JPH026186B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH026186B2 JPH026186B2 JP55142102A JP14210280A JPH026186B2 JP H026186 B2 JPH026186 B2 JP H026186B2 JP 55142102 A JP55142102 A JP 55142102A JP 14210280 A JP14210280 A JP 14210280A JP H026186 B2 JPH026186 B2 JP H026186B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electron beam
- cathode
- ray tube
- cathode ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/44—Factory adjustment of completed discharge tubes or lamps to comply with desired tolerances
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は陰極線管の製造方法、特に耐電圧特性
を向上させた電子ビームノツキング処理方法に関
するものである。
を向上させた電子ビームノツキング処理方法に関
するものである。
一般に陰極線管の製造方法において、排気後の
一工程でスポツトノツキング処理が行なわれるこ
とは周知である。このスポツトノツキング処理は
陰極線管をセツトに実装した際に用いられる最高
電圧値よりさらに高い電圧を電子銃構体の電極に
印加し、管内で放電（スパーク）を発生させ、電
極表面をクリーニングさせて耐電圧特性の向上を
計る等を目的とするものである。
一工程でスポツトノツキング処理が行なわれるこ
とは周知である。このスポツトノツキング処理は
陰極線管をセツトに実装した際に用いられる最高
電圧値よりさらに高い電圧を電子銃構体の電極に
印加し、管内で放電（スパーク）を発生させ、電
極表面をクリーニングさせて耐電圧特性の向上を
計る等を目的とするものである。
第１図は従来一般に用いられているハイフオー
カス形のカラー陰極線管のネツク管内に封入され
ている電子銃構体の一例を示す要部平面構成図で
ある。同図において、１は20〜30KV程度の高電
圧が印加されるG4電極、２はG4電極１に印加さ
れる高電圧の20〜30％の電圧が印加されてフオー
カス系電子レンズを形成するG3電極、３は300〜
600V程度の電圧が印加されて電子ビームを加速
するG2電極、４はG1電極、５はカソード電極、
６はヒータであり、これらの電極１〜６は互いに
所定距離離間されて少なくとも２本のビードガラ
ス７に保持固定され、ネツク管８と同一軸上に配
設されている。
カス形のカラー陰極線管のネツク管内に封入され
ている電子銃構体の一例を示す要部平面構成図で
ある。同図において、１は20〜30KV程度の高電
圧が印加されるG4電極、２はG4電極１に印加さ
れる高電圧の20〜30％の電圧が印加されてフオー
カス系電子レンズを形成するG3電極、３は300〜
600V程度の電圧が印加されて電子ビームを加速
するG2電極、４はG1電極、５はカソード電極、
６はヒータであり、これらの電極１〜６は互いに
所定距離離間されて少なくとも２本のビードガラ
ス７に保持固定され、ネツク管８と同一軸上に配
設されている。
このように構成されたハイフオーカスタイプの
電子銃構体は、フオーカス電極となるG3電極２
が従来のBPF形に比較して使用時の印加電圧が
高いため、G2電極３に起因する耐電圧不良（ス
トレー不良と記す）が問題となつていた。すなわ
ち、陰極線管の排気活性化中あるいはエージング
中にカソード５が約900℃前後に加熱されるため、
オキサイドからBaが蒸発してG2電極３に付着し、
これがエミツシヨソースとなつてG2電極３の仕
事函数を低下させ、G2電極３とG3電極２間の電
界により電子放射を発生させていた。この場合、
勿論エージング工程の前後にはノツキングポジシ
ヨンが設けられており、同図に示すようにG4電
極１に直流高電圧電源９を接続し、G4電極１に
40〜75KVの高電圧を印加し、他の電極つまりG3
電極２，G2電極３，G1電極４，カソード５およ
びヒータ６をアース接地させてG4電極１とG3電
極２間でノツキング処理させていたが、G2電極
３外面へのノツキング効果はほとんど皆無に等し
かつた。
電子銃構体は、フオーカス電極となるG3電極２
が従来のBPF形に比較して使用時の印加電圧が
高いため、G2電極３に起因する耐電圧不良（ス
