JPH02641B2 - - Google Patents

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JPH02641B2
JPH02641B2 JP54124537A JP12453779A JPH02641B2 JP H02641 B2 JPH02641 B2 JP H02641B2 JP 54124537 A JP54124537 A JP 54124537A JP 12453779 A JP12453779 A JP 12453779A JP H02641 B2 JPH02641 B2 JP H02641B2
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signal
circuit
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light beam
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JP54124537A
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Yasuo Ogino
Jukichi Niwa
Mitsutoshi Oowada
Kazuo Tanaka
Noboru Yukimura
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Canon Inc
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Publication date
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Priority to US06/190,454 priority patent/US4384199A/en
Priority to DE19803036343 priority patent/DE3036343A1/de
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Publication of JPH02641B2 publication Critical patent/JPH02641B2/ja
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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光束の所定面上での入射位置を検出
するための光束入射位置検出装置に関するもので
ある。
例えば目標までの距離を測定するか又は結像光
学系の、目標物体に対する合焦点を検知する装置
の分野について言えば、装置側に投光手段を設け
てこの投光手段から目標物体に向けて光束を放射
し、この時の目標物体からの反射光束の、所定面
上での入射位置の変化を利用して装置までの距
離、或は、結像光学系の該目標物体に対する合焦
点を検知しようとする所謂能動型の測距装置又は
焦点検知装置がある。かかる能動型測距装置及び
焦点検知装置に於て反射光束検知手段として、自
己走査型素子を応用した例は本件出願人によつて
既に特願昭53−64747号に於て提案されている。
この提案に於ける一実施例としては、自己走査
型素子としての光センサ・アレイ・デバイスの出
力を利用して反射光束の入射位置を検出するため
の一手法として該出力のピーク値に対して一定の
比率でスライス・レベルを決定し、このスライ
ス・レベルをもとに、次の回の読み出しに際して
得られる光センサ・アレイ・デバイスの出力をス
ライスして、この時スライスされた信号部分が時
系列出力信号中、いずれの位置にあつたかを検知
することに依り反射光束の入射位置を検知し、以
つて、合焦、前ピン、後ピンの別を検知する装置
が提示されている。ところでこの提案に係る実施
例装置にあつても更に改善せねばならない問題点
が幾つか残されている。例えば、掲記の実施例装
置に於ては光センサ・アレイ・デバイスから選出
される1回目に読み出された時系列信号のエンベ
ロープのピーク値を検知しこの値から所定の比率
で決定されるスライスレベルを設定保持すること
により2回目に読み出された信号エンベロープを
スライスし、スライスにかかつた信号エンベロー
プの部分が信号エンベロープ全体の中央にあるか
又は中央から左右いずれの方向にズレているかを
デイジタル的に判別することにより反射光束の入
射位置を判定し、以つて、合焦又は前ピン、後ピ
ンを判定するものであるが、かかる方法にあつて
は物体像の一つの結像状態を判定する為に、光セ
ンサ・アレイ・デバイスから送出される時系列信
