JPH0265360U - - Google Patents

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JPH0265360U
JPH0265360U JP14339188U JP14339188U JPH0265360U JP H0265360 U JPH0265360 U JP H0265360U JP 14339188 U JP14339188 U JP 14339188U JP 14339188 U JP14339188 U JP 14339188U JP H0265360 U JPH0265360 U JP H0265360U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は本考案の第一実施例を示して
おり、第1図はこの実施例に係る薄膜トランジス
タの構成斜視図、第2図は第1図の―面断面
図、第3図A〜Jは第一実施例に係る薄膜トラン
ジスタの製造工程を示す説明図を夫々示し、また
、第4図〜第5図は本考案の第二実施例を示して
おり、第4図はこの実施例に係る薄膜トランジス
タの構成斜視図、第5図は第4図の―面断面
図を示し、また、第6図及び第8図は従来におけ
る薄膜トランジスタの構成斜視図、第7図は第6
図の―面断面図、第9図は第8図の―面
断面図、第10図は第9図のAで示す部位の拡大
図を示している。 [符号の説明]、1……基板、2……ゲート電
極、3……ゲート絶縁膜、4……凹溝、5……第
一アモルフアス半導体層、7……ソース電極、8
……ドレイン電極。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 絶縁性基板と、この基板に設けられた半導
    体層と、この半導体層に接続されたソース・ドレ
    イン電極と、絶縁層を介し上記半導体層に対向し
    て配置されたゲート電極とを備える薄膜トランジ
    スタにおいて、 上記ソース・ドレイン電極の互いに対向しない
    側の端部を絶縁層の厚み方向でゲート電極のソー
    ス・ドレイン方向両端部から離れる方向へ折曲げ
    て配置したことを特徴とする薄膜トランジスタ。 (2) 上記絶縁層が絶縁性基板から順に積層され
    たエツチング剤可溶性の第一絶縁膜とエツチング
    剤難溶性の第二絶縁膜とで構成され、エツチング
    処理により部分的に除去された第一絶縁膜と第二
    絶縁膜とで形成される凹溝にソース・ドレイン電
    極を着膜させてソース・ドレイン電極の互いに対
    向しない側の端部が折曲げ配置されていることを
    特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記載の
    薄膜トランジスタ。
JP14339188U 1988-11-04 1988-11-04 薄膜トランジスタ Expired - Fee Related JPH0737324Y2 (ja)

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JPH0265360U true JPH0265360U (ja) 1990-05-16
JPH0737324Y2 JPH0737324Y2 (ja) 1995-08-23

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