トレー不良と記す）が問題となつていた。すなわ
ち、陰極線管の排気活性化中あるいはエージング
中にカソード５が約900℃前後に加熱されるため、
オキサイドからBaが蒸発してG2電極３に付着し、
これがエミツシヨソースとなつてG2電極３の仕
事函数を低下させ、G2電極３とG3電極２間の電
界により電子放射を発生させていた。この場合、
勿論エージング工程の前後にはノツキングポジシ
ヨンが設けられており、同図に示すようにG4電
極１に直流高電圧電源９を接続し、G4電極１に
40〜75KVの高電圧を印加し、他の電極つまりG3
電極２，G2電極３，G1電極４，カソード５およ
びヒータ６をアース接地させてG4電極１とG3電
極２間でノツキング処理させていたが、G2電極
３外面へのノツキング効果はほとんど皆無に等し
かつた。
したがつて本発明は、各電極に所定の電圧を印
加してカソードより電子ビームをデイフオーカス
状態で取り出し、この電子ビームを加速させて
G2電極面に衝突させることによつてG2電極面へ
付着した蒸着Baを除去するようにした陰極線管
の製造方法を提供することを目的としている。
加してカソードより電子ビームをデイフオーカス
状態で取り出し、この電子ビームを加速させて
G2電極面に衝突させることによつてG2電極面へ
付着した蒸着Baを除去するようにした陰極線管
の製造方法を提供することを目的としている。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
第２図は本発明による陰極線管の製造方法に係
わる電子ビームノツキング方法の一例を説明する
ための電子銃構体の要部平面構成図であり、第１
図と同記号は同一要素となるのでその説明は省略
する。第２図において、G4電極１，G3電極２に
は直流中高圧電源９の正極側が接続され、G4電
極１，G3電極２には４〜5KV程度の中高電圧が
印加されている。この場合、G4電極１とG3電極
２は同電位のため主レンズはフオーカスされずデ
イフオーカスの状態になる。
わる電子ビームノツキング方法の一例を説明する
ための電子銃構体の要部平面構成図であり、第１
図と同記号は同一要素となるのでその説明は省略
する。第２図において、G4電極１，G3電極２に
は直流中高圧電源９の正極側が接続され、G4電
極１，G3電極２には４〜5KV程度の中高電圧が
印加されている。この場合、G4電極１とG3電極
２は同電位のため主レンズはフオーカスされずデ
イフオーカスの状態になる。
また、G2電極３には直流低圧電源１０の正極
側が接続され、G2電極３には400〜500V程度の低
電圧が印加されている。そして、G1電極４，カ
ソード５はアース接地され、ヒータ６には定格
6.3Vに対して約9Vの交流電源１１が接続されて
いる。
側が接続され、G2電極３には400〜500V程度の低
電圧が印加されている。そして、G1電極４，カ
ソード５はアース接地され、ヒータ６には定格
6.3Vに対して約9Vの交流電源１１が接続されて
いる。
このような接続回路において、ヒータ６を加熱
させ、中高圧電圧電源９，低電圧電源１０から所
定の電圧を同時に印加させることによつて、カソ
ード５から電子ビームを放射させる。実使用条件
では、G4電極１に約25KV，G3電極２に約7KV
印加され、カソード５から放射された電子ビーム
は強力に加速されかつ収束されるためにG2電極
３やG1電極４の電子ビーム通過孔には当らない。
しかしながら第２図で示したようにG4電極１と
G3電極２に同電位の中高圧電圧の４〜5KVを印
加すると、カソード５から放射された電子ビーム
は実使用条件時よりも収束が弱つて電子ビームの
一部がG2電極３やG1電極４の電子ビーム通過孔
付近に当つてG2電極３やG1電極４の電子ビーム
通過孔の周辺に付着しているカソードからの蒸着
物等の異物を除去する。
させ、中高圧電圧電源９，低電圧電源１０から所
定の電圧を同時に印加させることによつて、カソ
ード５から電子ビームを放射させる。実使用条件
では、G4電極１に約25KV，G3電極２に約7KV
印加され、カソード５から放射された電子ビーム
は強力に加速されかつ収束されるためにG2電極
３やG1電極４の電子ビーム通過孔には当らない。
しかしながら第２図で示したようにG4電極１と
G3電極２に同電位の中高圧電圧の４〜5KVを印
加すると、カソード５から放射された電子ビーム
は実使用条件時よりも収束が弱つて電子ビームの
一部がG2電極３やG1電極４の電子ビーム通過孔
付近に当つてG2電極３やG1電極４の電子ビーム
通過孔の周辺に付着しているカソードからの蒸着
物等の異物を除去する。
すなわち、G2電極３，G1電極４の電子ビーム
通過孔周辺部分がクリーニングされたストレーエ
ミツシヨンの発生源を除去し、耐電圧特性を大巾