号を2回にわたつて読み出す必要があり判定に長
時間を要すようになり、又、信号の検知限界がス
ライスレベルに依存している為に光束のぼけによ
つて信号のピークが低くなつてきた場合、或いは
遠距離にある物体であるとか反射率の低い物体の
為に信号のピークが低下したような状態ではスラ
イスによつて信号エンベロープを上下に区別する
ことが困難となり、従つて反射光束の入射位置の
判定、即ち、合焦、前ピン、後ピンの判定に誤り
を生じ易くなる等、未だ未だ改良の余地が残され
ている。
他方、特開昭50−80155号公報に記載された装
置では、1対の受光器に夫々、入射した光量を比
較して光束入射位置を検出している。しかしなが
ら現実にこの種の装置を製作する場合、1対の受
光器の境界線をいかに正確に設計上の予定位置に
合わせるかで検出精度が左右される。受光器の取
付作業は高度の熟練を要し、しかも実現できる限
度があるからこの部分が検出精度の向上の1つの
障害となる。
本発明は斯かる事情に鑑みて為されたもので例
えば、掲記した様な能動型距離検出装置或いは焦
点検出装置等に適用可能な光束入射位置検出装置
として、受光手段に光センサ・アレイ・デバイス
等の走査型撮像素子を用いると共に、より簡単な
方法で、従つて、電気回路系の構成の複雑化を招
くことなく常に高精度で且つ正確に、光束の、所
定面上での入射位置を検出し得る新規な、且つよ
り優れた光束入射位置検出装置を提供することを
目的とし、そして斯かる目的の下で本発明の光束
入射位置検出装置は、光束が入射する面にほぼ一
致して走査型撮像素子を配置し、該撮像素子から
の時系列出力信号を所定の区間毎に分割して各区
間毎の信号量を比較することに依り上記光束入射
面上での上記光束の入射位置を検出する様にし、
分割位置を設計上の予定位置に合わせて電気的に
指定したことを特徴とするものである。
以下、添附の図面を参照して本発明を実施例に
則して詳述する。
先ず、第1図は、本発明の一適用例としての先
の特願昭53−64747号に係るTTL式能動型焦点検
知装置の特に光学的な配置構成を示すもので、1
は結像レンズ、6はその予定焦点面(カメラで云
えばフイルム面)、5は物体面、2はLED、半導
体レーザー・ダイオード等の発光体を適用して成
る光源、3は走査型撮像素子としての、例えば、
複数個の光センサのライン状配列を有して成る
CCD、BBD、MOS、フオト・ダイオード・アレ
イ、或いは、CCDフオト・ダイオード等の自己
走査型光センサ・アレイ・デバイス(自己走査型
固体撮像素子)、4は反射面4a及び4bを有す
るプリズムである。
斯かる配置構成に於て、光源2で発射された光
束はプリズム4の反射面4aで反射され、結像レ
ンズ1を透過した後、物体面5に光源2のスポツ
ト像を投射する。ここで、光源2は予定焦点面6
上の所定の位置と共役な関係に配置されている。
このような共役関係の配置は光センサ・アレイ・
デバイス3についても同様である。物体面5で反
射された光束は結像レンズ1のプリズム4に於け
る反射面4bに対応した仮想開口を通過し、光セ
ンサ・アレイ・デバイス3の受光面上に光源2に
よるスポツト像を投射する。ここで第1図a,
b,cに於ける差異について説明する。第1図b
に示される結像レンズ1の位置を、この時の物
体面5に対する合焦状態とすると、第1図aに示
される後ピンの状態の位置に於てはの位置よ
りも後方に位置して居り、かかる状態に於ては物
体面5に投射されたスポツト像はぼけた状態で且
つずれて結像する。第1図a中、′は結像レン
ズ′によつてこの時の物体面5上のスポツト像
が最鮮鋭の状態で結像される位置である。′の
位置に最鮮鋭状態で結像するように入射する光束
はプリズム4の反射面4bで反射され、光セン
サ・アレイ・デバイス3の受光面上にやはりぼけ
た状態で更にその中心cからA側にずれて結像す
る。又、第1図cに示される前ピンの状態の位置
に於てはの位置よりも前方に位置して居り、
かかる状態に於ても物体面5に投射されたスポツ
ト像はぼけた状態でずれて結像する。第1図c
中、′は結像レンズ1によつてこの時の物体面
5上のスポツト像が最鮮鋭の状態で結像される位
置である。′の位置に最鮮鋭状態で結像するよ
うに入射する光束はプリズム4の反射面4bで反
射され、光センサ・アレイ・デバイス3の受光面
上にやはりぼけた状態で更にその中心CからB側
にずれて結像する。尚、第1図b中、′は合焦
状態に在る結像レンズ1によつてこの時の物体面
5上のスポツト像が最鮮鋭の状態で結像される位
置を示すもので、この′の位置に最鮮鋭状態で
結像するように入射する光束はプリズム4の反射
面4bで反射され、光センサ・アレイ・デバイス
3の受光面上で、最も鮮鋭な状態で且つ、その中
