JPH0266797A - 不揮発性メモリの書込処理方法 - Google Patents
不揮発性メモリの書込処理方法Info
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- JPH0266797A JPH0266797A JP63217852A JP21785288A JPH0266797A JP H0266797 A JPH0266797 A JP H0266797A JP 63217852 A JP63217852 A JP 63217852A JP 21785288 A JP21785288 A JP 21785288A JP H0266797 A JPH0266797 A JP H0266797A
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
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- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、書換え可能な不揮発性メモリへのデータ書
込処理方法に関するものである。
込処理方法に関するものである。
〈従来の技術〉
ＥＥＦＲＯＭやＮＯＶＲＡＭ （ＳＲＡＭ十ＥＥＦＲＯ
Ｍの二重構造をしたもの）等の書換え可能な不揮発性メ
モリは、該メモリが備られた装置の電源がオフされても
、書込まれたデータを失わずに記憶しているという性質
を有している。よって、従来より、不揮発性メモリは、
種々の装置に備えられて、保存しておきたい特定データ
の記憶に利用されている。
Ｍの二重構造をしたもの）等の書換え可能な不揮発性メ
モリは、該メモリが備られた装置の電源がオフされても
、書込まれたデータを失わずに記憶しているという性質
を有している。よって、従来より、不揮発性メモリは、
種々の装置に備えられて、保存しておきたい特定データ
の記憶に利用されている。
たとえば、ファクシミリ装置においては、通信結果デー
タの記憶にＥＥＲＯＭが利用されている（特開昭６３−
８８９６１号公報参照）。
タの記憶にＥＥＲＯＭが利用されている（特開昭６３−
８８９６１号公報参照）。
また、プリンタにおける選択可能な設定内容、たとえば
フォントの種類、文字ピッチ、ページの行数等は、装置
電源をオフしても保持しておく必要があるから、これら
設定内容は不揮発性メモリに記憶されている場合が多い
。
フォントの種類、文字ピッチ、ページの行数等は、装置
電源をオフしても保持しておく必要があるから、これら
設定内容は不揮発性メモリに記憶されている場合が多い
。
また、いわゆる電子手帳や卓上電子計算機における保存
データ記憶用としても、不揮発性メモリが活用されてい
る。
データ記憶用としても、不揮発性メモリが活用されてい
る。
〈発明が解決しようとする課題〉
このような不揮発性メモリは、永久に何回でもデータの
書換えが可能というわけではなく、一般に、書換え可能
な回数には制限がある。たとえば、ＥＥＰＲＯＭの場合
であれば、各ビットごとに通常１万回程度と言われてい
る。
書換えが可能というわけではなく、一般に、書換え可能
な回数には制限がある。たとえば、ＥＥＰＲＯＭの場合
であれば、各ビットごとに通常１万回程度と言われてい
る。
それゆえ、不揮発性メモリのデータが頻繁に書換えられ
ていると、気付かぬ間に書換え可能な制限回数をオーバ
ーしてメモリが使用不可能になり、装置の誤動作を招く
等の不都合が生じることも考えられる。
ていると、気付かぬ間に書換え可能な制限回数をオーバ
ーしてメモリが使用不可能になり、装置の誤動作を招く
等の不都合が生じることも考えられる。
そこでこの発明は、効率良く不揮発性メモリを使用する
ための書込処理方法を提供すると共に、気付かぬ間に不
揮発性メモリが使用不可能にならないようにするメモリ
の書込処理方法を提供することを目的とする。
ための書込処理方法を提供すると共に、気付かぬ間に不
揮発性メモリが使用不可能にならないようにするメモリ
の書込処理方法を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
この発明は、不揮発性メモリヘデータを書込むための書
込処理方法であって、 不揮発性メモリの書込み領域に第１ないし第ｎの複数の
バンクを形成し、 複数のバンクのうち、まず第１バンクを使用してデータ
の書込みを行い、書込みを行うごとに書込んだアドレス
内のデータを読出して書込みデータと比較し、両者が同
じでなくなったとき、そのバンクの寿命が尽きたと判断
して、第１バンクに書込まれているすべてのデータを第
２バンクへ移し、 次からのデータ書込みは第２バンクを使用して、前述の
場合と同様に、書込みを行う度ごとに書込みデータを確
