦断面図である。
図中、１は直流バイアス引き出し線、２はRF
短絡用の導体円板、３，３′は誘電体フイルム、
４はマイクロストリツプ線路、５はマイクロ波ト
ランジスタ、６は貫通コンデンサ。
短絡用の導体円板、３，３′は誘電体フイルム、
４はマイクロストリツプ線路、５はマイクロ波ト
ランジスタ、６は貫通コンデンサ。
Claims (1)
- １ マイクロ波帯トランジスタをバイアスする回
路であつて、RF信号線路から1/4波長の位置のバ
イアス線路に、導体円板を比誘電率εrの２枚の誘
電体フイルムで挟んだ構造のコンデンサを介在さ
せ、前記円板の直径を1/2波長の実質上１／√r
倍とし、前記コンデンサを収容する穴径を１波長
の実質上１／√r倍としたことを特徴とするマイ
クロ波トランジスタバイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16665185A JPS6229212A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | マイクロ波トランジスタバイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16665185A JPS6229212A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | マイクロ波トランジスタバイアス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6229212A JPS6229212A (ja) | 1987-02-07 |
| JPH0261161B2 true JPH0261161B2 (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=15835214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16665185A Granted JPS6229212A (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 | マイクロ波トランジスタバイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6229212A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4990310B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2012-08-01 | 日本放送協会 | アンテナ装置 |
| US8922306B2 (en) * | 2012-06-27 | 2014-12-30 | Tektronix, Inc. | Reduced size bias tee |
-
1985
- 1985-07-30 JP JP16665185A patent/JPS6229212A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6229212A (ja) | 1987-02-07 |
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