JPH0261725B2 - - Google Patents
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- JPH0261725B2 JPH0261725B2 JP56183511A JP18351181A JPH0261725B2 JP H0261725 B2 JPH0261725 B2 JP H0261725B2 JP 56183511 A JP56183511 A JP 56183511A JP 18351181 A JP18351181 A JP 18351181A JP H0261725 B2 JPH0261725 B2 JP H0261725B2
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- electrode
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示装置に係わる。
液晶表示装置、例えばテレビジヨン映像をなす
平面型液晶表示装置においては、いわゆるＸ−Ｙ
単純マトリクス方式と、スイツチングMOSトラ
ンジスタ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）
とホールド用容量を内蔵したアクテイブマトリク
ス方式とが一般的に知られている。これら表示装
置において表示画像の階調がクロストークなどの
点で後者のアクテイブマトリクス方式によるもの
の方が優れている。この種アクテイブマトリクス
方式による液晶表示装置は、時分割多重駆動によ
る。この駆動回路は、例えば第１図に示す構成を
有する。図においてLCはその水平及び垂直方向
のマトリクス状に配列された各液晶表示部を示
す。これら液晶表示部LCは、その各一方の電極
は、共通の電極とされて例えば接地電位とされ、
他方の電極は夫々独立に絵素電極として導出され
る。また図において１は水平方向のシフトレジス
タ、バツフア回路入力回路等を含む水平方向の制
御回路部を示し、２は垂直方向のシフトレジス
タ、バツフア回路等を含む垂直方向の制御回路部
で、水平方向制御回路部１に表示信号が与えられ
て順次的にスイツチングMOSトランジスタによ
つて各液晶表示部を表示するようになされる。ま
たＣは各表示部LCに対して設けられた例えば1/6
０秒間のフイールド信号期間中の電荷蓄積用のす
なわちホールド用容量を示す。
平面型液晶表示装置においては、いわゆるＸ−Ｙ
単純マトリクス方式と、スイツチングMOSトラ
ンジスタ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）
とホールド用容量を内蔵したアクテイブマトリク
ス方式とが一般的に知られている。これら表示装
置において表示画像の階調がクロストークなどの
点で後者のアクテイブマトリクス方式によるもの
の方が優れている。この種アクテイブマトリクス
方式による液晶表示装置は、時分割多重駆動によ
る。この駆動回路は、例えば第１図に示す構成を
有する。図においてLCはその水平及び垂直方向
のマトリクス状に配列された各液晶表示部を示
す。これら液晶表示部LCは、その各一方の電極
は、共通の電極とされて例えば接地電位とされ、
他方の電極は夫々独立に絵素電極として導出され
る。また図において１は水平方向のシフトレジス
タ、バツフア回路入力回路等を含む水平方向の制
御回路部を示し、２は垂直方向のシフトレジス
タ、バツフア回路等を含む垂直方向の制御回路部
で、水平方向制御回路部１に表示信号が与えられ
て順次的にスイツチングMOSトランジスタによ
つて各液晶表示部を表示するようになされる。ま
たＣは各表示部LCに対して設けられた例えば1/6
０秒間のフイールド信号期間中の電荷蓄積用のす
なわちホールド用容量を示す。
本発明はこのようなアクテイブマトリクス方式
による液晶表示装置において、その液晶表示部と
これの駆動回路とを共通の基板上に形成して全体
の小型密実化と、更に液晶表示部の長寿命化を図
るようにした液晶表示装置を提供するものであ
る。
による液晶表示装置において、その液晶表示部と
これの駆動回路とを共通の基板上に形成して全体
の小型密実化と、更に液晶表示部の長寿命化を図
るようにした液晶表示装置を提供するものであ
る。
まず第２図及び第３図を参照して本発明を反射
型液晶表示装置に適用するための一例を説明す
る。
型液晶表示装置に適用するための一例を説明す
る。
第２図は本発明装置の略線的平面図で、第３図
