JPH0263308B2

JPH0263308B2 -

Info

Publication number: JPH0263308B2
Application number: JP58097027A
Authority: JP
Inventors: Etsuchi Batsuto Sherudon
Original assignee: Olin Corp
Current assignee: Olin Corp
Priority date: 1982-08-05
Filing date: 1983-06-02
Publication date: 1990-12-27
Also published as: DE3379562D1; EP0100817B1; JPS5933851A; CA1201211A; EP0100817A2; EP0100817A3

Description

【発明の詳細な説明】

〔技術分野〕本発明は、広範囲の数多い応用に適用しうるも
のであるが、特に半導体を容器封入するための方
法と装置に適したものであり、更に詳細には、半
導体装置が完成された後に比較的低温度において
の実装を可能にするような、窓枠構造を有する容
器への高信頼性気密封止を供給するものである。〔背景技術〕気密封止されたパツケージは最も高い信頼性が
要求されるような用途に用いられる。このことは
通常は、拡散現象に対する障壁となる封止ガラス
を用い、パツケージ中への水蒸気および他の汚染
源物質の侵入を阻止するようなセラミツクスや金
属を用いて行なわれる。現在の気密パツケージ
は、このような特徴に相応して、その費用が通常
の樹脂性パツケージとくらべて10倍以上程度かか
るようなことになつている。気密封止されたパツケージを作製するために、
現在の方法はしばしば次のような工程を経てい
る。まず、加工及び予備的に焼かれたセラミツク
ス基板が供給される。この基板の中心に対して金
属の点が与えられ、ここへ後に半導体チツプがと
りつけられる。代表的には、この金属の点は金で
あり、セラミツクスは通常は酸化アルミニウム
（アルミナ）である。例外的な場合として、高い
熱放散が要求される場合には、セラミツクス基板
は酸化ベリリウムから作られる。しかしながら、
これは酸化ベリリウムセラミツクスの非常に高い
コストのために通常的ではない。その次に、基板
周辺のまわりにペースト状の封止ガラスの層がス
クリーン印刷される。次にリードフレームがガラ
ス上に配置され、その結果の構造が炉の中へ入れ
られて、ガラスを溶かしてリードフレーム並びに
セラミツクスへ接着させることが行われる。通常
は、このリードフレーム材料は、中心領域にアル
ミニウムの細長いストリツプが形成されたもので
あり、それによつて以降でリード線をボンデイン
グするべき場所にアルミニウム面を用意するよう
になつている。代表的には、リードフレームには42ニツケル、
58鉄のような、低い膨張係数をもつ金属合金が用
いられる。そのような合金が選ばれる理由は、セ
ラミツクスの熱膨張係数に近い熱膨張係数をもつ
合金を用いることが望ましいからである。42ニツ
ケル合金とセラミツクスの熱膨張係数に近い熱膨
張係数をもつものとして次にガラスが選ばれる。
装置の強固さを保ち及び／あるいはガラスの破壊
されるのをさけるためには熱膨張係数がより近い
値であることが必要である。接着がとれたり、ガ
ラスが破壊したりする事故は、パツケージを封止
温度から冷却していつた時にあらわれる応力のた
めに生ずる。42ニツケルのようなガラス封止合金
は比較的高価なものである。それらのコストは通
常の銅合金のコストのほゞ２倍である。更に、代
表的なガラス封止合金の熱及び電気伝導度は低
く、純枠銅のそれのほゞ４％程度である（合金
6381は純粋銅の約10％の熱伝導度を有している）。
42ニツケル合金あるいはそれと同等の成分のリー
ドフレームとガラスとの間の接着性をよりよくす
るために、ガラスに接着する金属表面上に適切な
酸化層を形成するための予備酸化工程を追加する
ことが一般的には必要である。次にチツプは、基板上の金属の点に、標準的な
金−シリコン共融はんだ接着法を用いて接着され
る。チツプとリードフレームとの間の相互接続
は、これら２つの間に小径のリード線をボンデイ
ングすることによつて行なわれる。次に上部のセラミツク部品の表面上に封止ガラ
