JPH0266796A - 不揮発性メモリの書込処理方法 - Google Patents
不揮発性メモリの書込処理方法Info
- Publication number
- JPH0266796A JPH0266796A JP63217851A JP21785188A JPH0266796A JP H0266796 A JPH0266796 A JP H0266796A JP 63217851 A JP63217851 A JP 63217851A JP 21785188 A JP21785188 A JP 21785188A JP H0266796 A JPH0266796 A JP H0266796A
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- area
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、書換え可能な不揮発性メモリへのデータ書
込処理方法に関するものである。
込処理方法に関するものである。
〈従来の技術〉
ＥＥＰＲＯＭやＮＯＶＲＡＭ （ＳＲＡＭ＋ＥＥＰＲＯ
Ｍの二重構造をしたもの）等の書換え可能な不揮発性メ
モリは、該メモリが備られた装置の電源がオフされても
、書込まれたデータを失イつずに記憶しているという性
質を有している。よって、従来より、不揮発性メモリは
、種々の装置に備えられて、保存しておきたい特定デー
タの記憶に利用されている。
Ｍの二重構造をしたもの）等の書換え可能な不揮発性メ
モリは、該メモリが備られた装置の電源がオフされても
、書込まれたデータを失イつずに記憶しているという性
質を有している。よって、従来より、不揮発性メモリは
、種々の装置に備えられて、保存しておきたい特定デー
タの記憶に利用されている。
たとえば、ファクシミリ装置においては、通信結果デー
タの記憶にＥＥＲＯＭが利用されている（特開昭６３−
８８９６１号公報参照）。
タの記憶にＥＥＲＯＭが利用されている（特開昭６３−
８８９６１号公報参照）。
また、プリンタにおける選択可能な設定内容、たとえば
フォントの種類、文字ピッチ、ページの行数等は、装置
電源をオフしても保持しておく必要があるから、これら
設定内容は不揮発性メモリに記憶されている場合が多い
。
フォントの種類、文字ピッチ、ページの行数等は、装置
電源をオフしても保持しておく必要があるから、これら
設定内容は不揮発性メモリに記憶されている場合が多い
。
また、いわゆる電子手帳や卓上電子計算機における保存
データ記憶用としても、不揮発性メモリが活用されてい
る。
データ記憶用としても、不揮発性メモリが活用されてい
る。
〈発明が解決しようとする課題〉
このような不揮発性メモリは、永久に何回でもデータの
書換えが可能というわけてはなく、一般に、書換え可能
な回数には制限がある。たとえば、ＥＥＦＲＯＭの場合
であれば、各ビットことに通常１万回程度と言われてい
る。
書換えが可能というわけてはなく、一般に、書換え可能
な回数には制限がある。たとえば、ＥＥＦＲＯＭの場合
であれば、各ビットことに通常１万回程度と言われてい
る。
それゆえ、不揮発性メモリのデータが頻繁に書換えられ
ていると、気付かぬ間に書換え可能な制限回数をオーバ
ーしてメモリが使用不可能になり、装置の誤動作を招く
等の不都合か生じることも考えられる。
ていると、気付かぬ間に書換え可能な制限回数をオーバ
ーしてメモリが使用不可能になり、装置の誤動作を招く
等の不都合か生じることも考えられる。
そこでこの発明は、効率良く不揮発性メモリを使用する
ための書込処理方法を提供すると共に、気付かぬ間に不
揮発性メモリか使用不可能にならないようにするメモリ
の書込処理方法を提供することを目的とする。
ための書込処理方法を提供すると共に、気付かぬ間に不
揮発性メモリか使用不可能にならないようにするメモリ
の書込処理方法を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