はその一部の拡大断面図を示す。まず第２図を参
照して本発明装置の概略構成を説明するに、本発
明においては、基板１１とこれに対向して設けら
れた透明基板１２との間に液晶１３を封入する液
密空間を形成する。そして、その中央部において
各絵素を構成する液晶表示部Ｅを配置し、その周
辺の例えば四周に第１図で説明した制御回路１及
び２を構成する周辺回路部Ｓを配置する。
はその一部の拡大断面図を示す。まず第２図を参
照して本発明装置の概略構成を説明するに、本発
明においては、基板１１とこれに対向して設けら
れた透明基板１２との間に液晶１３を封入する液
密空間を形成する。そして、その中央部において
各絵素を構成する液晶表示部Ｅを配置し、その周
辺の例えば四周に第１図で説明した制御回路１及
び２を構成する周辺回路部Ｓを配置する。
基板１１は例えば100結晶面を有し比抵抗が２
〜３Ω・cmのシリコン半導体基板より成り、これ
に対向して設けられる透明基板１２は例えば石英
ガラス或いはフロートガラス等の基板によつて構
成する。そして、これら間に形成した液密空間内
には、液晶例えばゲスト−ホスト型の液晶１３を
封入する。基板１１上には、第３図に示すよう
に、液晶表示部を駆動制御する制御回路及び各絵
素に対応して設けられる駆動回路を構成する半導
体回路が設けられる。半導体基板１１の周辺部に
は、前述したように、第１図で説明した制御回路
１及び２を構成する周辺回路部Ｓが設けられ、こ
れより内側において表示部Ｅの複数の絵素部が基
板１１及び１２の板面方向に沿つて水平及び垂直
方向にすなわちマトリクス状に配列される。そし
て半導体基板１１の液晶１３が配置される側には
これらの表示部に対応して例えばＮ型のソース及
びドレイン領域１４ｓ及び１４ｄがイオン注入
法、拡散法等によつて形成され、これら間上にゲ
ート絶縁層１５例えばSiO2層が形成され、更に
これの上にゲート電極１６が設けられて第１図で
説明したスイツチング用のMOSトランジスタが
形成される。またこれらソース領域１４ｓ及びド
レイン領域１４ｄ上にオーミツクに連結して夫々
ソース電極及びドレイン電極となり且つこれらよ
りの配線部となる導電層１７が設けられる。また
これら各MOSに隣合つて基板１１の表面に基板
１１と同導電型の高濃度領域１８が設けられ、こ
れの上には例えばゲート絶縁層１５と同時に形成
されたSiO2等の薄い誘電体層１９が形成され、
これの上にMOSのドレイン電極に連結された導
電層１７が延在して高濃度領域１８との間に第１
図で説明した容量Ｃが構成される。導電層１７が
周辺回路部Ｓにおける配線或いは電極等の導電層
２０と共に例えば低比抵抗の多結晶半導体層例え
ばソース及びドレイン、領域１４ｓ及び１４ｄと
同導電型のＮ型の多結晶シリコン層によつて形成
し得る。２１は基体１１の表面に形成された絶縁
層、例えば厚いSiO2酸化物層である。また、導
電層１７及び２０上を含んで例えば全面的に燐ガ
ラス或いは砒素ガラス等の絶縁層３３を形成し、
これの導電層１７及び２０上の所定部に窓が穿設
され、これら窓を通じて導電層１７及び２０と電
気的に連結する端子導出或いは各導電層１７及び
２０の相互の接続等を行う金属配線層例えばAl
層２２が所定のパターンに形成されてこれの上に
表面が平滑化されるようにいわゆるガラスフロー
された燐ガラス或いはポリイミド系樹脂等による
絶縁層２３が被着される。そしてこの絶縁層２３
上に液晶１３に電圧を与えるための電極特に表示
部Ｅすなわち各絵素に対応して設けられる絵素電
極２４と、周辺回路部Ｓ上に対向する部分、言い
換えれば本来の表示部以外で且つ液晶１３の四周
に対する例えばリング状の周辺電極２５と、更に
端子部３２とを配置する。各絵素電極２４はこれ
の下の例えば容量Ｃの一方の電極となる導電層１
７に接続された金層配線層２２に、絶縁層２３に
穿設された窓を通じて電気的に接続される。電極
２４及び２５上とこれらが形成されていない絶縁
層２３上に渡つて全面的にSiO2等の液晶の配向
効果を得るための配向処理がなされた配向層２６
が全面的に被着される。
〜３Ω・cmのシリコン半導体基板より成り、これ
に対向して設けられる透明基板１２は例えば石英
ガラス或いはフロートガラス等の基板によつて構
成する。そして、これら間に形成した液密空間内
には、液晶例えばゲスト−ホスト型の液晶１３を
封入する。基板１１上には、第３図に示すよう
に、液晶表示部を駆動制御する制御回路及び各絵
素に対応して設けられる駆動回路を構成する半導
体回路が設けられる。半導体基板１１の周辺部に
