JPH0263002A - レーザ反射鏡 - Google Patents
レーザ反射鏡Info
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- JPH0263002A JPH0263002A JP21556388A JP21556388A JPH0263002A JP H0263002 A JPH0263002 A JP H0263002A JP 21556388 A JP21556388 A JP 21556388A JP 21556388 A JP21556388 A JP 21556388A JP H0263002 A JPH0263002 A JP H0263002A
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Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(ト)技術分野
この発明は、Co2レーザ、COレーザなど赤外レーザ
に用いられるレーザ反射鏡に閃する。
に用いられるレーザ反射鏡に閃する。
C02レーザは、たとえば10.6μmの波長の光を発
生する。波長が可視光よりも長いので、可視光用の反射
鏡とは異なる反射鏡が要求される。
生する。波長が可視光よりも長いので、可視光用の反射
鏡とは異なる反射鏡が要求される。
また、単に波長が違うだけではなく、CO2レーザの場
合、大出力の光がでるので、反射鏡は著しく加熱される
。
合、大出力の光がでるので、反射鏡は著しく加熱される
。
反射率が高(、耐熱性に優れていることが要求される。
さらに、水冷して使うことも多いが、この場合、有効に
冷却できるためには、熱伝導率が高い、ということが重
要である。
冷却できるためには、熱伝導率が高い、ということが重
要である。
さらに、反射鏡なのであるから、表面についた汚れを落
しやすく、この際に表面に傷がつかない、という事も要
求される。
しやすく、この際に表面に傷がつかない、という事も要
求される。
また、加工しやすいという事も反射鏡材料としては重要
なことである。
なことである。
(イ)従来技術
赤外レーザ用の反°射鏡として、従来、大きくわけて、
ふたつのタイプの反射鏡が用いられている。
ふたつのタイプの反射鏡が用いられている。
(:)鏡面加工された金属を反射鏡基板とするもの。
金属基板としてはCu、Moが用いられている。
Cuは被加工性、熱伝導性に優れる。赤外レーザ光に対
する理論反射率も99%以上であって極めて高い。素材
価格も安い。このようなわけで、Cuが最も多く用いら
れている。
する理論反射率も99%以上であって極めて高い。素材
価格も安い。このようなわけで、Cuが最も多く用いら
れている。
Cuは、こういうわけで、鏡面加工されたままの状態で
使われることもある。
使われることもある。
しかし、Cu表面が酸化しやすいので、金Auの薄膜を
、メツキ、イオンプレーティングなどでCuの上に形成
し、酸化を防止するようになった反射鏡もある(第2図
(a))。
、メツキ、イオンプレーティングなどでCuの上に形成
し、酸化を防止するようになった反射鏡もある(第2図
(a))。
これだけでは強度に乏しいので、Cu基板の表面にNi
薄膜を形成し、さらに、その上にAuの薄膜をつける、
という事も行われる(第2図(b))。
薄膜を形成し、さらに、その上にAuの薄膜をつける、
という事も行われる(第2図(b))。
MOを反射鏡材料とするものもある。Moは硬度が高い
ので、スパッタなどにより汚れが付いても、プーラシで
簡単にこすり落すことができる。
ので、スパッタなどにより汚れが付いても、プーラシで
簡単にこすり落すことができる。
つまり、MO表面をブラシでこすっても傷がつかない。
そこで、MOの場合は、鏡面加工したものを、そのまま
用いる。Au、Niなとの薄膜コーティングしないのが
ふつうである。
用いる。Au、Niなとの薄膜コーティングしないのが
ふつうである。
金属基板反射鏡を、ここで単純に列挙すると、Cu
Cu / Au
Cu/Ni/Au
M。
という事になる。ただし、斜線で区別られた物質は最初