この発明は、不揮発性メモリヘデータを書込むための書
込処理方法であって、 不揮発性メモリの書込み領域に第１ないし第ｎの複数の
バンクを形成し、 不揮発性メモリの書込み領域に前記第１ないしＷ２Ｂの
複数のバンクに対応して書込み回数をカウントするカウ
ント領域を設け、 複数のバンクの内、まず第１のバンクを使用してデータ
の書込みを行い、書込みに応じて該第１バンクに対応す
るカウント領域のカウント値をインクリメントし、 第１バンクカウント領域のカウント値が予め定める一定
値に達した時、第１バンクに書込まれているデータを第
２バンクへ移し、 次からのデータ書込みは第２バンクへ行うと共に、書込
みに応じて該第２バンクに対応するカウント領域のカウ
ント値をインクリメントし、第２バンクカウント領域の
カウント値が予め定める一定値に達した時、第２バンク
に書込まれているデータを第３バンクへ移し、 以後同様の処理を繰返すことによって第ｎバンクまでデ
ータ書込みを行うようにしたことを特徴とする、不揮発
性メモリの書込処理方法である。
込処理方法であって、 不揮発性メモリの書込み領域に第１ないし第ｎの複数の
バンクを形成し、 不揮発性メモリの書込み領域に前記第１ないしＷ２Ｂの
複数のバンクに対応して書込み回数をカウントするカウ
ント領域を設け、 複数のバンクの内、まず第１のバンクを使用してデータ
の書込みを行い、書込みに応じて該第１バンクに対応す
るカウント領域のカウント値をインクリメントし、 第１バンクカウント領域のカウント値が予め定める一定
値に達した時、第１バンクに書込まれているデータを第
２バンクへ移し、 次からのデータ書込みは第２バンクへ行うと共に、書込
みに応じて該第２バンクに対応するカウント領域のカウ
ント値をインクリメントし、第２バンクカウント領域の
カウント値が予め定める一定値に達した時、第２バンク
に書込まれているデータを第３バンクへ移し、 以後同様の処理を繰返すことによって第ｎバンクまでデ
ータ書込みを行うようにしたことを特徴とする、不揮発
性メモリの書込処理方法である。
く作用〉
不揮発性メモリの記憶容量と使用目的とに応じて、書込
み領域に複数のバンクを形成する。そしてますあるバン
クを用いてデータの書込みを行い、そのハングにおける
データ書込み回数が予め定める回数に達した時は、次の
バンクを用いてデータ書込ろを行う。これにより、書込
み領域を効率的に使用することができる。
み領域に複数のバンクを形成する。そしてますあるバン
クを用いてデータの書込みを行い、そのハングにおける
データ書込み回数が予め定める回数に達した時は、次の
バンクを用いてデータ書込ろを行う。これにより、書込
み領域を効率的に使用することができる。
〈実施例〉
以下には、図面を参照してこの発明の一実施例について
説明をする。
説明をする。
第３図は、この発明の一実施例が備えられたプリンクの
制御回路の構成を示すブロック図である。
制御回路の構成を示すブロック図である。
このプリンタの制御回路は、制御処理の中枢としてのＣ
ＰＵＩを備え、ＣＰＵＩにはバス２を介して受信バッフ
ァ３、プログラムメモリ４、フォントメモリ５、ページ
バッファ６、ピットマツプメモリ７、ワークメモリ８、
不揮発性メモリ９、操作部のスイッチ１０、操作部の表
示装置１１、出カハッファ１２等が接続されている。
ＰＵＩを備え、ＣＰＵＩにはバス２を介して受信バッフ
ァ３、プログラムメモリ４、フォントメモリ５、ページ
バッファ６、ピットマツプメモリ７、ワークメモリ８、
不揮発性メモリ９、操作部のスイッチ１０、操作部の表
示装置１１、出カハッファ１２等が接続されている。
ワークステーション等のホスト装置からホストインター
フェイス１３および受信バッファ３を介してデータか与
えられると、ＣＰＵＩはそのデ夕を所定の処理に付す。
フェイス１３および受信バッファ３を介してデータか与
えられると、ＣＰＵＩはそのデ夕を所定の処理に付す。
この処理を行うために、ＲＯＭで構成されたプログラム
メモリ４には予め定めるプログラムが記憶されている。