認しながら行ない、 以後同様の処理を繰返すことによって第ｎバンクまでデ
ータ書込みを行なうようにしたことを特徴とする不揮発
性メモリの書込処理方法である。
込処理方法であって、 不揮発性メモリの書込み領域に第１ないし第ｎの複数の
バンクを形成し、 複数のバンクのうち、まず第１バンクを使用してデータ
の書込みを行い、書込みを行うごとに書込んだアドレス
内のデータを読出して書込みデータと比較し、両者が同
じでなくなったとき、そのバンクの寿命が尽きたと判断
して、第１バンクに書込まれているすべてのデータを第
２バンクへ移し、 次からのデータ書込みは第２バンクを使用して、前述の
場合と同様に、書込みを行う度ごとに書込みデータを確
認しながら行ない、 以後同様の処理を繰返すことによって第ｎバンクまでデ
ータ書込みを行なうようにしたことを特徴とする不揮発
性メモリの書込処理方法である。
く作用〉
不揮発性メモリの記憶容量と使用目的とに応じて、書込
み領域に複数のバンクを形成する。そしてまず成るバン
クを用いてデータの書込みを行ない、データの書込みを
行なうごとに書込んだデータを読出して書込みデータと
比較し、両者が同じであればそのバンクを引き続いて使
用し、同じでなければそのバンクの寿命が尽きたと判断
して、データを書込むバンクを次のバンクに切換える。
み領域に複数のバンクを形成する。そしてまず成るバン
クを用いてデータの書込みを行ない、データの書込みを
行なうごとに書込んだデータを読出して書込みデータと
比較し、両者が同じであればそのバンクを引き続いて使
用し、同じでなければそのバンクの寿命が尽きたと判断
して、データを書込むバンクを次のバンクに切換える。
これにより、書込み領域を効率的に使用することができ
る。
る。
〈実施例〉
以下には、図面を参照してこの発明の一実施例について
説明をする。
説明をする。
第３図は、この発明の一実施例が備えられたプリンクの
制御回路の構成を示すブロック図である。
制御回路の構成を示すブロック図である。
このプリンタの制御回路は、制御処理の中枢としてのＣ
ＰＵＩを備え、ＣＰＵＩにはバス２を介して受信バッフ
ァ３、プログラムメモリ４、フォントメモリ５、ページ
バッファ６、ビットマツプメモリ７、ワークメモリ８、
不揮発性メモリ９、操作部のスイッチ１０、操作部の表
示装置１１、出力バッファ１２等が接続されている。
ＰＵＩを備え、ＣＰＵＩにはバス２を介して受信バッフ
ァ３、プログラムメモリ４、フォントメモリ５、ページ
バッファ６、ビットマツプメモリ７、ワークメモリ８、
不揮発性メモリ９、操作部のスイッチ１０、操作部の表
示装置１１、出力バッファ１２等が接続されている。
ワークステーション等のホスト装置からホストインター
フェイス１３および受信バッファ３を介してデータが与
えられると、ＣＰＵＩはそのデータを所定の処理に付す
。この処理を行うために、ＲＯＭで構成されたプログラ
ムメモリ４には予め定めるプログラムが記憶されている
。また、ＲＯＭで構成されたフォントメモリ５には種々
の書体で印字できるように複数のフォントが記憶されて
いる。ＲＡＭで構成されたページバッファ６はプリント
アウトするページごとのデータを記憶するためのもので
ある。またＲＡＭで構成されたビットマツプ７やワーク
メモリ８が設けられており、処理時に活用される。
フェイス１３および受信バッファ３を介してデータが与
えられると、ＣＰＵＩはそのデータを所定の処理に付す
。この処理を行うために、ＲＯＭで構成されたプログラ
ムメモリ４には予め定めるプログラムが記憶されている
。また、ＲＯＭで構成されたフォントメモリ５には種々
の書体で印字できるように複数のフォントが記憶されて
いる。ＲＡＭで構成されたページバッファ６はプリント
アウトするページごとのデータを記憶するためのもので
ある。またＲＡＭで構成されたビットマツプ７やワーク
メモリ８が設けられており、処理時に活用される。
不揮発性メモリ９はこの実施例ではＥＥＰＲＯＭで構成
されていて、このＥＥＰＲＯＭ９にはフォントの種類、
文字ピッチ、１ページの行数その他の印字フォーマット
のように、装置電源をオフしても保持しておきたいデー
タが記憶されている。
されていて、このＥＥＰＲＯＭ９にはフォントの種類、
文字ピッチ、１ページの行数その他の印字フォーマット
のように、装置電源をオフしても保持しておきたいデー
タが記憶されている。
操作部のスイッチ１０はプリンタに対して電源オン／オ
フ信号や動作開始指令や紙送り信号やその他の信号を与
えるためのものである。操作部の表示装置１１はオペレ
ータに知らせるべき所定の内容を表示するためのもので
ある。
フ信号や動作開始指令や紙送り信号やその他の信号を与
えるためのものである。操作部の表示装置１１はオペレ
