JPH0265131A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0265131A JPH0265131A JP21501088A JP21501088A JPH0265131A JP H0265131 A JPH0265131 A JP H0265131A JP 21501088 A JP21501088 A JP 21501088A JP 21501088 A JP21501088 A JP 21501088A JP H0265131 A JPH0265131 A JP H0265131A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- plasma processing
- plasma
- gas
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特にガスプラズマ
を用いて″＄’４Ｌ体基板の試料を処理するプラズマ処
理装置に関するものである。
を用いて″＄’４Ｌ体基板の試料を処理するプラズマ処
理装置に関するものである。
従来のプラズマ処理装置は、試料が置かれた試料台の試
料以外の部分は試料の汚染防止のため酸化物、窒化物等
の絶縁物でおおわれていた。
料以外の部分は試料の汚染防止のため酸化物、窒化物等
の絶縁物でおおわれていた。
なお、この種の装置として関連するものには、例えば、
特開昭５９−１６３８２７号等が挙げられる。
特開昭５９−１６３８２７号等が挙げられる。
上記従来技術は荷電粒子を試料台からガスプラズマへス
ムーズに流す点について配慮がされておらず、特に放電
を停止する時に試料裏面に蓄積された電子が試料上に形
成された絶縁膜を介して放電し、素子中の絶縁部の破壊
あるいは耐圧劣化が発生するなどの問題があった。
ムーズに流す点について配慮がされておらず、特に放電
を停止する時に試料裏面に蓄積された電子が試料上に形
成された絶縁膜を介して放電し、素子中の絶縁部の破壊
あるいは耐圧劣化が発生するなどの問題があった。
また、アルミニウム等の金属を用いて試料台を構成して
荷電粒子のスムーズな流れを実現した場合にも、ガスプ
ラズマがフッ素系の場合、低蒸気圧物質であるＡＪＦ３
が試料で汚染するなどの問題があった。
荷電粒子のスムーズな流れを実現した場合にも、ガスプ
ラズマがフッ素系の場合、低蒸気圧物質であるＡＪＦ３
が試料で汚染するなどの問題があった。
本発明の目的は、試料裏面に蓄積された電子を試料上の
絶縁膜を介さずに放電させ、素子中の絶縁部の破壊ある
いは耐圧劣化を防止でき、しかもプラズマ処理に与える
影響を少なくできるプラズマ処理装置を提供することに
ある。
絶縁膜を介さずに放電させ、素子中の絶縁部の破壊ある
いは耐圧劣化を防止でき、しかもプラズマ処理に与える
影響を少なくできるプラズマ処理装置を提供することに
ある。
上記目的は、試料外周部を炭化珪素等のエツチングされ
やすく、かつ導電性のある材料で構成し試料と同様にガ
スプラズマにさらし、試料が置かれた試料台とガスプラ
ズマとの間の直流抵抗を小さくするよう構成することに
よって達成される。
やすく、かつ導電性のある材料で構成し試料と同様にガ
スプラズマにさらし、試料が置かれた試料台とガスプラ
ズマとの間の直流抵抗を小さくするよう構成することに
よって達成される。
上記により、ガスプラズマと試料台との間の充放電が試
料を介さずに行われるようになり、素子中の絶縁部の破
壊あるいは耐圧劣化が発生しなくなる。また、上記材料
はガスプラズマにより揮発ガスを生成するため、試料の
プラズマ処理に与える影響は少ない。
料を介さずに行われるようになり、素子中の絶縁部の破
壊あるいは耐圧劣化が発生しなくなる。また、上記材料
はガスプラズマにより揮発ガスを生成するため、試料の
プラズマ処理に与える影響は少ない。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図により説明す
る。第１図は放電によりガスの反応性を高めて基板をエ
ツチング処理する枚葉式ドライエツチング装置で、本発
明の電極構造を有しているものである。反応容器ｌはガ
ス導入口２と排気口３を持ち、反応性ガスを導入しなが
ら排気することによって定常の低圧雰囲気に保持されて
いる。
る。第１図は放電によりガスの反応性を高めて基板をエ
ツチング処理する枚葉式ドライエツチング装置で、本発
明の電極構造を有しているものである。反応容器ｌはガ
ス導入口２と排気口３を持ち、反応性ガスを導入しなが
ら排気することによって定常の低圧雰囲気に保持されて
いる。
被処理基板４を載置する電極カソード５はカップリンク
キャパシタ６、マツチングボックス７を介して高周波電
源８に接続されている。カソード５は絶縁物からなる支
持材９によって反応容器１に取り付けられている。高周
波電源８によってカソード５とアノード１０との間に高
周波電界を導入するとガスプラズマが発生する。第１図
、第２図に示すように、カソード５に載置された被処理
基板３は、その外周を炭化珪素からなるバイパスリング
１２によって囲まれ、またその外周には基板ウェイト１
１が置かれ爪によって被処理基板３をカソード５上の定
位置に保持している。被処理基板３のエツチング中、バ
イパスリング１２は同時にエツチングされるので被処理
基板３を汚染することはない。第３図はカソードでの直
流電圧、直流電流特性を示したもので、バイパスリング
なしの場合（破線）に比較してバイパスリングありの場
合（実線）は、直流電圧を大きく低下させずに大きな直
流電流を流すことができ、基板上の半導体素子の絶縁膜
に大きな電位差を発生させることなくカソードとプラズ
マとの間で充放電できるので、半導体素子の静電的な破
壊を防止できる。
キャパシタ６、マツチングボックス７を介して高周波電
源８に接続されている。カソード５は絶縁物からなる支
持材９によって反応容器１に取り付けられている。高周
波電源８によってカソード５とアノード１０との間に高
周波電界を導入するとガスプラズマが発生する。第１図
、第２図に示すように、カソード５に載置された被処理
基板３は、その外周を炭化珪素からなるバイパスリング
１２によって囲まれ、またその外周には基板ウェイト１
１が置かれ爪によって被処理基板３をカソード５上の定
位置に保持している。被処理基板３のエツチング中、バ
イパスリング１２は同時にエツチングされるので被処理