メモリ４には予め定めるプログラムが記憶されている。
また、ＲＯＭで構成されたフォントメモリ５には種々の
書体で印字できるように複数のフォントが記憶されてい
る。ＲＡＭで構成されたページバッファ６はプリントア
ウトするページごとのデータを記憶するためのものであ
る。またＲＡＭで構成されたビットマツプ７やワークメ
モリ８が設けられており、処理時に活用される。
書体で印字できるように複数のフォントが記憶されてい
る。ＲＡＭで構成されたページバッファ６はプリントア
ウトするページごとのデータを記憶するためのものであ
る。またＲＡＭで構成されたビットマツプ７やワークメ
モリ８が設けられており、処理時に活用される。
不揮発性メモリ９はこの実施例ではＥＥＰＲＯＭで構成
されていて、このＥＥＰＲＯＭ９にはフォントの種類、
文字ピッチ、１ページの行数その他の印字フォーマット
のように、装置電源をオフしても保持しておきたいデー
タが記憶されている。
されていて、このＥＥＰＲＯＭ９にはフォントの種類、
文字ピッチ、１ページの行数その他の印字フォーマット
のように、装置電源をオフしても保持しておきたいデー
タが記憶されている。
操作部のスイッチ１０はプリンタに対して電源オン／オ
フ信号や動作開始指令や紙送り信号やその他の信号を与
えるためのものである。操作部の表示装置１１はオペレ
ータに知らせるべき所定の内容を表示するためのもので
ある。
フ信号や動作開始指令や紙送り信号やその他の信号を与
えるためのものである。操作部の表示装置１１はオペレ
ータに知らせるべき所定の内容を表示するためのもので
ある。
出力信号は出力バッファ１２を介して出力回路１−４へ
与えられ、図示しないプリンタのエンジンが駆動される
。
与えられ、図示しないプリンタのエンジンが駆動される
。
第２図は、上述のＥＥＰＲＯＭ９の構成を示す図解図で
ある。このＥＥＰＲＯＭ９は、８ビツトＸ８Ｋ（＝８に
バイト）の記憶容量を有している。
ある。このＥＥＰＲＯＭ９は、８ビツトＸ８Ｋ（＝８に
バイト）の記憶容量を有している。
ところで、上述のプリンタにおける印字フォマットその
他の電源オフ時にも保持しておくべき設定データを記憶
するためには、通常、メモリの記憶容量は２にハイドも
あれば十分である。そこで、この実施例では、ＥＥＰＲ
ＯＭ９を２にバイトずつ４つのバンクすなわち第１バン
ク、第２バンク、第３バンクおよび第４バンクに分け、
第１バンクから第４バンクの順にバンク単位で使用する
ようにした。また、各バンクの先頭１６ハイトをカウン
ト領域として使用する。そしてカウント領域には、２バ
イトのカウンタが８個備えられているという構成にする
。
他の電源オフ時にも保持しておくべき設定データを記憶
するためには、通常、メモリの記憶容量は２にハイドも
あれば十分である。そこで、この実施例では、ＥＥＰＲ
ＯＭ９を２にバイトずつ４つのバンクすなわち第１バン
ク、第２バンク、第３バンクおよび第４バンクに分け、
第１バンクから第４バンクの順にバンク単位で使用する
ようにした。また、各バンクの先頭１６ハイトをカウン
ト領域として使用する。そしてカウント領域には、２バ
イトのカウンタが８個備えられているという構成にする
。
第コー図は、第２図のメモリへのデータ書込処理手順を
示すフローチャー１・である。次に、第１図および第２
図を参照して、この実施例のデータ書込処理方法を説明
する。
示すフローチャー１・である。次に、第１図および第２
図を参照して、この実施例のデータ書込処理方法を説明
する。
ＥＥＰＲＯＭ９の先頭番地Ａｓを０番地としくステップ
Ｓ１）、カウント領域であるＡｓ番地〜Ａｓ＋１５番地
の内容をクリアして初期設定する（ステップＳ２）。ま
た、後述するように、とのカウント領域を使用するかを
特定するための値ＣｎをＣｎ＝０にする（ステップＳ４
）。
Ｓ１）、カウント領域であるＡｓ番地〜Ａｓ＋１５番地
の内容をクリアして初期設定する（ステップＳ２）。ま
た、後述するように、とのカウント領域を使用するかを