心部Cにほぼ一致して結像する。第1図a,b,
c中に、点線によつて物体面5及び光センサ・ア
レイ・デバイス3の受光面上の投射スポツト像の
光強度分布を模式的に示してある。このように結
像レンズ1に於ける投光用及び受光用の仮想開口
を各々偏在させることにより合焦状態に於て共
役点に結像したスポツト像が,で示される結
像レンズ位置状態(後ピン、前ピンの状態)に対
応してぼけながら互いに反対方向にずれることに
なり、従つて光センサ・アレイ・デバイス3の出
力を利用して上記スポツト像、即ち、物体面5か
らの反射光束の、該光センサ・アレイ・デバイス
3の受光面上での位置(特にその中心に対する相
対位置関係)を検出することに依り合焦、前ピ
ン、後ピンの各状態を判別出来る訳である。尚、
図中の矢印Yはセンサ・デバイス出力の読み出し
方向を示すものである。
次に第2図を参照して、第1図で説明した如き
TTL式能動型焦点検出装置に本発明を適用した
場合の一実施例の、光速入射位置検出の原理につ
いて説明する。先ず第2図aは光センサ・アレ
イ・デバイス3のセンサ面上の受光光束のエネル
ギー分布を模式的に示したもので、E1は合焦状
態の分布を示し、これは第1図bの最鮮鋭結像状
態に相当する。ここで、光センサ・アレイ・デバ
イス3のセンサ面上での光束の入射位置検出の上
で基準となる点を光源2の中心と共役な点Cに選
び、そしてこの共役点Cはここではj番目のセン
サ・エレメントとj+1番目のセンサ・エレメン
トとの境界に予め選んである。従つて合焦状態に
於てはセンサ面上のエネルギー分布は共役点Cを
境にして左、右にほぼ等分され、この状態に於て
は光センサ・アレイ・デバイス3のセンサ面上で
iからjまでのセンサ・エレメントに入射するエ
ネルギー総量とj+1からkまでのセンサ・エレ
メントに入射するエネルギー総量(但し、j−i
=k−(j+1)である)は所定誤差の範囲内で
同等である。
次にエネルギー分布の状態E2及びE3は各々第
1図a及びcの状態、即ち、各々後ピン状態及び
前ピン状態に於ける光センサ・アレイ・デバイス
3のセンサ面上の結像状態を示している。エネル
ギー分布は、結像レンズ1が合焦状態に於ける位
置から前後に離れるに従い光センサ・アレイ・
デバイス3のセンサ面上を左(B側)又は右(A
側)方向にぼけながらずれて行く。従つて結像レ
ンズ1の最大繰り出し量とセンサ面上でのスポツ
ト像の最大ずれ量とが対応関係にあり、これから
光センサ・アレイ・デバイス3のセンサ長、即
ち、センサ・エレメント数が決定される。尚、こ
の場合、センサ長をあまり長く出来ず、従つて、
スポツト像の最大ずれ量を完全にカバー出来ず
に、前ピン、後ピンに対応するエネルギー分布
E2、E3が最大にぼけた(即ち、拡つた)状態で
その左端或いは右端の分布が切断された様な状態
になつたとしても実用上はさ程影響がないもので
ある。第2図aに於てはこの左端及び右端に相当
するセンサ・エレメントの境界をi及びkとして
ある。ここで本発明にあつては、光センサ・アレ
イ・デバイス3から時系列的に送出されてくる各
センサ・エレメントの信号の中、iからkまでの
分を順次積分して行き、且つ、iからjまでとj
+1からkまでをjとj+1との間で極性反転さ
せて積分する。即ち、エネルギー分布に対応する
信号をV(t)とすると、積分値sは積分器のゲ
インをKとしたとき、 S=K〔∫tj tiV(t)dt−∫tk tjV(t)dt〕 で表わされる。Kの極性は正負いずれであつても
本質的には何等問題はない。第2図bに時刻tj
極性反転させた信号V(t)を模式的に示してあ
る。又、第2図cは第2図bの各信号を各々積分
した場合に得られる信号を各々のエネルギー分布
の状態、即ち、各ピント状態に於けるエネルギー
分布E1、E2、E3について模式的に示したもので
ある。時刻tjで反転積分された結果、式から理
解出来るように時刻tiから時刻tjまでの時間区間
の積分値と時刻tjから時刻tkまでの時間区間の積
分値の差Sが時刻tkの経過と共に出力される。こ
の差Sが第2図c中、S1で示す様に、零の時は光
センサ・アレイ・デバイス3のセンサ面上で設定
された共役点Cを中心としてエネルギー分布が
左、右同等となるように結像した状態であり、第
1図に於てはbの合焦状態に相当しており、第2
図に於ては光センサ・アレイ・デバイス3の部分
を拡大して示したaに於けるエネルギー分布E1
の状態に相当している。又、第2図cに於けるS2
及びS3は同図aに示した光センサ・アレイ・デバ
イス3のセンサ面上のエネルギー分布E2及びE3
に対応している。即ち、S2に関して言えばiから
jまでのセンサ・エレメント上でのエネルギー分
布に対応した信号エンベロープを積分したもの
と、j+1からkまでのセンサ・エレメント上で