スがスクリーン印刷される。最後に、上部の部品
が上述の構造の上に設置され、再び加熱されてガ
ラスを溶解させ、それによつてパツケージを単一
の気密構造に接着する。前記の説明は一般的に典型的な「リード付き」
の気密ガラス−セラミツクパツケージを作製する
工程に関するものであつた。半導体装置を金属パツケージ中へ気密封止する
ための各種の方法が、当業者には知られている。
例えば、ボスウエル（Boswell）等に与えられた
米国特許第2999194号、及びフーシユ（Fuchs）
等に与えられた米国特許第3988825号に述べられ
ているように、冷圧溶接法を用いて金属容器の気
密封止を行うことができる。更に、熱を用いな
い、容器の気密封止が、マテー（Matea）に与え
られた米国特許第3113252号に述べられている。ホンツ（Hontz）に与えられた米国特許第
3340602号には、例えば「この発明は、その好適
実施例において、望ましくは重量比で20％のスズ
を含む金−スズ合金はんだを用いて、金メツキし
たふたを金メツキした容器へはんだ溶接し、その
中に金−アルミニウムのはんだづけ接続を含むシ
リコン半導体装置を設置することを含んでいる」
と述べられている。キルビイ（Kilby）に与えられた米国特許第
3435516号には、例えば「半導体装置用のパツケ
ージ作製方法及び、その上に各種の回路接続と端
子を形成された薄い半導体物質の棒をとりつけ及
び／あるいは封止するための方法」が述べられて
いる。気密封止の一般的な解説は、雑誌
「Semiconductor International」の1982年６月
号に、アーロンワイス（Aaron Weiss）が著
わした「気密パツケージと封止法（Hermetic
Packages and Sealing Techniques）」と題する
論文に述べられている。プライオ（Pryor）等に与えられた米国特許第
3546363号には、適切なガラス及びセラミツクス
の膨張係数に近い低膨張係数をもち、すぐれた熱
伝導性と熱処理条件においてこまかい粒径をも
ち、ガラスとセラミツクスへの封止として用いる
ことのできる合成金属材料について述べられてい
る。米国特許第3546363号、第3618203号、第
3676292号、第3726987号、第3826627号、第
3826629号、第3837895号、第3852148号、第
4149910号には、ガラスあるいはセラミツクスと
金属の合成物あるいは封止剤に関して述べられて
おり、そこではガラスあるいはセラミツクスがそ
の表面に高融点酸化物の薄い膜を有するベース合
金へ接着されるようになつている。〔発明の要約〕本発明が特に適した問題は、妥当なコストで、
半導体実装の信頼性を向上させるための、電気装
置用気密封止半導体容器を得ることである。本発明の利点は、上述の従来構成の制限及び欠
点のうちの１つあるいは複数個をとりのぞくよう
な、電気装置用気密封止半導体容器を得ることで
ある。本発明の更に他の利点は、比較的高価でない材
料を用いて、電気装置用の気密封止半導体容器を
得ることである。本発明の更に他の利点は、高速ワイヤボンデイ
ングを可能としそれによつて生産性を向上させる
ような、電気装置用の気密封止半導体容器を得る
ことである。本発明の更に他の利点は、半導体装置とそれに
接着される合金部品との熱膨張係数の不一致に伴
なう問題点を最小化するような、電気装置用の容
器を気密封止するための方法を得ることである。これによつて、進歩した気密封止半導体容器と
容器を得るための方法とが与えられることにな
る。この容器はそれに電気装置を固定するための
リードフレームを含んでいる。基礎部材はリード
フレームの対応する面へ接着されるガラスであ
る。金属の窓枠型装置が設けられ、それの片面に
は高融点酸化物が被覆されており、他の面は容易
にはんだづけできるような面になつている。窓枠
装置の高融点酸化物層はリードフレームへガラス
で接着される。半導体あるいは電気装置は、窓枠
が所定の位置にガラス接着された後にリードフレ
ームへ接続される。はんだづけできる面を有する
金属ふたが窓枠のはんだづけできる面へはんだづ
けされて、容器内へ電気装置を気密封止する。〔発明の実施態様〕第１図及び第２図に電気装置１２用の改良した
気密封止容器１０が開示されている。金属あるい