ータに知らせるべき所定の内容を表示するためのもので
ある。
出力信号は出力バッファ１２を介して出力回路１４へ与
えられ、図示しないプリンタのエンジンが駆動される。
えられ、図示しないプリンタのエンジンが駆動される。
第２図は、上述のＥＥＰＲＯＭ９の構成を示す図解図で
ある。このＥＥＰＲＯＭ９は、８ビツトＸ８Ｋ （＝８
にバイト）の記憶容量を有している。
ある。このＥＥＰＲＯＭ９は、８ビツトＸ８Ｋ （＝８
にバイト）の記憶容量を有している。
ところで、上述のプリンタにおける印字フォーマットそ
の他の電源オフ時にも保持しておくべき設定データを記
憶するためには、通常、メモリの記憶容量は２にバイト
もあれば十分である。そこで、この実施例では、ＥＥＰ
ＲＯＭ９を２にバイトずつ４つのバンクすなわち第１バ
ンク、第２バンク、第３バンクおよび第４バンクに分け
、第１バンクから第４バンクの順にバンク単位で使用す
るようにした。
の他の電源オフ時にも保持しておくべき設定データを記
憶するためには、通常、メモリの記憶容量は２にバイト
もあれば十分である。そこで、この実施例では、ＥＥＰ
ＲＯＭ９を２にバイトずつ４つのバンクすなわち第１バ
ンク、第２バンク、第３バンクおよび第４バンクに分け
、第１バンクから第４バンクの順にバンク単位で使用す
るようにした。
第１図は、第２図のメモリへのデータ書込処理手順を示
すフローチャートである。次に、第１図および第２図を
参照して、この実施例のデータ書込処理方法を説明する
。
すフローチャートである。次に、第１図および第２図を
参照して、この実施例のデータ書込処理方法を説明する
。
ＥＥＰＲＯＭ９の先頭番地Ａｓを０番地に初期設定する
（ステップＳｌ）。
（ステップＳｌ）。
ＥＥＰＲＯＭ９の任意のＡ番地にデータＤの書込み要求
があると（ステップＳ２）、それを第１バンクのＡ ｓ
十Ａ番地（但し、第１バンクでは、上述のようにＡｓ
＝Ｏである。）に書込む（ステップＳ３）。
があると（ステップＳ２）、それを第１バンクのＡ ｓ
十Ａ番地（但し、第１バンクでは、上述のようにＡｓ
＝Ｏである。）に書込む（ステップＳ３）。
そして書込んだデータＤを読出しくステップＳ４）、こ
の読出したデータＤ′と書込んだデータＤとを比較する
（ステップＳ５）。データＤの書込みが正しく行われて
いる場合には、Ｄ＝＝Ｄ′のはずである。
の読出したデータＤ′と書込んだデータＤとを比較する
（ステップＳ５）。データＤの書込みが正しく行われて
いる場合には、Ｄ＝＝Ｄ′のはずである。
ステップＳ５において書込みデータＤと読出しデータＤ
′とが一致している場合には、制御はステップＳ２に戻
り、次のデータの書込み要求を待つＯ ステップＳ５において、書込みデータＤと続出しデータ
Ｄ′とが異なる場合には、第１バンクのＡｓ＋Ａ番地へ
のデータ書込みが正しく行われていないわけであるから
、その番地のデータ書換え回数が書換え可能な回数、つ
まり］万回程度を越えたと推定できる。よって、その場
合、第１バンクの全領域、すなわちＡｓ番地からＡｓ＋
７ＦＦ番地までに記憶されている記憶内容を、第２バン
クを構成するＡｓ＋８００番地からＡｓ＋ＦＦＦ番地へ
移す（ステップＳ６）。そして、先頭番地Ａｓを８００
番地として（ステップＳ７）、制御はステップＳ２へ戻
る。
′とが一致している場合には、制御はステップＳ２に戻
り、次のデータの書込み要求を待つＯ ステップＳ５において、書込みデータＤと続出しデータ
Ｄ′とが異なる場合には、第１バンクのＡｓ＋Ａ番地へ
のデータ書込みが正しく行われていないわけであるから
、その番地のデータ書換え回数が書換え可能な回数、つ
まり］万回程度を越えたと推定できる。よって、その場
合、第１バンクの全領域、すなわちＡｓ番地からＡｓ＋
７ＦＦ番地までに記憶されている記憶内容を、第２バン
クを構成するＡｓ＋８００番地からＡｓ＋ＦＦＦ番地へ
移す（ステップＳ６）。そして、先頭番地Ａｓを８００
番地として（ステップＳ７）、制御はステップＳ２へ戻
る。
以後同様に、第２バンクへデータＤを書込むごとに、そ
の書込んだデータを読出し、書込みデータＤと読出しデ
ータＤ′とを比較し、両者が一致しなくなった場合は、
次の第３バンクを用いたデータ書込みに切換え、さらに
第４バンクへと切換えていく。
の書込んだデータを読出し、書込みデータＤと読出しデ
ータＤ′とを比較し、両者が一致しなくなった場合は、
次の第３バンクを用いたデータ書込みに切換え、さらに
第４バンクへと切換えていく。
これによって、成るバンク内でデータ書換えの寿命が尽
きた箇所が部分的に発生した場合には、そのバンクの使
用をやめ、新たなバンクを用いてデータの書込みを行う
ことになるから、各バンクを寿命が尽きるまで十分に使
うことができる。
きた箇所が部分的に発生した場合には、そのバンクの使
