JPS63177520A - ドライエッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体デバイス等の電子部品製造に使るもので
ある。

従来の技術 近年、ドライエツチング装置は被エツチング物の大口径
化、大型化とエツチング速度の均一性向上のため、多数
個同時処理のバッチ処理方式から一個づつ処理する枚葉
処理方式へと移行しつつある。しかし枚葉処理方式では
処理能力を向上させるため、エツチング速度を増大させ
る必要があり、必然的に電極に供給する高周波電力密度
（高周波電力／電極面積）を増加させなければならない
。

以下図面を参照しながら、上述した従来のドライエツチ
ング装置の電極構造の一例について説明する。

第３図は従来のドライエツチング装置の電極構造を示す
ものである。第３図において、１は真空容器、２は絶縁
物、３は被エツチング物載置用電極、４は被エツチング
物、６はグロー放電させる手段としての高周波電源であ
る。６はガスを導入する手段（図示せず）と接続される
ガス供給孔、７は排気手段（図示せず）と接続される排
気孔、９はアースされた極状電極である。

以上のように構成されたドライエツチング装置について
、以下その動作について説明する。まず、真空容器１内
を排気手段により１ｍＴｏｒｒ以下に排気した後、ガス
供給手段より被エツチング物に応じたガスを一定流量導
入しながら一定圧力に保つ。

その後、高周波電源６より電力を供給し、グロー放電さ
せプラズマを発生させる。そのプラズマ中のイオンやラ
ジカルにより被エツチング物を除去加工する。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、グロー放電させた
プラズマ発生中に被エツチング物載置用電極３のエツジ
部に放電が集中するのでプラズマ密度に不均一性を生じ
たり、時にはグロー放電が局部的に発生する。又、被エ
ツチング物載置用電極３の表面を金属酸化物等でおおっ
た場合にも前記理由と被エツチング物載置用電極３のエ
ツジ部の金属酸化物等が薄くなったり、ピンホールが発
生しやすいので、金属酸化物等がはがれたり、グロー放
電がピンホール部分で局部的に発生する。

その結果、ドライエツチング速度の均一性が悪くカった
り、マスク材料であるレジスト材料が変質すると言う問
題点を有していた。

本発明は上記問題点に鑑み、被エツチング物載置用電極
３のエツジ部における局部的グロー放電を防止し、エツ
チング速度の均一性が良く、レジスト材料の変質を起さ
ないドライエツチング装置を提供するものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の第１の発明のドラ
イエツチング装置は被エツチング物載置用電極のエツジ
部がバルクの絶縁物でおおわれているという構成を備え
たものである。また、本発明の第２の発明は、被エツチ
ング物載置用電極が被エツチング物より小さく、被エツ
チング物載置用電極が直接プラズマにさらされないとい
う構成を備えたものである。

作　　用 本発明は上記した構成によって、被エツチング物載置用
電極をバルクの絶縁物でおおうことにより、従来の絶縁
膜では発生していたピンホールによる局部的グロー放電
を防止することができる。

あるいは、被エツチング物載置用電極を被エツチング物
より小さくすることにより、被エツチング物載置用電極
が直接プラズマにさらされることがなくなり、局部的グ
ロー放電を防止することができる。以上の結果により、
エツチング速度の均一性を向上すると共にレジスト変質
を防止することができる。

実施例 以下本発明の一実施例のドライエツチング装置について
、図面を参照しながら説明する。

第１図は本発明の第１の実施例におけるドライエツチン
グ装置の電極構造を示すものである。第１図において、
１ａ〜７ａは第３図の１〜７と同一名称である。９ａは
アースされた板状電極、８ａはバルクの絶縁物であり、
ポリ四弗化エチレンを用いた。以上のように構成された
ドライエツチング装置の基本的な動作は上記の従来例の
説明で述べた通りであるが、被エツチング物載置用電極
３ａのエツジ部をバルクの絶縁物でおおうことによって
同エツジ部における局部的グロー放電を防止することか
できるようにした点に本実施例の特徴がある。