は、前述したように、第１図で説明した制御回路
１及び２を構成する周辺回路部Ｓが設けられ、こ
れより内側において表示部Ｅの複数の絵素部が基
板１１及び１２の板面方向に沿つて水平及び垂直
方向にすなわちマトリクス状に配列される。そし
て半導体基板１１の液晶１３が配置される側には
これらの表示部に対応して例えばＮ型のソース及
びドレイン領域１４ｓ及び１４ｄがイオン注入
法、拡散法等によつて形成され、これら間上にゲ
ート絶縁層１５例えばSiO2層が形成され、更に
これの上にゲート電極１６が設けられて第１図で
説明したスイツチング用のMOSトランジスタが
形成される。またこれらソース領域１４ｓ及びド
レイン領域１４ｄ上にオーミツクに連結して夫々
ソース電極及びドレイン電極となり且つこれらよ
りの配線部となる導電層１７が設けられる。また
これら各MOSに隣合つて基板１１の表面に基板
１１と同導電型の高濃度領域１８が設けられ、こ
れの上には例えばゲート絶縁層１５と同時に形成
されたSiO2等の薄い誘電体層１９が形成され、
これの上にMOSのドレイン電極に連結された導
電層１７が延在して高濃度領域１８との間に第１
図で説明した容量Ｃが構成される。導電層１７が
周辺回路部Ｓにおける配線或いは電極等の導電層
２０と共に例えば低比抵抗の多結晶半導体層例え
ばソース及びドレイン、領域１４ｓ及び１４ｄと
同導電型のＮ型の多結晶シリコン層によつて形成
し得る。２１は基体１１の表面に形成された絶縁
層、例えば厚いSiO2酸化物層である。また、導
電層１７及び２０上を含んで例えば全面的に燐ガ
ラス或いは砒素ガラス等の絶縁層３３を形成し、
これの導電層１７及び２０上の所定部に窓が穿設
され、これら窓を通じて導電層１７及び２０と電
気的に連結する端子導出或いは各導電層１７及び
２０の相互の接続等を行う金属配線層例えばAl
層２２が所定のパターンに形成されてこれの上に
表面が平滑化されるようにいわゆるガラスフロー
された燐ガラス或いはポリイミド系樹脂等による
絶縁層２３が被着される。そしてこの絶縁層２３
上に液晶１３に電圧を与えるための電極特に表示
部Ｅすなわち各絵素に対応して設けられる絵素電
極２４と、周辺回路部Ｓ上に対向する部分、言い
換えれば本来の表示部以外で且つ液晶１３の四周
に対する例えばリング状の周辺電極２５と、更に
端子部３２とを配置する。各絵素電極２４はこれ
の下の例えば容量Ｃの一方の電極となる導電層１
７に接続された金層配線層２２に、絶縁層２３に
穿設された窓を通じて電気的に接続される。電極
２４及び２５上とこれらが形成されていない絶縁
層２３上に渡つて全面的にSiO2等の液晶の配向
効果を得るための配向処理がなされた配向層２６
が全面的に被着される。
一方透明基板１２の内面には、基板１１側に設
けられた周辺電極２５と対向して遮光性を有する
電極２７例えばCr層とAu層とが積層された電極
或いはTi層とAu層とが積層された電極が形成さ
れる。この電極２７上にはSiO2等の同様に液晶
の配向効果を得るための配向処理がなされた配向
層２８が被着形成される。また、透明基板１２の
表示部Ｅを構成する部分の内面には、各絵素電極
２４に対して共通の対向電極２９となる透明電極
例えばSnO2或いはTiO3層等が被着される。この
対向電極２９は例えば配向層２８に穿設された窓
を通じて遮光電極２７に電気的に接続されて例え
ばこれらに接地電位が供給される。また対向電極
２９の表面も液晶の配向効果を得るための配向処
理がなされる。
けられた周辺電極２５と対向して遮光性を有する
電極２７例えばCr層とAu層とが積層された電極
或いはTi層とAu層とが積層された電極が形成さ
れる。この電極２７上にはSiO2等の同様に液晶
の配向効果を得るための配向処理がなされた配向
層２８が被着形成される。また、透明基板１２の
表示部Ｅを構成する部分の内面には、各絵素電極
２４に対して共通の対向電極２９となる透明電極
例えばSnO2或いはTiO3層等が被着される。この
対向電極２９は例えば配向層２８に穿設された窓
を通じて遮光電極２７に電気的に接続されて例え
ばこれらに接地電位が供給される。また対向電極
２９の表面も液晶の配向効果を得るための配向処
理がなされる。
３０は基板１１及び透明基板１２間の間隔を規
制して液晶１３の封入空間の厚さを規制するスペ
ーサとなり且つ液晶封入空間を液密に保持する障
壁でまた３１はAgペースト或いはInバンプ等よ
りなる導電体で、例えば遮光電極２７とこれに対
応する端子部３２とを電気的に接続する。
制して液晶１３の封入空間の厚さを規制するスペ