は金属合金のリードフレーム１４は第１及び第２
の面１６及び１８を有し、それには電気装置ある
いはチツプ１２が固定される。金属あるいは金属
合金の基礎部材は面２２を有し、それはガラス２
４を用いてリードフレームの第２の面１８へ接着
される。金属あるいは金属合金の窓枠型装置２６
はすくなくとも１つの面２８を有し、その上には
高融点酸化物が被覆している（図示されていな
い）。窓枠２６はまた第２の対向する面３０を有
し、それは容易にはんだづけできるものである。
金属あるいは金属合金のふたあるいはカバー３２
は、すくなくとも第１の容易にはんだづけできる
面３４を有している。窓枠装置の第２の面３０と
ふた３２の第１の面３４との間にはんだ３６が挿
入され、それによつて電気部品１２が容器１０内
に本質的に気密封止される。金属基板すなわち基礎部材２０はまず例えば銅
あるいはアルミニウム金属あるいは合金のよう
な、高い熱伝導度を有する金属あるいは金属合金
で構成される。すぐれたガラス接着力を与えるた
めに、高伝導度金属あるいは合金基板はガラス接
着剤と強力に接着するような望ましい金属あるい
は合金で全体が形成されているかあるいは望まし
くはそれの薄い層４０でおおわれている。本発明
の、ガラス接着剤と接着するような望ましい金属
あるいは合金は、それの表面に薄い高融点酸化物
層を有している。望ましい合金は銅をベースとし
た合金であつて、２から12％までのアルミニウム
と残りの銅を含むような合金である。望ましく
は、その合金は、２ないし10％のアルミニウム、
0.001から３％までのシリコン、そして、必要で
あれば、4.5％までの鉄、１％までのクロム、0.5
％までのジルコニウム、１％までのコバルト、及
びこれらの混合物からなる群のうちから選ばれた
粒径調整元素を含み、残りが銅であるような合金
である。特に、2.5から3.1％までのアルミニウ
ム、1.5から2.1％までのシリコン、残りが銅であ
るようなCDA合金C6381は本発明の基板層４０と
して有用である。更にプライオ（Pryor）等に与
えられた米国特許第3676292号に述べられたよう
なCDA合金C638も適している。合金C638はコバ
ルト添加の点を除いてC6381に似ている。どちら
の合金にも望みの実施例において接着を阻害しな
いような不純物が含まれているであろう。本発明において有用な合金の１つであるCDA
合金C6381は、カウル（Caule）等に与えられた
銅ベースの合金とそれらの作製法について述べた
米国特許第3341369号、及び第3475227号に述べら
れているように、それらの表面のうち１つあるい
は複数個上に高融点酸化物層を形成されている。
この酸化物層は、アルミナ、シリカ、スズ、鉄ク
ロミア、亜鉛、マンガン等の元素から構成された
複合酸化物を含む。最も望ましくは、この高融点
酸化物は本質的に酸化アルミニウム（Al₂O₃）で
ある。基板へのこの高融点酸化物の形成は任意の
望ましい方法で行なうことができる。例えば、合
金C6381のような銅ベースの合金は極端に低い酸
素濃度を有する気体中で予備酸化される。C6381
は、４％の水素、96％の窒素とこの気体中へ混合
されたわずかな量の水から得られる微量の酸素を
含む容器中へ入れられる。この気体を約330℃と
約820℃の間のある温度に加熱される。合金が加
熱された気体中に入れられる時間と温度に依存し
て、合金の表面上に望みの厚さの高融点酸化物層
が形成される。本発明は合金C6381を使用する場合のみに限定
されず、その表面に高融点酸化物の連続した層を
形成できるような広い範囲の金属あるいは合金を
含んでいる。ニツケルベース及び鉄ベース合金の
ような他の金属合金のいくつかの例は米国特許第
3698964号、第3730779号、第3810754号に述べら
れている。合金C6381は特に本発明に適してお
り、それは加熱した時にそのような膜を形成す
る、市販されている合金であるからである。リードフレーム１４もまた、上に述べたよう
に、ガラスによく接着する金属あるいは合金で構
成されている。望ましくは、リードフレームは
C6381で構成され、表面１６及び１８上に高融点
酸化物を形成する。第２図に示されたように、端子リード３８はガ
ラス部品２４を通して容器３０の外部へ突出して
いる。端子リードは容器の両側面から突出してい