基板３を汚染することはない。第３図はカソードでの直
流電圧、直流電流特性を示したもので、バイパスリング
なしの場合（破線）に比較してバイパスリングありの場
合（実線）は、直流電圧を大きく低下させずに大きな直
流電流を流すことができ、基板上の半導体素子の絶縁膜
に大きな電位差を発生させることなくカソードとプラズ
マとの間で充放電できるので、半導体素子の静電的な破
壊を防止できる。
本発明によれば、ガスプラズマと試料台との間の充放電
が試料を介さずに行われるので、素子中の絶縁部の破壊
あるいは耐圧劣化を防止できると共に、ガスプラズマと
試料台との間の充放電を試料を介さずに行わせる手段が
ガスプラズマにより揮発ガスを生成するので、試料の汚
染等を防止できプラズマ処理に与える影響を少な（でき
る効果がある。
が試料を介さずに行われるので、素子中の絶縁部の破壊
あるいは耐圧劣化を防止できると共に、ガスプラズマと
試料台との間の充放電を試料を介さずに行わせる手段が
ガスプラズマにより揮発ガスを生成するので、試料の汚
染等を防止できプラズマ処理に与える影響を少な（でき
る効果がある。
第１図は本発明の一実施例のドライエツチング装置の縦
断面図、第２図は第１図の１−！親子面図、第３図は本
発明者が得たカソードの直流電流−電圧特性線図である
。 ４・・・・・・被処理基板、５・・・・・・カソード、
ｎ・・・・・・バイパスリング オ ｌ 囚
断面図、第２図は第１図の１−！親子面図、第３図は本
発明者が得たカソードの直流電流−電圧特性線図である
。 ４・・・・・・被処理基板、５・・・・・・カソード、
ｎ・・・・・・バイパスリング オ ｌ 囚
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガスプラズマを用いて試料を処理するプラズマ処理
装置において、試料台の前記ガスプラズマと接する部分
が電気伝導性を有し、かつ、前記ガスプラズマによって
エッチングされる材料であり、前記試料台と直流的に通
していることを特徴としたプラズマ処理装置。 ２、前記材料が炭化珪素である第１請求項に記載のプラ
ズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21501088A JPH0265131A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21501088A JPH0265131A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265131A true JPH0265131A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16665220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21501088A Pending JPH0265131A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0265131A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05234696A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマエッチング装置 |
| JPH06101073A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-12 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
| US6649021B2 (en) | 2000-08-25 | 2003-11-18 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield |
| US7288166B2 (en) | 2000-03-01 | 2007-10-30 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2008008683A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Univ Of Tokyo | 振動波検出方法及び装置 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21501088A patent/JPH0265131A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05234696A (ja) * | 1992-02-19 | 1993-09-10 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマエッチング装置 |
| JPH06101073A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-12 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
| US7288166B2 (en) | 2000-03-01 | 2007-10-30 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US7608162B2 (en) | 2000-03-01 | 2009-10-27 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and method |
| US6649021B2 (en) | 2000-08-25 | 2003-11-18 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield |
| US6867144B2 (en) | 2000-08-25 | 2005-03-15 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield |
| JP2008008683A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Univ Of Tokyo | 振動波検出方法及び装置 |
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