JPH02224238A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH02224238A JPH02224238A JP4297789A JP4297789A JPH02224238A JP H02224238 A JPH02224238 A JP H02224238A JP 4297789 A JP4297789 A JP 4297789A JP 4297789 A JP4297789 A JP 4297789A JP H02224238 A JPH02224238 A JP H02224238A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- sample
- semiconductor substrate
- high frequency
- earth
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に半導体素子基
板等の試料をプラズマを利用して処理するのに好適なプ
ラズマ処理装置に関するものである。
板等の試料をプラズマを利用して処理するのに好適なプ
ラズマ処理装置に関するものである。
従来のプラズマ処理装置では、例えば、特開昭５９−１
６３８２７号公報に記載のように、電極と試料との間に
絶縁物が介在させられている。
６３８２７号公報に記載のように、電極と試料との間に
絶縁物が介在させられている。
上記従来技術は、処理終了時の放電について配慮がされ
ておらず、処理中に試料を電極の間に蓄積された電荷の
放電が試料上とプラズマとの間での放電に追従しない場
合には、試料内の絶縁物質を電気的に劣化または破壊し
てしまうという問題があつた。
ておらず、処理中に試料を電極の間に蓄積された電荷の
放電が試料上とプラズマとの間での放電に追従しない場
合には、試料内の絶縁物質を電気的に劣化または破壊し
てしまうという問題があつた。
本発明の目的は、試料内の絶壊物質の電気的な劣化また
は破壊を防止できるプラズマ処理装置を提供することに
あム。
は破壊を防止できるプラズマ処理装置を提供することに
あム。
上記目的は、プラズマ処理装置を、電圧が印加される試
料台と該試料台に設置される試料とを短絡させ、前記試
料台を能動素子を介してアースに接続したものとするこ
とにより、達成される。
料台と該試料台に設置される試料とを短絡させ、前記試
料台を能動素子を介してアースに接続したものとするこ
とにより、達成される。
電圧が印加される試料台と試料とを短絡することによっ
て、試料裏面に蓄積される電荷を試料台側で放電できる
。試料台とアースの間に接続した能動素子は放電電流を
時間制御する。それによって、処理中および処理終了時
に試料の表面う裏面との間の電位差を小さくし、試料内
の絶縁物質の劣化または破壊をおこすことがない。
て、試料裏面に蓄積される電荷を試料台側で放電できる
。試料台とアースの間に接続した能動素子は放電電流を
時間制御する。それによって、処理中および処理終了時
に試料の表面う裏面との間の電位差を小さくし、試料内
の絶縁物質の劣化または破壊をおこすことがない。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図により説明す
る。第１図は放電によりプラズマを発生させて試料、例
えば、半導体基板をエツチング加工するドライエツチン
グ装置である。反応容器ｌはガス導入口２と排気口３を
持ち、反応性ガスを導入しながら排気することによって
定常の低圧雰囲気に保持されている。半導体基板４を載
置する電極であるカソード５はカブプリングキャパシタ
６、マツチングボックス７を介して高周波電１１１ｆｔ
８に接続されている。カソード５は絶縁物からなる支持
材ｎによって反応容器１に取り付けられている。高周波
電＃８によってカソード５とアノード１１との間に高周
波電界を導入すると放電によりプラズマが発生し、半導
体基板４をエツチング加工する。カソード５は抵抗値の
高い、例えば、５ｉｃ（炭化珪素）からなり、熱媒１４
によって温調された温調部材１３によって一定［ｔに保
たれている。
る。第１図は放電によりプラズマを発生させて試料、例
えば、半導体基板をエツチング加工するドライエツチン
グ装置である。反応容器ｌはガス導入口２と排気口３を
持ち、反応性ガスを導入しながら排気することによって
定常の低圧雰囲気に保持されている。半導体基板４を載
置する電極であるカソード５はカブプリングキャパシタ
６、マツチングボックス７を介して高周波電１１１ｆｔ
８に接続されている。カソード５は絶縁物からなる支持
材ｎによって反応容器１に取り付けられている。高周波
電＃８によってカソード５とアノード１１との間に高周
波電界を導入すると放電によりプラズマが発生し、半導
体基板４をエツチング加工する。カソード５は抵抗値の
高い、例えば、５ｉｃ（炭化珪素）からなり、熱媒１４
によって温調された温調部材１３によって一定［ｔに保
たれている。
また、カソード５は能動素子であるＭＯ８ＦｇＴ９を介
して接地されており、ＭＯ８ＦＢＴ９のゲートは制御回
路ｌＯに接続されている。高周波電源８によってカソー
ド５とアノード１１の間に高周波電界を導入すると放電
によりプラズマが発生し、半導体基板４をニー／チング
加工する。対アース容量であるカブプリングキャパシタ
６等にプラズマから流れ込んだ電荷によってカソード３