のものが基板を、2番、3番目はその上の薄膜を表わす
もの゛とする。
のものが基板を、2番、3番目はその上の薄膜を表わす
もの゛とする。
(11)鏡面加工されたSiやGeを反射鏡基板として
用いるもの。
用いるもの。
半導体であるSiやGe基板の上にAu或はAgをつけ
、さらにその上に丁hF4やZn5eなどの誘電体薄膜
を多数層積層したものである。
、さらにその上に丁hF4やZn5eなどの誘電体薄膜
を多数層積層したものである。
Si、Ge/Au、Ag/ThF4.Zn5eここで、
Au 、 Agや誘電体薄膜を付けるのは、赤外光に対
する反射率を高めるためである。第2図(C)に概略断
面を示す。
Au 、 Agや誘電体薄膜を付けるのは、赤外光に対
する反射率を高めるためである。第2図(C)に概略断
面を示す。
(ロ) 発明が解決しようとする問題点(1)に示した
金属基板タイプのものは、Cu、 M。
金属基板タイプのものは、Cu、 M。
ともにそれぞれ欠点がある。
Cu反射鏡は硬度が低いため傷つきやすい。使用時に、
表面が汚れると、反射率が落ち、レーザ光の吸収が大き
くなって、発熱が著しくなる。このため汚れはきれいに
拭きとらなければならない。
表面が汚れると、反射率が落ち、レーザ光の吸収が大き
くなって、発熱が著しくなる。このため汚れはきれいに
拭きとらなければならない。
ガーゼなどでCu反射鏡を拭き、洗浄する必要がある。
このとき表面に傷がつく。また、表面のAu層が剥離す
る。こういうわけで、反射率が低下することがある。
る。こういうわけで、反射率が低下することがある。
Mo反射鏡は、硬度が高いので、ガーゼで拭きとり洗浄
しても、傷つける惧れかない。しかし、高価な材料であ
る。このため高価な反射鏡になってしまう。また、MO
は被加工性が悪い。脆くて硬い。
しても、傷つける惧れかない。しかし、高価な材料であ
る。このため高価な反射鏡になってしまう。また、MO
は被加工性が悪い。脆くて硬い。
鏡面・を得るには、研磨仕上げに上らなければならない
。超精密切削加工によって鏡面を得ることができない。
。超精密切削加工によって鏡面を得ることができない。
このため、非球面を作るため、超精密切削加工を適用す
ることができない。つまり、被加工性が悪いので、任意
の形状の鏡面を作ることができないのである。
ることができない。つまり、被加工性が悪いので、任意
の形状の鏡面を作ることができないのである。
Si、Geの表面にAu 、 Agをつけたタイプのも
のは、AulAgの上に付けた誘電体薄膜が剥離しやす
い。反射鏡の表面についた汚れを除去しようとすると、
誘電体薄膜も剥がれてしまう。
のは、AulAgの上に付けた誘電体薄膜が剥離しやす
い。反射鏡の表面についた汚れを除去しようとすると、
誘電体薄膜も剥がれてしまう。
00 目 的
■)赤外光に対して反射率が高く、
2)熱伝導性に優れ、
3)被加工性に富み、
4)表面に傷がつきにくく、
5)比較的安価である、
赤外レーザ用反射鏡を提供することが本発明の目的であ
る。
る。
(3)構 成
本発明のレーザ反射鏡は、鏡面加工されたCu又はAJ
或はCu合金、A/金合金基板とし、その表面に0.1
〜20μmのW薄膜を形成したものである。
或はCu合金、A/金合金基板とし、その表面に0.1
〜20μmのW薄膜を形成したものである。
第1図(a)、(b)に本発明のレーザ反射鏡の概略断
面を示す。これは、平行表面をもつように単純化して描
いているが、平行表面以外の形状である事もある。球面
鏡とすることもある。
面を示す。これは、平行表面をもつように単純化して描
いているが、平行表面以外の形状である事もある。球面
鏡とすることもある。
Wは、イオンプレーティング法により薄膜として形成す
ることができる。
ることができる。
基板は表面に表われないが鏡面加工する。これは、W薄
膜の表面が平滑になるようにして、反射率を実効的に高
めるためである。
膜の表面が平滑になるようにして、反射率を実効的に高
めるためである。
a)作 用
基板にAl又はA1合金、Cu又はCu合金を使うので
、 (1)被加工性が良い。
、 (1)被加工性が良い。
任意の形状の反射鏡に加工することができる。
