JPH0267150A - サーマルヘッド用基板及びその製造方法 - Google Patents
サーマルヘッド用基板及びその製造方法Info
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- JPH0267150A JPH0267150A JP21946788A JP21946788A JPH0267150A JP H0267150 A JPH0267150 A JP H0267150A JP 21946788 A JP21946788 A JP 21946788A JP 21946788 A JP21946788 A JP 21946788A JP H0267150 A JPH0267150 A JP H0267150A
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- heat insulating
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- thermal head
- heat
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 39
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- -1 silane alkoxide Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910003082 TiO2-SiO2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- BCWYYHBWCZYDNB-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol;zirconium Chemical compound [Zr].CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O BCWYYHBWCZYDNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000007651 thermal printing Methods 0.000 description 3
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004479 Ta2N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010297 TiOS Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、感熱式印字装置等に使用されるサーマルヘッ
ドに好適なサーマルヘッド用基板及びその’A造方法に
関するものである。
ドに好適なサーマルヘッド用基板及びその’A造方法に
関するものである。
従来より、ノンインパクト方式の感熱式印字装置は印字
音が小さい等の利点を有し、広く背反している。この感
熱式印字装置においては印字部にサーマルヘッドが使用
されているが、近年このサーマルヘッドの特性の向上、
特に低消費電力化及び印字の高速化が望まれている。こ
のような特性はサーマルヘッドを構成する基板の熱特性
により大きく左右されるため基板の熱特性の改善が種々
提案されている。
音が小さい等の利点を有し、広く背反している。この感
熱式印字装置においては印字部にサーマルヘッドが使用
されているが、近年このサーマルヘッドの特性の向上、
特に低消費電力化及び印字の高速化が望まれている。こ
のような特性はサーマルヘッドを構成する基板の熱特性
により大きく左右されるため基板の熱特性の改善が種々
提案されている。
第2図は保温層を有する従来のサーマルヘッドの要部を
示す断面図である。同図において、11は絶縁性の基板
、12は基板11上に形成された保温層であり、以上で
サーマルヘッド用基板を構成している。そして、この保
温112上に発熱抵抗体13、導電体14a及び14b
、保護層15が順に形成されており、発熱抵抗体13の
導電体14aと1.4 bの間の部分Aが発熱部となる
。
示す断面図である。同図において、11は絶縁性の基板
、12は基板11上に形成された保温層であり、以上で