のエネルギー分布に対応した信号エンベロープを
積分したものとの差が時刻tkの経過と共に、時刻
tjに於ける反転積分の結果として第2図cに於け
るS2の曲線の右端に示す如く−Vとして出力され
る。同様にS3については+Vが出力される。この
様に結像レンズ1の或る物体に対応する合焦位置
からの該結像レンズ1の前後移動の度合に従つて
光センサ・アレイ・デバイス3のセンサ面上での
信号光エネルギー分布はぼけを伴いながら、共役
点Cを中心として左右に移動する訳であるが、こ
のようなレンズ移動に対応した、第2図cで示さ
れる積分出力の、時刻tkの経過直後のレベル、即
ち式で表わされる反転積分後の出力Sのレベル
の変化は第3図に示されるような曲線となる。こ
れは式で表わされるSの値を縦軸(S軸と記
載)に、結像レンズ1の合焦位置からの移動量を
横軸(X軸と記載)としてS=S(X)の曲線を
模式的に表わしたものである。S(X)曲線がX
軸と交叉する点、即ち、S(X)=Oの場合は合焦
状態である。曲線S(X)は原点を中点としてほ
ぼ点対称となるからS(X)の極性及びS(X)=
Oとなる結像レンズ1の位置Xを求めれば合焦及
び前ピン、後ピンの別を検知出来る。例えば第3
図に於ける,,は第1図a,b,cに於け
る結像レンズ位置,,に対応し、又各々の
S(X)の値がずれ量に対応している。
以下に、上述した様な基本原理に従う本発明の
光束入射位置検出装置の具体的実施例について詳
細に説明する。先ず第4図はこの実施例装置の主
として電気回路系の基本構成を示すもので、結像
レンズ1、光源2、光センサ・アレイ・デバイス
3、プリズム4及び予定焦点面6の配置関係につ
いては第1図によつて説明した通りであるものと
する。光センサ・アレイ・デバイス3はこの実施
例に於ては4相駆動の一次元CCDを使用してい
る。7は光センサ・アレイ・デバイス3を駆動す
る為のドライブ回路で、第5図に示す様に基本ク
ロツクCLKに基づき4相の転送クロツク・パル
スφ1〜φ4,φ4同基のリセツト・パルスφRS及び所
定の周期で且つφ4同期のシフト・パルスφSHを出
力する。尚、ここで転送クロツク・パルスφ1
φ2,φ3,φ4は電荷転送用CCDアナログ・シフ
ト・レジスタ駆動用のもので、CCDアナログ・
シフト・レジスタを通して信号電荷を出力所まで
転送する為に使用される。本例に於てはφ1〜φ4
の4相のクロツク・パルスを用いているが相数及
び転送方式については特に指定は必要ではない。
シフト・パルスφSHは所定の蓄積時間、センサ部
に蓄積された信号電荷をCCDアナログ・シフ
ト・レジスタへ移送するため、シフト・ゲート電
極に印加されるパルスである。又、リセツト・パ
ルスφRSは出力部の電荷リセツトのために附与さ
れるものである。出力部から出力される時系列信
号電圧波形をVoutとして模式的に示してある。
尚、本実施例に於ては光センサ・アレイ・デバイ
ス3からはφ2同期で信号が出力されるものであ
る。8は光センサ・アレイ・デバイス3から出力
される時系列信号電圧のオフセツト電圧(例えば
暗電流成分)を除去するための回路で、例えば、
差動増幅器から成つていて、その一方の入力側に
信号電圧を入力し、もう一方の入力端子にオフセ
ツト調整の為の電圧(例えば暗電流レベル)を入
力することにより信号電圧のオフセツト(ノイズ
成分)を除去する。尚、第5図に示す様に、ここ
では光センサ・アレイ・デバイス3の出力は負の
電圧信号として得られるものであるが、これは上
記オフセツト電圧除去回路内で反転増幅されて正
の電圧信号として出力されるものである。9は
FETアナログ・スイツチ等から成るアナログ・
ゲート回路で、制御回路12からの制御信号φ11
(第7図々示)に依り第2図で説明した時刻tiか
ら時刻tkまでの時間区間のみオン状態となる様に
制御される。10は信号反転回路で、制御回路1
2からの制御信号φ12(第7図図示)に依り第2図
で説明した時刻tjのタイミングで信号を反転させ
る様に制御される。11は該信号反転回路10の
出力を積分する積分回路で、シフト・パルスφSH
に依りリセツトされる。13は該積分回路11の
出力(S)をサンプル・ホールドするためのサン
プル・ホールド回路で、制御回路12からの制御
信号φ13(第7図々示)に依り時刻tkのタイミング
で積分回路11の出力(S)をサンプリングし、
以降、これをホールドする様に制御される。1
4,14′はサンプル・ホールド回路13の出力
(Vs)を抵抗R1,R2で定められている所定の
電圧範囲−Vref.〜+Vref.に対して比較するため
のウインド・コンパレータ回路を構成しているコ
ンパレータで、コンパレータ14はサンプル・ホ
ールド回路13の出力(Vs)を基準電圧+Vref.