研磨によって鏡面加工が可能なのはもちろんである。さ
らに、超精密旋盤により、放物面など非球面の鏡面加工
が可能である。
らに、超精密旋盤により、放物面など非球面の鏡面加工
が可能である。
(2)材料が安価である。
(3)熱伝導性に優れている。
レーザ反射鏡として使用する場合、水冷によって冷却す
るが、水冷効果が最も高い。大出力のレーザ光照射によ
る反射鏡の温度上昇を水冷によって、小さい範囲に抑制
することができる。
るが、水冷効果が最も高い。大出力のレーザ光照射によ
る反射鏡の温度上昇を水冷によって、小さい範囲に抑制
することができる。
温度上昇が少ないので、熱膨張による形状変化が非常に
少ない。このため、レーザビームのモードが極めて安定
になる。
少ない。このため、レーザビームのモードが極めて安定
になる。
(4) Moにくらべて軽量である。
Mo ノ比重は10.22 、Cu (i’)比重は8
.76 、Alの比重は2.7である。特にAlを基板
とするものは著しく軽量にできる。
.76 、Alの比重は2.7である。特にAlを基板
とするものは著しく軽量にできる。
軽量であると、反射鏡の取付は取り外しの作業性が向上
する。
する。
NC装置などにより、レーザ3次元、2次元加工機に装
着した際、軽いため慣性力が少なくなる。このためサー
ボ制御が容易になる。位置制御性が向上し、サーボ制御
の駆動系も小型化することができる。
着した際、軽いため慣性力が少なくなる。このためサー
ボ制御が容易になる。位置制御性が向上し、サーボ制御
の駆動系も小型化することができる。
(5)基板を鏡面加工しているので、その上につけたW
薄膜が非常に平滑になる。このため、散乱による反射ロ
スが極めて小さい。
薄膜が非常に平滑になる。このため、散乱による反射ロ
スが極めて小さい。
以上は、基板に鏡面加工したCu、Cu合金、AllA
l合金を使う事によるものである。次にW薄膜を付けた
事による特長を述べる。
l合金を使う事によるものである。次にW薄膜を付けた
事による特長を述べる。
(6)W薄膜をつけているので、表面がMO基板と同程
度に硬くなる。ビッカース硬度で250である。
度に硬くなる。ビッカース硬度で250である。
反射鏡として使用している時、スパッタやミストの焼き
つきにより表面が汚れる事がある。
つきにより表面が汚れる事がある。
このような汚れを、トリクレン、アルコールなどの溶剤
の中で、拭き取り洗浄したり、ナイロンブラシなどで、
スパッタなどの汚れを除去できる。
の中で、拭き取り洗浄したり、ナイロンブラシなどで、
スパッタなどの汚れを除去できる。
このようにしても、W薄膜のため表面に傷がつかない。
(7)Wの融点は高い。約3360℃である。反射鏡と
して使用している際、スパッタや異物付着により、反射
率が低下し、異物が焼き付き、蒸発を起こしても、W表
面は溶けない。耐熱性に優れている。
して使用している際、スパッタや異物付着により、反射
率が低下し、異物が焼き付き、蒸発を起こしても、W表
面は溶けない。耐熱性に優れている。
このように優れた特長がある。W薄膜の厚さを0.1μ
m以上にするのは、表面硬度をMOと同程度にするため
である。20μm以下にするのは、イオンプレーティン
グなどによるW薄膜形成のコストを過大にしないためで
ある。
m以上にするのは、表面硬度をMOと同程度にするため
である。20μm以下にするのは、イオンプレーティン
グなどによるW薄膜形成のコストを過大にしないためで
ある。
また、W膜が厚いと、反射率、熱伝導度が低下するので
望ましくない。こういうわけで、W薄膜の厚みは0.1
〜20μmとする。
望ましくない。こういうわけで、W薄膜の厚みは0.1
〜20μmとする。
(→ 実施例I(Al基板)
Alを基板とするレーザ反射鏡を次の工程で作り、次の
ような状態で使用し、特性の変化を調べた。
ような状態で使用し、特性の変化を調べた。
(1199,9896純度のAlを用いて、直径40朋
、焦点距離150+utQ軸はずし放物面鏡を5PDT
加工にて切削した。
、焦点距離150+utQ軸はずし放物面鏡を5PDT
加工にて切削した。
Ra = 0.07 μm 、面積度λ/20(λ=
10.6 μm )とした。
