JPH0263555U - - Google Patents
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- JPH0263555U JPH0263555U JP14397288U JP14397288U JPH0263555U JP H0263555 U JPH0263555 U JP H0263555U JP 14397288 U JP14397288 U JP 14397288U JP 14397288 U JP14397288 U JP 14397288U JP H0263555 U JPH0263555 U JP H0263555U
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- JP
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- resistor
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案によるＮ型抵抗内蔵論理回路の
断面図、第２図は第１図に示す装置の等価回路、
第３図は従来のＩ２Ｌの回路図である。 １……入力、２……出力、３……電源、４……
Ｎ＋型半導体基板、５……Ｐ型はエピタキシヤル
層、６……Ｎ＋型カラー層、７……Ｎ型抵抗部、
８……Ｎ型抵抗層、Ｔｒ３……インバータＮＰＮ
トランジスタ部。
断面図、第２図は第１図に示す装置の等価回路、
第３図は従来のＩ２Ｌの回路図である。 １……入力、２……出力、３……電源、４……
Ｎ＋型半導体基板、５……Ｐ型はエピタキシヤル
層、６……Ｎ＋型カラー層、７……Ｎ型抵抗部、
８……Ｎ型抵抗層、Ｔｒ３……インバータＮＰＮ
トランジスタ部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (a) 不純物高濃度第１導電型半導体層基板、 (b) 該基板上方に形成された第２導電型エピタ
キシヤル層、および (c) 該エピタキシヤル層を左右に分離する第１
導電型拡散層 を備え、分離された一方のエピタキシヤル層を
トランジスタのベース、他方を抵抗の島領域とす
る ことを特徴とするＮ型抵抗内蔵論理回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14397288U JPH0263555U (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14397288U JPH0263555U (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0263555U true JPH0263555U (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=31411273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14397288U Pending JPH0263555U (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0263555U (ja) |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP14397288U patent/JPH0263555U/ja active Pending
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