特定するための値ＣｎをＣｎ＝０にする（ステップＳ４
）。
ＥＥＰＲＯＭ９の任意のＡ番地にデータの書込み要求か
あると（ステップＳ３）、それを第１バンクのＡｓ＋Ａ
番地（ただし、第１バンクでは、上述のようにＡｓ＝０
である。）に書込み（ステップＳ５）、カウント領域で
あるＡｓ＋Ｃｎ番地のカウント値を「１」インクリメン
トする（ステップＳ６）。つまり、Ａｓ＋Ｃｎ番地によ
って書込み回数を計数する。１バイト（＝８ビット）構
成のＡｓ十Ｃｎ番地のカウント値は、初期状態ではｒ
０ＯＯＯＱＯＯＯＪであり、データの書込み回数に応し
てその値か「１」ずつインクリメントされ、最後にはｒ
１１］、１１１．１］、Ｊから「００００００００」
となる。こうなった時は桁上げをし、Ａｓ＋Ｃｎ＋１番
地の内容を「１」インクリメントする（ステップＳ７→
Ｓ８）。
あると（ステップＳ３）、それを第１バンクのＡｓ＋Ａ
番地（ただし、第１バンクでは、上述のようにＡｓ＝０
である。）に書込み（ステップＳ５）、カウント領域で
あるＡｓ＋Ｃｎ番地のカウント値を「１」インクリメン
トする（ステップＳ６）。つまり、Ａｓ＋Ｃｎ番地によ
って書込み回数を計数する。１バイト（＝８ビット）構
成のＡｓ十Ｃｎ番地のカウント値は、初期状態ではｒ
０ＯＯＯＱＯＯＯＪであり、データの書込み回数に応し
てその値か「１」ずつインクリメントされ、最後にはｒ
１１］、１１１．１］、Ｊから「００００００００」
となる。こうなった時は桁上げをし、Ａｓ＋Ｃｎ＋１番
地の内容を「１」インクリメントする（ステップＳ７→
Ｓ８）。
データの書込みに応じて上述のカウントを繰返し、Ａｓ
→−Ｃｎ＋１番地のカウント値かｒｏｏｏｌｌ、Ｌｌｌ
、Ｊｌ、６進表示でＩＦ）となった時には（ステップＳ
９） 、Ｃｎ＋２を新たにＣｎとしくステップＳ］、０
）、Ｃｎ−１６になるまで（ステップＳ］ｌ）、ステッ
プＳ４からの動作を繰返す。
→−Ｃｎ＋１番地のカウント値かｒｏｏｏｌｌ、Ｌｌｌ
、Ｊｌ、６進表示でＩＦ）となった時には（ステップＳ
９） 、Ｃｎ＋２を新たにＣｎとしくステップＳ］、０
）、Ｃｎ−１６になるまで（ステップＳ］ｌ）、ステッ
プＳ４からの動作を繰返す。
具体的には、カウント領域は２バイト（−１６ビツト）
構成であるから、１６ビツト全てをカランタとして使用
すると、２ ＝６５，５３６回のとなり、最下位ビ
ットの書換え回数か通常の書換え可能回数１万回を超え
てしまう。そこで、１６ビツトのうちの１３ビツト分を
使用し、２１３＝８，１９２までカウントしたとき、カ
ウンタを次の２バイトのカウンタへと移し、これを８回
繰返すことにしている。よって、合計８，１９２Ｘ８＝
６５，５３６カウントする。ここで、ＥＥＰＲＯＭの書
換え可能な回数は通常１万回程度と言われているが、こ
れは１つのビットの書換え可能回数であり、第］バンク
内におけるデータ書込みは、Ａｓ＋Ａ番地へ行われ、デ
ータに応じてＡ番地が変化するもので、全体として７〜
８万回の書換えか行われたときに、ある１つのビットが
重複して１万同程度使われると考えられる。よって、６
５．５３６回で予定の書換え回数が満了したと判別すれ
ば、十分にＥＥＰＲＯＭの書換え可能回数内に納まる。
構成であるから、１６ビツト全てをカランタとして使用
すると、２ ＝６５，５３６回のとなり、最下位ビ
ットの書換え回数か通常の書換え可能回数１万回を超え
てしまう。そこで、１６ビツトのうちの１３ビツト分を
使用し、２１３＝８，１９２までカウントしたとき、カ
ウンタを次の２バイトのカウンタへと移し、これを８回
繰返すことにしている。よって、合計８，１９２Ｘ８＝
６５，５３６カウントする。ここで、ＥＥＰＲＯＭの書
換え可能な回数は通常１万回程度と言われているが、こ
れは１つのビットの書換え可能回数であり、第］バンク
内におけるデータ書込みは、Ａｓ＋Ａ番地へ行われ、デ
ータに応じてＡ番地が変化するもので、全体として７〜
８万回の書換えか行われたときに、ある１つのビットが
重複して１万同程度使われると考えられる。よって、６