10.6 μm )とした。
(2) つぎに、純度99.9996のWベレットを
原料として、イオンプレーティングにより、膜厚5μm
のW薄膜をAl基板の上に形成した。
原料として、イオンプレーティングにより、膜厚5μm
のW薄膜をAl基板の上に形成した。
この時、C02レーザ光に対する反射率は98.2%、
ビッカース硬度は305であった。
ビッカース硬度は305であった。
(3)完成した放物面鏡を、出力5 kWのCO2レー
ザ加工機の加工ヘッドに取りつけた。これを、鉄系材料
の切断ラインで使用した。
ザ加工機の加工ヘッドに取りつけた。これを、鉄系材料
の切断ラインで使用した。
(4) 使用するうちに、スパッタや、工場雰囲気中
のミストの焼きつきが反射鏡の上に生じた。
のミストの焼きつきが反射鏡の上に生じた。
(5) このような汚れを除くため、ナイロンブラシ
により水中で反射鏡の表面を擦った。スパッタやミスト
の付着はほぼ完全に除去することができた。
により水中で反射鏡の表面を擦った。スパッタやミスト
の付着はほぼ完全に除去することができた。
(6)洗浄後、面精度、反射率を測った。
面精度はλ/20、反射率は98,2%であった。
これらの値は製品初期値から全く変化がない。
つまり、表面に傷がついていないということである。
(7) 加工ヘッドが移動する2次元NG制御GO2
L/−ザ加工機に、本発明のAJ基板放物面鏡をとりつ
けた。加工ヘッドの移動速度に対するNG指令位置の追
随性を測定した。速さが3 m / secの場合追随
距離誤差は±0.1朋であった。軽い反射鏡であるので
追随性がよいという事が分る。
L/−ザ加工機に、本発明のAJ基板放物面鏡をとりつ
けた。加工ヘッドの移動速度に対するNG指令位置の追
随性を測定した。速さが3 m / secの場合追随
距離誤差は±0.1朋であった。軽い反射鏡であるので
追随性がよいという事が分る。
(2)実施例[(Cu基板)
Cuを基板とするレーザ反射鏡を次の工程で作り、次の
ような状態で使用し、特性を調べた。
ような状態で使用し、特性を調べた。
(1) 無酸素銅(0FHC)を用いて、直径40m
rtt、焦点距離150龍の軸はずし放物面鏡を5PD
T加工によって切削した。Ra = 0.08μm1面
精度λ/20とした(λ=10.6μm)。
rtt、焦点距離150龍の軸はずし放物面鏡を5PD
T加工によって切削した。Ra = 0.08μm1面
精度λ/20とした(λ=10.6μm)。
(2) 純度9999%のWペレットを原料として、
膜厚5μmのW薄膜を、Cu基板の上に、イオンプレー
ティングにより形成した。
膜厚5μmのW薄膜を、Cu基板の上に、イオンプレー
ティングにより形成した。
こうしてできた反射鏡の、C02レーザ光に対する反射
率は98.296、ビッカース硬度は305であった。
率は98.296、ビッカース硬度は305であった。
(3)完成した放物面鏡を、出力5 kWのCO2レー
ザ加工機の加工ヘッドに取付けた。これを鉄系材料の切
断ラインで使用した。
ザ加工機の加工ヘッドに取付けた。これを鉄系材料の切
断ラインで使用した。
(4)使用しているうちに、スパッタヤニ場雰囲気中の
ミストの焼きつきが反射鏡の上に生じた。
ミストの焼きつきが反射鏡の上に生じた。
(5)汚れを除くために、ナイロンブラシにより、水中
で反射鏡表面を擦った。
で反射鏡表面を擦った。
スパツタヤミストの付着はほぼ完全に除去することがで
きた。
きた。
(6)洗浄後、面精度と反射率とを再び測定した。
面精度はλ/20、反射率は98.2%であった。これ
らの値は製品初期値と全く同一である。つまり、汚れを
ブラシで除去することにより表面に傷がつかないという
ことである。こうして、何度も洗浄できることが分る。
らの値は製品初期値と全く同一である。つまり、汚れを
ブラシで除去することにより表面に傷がつかないという
ことである。こうして、何度も洗浄できることが分る。
(ト)効 果
本発明のレーザ反射鏡は、
(1)低価格であり、
(2)反射鏡使用時における汚れに対する洗浄性にも優
れ、 (3)反射率も高<(98,2%)、 (4)熱伝導度も高く、水冷しやすい。