ることが望ましいが、任意の数の側面から延びて
いる端子リードも本発明の範囲に含まれる。本発明は、望ましくは金属部品と近い熱膨張／
収縮係数を有する任意のはんだガラスあるいはセ
ラミツクス２４を用いる。ガラスは部品４０とリ
ードフレーム１４の上の薄い高融点酸化物表面層
に接着され、金属部品を互に接着させしかも互に
電気的に絶縁させるように機能する。もしガラス
と銅合金基板とが同一あるいは非常に近い熱膨張
係数を持つているとすると、このシステム中の熱
応力は本質的になくなり、完成品のおける熱応力
に関する問題は軽減される。しかし、望ましい合
金C638あるいはC6381上に依存する高融点酸化物
層の固有の性質によつて、合金よりもかなり小さ
い膨張／収縮係数を有するはんだガラスへの接着
を可能とする。C638とCV432（収縮係数127×
10^-7／℃）との間に機械的に丈夫な接着が形成で
きることが示されている。第１表は、本発明に従つて用いることのできる
各種のはんだガラスの例をリストしている。

【表】窓枠型要素２６は、例えばCDA合金C6381ある
いは任意の他の金属あるいは合金であつて、上述
のようにそれの表面上に連続した高融点酸化物層
を形成できるような合属あるいは合金のように、
１つの表面上に高融点酸化物層を有する金属ある
いは合金の合成物によつて構成される。このこと
によつて窓枠は従来のようにガラス２４へしつか
り固定される。窓枠は単一の金属あるいは合金で
つくられてもよいが、望ましくはCDA合金C151
のようなより容易にはんだづけできる合金の被覆
４２を設けられている。ふたすなわち上部カバー３２もまた既に述べ
た、望ましくはCDA合金C151のような例えば銅
あるいはアルミニウム金属あるいは合金のよう
な、適当なはんだづけできる金属あるいは合金で
つくられている。しかしながら、ふた３２あるい
は窓枠２６の部品４２を形成するために任意のは
んだづけできる金属あるいは合金を使用すること
は本発明の範囲に含まれる。ふた３２と窓枠２６
が各各容易にはんだづけできる対向する面３４と
３０を有していることの利点は、より安価なはん
だの使用を可能にすることと、従来技術のように
部品を金メツキする必要がなくなることである。はんだ３６は応用例での要求に従つて、従来の
任意のはんだで構成されている。例えば、融剤
（フラツクス）をさける必要がある場合には、金
−スズはんだ混合物が望ましい。また、低温度制
限のある応用では、鉛−スズはんだが望ましい。半導体チツプ１２はリードフレーム１４のパツ
ド５０へ接着される。この接着は、しばしば集積
回路で用いられるように導電性接着剤を用いて行
われるか、あるいは比較的低融点のはんだを用い
て行われる。代表的には樹脂製接着剤のエポキシ
やポリイミドが用いられる。それらは銀のような
粉末金属を混ぜて、それらの熱伝導度を改良させ
更に／あるいは適当な電気伝導度を与えることが
行われる。金属接合物質としては金−スズあるい
は鉛−スズの共融はんだが用いられる。更に、任
意の望ましいはんだやその他の要求される接着法
を用いることは本発明の範囲に含まれる。チツプ１２とリードフレーム１４との間の相互
接続は、代表的には、細径のリード線５２（通常
は金線）を用いて行われ、それはリードフレーム
中のリードの先端へ、またチツプへそれぞれ治金
的に接着される。このボンデイングは熱圧着かあ
るいは熱音波ボンデイングかのどちらかの方法で
行われるのが望ましい。熱音波ボンデイングは雰
囲気よりも高温での機械的な治金接着と超音波エ
ネルギーとの組合せである。熱圧着ボンデイング
は超音波エネルギーの付加なしに、昇温状態での
機械的な変形である。線の替りにしばしば箔「ス
パイダ」が用いられる。箔そのものはチツプへ熱
音波あるいは熱圧着ボンデイングで接着される。
これらのボンデイング法は、従来のガラス封止の
気密パツケージに用いられたアルミニウム線用に
要求されたより低速の超音波ボンデイングに置き
かわるものである。本発明のすぐれた気密半導体容器１０を作製す
るための手順は、以下に特定の利点を指摘しなが
ら与えられる。まずリードフレーム１４はガラス
２４で、基礎部材２０の被覆４０である高融点酸
化物表面へガラス封止される。次に、窓枠型装置
がその高融点酸化物被覆面２８をガラス２４に接
着され、ガラス２４はリードフレームを金属基板