５．５３６回で予定の書換え回数が満了したと判別すれ
ば、十分にＥＥＰＲＯＭの書換え可能回数内に納まる。
第１バンクの書換え予定回数が満了すると、第１バンク
のカウント領域を除く領域、すなわちＡｓ＋１０ｈ番地
からＡｓ＋７ＦＦｈ番地（なお、数字の後のｈは１６進
表示であることを示している。）までに記憶されている
記憶内容を、第２バンクを構成するＡｓ＋８１０ｈ番地
からＡｓ＋ＦＦＦｈ番地へ移す（ステップ５１２）。そ
して、先頭番地Ａｓを８００ｈ番地としくステップ８１
３）、以下同様に制御を繰返す。そして、第２バンクへ
のデータ書込み回数が６５，５３６回になった時は、次
に第３バンクへのデータ書込みに切換え、さらに第４バ
ンクへと切換えていく。
のカウント領域を除く領域、すなわちＡｓ＋１０ｈ番地
からＡｓ＋７ＦＦｈ番地（なお、数字の後のｈは１６進
表示であることを示している。）までに記憶されている
記憶内容を、第２バンクを構成するＡｓ＋８１０ｈ番地
からＡｓ＋ＦＦＦｈ番地へ移す（ステップ５１２）。そ
して、先頭番地Ａｓを８００ｈ番地としくステップ８１
３）、以下同様に制御を繰返す。そして、第２バンクへ
のデータ書込み回数が６５，５３６回になった時は、次
に第３バンクへのデータ書込みに切換え、さらに第４バ
ンクへと切換えていく。
ステップＳ１２において、第１バンクのカウント領域を
除く領域の内容を第２バンクへ移したか、第１バンクの
カウント領域の内容も第２ハングへ移してもよい。移し
た後、ステップＳ２でカウント領域をクリアするので問
題はない。
除く領域の内容を第２バンクへ移したか、第１バンクの
カウント領域の内容も第２ハングへ移してもよい。移し
た後、ステップＳ２でカウント領域をクリアするので問
題はない。
この実施例では、ＥＥＰＲＯＭ９を４つのバンクに分け
たが、全体を幾つのバンクに分割するかは、不揮発性メ
モリ全体の記憶容量と使用目的等によって適当な数を選
べばよい。
たが、全体を幾つのバンクに分割するかは、不揮発性メ
モリ全体の記憶容量と使用目的等によって適当な数を選
べばよい。
なおこのようなＥ Ｅ Ｐ ＲＯＭ ９の使用方法にお
いて、第４バンクへのデータ書込みか所定回数になった
時には、ＣＰＵＩ （第３図参照）がそれを判別し、操
作部の表示装置］−１にその旨表示するようにすれば、
それに基づいて装置の保守やＥＥＰＲＯＭ９の取換えか
できる。
いて、第４バンクへのデータ書込みか所定回数になった
時には、ＣＰＵＩ （第３図参照）がそれを判別し、操
作部の表示装置］−１にその旨表示するようにすれば、
それに基づいて装置の保守やＥＥＰＲＯＭ９の取換えか
できる。
〈発明の効果〉
この発明は、以上のように構成されているので、書換え
回数に制限かある不揮発性メモリを有効に長期間使用す
ることかできる。
回数に制限かある不揮発性メモリを有効に長期間使用す
ることかできる。
特に、この方法によれば、バンク内のデータ書換え頻度
か均一であるような場合、つまりデータをまとめて書換
えるケースがほとんどであるような使い方に、特に有効
である。
か均一であるような場合、つまりデータをまとめて書換
えるケースがほとんどであるような使い方に、特に有効
である。
第１図は、この発明の一実施例に係るＥＥＰＲＯＭ９へ
のデータ書込処理手順を示すフローチャトである。 第２図は、この発明の一実施例に係るＥＥＰＲＯＭ９の
構成を示す図解図である。 第３図は、この発明の一実施例が採用されたプリンタの
制御回路のブロック図である。 図において、９・・ＥＥＰＲＯＭ （不揮発性メモリ）
、を示ず。
のデータ書込処理手順を示すフローチャトである。 第２図は、この発明の一実施例に係るＥＥＰＲＯＭ９の
構成を示す図解図である。 第３図は、この発明の一実施例が採用されたプリンタの
制御回路のブロック図である。 図において、９・・ＥＥＰＲＯＭ （不揮発性メモリ）
