JPH026441B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はマイクロストリツプ伝送線路における
回路部品等のリードの接続構造の改良に関する。

高帯域伝送回路においては平滑なセラミツク基
板を誘電体とし、これをはさみ平行板導体を形成
させたマイクロストリツプ伝送線路（micro
wave stripline）が用いられる。非対称形マイク
ロストリツプ伝送線路ではこのセラミツク基板の
片面に回路導体ならびに分布常数回路素子等が形
成されているが更にこの回路導体に受動、能動素
子等の回路部品の結合を要する場合がある。

第１図は6GHzのマイクロ波の発信器の構造を
示す斜視図である。第２図は更に第１図のトラン
ジスタ４の取付け部分を拡大した斜視図である。
第１図に示すごとく左側に共振器１が配置され、
右側には増幅器２が構成されている。増幅器２の
筐体２ａの中にセラミツクの基板３が下面の平行
板導体（図省略）を筐体２ａに接して内蔵され、
マイクロストリツプ伝送線路の上面には分布常数
回路素子並びに回路導体が形成され、この基板３
上に能動素子としてたとえばパツケージされたマ
イクロストリツプ伝送線路用のトランジスタ４、
第１図ではFET（field effect transistor）が取付
けられている。トランジスタ４は基板上面に対す
るリードの高さを定めるためと、放熱のため２分
された基板３の間の筐体２ａの面に設けられた溝
５の底面にパツケージ脚部４ｃを沈めた形で筐体
２ａに接し、ねじ止めされている。このトランジ
スタ４のリード６は溝５に橋渡しするごとく基板
３のストリツプ伝送線路の回路導体８に接続され
ている。

トランジスタ４のパツケージ脚部４ｃの底面は
筐体２ａと接触し、強くねじ１０をもつて筐体２
ａに締め付けられている。トランジスタ４のリー
ド６は金リボン７をもつてマイクロストリツプ伝
送線路の回路導体８に熱圧着ボンデイングされて
いる。リード６はセラミツクの基板３の上方に僅
かの空隙（10乃至100μｍ）９をもつて浮きあが
つた状態をなしている。この目的はセラミツクの
基板３の厚さに誤差があり、又トランジスタ４を
収容する溝５の深さにも加工上の誤差があり、更
にトランジスタ４のリード６の高さにも誤差があ
るため、この誤差がマイナス側に集積された場合
セラミツクの基板３の角３ｂにリード６が接触
し、あるいはリード６の先端方向が上方に曲げら
れることを防止するためである。このためリード
６の位置をやや高目にし、若干の空隙９が出来る
ように決めてある。しかしリード６と金リボン７
を熱圧着ボンデイングすると、リード６は一旦は
基板上の回路導体８におしつけられ、終ると弾性
をもつて復帰する。

第３図は従来のトランジスタ取付部の断面図で
あり、第２図のＡ−Ａ断面の空隙９の位置を示
す。リード６の下にマイクロストリツプ伝送線路
の回路導体８が入り込んで基板３の端部迄形成さ
れている。

この空隙９が誤差の組合せにより減少し、数μ
ｍ程度になると極めて不安定となり、機械的振動
とか、衝撃、温度変化等によつてリード６と回路
導体８が接触したり、又解放する等の現象が不安
定に発生する。これは整合状態が変ることに相当
し、回路の特性を大きく変え、周波数の変化、ノ
イズ等の異常発生につながる。この問題はＧHz級
の高帯域の周波数程この影響が大きい。又一旦異
常が発生すると再生処理は極めて困難である。

本発明は前記欠陥を除くものである。即ち誘電
体基板面に形成される導体パターンでもつて構成
される回路導体と回路部品の入出力のリードとを
接続する接続構造において該リードと対向する該
回路導体を除去した形としたことを特徴とするマ
イクロストリツプ伝送線路の接続構造。により特
性の安定をはかるものである。

以下本考案による実施例について詳細説明す
る。尚第４図より第５図迄前図と同一符号は同一
物を示す。

第４図は本発明に係るトランジスタ取付部の断
面図である。トランジスタ４のリード６と対向す
る部分の下部のマイクロストリツプ伝送線路の回
路導体８′は除去された形で基板３′の面にあり、
この回路導体８′の開放端８′ａとトランジスタ４
のリード６の先端６ａの間には投影面上に若干の
間隙ｇが設けられており、この間隙ｇは概略50μ
ｍ乃至100μｍあである。リード６は金リボン７
により熱圧着ボンデイング法により基板３′の回
路導体８′と結合されている。この状態において
リード６の変形等による接触の恐れはまつたくな
くなつている。

第５図は本発明に係る別の形式のトランジスタ
取付部の断面図である。金リボン７′はトランジ
スタ４のリード６の下面に熱圧着ボンデイング法
により接続され、一方の端は回路導体８′の上に
接続されている。リード６の下に回路導体８′が
ないので金リボン７′とリード６のみ接続する。
この場合間隙ｇは第４図の場合より広目にする必
要があるが、リード６の厚さだけ金リボン７′の
位置が低くなり、このため金リボン７′は水平に
近くなり、屈曲の度合も減少している。更に回路
導体の先端８′ａとリード６の先端６ａの間には
金リボン７′が入り込んだため夫々の先端の間は
埋められ、リード６と基板３′の間に金リボン
７′が介在するため、回路の整合性が良好となる。

以上本発明によれば回路部品のリードとマイク
ロストリツプ伝送線路の回路導体の接続は熱圧着
ボンデイング後にやや下方にリードが変形するよ
うな状態においても振動、衝撃をによる若干の機
械的変形を生じたとしても特性が変化することな
く安定化し、装置全体としての信頼性が大幅に高
められる。又従来他の接続方法として半田付けが
用いられていたが、金が半田に拡散するほか、半
田片、粒による接触障害が発生し、機器の特性が
損なわれていた。この改善のため熱圧着ボンデイ
ング法の導入が求められていたが前述の欠陥によ
るため制約があつた。しかし本発明によりこの問
題が解決し、熱圧着ボンデイング法を導入実用化
することが可能となり、この熱圧着ボンデイング
法の特性を効果的に活かすことが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図はマイクロ波の発信器の構造を示す斜視
図、第２図は第１図のトランジスタ取付け部分を
拡大した斜視図、第３図は従来のトランジスタ取
付部の断面図、第４図は本発明に係るトランジス
タ取付部の断面図、第５図は本発明に係る別の形
式のトランジスタ取付部の断面図である。 図において２は増幅器、３，３′は基板、４は
トランジスタ、６はリード、７，７′は金リボン、
８，８′は回路導体、９は空隙をしめす。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一方の面にマイクロストリツプ伝送線路が形
   成される２つの誘電体基板を所定間隔離して筐体
   に設け、該両誘電体基板間の筐体に、入出力のリ
   ードと該基板面との間に空〓を有するよう回路部
   品を取りつけ、該マイクロストリツプ線路と該リ
   ードを金リボンで接続する接続構造において、 該マイクロストリツプ伝送線路の該金リボンが
   接続される位置より該回路部品側を削除した形と
   したことを特徴とするマイクロストリツプ伝送線
   路の接続構造。