に向上できる。
通過孔周辺部分がクリーニングされたストレーエ
ミツシヨンの発生源を除去し、耐電圧特性を大巾
に向上できる。
この場合、この電子ビームノツキング方法は、
エージングコンベア上の後ノツキングポジシヨン
に設定することによつて、エージング中に付着し
た蒸着Baを除去させる。この結果、G2電極３に
起因する耐電圧不良を従来の約1/3以下に減少さ
せることができた。
エージングコンベア上の後ノツキングポジシヨン
に設定することによつて、エージング中に付着し
た蒸着Baを除去させる。この結果、G2電極３に
起因する耐電圧不良を従来の約1/3以下に減少さ
せることができた。
以上説明したように本発明による方法によれ
ば、G2電極以下の低電位電極の電子ビーム通過
孔周辺部分に付着されたストレーエミツシヨンの
発生源を除去することができるので、電子銃構体
の耐電圧特性が向上し、陰極線管の商品としての
信頼性を大幅に向上させることができる極めて優
れた効果が得られる。
ば、G2電極以下の低電位電極の電子ビーム通過
孔周辺部分に付着されたストレーエミツシヨンの
発生源を除去することができるので、電子銃構体
の耐電圧特性が向上し、陰極線管の商品としての
信頼性を大幅に向上させることができる極めて優
れた効果が得られる。
第１図は従来のスポツトノツキング方法の一例
を説明するための電子銃構体の要部平面構成図、
第２図は本発明により陰極線管の製造方法に係わ
る電子ビームノツキング方法の一例を説明するた
めの電子銃構体の要部構成図である。 １……G4電極、２……G3電極、３……G2電極、
４……G1電極、５……カソード、６……ヒータ、
７……ビードガラス、８……ネツク管、９……直
流高圧電源、１０……直流低圧電源、１１……交
流電源。
を説明するための電子銃構体の要部平面構成図、
第２図は本発明により陰極線管の製造方法に係わ
る電子ビームノツキング方法の一例を説明するた
めの電子銃構体の要部構成図である。 １……G4電極、２……G3電極、３……G2電極、
４……G1電極、５……カソード、６……ヒータ、
７……ビードガラス、８……ネツク管、９……直
流高圧電源、１０……直流低圧電源、１１……交
流電源。
Claims (1)
- １ 複数の高電位，低電位格子電極と陰極とを有
する電子銃構体を備えた陰極線管の製造におい
て、エージング工程とスポツトノツキング工程間
に前記格子電極に所定の電圧を印加して前記陰極
より電子ビームをデイフオーカス状態で取り出し
て加速させ前記低電位格子電極の電子ビーム通過
孔周辺部を電子ビームノツキング処理する工程を
含むことを特徴とした陰極線管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55142102A JPS5767261A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Manufacturing method for cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55142102A JPS5767261A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Manufacturing method for cathode-ray tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5767261A JPS5767261A (en) | 1982-04-23 |
| JPH026186B2 true JPH026186B2 (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=15307470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55142102A Granted JPS5767261A (en) | 1980-10-13 | 1980-10-13 | Manufacturing method for cathode-ray tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5767261A (ja) |
-
1980
- 1980-10-13 JP JP55142102A patent/JPS5767261A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5767261A (en) | 1982-04-23 |
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