へ接着する。ここで、ガラスは実際には部分的に
リードフレームによつておおわれておらず、そこ
では金属基板と窓枠の間に存在することを注意し
ておく、以上の工程は別々に述べられたが実際に
は同時に実行される。これで高温度操作が終了
し、半導体チツプ１２がパツド５０上にとりつけ
られる。パツケージを比較的高温のガラス封止温
度にさらす必要が除かれたことによつて、チツプ
は基板に対し、比較的低い融点のはんだあるいは
有機接着剤でとりつけられる。どちらの場合で
も、チツプとパツドとの間の熱伝導度の不一致に
付随する問題は最小化される。これは、チツプ接
着温度と雰囲気温度との温度差が従来の気密封止
半導体容器にしばしば要求されるような金−シリ
コン共融はんだ接着の場合よりも本質的に小さい
という事実によるものである。更に、リードフレ
ームとチツプとの間の配線５２は熱圧着あるいは
熱音波ボンデイングされる。このことによつて、
ガラス封止気密パツケージに用いられるより低速
の超音波ワイヤボンデイングを使わなくてすむ、
というのは比較的低温度のはんだを用いての最終
的な封止はボンデイング配線５２に対して本質的
な逆効果をもたないということのためである。最
後に窓枠にふたあるいはカバー３２がはんだづけ
され、半導体装置を容器１０中へ気密封止する。
また、はんだづけされる表面は容易にはんだづけ
できる銅合金で構成されていることが望ましく、
それによつて比較的高価でないはんだの使用を可
能とし、またはんだづけすべき部品を金メツキす
る必要がなくなる。既述のような、はんだづけで
きる金属は特徴的にまた本質的に、当該技術分野
でしばしば用いられる低い膨張性を有する合金よ
りも安価である。本明細書に述べられた特許、特許出願や出版物
は、ここに参考のために引用したものである。明らかなように、本発明に従うことによつて、
電気部品のためのすぐれた気密性の半導体容器、
及びその容器を作製するための工程が得られ、そ
れらはこれまで述べたような、目的、手段、利点
を満たす。本発明は、それの実施例との組合せに
関して述べられたが、多くの変更、修正、変形が
可能であることがこれまでの説明から当業者には
明らかであろう。従つて、そのような変更、修
正、変形のすべてが、本発明の特許請求の範囲内
に含まれると考えるべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に従つて組立てられるように
した気密封止半導体容器の要素の展開図である。
第２図は、本発明に従つた気密封止半導体容器の
断面を示す側面図である。１０……気密封止容器、１２……電気装置、１
４……リードフレーム、１６，１８……表面、２
０……基礎部材、２２……表面、２４……ガラ
ス、２６……窓枠型装置、２８，３０……表面、
３２……ふた、３４……表面、３６……はんだ、
３８……端子リード、４０……薄膜層、４２……
被覆、５０……パツド、５２……リード線。

Claims

【特許請求の範囲】１電気装置１２用の気密封止半導体容器１０で
あつて、第１と第２の対向する表面１６と１８を有し、
上記電気装置１２を固定された、金属あるいは金
属合金のリードフレーム１４、金属あるいは金属合金の基礎部材２０、高融点酸化物被覆をもつ第１の表面２８と第２
の対向する容易にはんだづけできる表面３０とを
すくなくとも有する、金属あるいは金属合金の窓
枠型装置２６、すくなくとも第１の容易にはんだづけできる表
面３４を有する、金属あるいは金属合金のふた３
２、上記リードフレームを、上記基板と上記窓枠型
装置の上記第１の表面との間に接着するためのガ
ラス装置２４、上記窓枠型装置の上記第２の表面を上記ふたの
上記第１の表面へ接着し、それによつて、上記電
気部品を上記容器内へ本質的に気密封止するため
のはんだ装置３６、を含むことを特徴とする、気密封止半導体容器。２特許請求の範囲第１項の容器であつて、上記
金属あるいは金属合金の窓枠型装置が、すくなく
とも２つの銅金属あるいは銅ベース合金の被覆に
よつて特徴づけられ、それらすくなくとも２つの
銅ベース合金のうちの１つ４２が容易にはんだづ
けできるものであり、上記すくなくとも２つの銅
ベース合金の第２のもの２８がすくなくとも上記
第１の表面上に高融点酸化物層を有している、気
密封止半導体容器。３特許請求の範囲第２項の容器であつて、上記