サーマルヘッド用基板を構成している。そして、この保
温112上に発熱抵抗体13、導電体14a及び14b
、保護層15が順に形成されており、発熱抵抗体13の
導電体14aと1.4 bの間の部分Aが発熱部となる
。
一般に、上記保温層12は断熱材としての機能を有し、
発熱抵抗体13で発生した熱か基板11に必要以上に逃
げないようにして、熱量の効率的利用を図る働きをする
。このなめ、保温層12の熱伝導率は発熱抵抗体13を
挾んで反対に位置する保護層15の熱伝導率より小さい
材質とすることが望ましい。従来は、保護層15の材料
として二酸化けい素(S i02 >や五酸化タンタル
(Ta2o5)等が使用されており、一方、保温層12
はガラスで構成されており、これらの熱伝導率はほぼ等
しくいずれも3×10〜9X10’ca l/cm −
s ・℃程度であった。そこで、従来のサーマルヘッド
用基板にあっては、保温層12を厚く形成することによ
って、保護層15より大きな断熱性を持たせて、必要以
上の放熱がなされないように構成していた。
発熱抵抗体13で発生した熱か基板11に必要以上に逃
げないようにして、熱量の効率的利用を図る働きをする
。このなめ、保温層12の熱伝導率は発熱抵抗体13を
挾んで反対に位置する保護層15の熱伝導率より小さい
材質とすることが望ましい。従来は、保護層15の材料
として二酸化けい素(S i02 >や五酸化タンタル
(Ta2o5)等が使用されており、一方、保温層12
はガラスで構成されており、これらの熱伝導率はほぼ等
しくいずれも3×10〜9X10’ca l/cm −
s ・℃程度であった。そこで、従来のサーマルヘッド
用基板にあっては、保温層12を厚く形成することによ
って、保護層15より大きな断熱性を持たせて、必要以
上の放熱がなされないように構成していた。
ところが、保温層12を厚く形成した場合には、発熱抵
抗体13の通電をオフにした後の発熱部Aの放熱が速や
かになされなくなる。このため、印字繰返し周期が速い
場合には、発熱部Aの温度が十分低下しないうちに次の
印字が開始され、発熱部Aの温度が上昇し過ぎて、印字
品質が低下する問題が生じる。
抗体13の通電をオフにした後の発熱部Aの放熱が速や
かになされなくなる。このため、印字繰返し周期が速い
場合には、発熱部Aの温度が十分低下しないうちに次の
印字が開始され、発熱部Aの温度が上昇し過ぎて、印字
品質が低下する問題が生じる。
そこで、サーマルヘッドの保温層の熱伝導率を小さくす
るため保温層に多数の孔を有するガラスを用いたらのく
特開昭62−1554号)等が提案されている。これら
保温層は熱伝導率が小さく保温性に優れ、また薄型に形
成することにより良好な熱応答性を持たせることを可能
としたものである。
るため保温層に多数の孔を有するガラスを用いたらのく
特開昭62−1554号)等が提案されている。これら
保温層は熱伝導率が小さく保温性に優れ、また薄型に形
成することにより良好な熱応答性を持たせることを可能
としたものである。
しかしながら、多孔質ガラス層を製造するためには、焼
成に際して設定する温度を、例えば設定温度の±2〜3
℃の範囲内に維持しなければならず、このような温度制
御は技術的に高度で、且つ困難であるという問題があっ
た。
成に際して設定する温度を、例えば設定温度の±2〜3
℃の範囲内に維持しなければならず、このような温度制
御は技術的に高度で、且つ困難であるという問題があっ
た。
また、焼成温度の条件が適当に設定されないことにより
、ガラス粉内部より発生する気泡の孔径が大きくばらつ
くため、サーマルヘッドの熱応答性にもばらつきが生じ
る問題があった。
、ガラス粉内部より発生する気泡の孔径が大きくばらつ
くため、サーマルヘッドの熱応答性にもばらつきが生じ
る問題があった。
さらに、気泡の孔径が大きすぎるときには、保温層の機
械的強度が弱くなる問題があった。
械的強度が弱くなる問題があった。
さらにまた、気泡の孔径が大きずぎるときには、気泡が
多孔質ガラス層の表面に露出して、表面が凹凸状になり
、このため、保温層上に形成される発熱抵抗体や導電体
等の微細加エバターンの形成(例えば、フォトリングラ
フィ技術を用いる)が困難になり、また印字品質に悪影
響を与える等の問題があった。また、フォトリソグラフ
ィ技術においては現像剤としてアルカリを使用するが、
高シリカ組成の多孔質ガラスはアルカリに対して耐久性