ーサとなり且つ液晶封入空間を液密に保持する障
壁でまた３１はAgペースト或いはInバンプ等よ
りなる導電体で、例えば遮光電極２７とこれに対
応する端子部３２とを電気的に接続する。
基板１１の裏面には電極層５３例えば300Åの
厚さのTi層と300Åの厚さのAu層とが積層され
て被着され例えばこれに接地電位が与えられる。
厚さのTi層と300Åの厚さのAu層とが積層され
て被着され例えばこれに接地電位が与えられる。
そして特に本発明においては、周辺電極２５に
遮光電極２７と同電位の接地電位がが与えられて
液晶１３の表示部以外の周辺回路部における液晶
が無電界状態となるようにする。
遮光電極２７と同電位の接地電位がが与えられて
液晶１３の表示部以外の周辺回路部における液晶
が無電界状態となるようにする。
このような構成による表示装置は、第１図で説
明した制御回路１及び２と、各絵素を駆動する駆
動回路すなわちMOS及びＣ等と、液晶表示部LC
が共通の基板において一体化されて形成されるの
で小型密実化、更に組立製造の簡易化従つて量産
性が図られるとともに特に液晶１３のその表示部
すなわち絵素となる部分以外にはこれを挟んで対
向する周辺電極２５と遮光電極２７とに同電位が
与えられるのでこの部分には電界が与えられない
状態に保持されるものであり、これがためここに
おける液晶の疲労が生じることがなくこの疲労に
よる液晶の特性低下が他の本来の表示部に及んで
行く不都合を回避できる。
明した制御回路１及び２と、各絵素を駆動する駆
動回路すなわちMOS及びＣ等と、液晶表示部LC
が共通の基板において一体化されて形成されるの
で小型密実化、更に組立製造の簡易化従つて量産
性が図られるとともに特に液晶１３のその表示部
すなわち絵素となる部分以外にはこれを挟んで対
向する周辺電極２５と遮光電極２７とに同電位が
与えられるのでこの部分には電界が与えられない
状態に保持されるものであり、これがためここに
おける液晶の疲労が生じることがなくこの疲労に
よる液晶の特性低下が他の本来の表示部に及んで
行く不都合を回避できる。
尚、上述した例においては液晶表示部Ｅにおけ
る共通の対向電極２９にも接地電位が与えられる
場合にはこの対向電極２９と遮光電極２７とは電
気的に分離され且つ対向電極２９から独立に端子
導出がなされることは言うまでもないところであ
ろう。
る共通の対向電極２９にも接地電位が与えられる
場合にはこの対向電極２９と遮光電極２７とは電
気的に分離され且つ対向電極２９から独立に端子
導出がなされることは言うまでもないところであ
ろう。
上述した本発明装置においては基板１１上に設
けられた駆動制御回路によつて映像表示信号に応
じた信号電圧が液晶表示部Ｅの各絵素の、絵素電
極２４に順次与えられてこれと対向する対向電極
２９との共働によつて各絵素部の液晶に所定の電
圧が印加されることによつて光学的変化が得られ
これを透明基板１２側から透明電極よりなる対向
電極２９を通じて観察することができ目的とする
光学的表示を得ることができる。
けられた駆動制御回路によつて映像表示信号に応
じた信号電圧が液晶表示部Ｅの各絵素の、絵素電
極２４に順次与えられてこれと対向する対向電極
２９との共働によつて各絵素部の液晶に所定の電
圧が印加されることによつて光学的変化が得られ
これを透明基板１２側から透明電極よりなる対向
電極２９を通じて観察することができ目的とする
光学的表示を得ることができる。
上述した例においては、本発明を反射型液晶表
示装置に適用した場合であるが、本発明を透過型
液晶表示装置に適用することもできる。この場合
の一例を第４図を参照して説明しよう。第４図
は、この透懐型液晶表示装置の要部の拡大断面図
を示すもので、第３図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。すなわちこの例
においても前述したと同様に基板１１と透明基板
１２とを対向して設ける。そして両者間に形成し
た液密空間に液晶例えばネマチツクツイスト型の
液晶１３を配置し、その中央部において各絵素を
構成する液晶表示部Ｅを構成し、その周辺の例え
ば四周に第１図で説明した制御回路部１及び２を
構成する周辺回路部Ｓを構成するものであるが、
特にこの例においては、基板１１を透明基板例え
ばサフアイア基板によつて構成し、このサフアイ
ア基板１１上に例えばエピタキシヤル成長等によ
る半導体層４１を形成し、これに第３図で説明し
たと同様の半導体回路を形成する。すなわちこの
半導体層４１の周辺部に第１図で説明した制御回