に対して比較するべく出力(Vs)をその非反転
入力に、又、基準電圧+Vref.をその反転入力に
受け、一方、コンパレータ14′はサンプル・ホ
ールド回路13の出力(Vs)を基準電圧−Vref.
に対して比較するべく出力(Vs)をその反転入
力に、又、基準電圧−Vref.をその非反転入力に
受ける様に為されて居り、従つて、−Vref.≦Vs
≦+Vref・の場合にはコンパレータ14,1
4′の出力は共にロウとなり、Vs>+Vref.の場
合にはコンパレータ14′の出力はロウのまま、
コンパレータ14の出力がハイとなり、一方、
Vs>−Vref.の場合にはコンパレータ14の出力
はロウのまま、コンパレータ14′の出力がハイ
となる。15はコンパレータ14,14′の出力
の論理条件に応じて表示用LED18,19を制
御する表示制御回路で、例えば、コンパレータ1
4の出力がハイの場合にはLED18を、コンパ
レータ14′の出力がハイの場合にはLED19
を、そしてコンパレータ14,14′の出力が共
にロウの場合にはLED18,19の双方を点灯
させるべく制御する様に構成されている。16は
コンパレータ14,14′の出力に基づいて結像
レンズ1の自動焦点調節を行なうべくモータ17
を制御するモータ制御回路である。尚、上記制御
回路12はドライブ回路7からのシフト・パルス
φSH及び転送クロツク・パルスφ2を受けてこれに
基づいて光センサ・アレイ・デバイス3の使用セ
ンサ・エレメント範囲及び反転積分位置、即ち、
第2図で説明したti、tj、tkの各タイミングを規
定するべく制御信号φ11,φ12,φ13を出力するも
のである。
以上の構成に於て、今、光源2の発光に依り光
束が投射され、その反射光束が光センサ・アレ
イ・デバイス3のセンサ面上でこの時の物体に対
する結像レンズ1の焦点調節状態に応じた位置に
入射している状態で、ドライブ回路7の作動に依
り該光センサ・アレイ・デバイス3の出力の読み
出しが行なわれると、先ず、この時のシフト・パ
ルスφSHに依り積分回路11がリセツトされると
共に制御回路12がこのシフト・パルスφSHに応
答して転送クロツク・パルスφ2に基づきタイミ
ング規定動作を開始する様になり、一方、この時
読み出されたセンサ・デバイス出力はオフセツト
電圧除去回路8に依りそのオフセツト電圧(ノイ
ズ成分)が除去された後、アナログ・ゲート回路
9に附与される。ここでセンサ・デバイス出力の
読み出しの開始から時刻tiに達する迄の間は制御
回路12は制御信号φ11をロウと為すことに依り
アナログ・ゲート回路9をゲート・オフ状態に設
定して居り、そして時刻tiに達すると、以降、時
刻tkに達する迄、制御信号φ11をハイと為すこと
に依りアナログ・ゲート回路9をゲート・オン状
態に設定する様になり、従つて、信号反転回路1
0には時刻tiから時刻tkまでの時間区間のセン
サ・デバイス出力が附与されることになる訳であ
るが、ここで、時刻tjに達する迄は制御回路12
は制御信号φ12をロウを為すことに依り信号反転
回路10を、その入力信号を反転させることなく
そのまま出力する信号非反転出力モードに設定し
て居り、そして時刻tjに達すると、以降、時刻tk
に達する迄、制御信号φ12をハイと為すことに依
り信号反転回路10を、その入力信号を反転させ
て出力する信号反転出力モードに設定する様にな
る。従つて積分回路11は時刻tiから時刻tkまで
の時間区間で、先ず、時刻tiから時刻tjまでの時
間区間の信号を積分した後、続く時刻tjから時刻
tkまでの時間区間の信号については反転積分を行
なうことになり、斯くして積分回路11に依り、
前掲の式で示す演算が行なわれて時刻tkに達し
た時点では該積分回路11からは時刻tiから時刻
tjまでの時間区間の信号量と時刻tjから時刻tkま
での時間区間の信号量との差(S)が出力される
様になる。そして時刻tkに達すると制御回路12
は制御信号φ13をハイと為し、これに依りサンプ
ル・ホールド回路13はこの時刻tkの時点での積
分回路11の出力(S)をサンプル・ホールドす
る様になる。斯くしてこの時のサンプル・ホール
ド回路13の出力(Vs)は光センサ・アレイ・
デバイス3のセンサ面上での上記反射光束の入射