用をやめ、新たなバンクを用いてデータの書込みを行う
ことになるから、各バンクを寿命が尽きるまで十分に使
うことができる。
この実施例では、ＥＥＰＲＯＭ９を４つのバンクに分け
たが、全体をいくつのバンクに分割するかは、不揮発性
メモリ全体の記憶容量と使用目的とによって適当な数を
選べばよい。
たが、全体をいくつのバンクに分割するかは、不揮発性
メモリ全体の記憶容量と使用目的とによって適当な数を
選べばよい。
なお、このようなＥＥＰＲＯＭ９の使用方法において、
第４バンクへのデータ書込み時に、書込みデータＤと読
出しデータＤ′との不一致を判別した場合には、ＥＥＰ
ＲＯＭ９の寿命が尽きたことを操作部の表示装置（第３
図参照）に表示させるようにするのが好ましい。そうす
れば、それに基づいて装置の保守やＥＥＰＲＯＭ９の取
換えができる。
第４バンクへのデータ書込み時に、書込みデータＤと読
出しデータＤ′との不一致を判別した場合には、ＥＥＰ
ＲＯＭ９の寿命が尽きたことを操作部の表示装置（第３
図参照）に表示させるようにするのが好ましい。そうす
れば、それに基づいて装置の保守やＥＥＰＲＯＭ９の取
換えができる。
〈発明の効果〉
この発明は、以上のように構成されているので、］０
書換え回数に制限がある不揮発性メモリを効率的に長期
間使用することができる。
間使用することができる。
特に、この方法によれば、バンク内のデータ書換え頻度
が領域別にランダムである場合に有効であり、バンク内
で最初に寿命が尽きた領域があれば確実に検知すること
ができる。そして、それに基づいて装置の保守やＥＥＰ
ＲＯＭ９の取扱えができる。
が領域別にランダムである場合に有効であり、バンク内
で最初に寿命が尽きた領域があれば確実に検知すること
ができる。そして、それに基づいて装置の保守やＥＥＰ
ＲＯＭ９の取扱えができる。
第１図は、この発明の一実施例に係るＥＥＰＲＯＭ９へ
のデータ書込処理手順を示すフローチャトである。 第２図は、この発明の一実施例に係るＥＥＰＲＯＭ９の
構成を示す図解図である。 第３図は、この発明の一実施例が採用されたプリンタの
制御回路のブロック図である。 図において、９・・・ＥＥＰＲＯＭ （不揮発性メモリ
）、を示す。
のデータ書込処理手順を示すフローチャトである。 第２図は、この発明の一実施例に係るＥＥＰＲＯＭ９の
構成を示す図解図である。 第３図は、この発明の一実施例が採用されたプリンタの
制御回路のブロック図である。 図において、９・・・ＥＥＰＲＯＭ （不揮発性メモリ
）、を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、不揮発性メモリヘデータを書込むため の書込処理方法であって、 不揮発性メモリの書込み領域に第１な いし第ｎの複数のバンクを形成し、 複数のバンクのうち、まず第１バンク を使用してデータの書込みを行い、書込 みを行うごとに書込んだアドレス内のデ ータを読出して書込みデータと比較し、 両者が同じでなくなったとき、そのバン クの寿命が尽きたと判断して、第１バン クに書込まれているすべてのデータを第 ２バンクへ移し、 次からのデータ書込みは第２バンクを 使用して、前述の場合と同様に、書込み を行う度ごとに書込みデータを確認しな がら行ない、 以後同様の処理を繰返すことによって 第ｎバンクまでデータ書込みを行なうよ うにしたことを特徴とする、不揮発性メ モリの書込処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63217852A JPH0266797A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 不揮発性メモリの書込処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63217852A JPH0266797A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 不揮発性メモリの書込処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266797A true JPH0266797A (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=16710775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63217852A Pending JPH0266797A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 不揮発性メモリの書込処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0266797A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04222997A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