はアース電位に対しである負電位となる。この電荷は、
カソード５の対アース抵抗が温調部材１３によって高く
保たれているのでＭＯ８ＦｇＴ９を介してのみ流れる。
して接地されており、ＭＯ８ＦＢＴ９のゲートは制御回
路ｌＯに接続されている。高周波電源８によってカソー
ド５とアノード１１の間に高周波電界を導入すると放電
によりプラズマが発生し、半導体基板４をニー／チング
加工する。対アース容量であるカブプリングキャパシタ
６等にプラズマから流れ込んだ電荷によってカソード３
はアース電位に対しである負電位となる。この電荷は、
カソード５の対アース抵抗が温調部材１３によって高く
保たれているのでＭＯ８ＦｇＴ９を介してのみ流れる。
以下、本実施例によるＭＯ８ＦｇＴ９の制御回路１０に
よる制御方法の一例を示す。プラズマ処理開始時から処
理中はＭＯ８ＦＢＴ９をカプトオフさせ、半導体基板４
の表面の絶縁膜上とカソード５の電位を一定に保つこと
によって、半導体基板４上の絶縁膜にかかる電界を小さ
くする。
よる制御方法の一例を示す。プラズマ処理開始時から処
理中はＭＯ８ＦＢＴ９をカプトオフさせ、半導体基板４
の表面の絶縁膜上とカソード５の電位を一定に保つこと
によって、半導体基板４上の絶縁膜にかかる電界を小さ
くする。
プラズマ処理終了時高周波１［１１１ｉｔ８の出力の低
下とともに、プラズマは減衰しはじめる。この時、カソ
ード５の対アース容量に蓄積された電荷をＭＯ８ＦｇＴ
９によって第２図に示すようにプラズマの減衰にあわせ
て放電させることにより、半導体基板４の表面の絶縁膜
上とカソード５の電位差を小さくでき、半導体基板４上
の絶縁膜の耐圧劣化、破壊を防止できる。なお、第２図
で、ａは、プラズマの減衰に伴う絶縁膜上の電位、ｂは
、制御された電極電位、Ｃは、制御なしの電極電位であ
り、ｔｌは、尚周波を源オフ時間、Ｖｌは、高周波電源
オフ時の電位である。
下とともに、プラズマは減衰しはじめる。この時、カソ
ード５の対アース容量に蓄積された電荷をＭＯ８ＦｇＴ
９によって第２図に示すようにプラズマの減衰にあわせ
て放電させることにより、半導体基板４の表面の絶縁膜
上とカソード５の電位差を小さくでき、半導体基板４上
の絶縁膜の耐圧劣化、破壊を防止できる。なお、第２図
で、ａは、プラズマの減衰に伴う絶縁膜上の電位、ｂは
、制御された電極電位、Ｃは、制御なしの電極電位であ
り、ｔｌは、尚周波を源オフ時間、Ｖｌは、高周波電源
オフ時の電位である。
本発明によれば、試料内絶縁物質に与える電気的な損傷
を減少させることができるので、試料を効率よく生産で
きる効果がある。
を減少させることができるので、試料を効率よく生産で
きる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のドライエツチング装置の要
部縦断面図、！２図は電位の時間変化を示す模式図であ
る。 ４・・・・・・半導体素子基板、５・・・・・・カソー
ド、９・・・ＭＯ８ＦＥＴ、１０・・−・・制御回路、
１３・・・・・・温調部材代理人 弁理士 小 川
勝 男 ２．４−１導体港状 ５−−−一カゾード ターーーーＮ０５ ＦＥＴ
部縦断面図、！２図は電位の時間変化を示す模式図であ
る。 ４・・・・・・半導体素子基板、５・・・・・・カソー
ド、９・・・ＭＯ８ＦＥＴ、１０・・−・・制御回路、
１３・・・・・・温調部材代理人 弁理士 小 川
勝 男 ２．４−１導体港状 ５−−−一カゾード ターーーーＮ０５ ＦＥＴ
Claims (1)
- １、電圧が印加される試料台と該試料台に設置される試
料とを短絡させ、前記試料台を能動素子を介してアース
に接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4297789A JPH02224238A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4297789A JPH02224238A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02224238A true JPH02224238A (ja) | 1990-09-06 |
Family
ID=12651102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4297789A Pending JPH02224238A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02224238A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0837218A (ja) * | 1994-07-25 | 1996-02-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP4297789A patent/JPH02224238A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0837218A (ja) * | 1994-07-25 | 1996-02-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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