位置を表わすことになり、その際、第2図で説明
したことから、Vs=0であれば、反射光束の入
射位置はj番目とj+1番目のセンサ・エレメン
トの境界、即ち、共役点Cに一致していることに
なり、Vs>0であれば共役点CよりもB側に、
又、Vs<0であれば共役点CよりもA側に偏つ
ていることになり、且つ、この時の絶対値レベル
|Vs|はその偏りの量を表わすことになる。こ
こでは以上の様にして光センサ・アレイ・デバイ
ス3のセンサ面上での反射光束の入射位置の検知
が行なわれ、その結果はサンプル・ホールド回路
13の出力(Vs)、即ち、積分回路11の出力
(S)に依つて指示されることになる訳である。
以下、この時のサンプル・ホールド回路13の出
力(Vs)はコンパレータ14,14′に依り所定
の電圧範囲−Vref.〜+Vref.に対して比較され、
そ結果に基づいて表示制御回路15に依りLED
18,19に依る表示状態が制御されると共にモ
ータ制御回路16に依りレンズ駆動用モータ17
が制御される様になる。尚、この場合、第2,3
図で説明したことから、コンパレータ14の出力
のハイは前ピン状態を、コンパレータ14′の出
力のハイは後ピン状態を、そしてコンパレータ1
4,14′の双方の出力のロウは合焦状態(即ち、
ここでは第3図に示す様に+Vref.と−Vref.とで
定まる範囲δを合焦範囲としている訳である)を
表わすことになるから、LED18の点灯は前ピ
ン状態を、LED19の点灯は後ピン状態を、そ
してLED18,19双方の点灯は合焦状態を表
わすことになる。又、このことからモータ制御回
路16はコンパレータ14の出力のハイに依り結
像レンズ1を後退させるべくモータ17を所定方
向に回転させ、コンパレータ14′の出力のハイ
に依り結像レンズ1を前進させるべくモータ17
を逆転させ、そして、コンパレータ14,14′
の双方の出力のロウに依りモータ17を停止させ
るべく該モータ17を制御する様に構成しておけ
ば良いものである。
ここで上記制御回路12、オフセツト電圧除去
回路8、信号反転回路10の各具体的構成例につ
いて説明しておく。
先ず、第6図は制御回路12の一構成例を示す
もので、21は転送クロツク・パルスφ2をカウ
ントするカウンタで、シフト・パルスφSHに依つ
てリセツトされる様に為されている。22は該カ
ウンタ21のカウント出力に基づいて上記の時刻
ti、tj、tkのタイミングを規定するべくその内容
が予めプロクラムされたプログラマブル・ロジツ
ク・アレイで、具体的には光センサ・アレイ・デ
バイス3にシフト・パルスφSHが附与されて後、
第1番目のセンサ・エレメントからの信号が読み
出されるまでに転送クロツク・パルスφ2がα個
附与されるものとすると、出力端子Aからはカウ
ンタ21のカウント値が“α+i”となつた時点
で、又、出力端子Bからはカウンタ21のカウン
ト値が“α+j”となつた時点で、そして、出力
端子Cからはカウンタ21のカウント値が“α+
k”となつた時点で夫々単パルス(第7図々示)
を出力する様にその内容が予めプログラムされて
いるものである。23はプログラマブル・ロジツ
ク・アレイ22の出力端子Aからのパルスに依つ
てセツトされた後、出力端子Cからのパルスに依
つてリセツトされる様に為されたRSフリツプ・
フロツプ・24は同じくプログラマブル・ロジツ
ク・アレイ22の出力端子Bからのパルスに依つ
てセツトされた後、出力端子Cからのパルスに依
つてリセツトされる様に為されたRSフリツプ・
フロツプで、ここではフリツプ・フロツプ23の
Q出力(第7図々示)が第4図示アナログ・ゲー
ト回路9に対する制御信号φ11となり、又、フリ
ツプ・フロツプ24のQ出力(第7図々示)が第
4図示信号反転回路10に対する制御信号φ12
なり、そして、プログラマブル・ロジツク・アレ
イ22の出力端子Cからの出力が第4図示サンプ
ル・ホールド回路13に対する制御信号φ13とな
る。
次に第8図は上記オフセツト電圧除去回路8の
一構成例を示すもので、ここに示す例は光セン
サ・アレイ・デバイス3からの出力を交流増幅し
た後、クランプすることに依つて信号電圧のオフ
セツト分(直流分)を除去する様にしたものであ