路１及び２を構成する周辺回路部Ｓを形成し、こ
れにより内側において表示部Ｅの複数の絵素部を
マトリクス状に配列形成し、これらに対応して第
１図で説明した各絵素に対応する駆動回路、すな
わちMOS及びＣを配置する。
示装置に適用した場合であるが、本発明を透過型
液晶表示装置に適用することもできる。この場合
の一例を第４図を参照して説明しよう。第４図
は、この透懐型液晶表示装置の要部の拡大断面図
を示すもので、第３図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。すなわちこの例
においても前述したと同様に基板１１と透明基板
１２とを対向して設ける。そして両者間に形成し
た液密空間に液晶例えばネマチツクツイスト型の
液晶１３を配置し、その中央部において各絵素を
構成する液晶表示部Ｅを構成し、その周辺の例え
ば四周に第１図で説明した制御回路部１及び２を
構成する周辺回路部Ｓを構成するものであるが、
特にこの例においては、基板１１を透明基板例え
ばサフアイア基板によつて構成し、このサフアイ
ア基板１１上に例えばエピタキシヤル成長等によ
る半導体層４１を形成し、これに第３図で説明し
たと同様の半導体回路を形成する。すなわちこの
半導体層４１の周辺部に第１図で説明した制御回
路１及び２を構成する周辺回路部Ｓを形成し、こ
れにより内側において表示部Ｅの複数の絵素部を
マトリクス状に配列形成し、これらに対応して第
１図で説明した各絵素に対応する駆動回路、すな
わちMOS及びＣを配置する。
この例においては容量Ｃを半導体層４１に設け
られた高濃度領域１８この例ではＮ型の高濃度領
域上に形成した薄い絶縁層１９を挟んでMOSの
ドレイン領域１４ｄにオーミツクに連結された導
電層１７との間に形成される静電容量と、顕にこ
の導電層１７上に絶縁層３３を介して延在され且
つ高濃度領域１８にオーミツクに接続された例え
ばTaよりなる電極層４２との間に形成された静
電容量とまた更にこの電極層４２とこれのTaの
表面を酸化させたTa2O5よりなる絶縁層を介して
これの上に延在されドレイン領域１４ｄと電気的
に接続された金属導電層２２との間に形成された
静電容量との並列接続された容量によつて構成し
た場合である。
られた高濃度領域１８この例ではＮ型の高濃度領
域上に形成した薄い絶縁層１９を挟んでMOSの
ドレイン領域１４ｄにオーミツクに連結された導
電層１７との間に形成される静電容量と、顕にこ
の導電層１７上に絶縁層３３を介して延在され且
つ高濃度領域１８にオーミツクに接続された例え
ばTaよりなる電極層４２との間に形成された静
電容量とまた更にこの電極層４２とこれのTaの
表面を酸化させたTa2O5よりなる絶縁層を介して
これの上に延在されドレイン領域１４ｄと電気的
に接続された金属導電層２２との間に形成された
静電容量との並列接続された容量によつて構成し
た場合である。
そしてまたこの例においては、各絵素電極２４
を透明電極例えばSnO2、TiO3等によつて形成す
る。
を透明電極例えばSnO2、TiO3等によつて形成す
る。
また透明基板１２側には、各絵素間を分離する
ように格子状、または網状に遮光性導電層４３例
えばCr層−Au層、或いはTi層−Au層の各積層
構造の導電層を被着する。この遮光性導電層４３
は、透明基板１２の周辺に設けられた遮光電極２
７の形成と同時に形成し得、更に相互に連結して
すなわち電気的に互いに接続されるように形成し
得る。透明対向電極２９は少くとも遮光性導電層
４３が形成されていない格子ないしは網目内に被
着され前述した例と同様にSiO2等の絶縁層２８
に穿設した窓を通じて遮光電極２７に連結され
る。
ように格子状、または網状に遮光性導電層４３例
えばCr層−Au層、或いはTi層−Au層の各積層
構造の導電層を被着する。この遮光性導電層４３
は、透明基板１２の周辺に設けられた遮光電極２
７の形成と同時に形成し得、更に相互に連結して
すなわち電気的に互いに接続されるように形成し
得る。透明対向電極２９は少くとも遮光性導電層
４３が形成されていない格子ないしは網目内に被
着され前述した例と同様にSiO2等の絶縁層２８
に穿設した窓を通じて遮光電極２７に連結され
る。
基板１１の裏面には、遮光性導電層４３の格子
ないしは網目部分に対向する部分に窓４４が穿設
された遮光層４５例えば黒色のシリコン樹脂或い
はエポキシ樹脂または黒色金属、カーボン層が被
着され、その例えば一側縁に基板１１の裏面に直
接的に接して例えば多結晶シリコン層４６を介し