以下本発明の第２の実施例について図面を参照しながら
説明する。第２図は本発明の第２の実施例を示すドライ
エツチング装置の電極構造を示すものである。第２図に
おいて１ｂ〜７ｂは第１図の１〜７と同一名称である。

９ｂはアースされた板状電極、８ｂは被エツチング物載
置用電極３ｂの側面をプラズマから保護するためのバル
クの絶縁物であり、ポリ四弗化エチレンを用いた。以上
のように構成されたドライエツチング装置の基本的な動
作は上記の従来例の説明で述べた通如である。本実施例
の特徴は、被エツチング物載置用電極を被エツチング物
より小さくし、被エツチング物載置用電極が直接プラズ
マにさらされないような構成にすることにより、被エツ
チング物載置用電極のエツジ部における局部的グロー放
電を防止することができるようにした点にある。

上記第１．第２の実施例については、いずれも被エツチ
ング物載置用電極のエツジ部における局部的グロー放電
が完全に防止されることが、実験的に確認されている。

なお、第１．第２の実施例において、バルクの絶縁物８
ａ、８ｂは四弗化エチレンの有機物としたが、バルクの
絶縁物８ａ、８ｂはＡｔ２０３゜Ｓ　ｓ　Ｏ２などの金
属酸化物としても同様の結果が得られた。

発明の効果 以上のように本発明はドライエツチング装置の被エツチ
ング物載置用電極のエツジ部をバルクの絶縁物でおおう
かあるいは、被エツチング物載置用電極を被エツチング
物より小さくし、被エツチング物載置用電極が直接プラ
ズマにさらされないようにすることにより、被エツチン
グ物載置用電極のエツジ部における局部的グロー放電を
防止し、エツチング速度の均一性向上を図ると共に、レ
ジストの変質を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例におけるドライエツチン
グ装置の電極構造を示す外略図、第２図は本発明の第２
の実施例におけるドライエツチング装置の電極構造を示
す外略図、第３図は従来のドライエツチング装置の電極
構造を示す外略図である。 １ａ、１ｂ・・・・・・真空容器、ｓａ、３ｂ・・・・
・・被エツチング物載置用電極、４ａ、４ｂ・・・・・
・被エツチング物、５ａ、５ｂ・・・・・・高周波電源
、ｓａ、ａｂ・・・・・・バルクの絶縁物、９ａ、９ｂ
・・・・・・板状電極。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第３
図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空容器内に互いに対向して配置された板状電極
   および被エッチング物載置用電極と、真空容器内にガス
   を供給する手段と、真空容器内を一定圧力に保つ排気手
   段と、前記板状電極と前記被エッチング物載置用電極の
   間に高周波電力を印加し、ガスをグロー放電させる手段
   により、ガスプラズマを発生させ、被エッチング物を除
   去加工するドライエッチング装置において、前記被エッ
   チング物載置用電極のエッジ部がバルクの絶縁物でおお
   われていることを特徴とするドライエッチング装置。
2. （２）バルクの絶縁物が金属酸化物であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載のドライエッチング装置
   。
3. （３）バルクの絶縁物が有機物であることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載のドライエッチング装置。
4. （４）真空容器内に互いに対向して配置された板状電極
   および被エッチング物載置用電極と、真空容器内にガス
   を供給する手段と、真空容器内を一定圧力に保つ排気手
   段と、前記板状電極と前記被エッチング物載置用電極の
   間に高周波電力を印加し、ガスをグロー放電させる手段
   により、ガスプラズマを発生させ、被エッチング物を除
   去加工するドライエッチング装置において、前記被エッ
   チング物載置用電極が被エッチング物より小さく、被エ
   ッチング物載置用電極が直接プラズマにさらされないこ
   とを特徴とするドライエッチング装置。