第２の銅ベース合金２８が２から12％までのアル
ミニウムと残りの本質的な銅を含んでいることを
特徴とする、気密封止半導体容器。４特許請求の範囲第３項の容器であつて、上記
第２の銅ベース合金が本質的に2.5から3.1％まで
のアルミニウム、1.5から2.1％までのシリコン、
残りの本質的な銅を含んでいることを特徴とす
る、気密封止半導体容器。５特許請求の範囲第４項の容器であつて、上記
高融点酸化物層がAl₂O₃を含むことを特徴とす
る、気密封止半導体容器。６特許請求の範囲第５項の容器であつて、上記
基板２０が銅あるいは銅ベース合金であつて、上
記基板がすくなくとも第１の表面２２を有し、そ
の上に高融点酸化物層を有していることを特徴と
する、気密封止半導体容器。７特許請求の範囲第６項の容器であつて、上記
基板が、２から12％までのアルミニウムと残りの
本質的に銅を含んでいるような銅ベース合金であ
ることを特徴とする、気密封止半導体容器。８特許請求の範囲第７項の容器であつて、上記
銅ベース合金が、本質的に2.5から3.1％までのア
ルミニウム、1.5から2.1％までのシリコン及び残
りの本質的に銅を含んでいるような銅合金である
ことを特徴とする、気密封止半導体容器。９特許請求の範囲第８項の容器であつて、上記
基板の上記高融点酸化物層がAl₂O₃を含むことを
特徴とする、気密封止半導体容器。１０特許請求の範囲第９項の容器であつて、上
記基礎部材が、上記容器からの熱伝導度を供給す
るための本質的に高伝導度の金属あるいは合金の
被覆を含んでいることを特徴とする、気密封止半
導体容器。１１電気装置１２用の半導体容器１０を気密封
止する方法であつて、第１及び第２の対向する表面１６と１８を有す
る金属あるいは金属合金のリードフレーム１４を
供給すること、金属あるいは金属合金の基礎部材２０を供給す
ること、高融点酸化物被覆を有する第１の表面２８と容
易にはんだづけのできる第２の対向する表面３０
とをすくなくとも有する、金属あるいは金属合金
の窓枠型装置２６を供給すること、上記基板２０と上記窓枠型装置２６との間に上
記リードフレームをガラス接着すること、上記電気装置１２を上記リードフレーム１４へ
とりつけること、すくなくとも第１の容易にはんだづけのできる
表面３４を有する金属あるいは金属合金のふた３
２を供給すること、上記窓枠型装置の上記第１の表面を上記ふたの
上記第１の表面へはんだづけし、それによつて上
記電気部品を上記容器内へ本質的に気密封止する
こと、の工程を含むことを特徴とする、方法。１２特許請求の範囲第１１項の方法であつて、
上記金属あるいは金属合金の窓枠型装置がすくな
くとも２つの銅金属あるいは銅ベース合金の被覆
であり、上記すくなくとも２つの銅ベース合金の
１つ４２が容易にはんだづけのできるものであ
り、上記すくなくとも２つの銅ベース合金のうち
の第２のもの２８がすくなくとも上記第１の表面
上に高融点酸化物層を有していることを特徴とす
る、方法。１３特許請求の範囲第１２項の方法であつて、
上記第２の銅ベース合金が２から12％までのアル
ミニウムと残りの本質的に銅を含んでいることを
特徴とする、方法。１４特許請求の範囲第１３項の方法であつて、
上記第２の銅ベース合金が本質的に2.5から3.1％
までのアルミニウム、1.5から2.1％までのシリコ
ン、そして残りの本質的に銅を含んでいることを
特徴とする、方法。１５特許請求の範囲第１４項の方法であつて、
上記高融点酸化物層がAl₂O₃を含んでいることを
特徴とする、方法。１６特許請求の範囲第１５項の方法であつて、
上記基礎部材が高融点酸化物層をとりつけられた
すくなくとも第１の表面を有する銅あるいは銅ベ
ース合金であることを特徴とする、方法。１７特許請求の範囲第１６項の方法であつて、
上記基礎部材が、本質的に2.5から3.1％までのア
ルミニウム、1.5から2.1％までのシリコン、そし
て残りの本質的に銅を含む銅ベース合金であるこ
とを特徴とする、方法。１８特許請求の範囲第１７項の方法であつて、
上記基礎部材の上記高融点酸化物層がAl₂O₃を含
むことを特徴とする、方法。１９特許請求の範囲第１８項の方法であつて、
上記基礎部材が、上記容器からの熱伝導を供給す
るために本質的に高い伝導度を有する金属あるい
は合金の被覆を有していることを特徴とする、方
法。