る。即ち、図に於て、31は交流増幅器、32は
クランプ用(即ち、直流カツト用)コンデンサ、
33は該コンデンサ32のリセツト用アナログ・
スイツチ・34は出力用バツフア増幅器で、コン
デンサ32に依り信号電圧中のオフセツト分(こ
こでは主に直流分)が除去されることに依りバツ
フア増幅器34からはオフセツト分が除去された
信号が出力される様になる。尚、アナログ・スイ
ツチ33はシフト・パルスφSHに依つてコンデン
サ32をリセツトするべくオンさせられる。
最後に第9図は上記信号反転回路10の3つの
構成例を示すもので、先ずaに示す例は、演算増
幅器41及び抵抗R3,R4を図示の如く接続し
て成る反転増幅回路の出力と、演算増幅器42及
び抵抗R5,R6,R7,R8を図示の如く接続
して成る非反転増幅回路の出力を夫々アナログ・
スイツチ43及び44に依つてセレクトする様に
したもので、アナログ・スイツチ43には制御信
号φ12が、又、アナログ・スイツチ44にはイン
バータ45に依るそのインバート信号12(これ
は第6図示フリツプ・フロツプ28の出力に等
しい)が附与される。又、bに示す例は、演算増
幅器46、抵抗R9,R10,R11及びアナロ
グ・スイツチ47を図示の如く接続して成る非反
転増幅回路の構成に於て、アナログ・スイツチ4
7をオンさせることに依りその動作モードを非反
転増幅モードから反転増幅モードに切換え得る様
にしたもので、アナログ・スイツチ47には上記
制御信号φ12が附与される。又、cに示す例は、
演算増幅器48、抵抗R12,R13,R14及
びアナログ・スイツチ49を図示の如く接続して
成る反転増幅回路の構成に於て、アナログ・スイ
ツチ49をオンさせることに依りその動作モード
を反転増幅モードから非反転増幅モードに切換え
得る様にしたもので、アナログ・スイツチ49に
は制御信号φ12の、インバータ50に依るインバ
ート信号12が附与される。
さて、以上に詳述した様に本発明の光束入射位
置検出装置は、光束が入射する事にほぼ一致して
走査型撮像素子を配置し、該撮像素子からの時系
列出力信号を所定の区間毎に分割して各区間毎の
信号量を比較することに依り上記光束入射面上で
の上記光束の入射位置を検出する様にしたもの
で、これに依れば、光センサ・アレイ・デバイス
等の走査型撮像素子の使用の下で、より簡単な方
法で、従つて、電気回路系の構成の複雑化を招く
ことなく常に高精度で且つ正確に、光束の、所定
面上での入射位置を検出し得る様になり、特に冒
頭に述べた様な能動型距離検出装置或いは焦点検
出装置等に適用して非常に有益なものである。
尚、実施例では本発明装置の適用例としてTTL
式能動型焦点検出装置を挙げて説明したが本発明
の装置の適用が斯かる焦点検出装置のみに限られ
るものではないことは勿論のことで、光束の入射
位置の検出を必要とする機器に広く適用可能であ
り、その場合にも上記した様な有益な利点が得ら
れるものである。又、実施例では走査型撮像素子
として光センサ・アレイ・デバイスで知られる自
己走査型固体撮像素子を挙げたがこの外にビデイ
コン、サチコン、カルニコン等で知られる撮像管
能も使用し得るものである。更に実施例では各分
割区間毎の信号量として信号の積分量を求める様
にしていたが、この外に各区間毎の信号のピーク
値或いは各区間毎の信号の平均値を求めてそれ等
を比較する様にしても良いものである。又更に実
施例では各区間毎の信号量の比較の方法として反
転積分と云う手法を採つていたが、この外に各区
間毎の信号を夫々別々に積分したり或いはそのピ
ーク値を求め、これ等を差動増幅回路に附与して
その差(S)を求めたり或いは比較回路を用いて
比較する様にしても良いものである。
また本発明の装置を製作する場合、撮像素子を
装置に取付けた後、設計上の予定位置に合わせて
撮像素子の所定位置を電気的に指定し、ここを基
準とすれば取付誤差を実用上解消できる効果があ
り、よつて精度の向上を図ることが可能となる。
更に撮像素子を利用して入射光束を撮像し、光
束の形態を観測できるから、この情報を組立調整
時のチエツク手段として利用できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の一適用例としてのTTL