| JPH04271098A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
| US6646931B2 (en) | 2001-06-27 | 2003-11-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Life warning generation system and method of semiconductor storage device equipped with flash memory |
| WO2006129345A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Spansion Llc | 半導体装置及びプログラムデータ冗長方法 |
| CN115588454A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-01-10 | 北京紫光青藤微系统有限公司 | 存储器的数据写入方法及装置、电子设备、存储介质 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56137594A (en) * | 1980-03-29 | 1981-10-27 | Ricoh Co Ltd | Control system for nonvolatile memory |
| JPS634498A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Hitachi Ltd | メモリ装置 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63217852A patent/JPH0266797A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56137594A (en) * | 1980-03-29 | 1981-10-27 | Ricoh Co Ltd | Control system for nonvolatile memory |
| JPS634498A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Hitachi Ltd | メモリ装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04222997A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
| JPH04271098A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
| US6646931B2 (en) | 2001-06-27 | 2003-11-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Life warning generation system and method of semiconductor storage device equipped with flash memory |
| WO2006129345A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Spansion Llc | 半導体装置及びプログラムデータ冗長方法 |
| US7739559B2 (en) | 2005-05-30 | 2010-06-15 | Spansion Llc | Semiconductor device and program data redundancy method therefor |
| JP5014125B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2012-08-29 | スパンション エルエルシー | 半導体装置及びプログラムデータ冗長方法 |
| CN115588454A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-01-10 | 北京紫光青藤微系统有限公司 | 存储器的数据写入方法及装置、电子设备、存储介质 |
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