れ、 (3)反射率も高<(98,2%)、 (4)熱伝導度も高く、水冷しやすい。
このような特性を持つ。C02レーザ、COレーザなど
赤外レーザ用のレーザ反射鏡として利用すると、極めて
効果的である。
赤外レーザ用のレーザ反射鏡として利用すると、極めて
効果的である。
第1図は本発明のレーザ反射鏡の縦断面図。
(a)はAl基板のもの、(ロ)はCu基板のものを示
す。 第2図は縦来例に係るレーザ反射鏡の縦断面図。(a)
はCu、 Al基板にAu薄膜をつけたもの。 (ロ)はCu、 A7基板にNi下地をつけて金Au薄
膜をつけたもの。(C)はSL、 Ge基板上に、Au
又はAgをコートし、さらに誘電体多層膜を形成したも
の。 発 明 者 京 谷 達 也樋
口 文 章
す。 第2図は縦来例に係るレーザ反射鏡の縦断面図。(a)
はCu、 Al基板にAu薄膜をつけたもの。 (ロ)はCu、 A7基板にNi下地をつけて金Au薄
膜をつけたもの。(C)はSL、 Ge基板上に、Au
又はAgをコートし、さらに誘電体多層膜を形成したも
の。 発 明 者 京 谷 達 也樋
口 文 章
Claims (5)
- (1)Al又はAl合金、或はCu又はCu合金を基板
とし、この上にWの薄膜が形成されている事を特徴とす
るレーザ反射鏡。 - (2)基板が鏡面加工されている事を特徴とする特許請
求の範囲第(1)項記載のレーザ反射鏡。 - (3)鏡面加工法が超精密切削法であることを特徴とす
る特許請求の範囲第(2)項記載のレーザ反射鏡。 - (4)W薄膜の形成方法としてイオンプレーティングを
用いる事を特徴とする特許請求の範囲第(1)項又は第
(2)項或は第(3)項記載のレーザ反射鏡。 - (5)W薄膜の厚さが0.1μm〜20μmであること
を特徴とする特許請求の範囲第(1)項〜第(4)項の
いずれかに記載のレーザ反射鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21556388A JPH0263002A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | レーザ反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21556388A JPH0263002A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | レーザ反射鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0263002A true JPH0263002A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16674501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21556388A Pending JPH0263002A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | レーザ反射鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0263002A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03171001A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-24 | Toshiba Corp | 反射鏡 |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP21556388A patent/JPH0263002A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03171001A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-24 | Toshiba Corp | 反射鏡 |
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