式能動型焦点検出装置の光学的配置構成を示す模
式図で、aは後ピン状態を、bは合焦状態を、c
は前ピン状態を夫々示す。第2図は本発明装置を
第1図で説明した様な焦点検出装置に適用した場
合の光束入射位置検出の原理を説明するための図
で、aは光センサ・アレイ・デバイスのセンサ面
での第1図a,b,cの状態に対応した各光エネ
ルギーの分布状態を、bはセンサ・デバイス出力
の反転積分のタイミング関係を、cは反転積分の
様子を夫々示すものである。第3図は第2図で説
明した反転積分に依つて得られる出力信号(S)
の、光束の入射位置の変化に応じた変化の様を示
す出力波形図、第4図は本発明装置を第1図示焦
点検出装置に適用した場合の一実施例を示すブロ
ツク・ダイアグラム、第5図は第4図示回路系に
於けるドライバ回路の出力とこれに依る光セン
サ・アレイ・デバイスからの出力信号を示すタイ
ミング・チヤート、第6図は第4図示回路系に於
ける制御回路の一構成例を示すブロツク・ダイア
グラム、第7図は第6図示回路の動作関係を示す
タイミング・チヤート、第8図は第4図示回路系
に於けるオフセツト電圧除去回路の一構成例を示
す部分回路図、第9図a,b,cは第4図示回路
系に於ける信号反転回路の3つの構成例を示す部
分回路図である。 1……結像レンズ、2……光源、6……予定焦
点面、3……走査型撮像素子としての光センサ・
アレイ・デバイス(自己走査型固体撮像素子)、
9……有効信号取込み用アナログ・ゲート回路、
10,11,12……各分割区間毎の信号量を比
較するための手段としての反転積分手段の構成要
素で、10は信号反転回路、11は積分回路、1
2は信号区間設定用制御回路である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 物体からの光束を光学系を介して受光手段へ
    導き、入射光束のエネルギー強度分布が前記受光
    手段の受光面上で移動する作用を利用して測定あ
    るいは検出を行う装置において、 前記受光手段を走査型撮像素子とし、又前記光
    学系によつて定まる光学上の所定位置に相当する
    前記走査型撮像素子上の位置を信号処理上の基準
    として指定すると共に前記走査型撮像素子から前
    記エネルギー強度分布に関する電気信号を読み出
    し、読み出した電気信号を前記基準を用いて所定
    アルゴリズムに従つて処理する電気手段を設けた
    ことを特徴とする光束入射位置検出装置。
JP12453779A 1979-09-27 1979-09-27 Detector for incident location of light flux Granted JPS5647701A (en)

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JP12453779A JPS5647701A (en) 1979-09-27 1979-09-27 Detector for incident location of light flux
US06/190,454 US4384199A (en) 1979-09-27 1980-09-24 Incident position detector for radiation beam
DE19803036343 DE3036343A1 (de) 1979-09-27 1980-09-26 Detektoreinrichtung zur strahlungsbuendel-einfallstellen-ermittlung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2355185C2 (de) * 1973-11-05 1975-05-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Anordnung zur Dickenmessung von Gegenständen unter Verwendung von Laserstrahlen

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