、を示ず。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、不揮発性メモリヘデータを書込むため の書込処理方法であって、 不揮発性メモリの書込み領域に第１な いし第ｎの複数のバンクを形成し、 不揮発性メモリの書込み領域に前記第 １ないし第ｎの複数のバンクに対応して 書込み回数をカウントするカウント領域 を設け、 複数のバンクの内、まず第１のバンク を使用してデータの書込みを行い、書込 みに応じて該第１バンクに対応するカウ ント領域のカウント値をインクリメント し、 第１バンクカウント領域のカウント値 が予め定める一定値に達した時、第１バ ンクに書込まれているデータを第２バン クへ移し、 次からのデータ書込みは第２バンクへ 行うと共に、書込みに応じて該第２バン クに対応するカウント領域のカウント値 をインクリメントし、 第２バンクカウント領域のカウント値 が予め定める一定値に達した時、第２バ ンクに書込まれているデータを第３バン クへ移し、 以後同様の処理を繰返すことによって 第ｎバンクまでデータ書込みを行うよう にしたことを特徴とする、不揮発性メモ リの書込処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63217851A JPH0266796A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 不揮発性メモリの書込処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63217851A JPH0266796A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 不揮発性メモリの書込処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266796A true JPH0266796A (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=16710759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63217851A Pending JPH0266796A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 不揮発性メモリの書込処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0266796A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005023057B4 (de) * | 2005-05-05 | 2014-09-11 | Qimonda Ag | Nichtflüchtiger Speicher |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634498A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Hitachi Ltd | メモリ装置 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63217851A patent/JPH0266796A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634498A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Hitachi Ltd | メモリ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005023057B4 (de) * | 2005-05-05 | 2014-09-11 | Qimonda Ag | Nichtflüchtiger Speicher |
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