てAl等の金属層４７を形成する。或いは遮光層
４５はこれら多結晶シリコン層４６と金属層４７
の積層体によつて構成することもできる。
ないしは網目部分に対向する部分に窓４４が穿設
された遮光層４５例えば黒色のシリコン樹脂或い
はエポキシ樹脂または黒色金属、カーボン層が被
着され、その例えば一側縁に基板１１の裏面に直
接的に接して例えば多結晶シリコン層４６を介し
てAl等の金属層４７を形成する。或いは遮光層
４５はこれら多結晶シリコン層４６と金属層４７
の積層体によつて構成することもできる。
このようにして基板１１及び１２の遮光層４５
及び４３の格子ないしは網目内を光透過部として
これらを表示部Ｅの各絵素部とし、遮光層４５及
び４３が配置されて遮光された部分に各MOSが
配置されるようにする。
及び４３の格子ないしは網目内を光透過部として
これらを表示部Ｅの各絵素部とし、遮光層４５及
び４３が配置されて遮光された部分に各MOSが
配置されるようにする。
以上において、遮光電極２７や遮光性導電層４
３を光反射率の低いCr層やＷ層によつて構成す
ることができる。透明基板１２周辺部において基
板１１との貼合せの際の位置合せマークを遮光電
極２７の欠除パターンによつて形成することがで
き、又透明基板１２のスクライブ線近傍には遮光
電極２７や透明対向電極２９を形成しないことに
よりスクライブによつてめくれるこれらの電極に
よる基板１１との間の短絡を防ぐことができる。
３を光反射率の低いCr層やＷ層によつて構成す
ることができる。透明基板１２周辺部において基
板１１との貼合せの際の位置合せマークを遮光電
極２７の欠除パターンによつて形成することがで
き、又透明基板１２のスクライブ線近傍には遮光
電極２７や透明対向電極２９を形成しないことに
よりスクライブによつてめくれるこれらの電極に
よる基板１１との間の短絡を防ぐことができる。
このような構成において前述した例と同様に基
板１１上に設けられた駆動制御回路によつて映像
表示信号に応じた信号電圧が液晶表示部Ｅの各絵
素の透明絵素電極２４に順次与えられてこれと対
向する対向電極２９との共働によつて各絵素部の
液晶に所定の電圧が与えられて周知のように旋光
性の制御がなされて基板１１または１２側から透
過光の変化として光学的表示の観察が行われる。
板１１上に設けられた駆動制御回路によつて映像
表示信号に応じた信号電圧が液晶表示部Ｅの各絵
素の透明絵素電極２４に順次与えられてこれと対
向する対向電極２９との共働によつて各絵素部の
液晶に所定の電圧が与えられて周知のように旋光
性の制御がなされて基板１１または１２側から透
過光の変化として光学的表示の観察が行われる。
第１図は本発明の説明に供する液晶表示装置の
駆動制御回路の構成図、第２図は本発明による液
晶表示装置の一例の略線的平面図、第３図はその
要部の拡大断面図、第４図は本発明装置の他の例
の要部の拡大断面図である。 １１は基板、１２は透明基板、１３は液晶、２
４は液晶電極、２９は対向電極、２７及び２５は
遮光電極及びこれと対向する周辺電極である。
駆動制御回路の構成図、第２図は本発明による液
晶表示装置の一例の略線的平面図、第３図はその
要部の拡大断面図、第４図は本発明装置の他の例
の要部の拡大断面図である。 １１は基板、１２は透明基板、１３は液晶、２
４は液晶電極、２９は対向電極、２７及び２５は
遮光電極及びこれと対向する周辺電極である。
Claims (1)
- １ 基板の表面または基板上に半導体回路が設け
られ、上記基板の上記半導体回路を有する側に対
向して透明板が設けられ該透明板と上記基板との
対向部間が液密に保持され該液密空間内に液晶が
封入され、表示部の液晶に電圧を印加する複数の
絵素電極とこれの対向電極とが上記基板側と上記
透明板側とに設けられ、上記表示部以外の液晶に
ほぼ同電位を与える遮光電極とこれに対向する電
極とが上記透明板側と上記基板側とに設けられて
成る液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56183511A JPS5885478A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56183511A JPS5885478A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885478A JPS5885478A (ja) | 1983-05-21 |
| JPH0261725B2 true JPH0261725B2 (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=16137114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56183511A Granted JPS5885478A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885478A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001249352A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2006267818A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置およびプロジェクタ |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62167221U (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-23 | ||
| JPH06118432A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-04-28 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JP3397810B2 (ja) * | 1992-10-29 | 2003-04-21 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH06138488A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-05-20 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPH0734076B2 (ja) * | 1993-02-18 | 1995-04-12 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶プロジェクション装置 |
| JP3163576B2 (ja) * | 1995-06-01 | 2001-05-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| JP3640224B2 (ja) | 1996-06-25 | 2005-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示パネル |
| US7298447B1 (en) | 1996-06-25 | 2007-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| US6465268B2 (en) | 1997-05-22 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| JP2002023196A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-01-23 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| WO2025206044A1 (ja) * | 2024-03-27 | 2025-10-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 発光装置および画像表示装置 |
-
1981
- 1981-11-16 JP JP56183511A patent/JPS5885478A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001249352A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2006267818A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置およびプロジェクタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5885478A (ja) | 1983-05-21 |
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