がなく、微細加エバターンの形成を困難にする問題があ
った。
多孔質ガラス層の表面に露出して、表面が凹凸状になり
、このため、保温層上に形成される発熱抵抗体や導電体
等の微細加エバターンの形成(例えば、フォトリングラ
フィ技術を用いる)が困難になり、また印字品質に悪影
響を与える等の問題があった。また、フォトリソグラフ
ィ技術においては現像剤としてアルカリを使用するが、
高シリカ組成の多孔質ガラスはアルカリに対して耐久性
がなく、微細加エバターンの形成を困難にする問題があ
った。
そこで、本発明は従来技術の上記したような課題を解決
するなめになされたもので、その目的とするところは、
保温層の熱伝導率が大きく、機械的強度が強く、さらに
サーマルヘッドを構成した際に良好な印字品質を得るこ
とができるサーマルヘッド用基板及びその製造方法を提
供することにある。
するなめになされたもので、その目的とするところは、
保温層の熱伝導率が大きく、機械的強度が強く、さらに
サーマルヘッドを構成した際に良好な印字品質を得るこ
とができるサーマルヘッド用基板及びその製造方法を提
供することにある。
本発明に係るサーマルヘッド用基板は、絶縁基板と、上
記絶縁基板上に形成された保温層とを有し、上記保温層
が孔径1〜1100nの空孔を一様に分布させたZrO
−3iOガラスがらなることを特徴としている。また、
このサーマルヘッド用基板の製造方法は、シランアルコ
キシドとジルコニウムアルコキシドよりゾルを調製する
工程と、絶縁基板上に上記ゾルを塗布する工程と、これ
を乾燥する工程と、これを焼成する工程とを有すること
を特徴としている。
記絶縁基板上に形成された保温層とを有し、上記保温層
が孔径1〜1100nの空孔を一様に分布させたZrO
−3iOガラスがらなることを特徴としている。また、
このサーマルヘッド用基板の製造方法は、シランアルコ
キシドとジルコニウムアルコキシドよりゾルを調製する
工程と、絶縁基板上に上記ゾルを塗布する工程と、これ
を乾燥する工程と、これを焼成する工程とを有すること
を特徴としている。
他の発明に係るサーマルヘッド用基板は、絶縁基板と、
上記絶縁基板上に形成された保温層とを有し、上記保温
層が孔径1〜1100nの空孔を一様に分布させなTl
O25102ガラスからなることを特徴としている。こ
のサーマルヘッド用基板の製造方法は、シランアルコキ
シドとチタンアルコキシドよりゾルを調製する工程と、
絶縁基板上に上記ゾルを塗布する工程と、これを乾燥す
る工程と、これを焼成する工程とを有することを特徴と
している。
上記絶縁基板上に形成された保温層とを有し、上記保温
層が孔径1〜1100nの空孔を一様に分布させなTl
O25102ガラスからなることを特徴としている。こ
のサーマルヘッド用基板の製造方法は、シランアルコキ
シドとチタンアルコキシドよりゾルを調製する工程と、
絶縁基板上に上記ゾルを塗布する工程と、これを乾燥す
る工程と、これを焼成する工程とを有することを特徴と
している。
本発明のサーマルヘッド用基板は、絶縁基板上に孔径1
〜1100nの空孔を一様に分布させたZrO2510
2ガラス或いはTlO2StO□ガラスからなる保温層
を有する。この保温層は空孔を有するので熱伝導率が小
さくその分保温層を薄くしても十分大きな保温性をもた
せることができる。また、機械的強度、耐薬品性にも優
れている。
〜1100nの空孔を一様に分布させたZrO2510
2ガラス或いはTlO2StO□ガラスからなる保温層
を有する。この保温層は空孔を有するので熱伝導率が小
さくその分保温層を薄くしても十分大きな保温性をもた
せることができる。また、機械的強度、耐薬品性にも優
れている。
また、本発明の製造方法においては、絶縁基板上にゾル
を塗布し、これを乾燥してゲルとし、これを焼成してい
る。焼成においては有機物や溶媒が気化するので、この
部分に空孔が形成される。
を塗布し、これを乾燥してゲルとし、これを焼成してい
る。焼成においては有機物や溶媒が気化するので、この
部分に空孔が形成される。
従って、調製されたゾルの合成条件や焼成条件により空
孔径や空孔率が決定される。また、ゾルを塗布、乾燥し
てゲルとし、これを焼成する方法(ゾル−ゲル法と呼ば
れる)は、ゾルの持つ組成の均一性を利用するもので、
空孔を均一に分布させることができ、保温層の厚さも均
一にできる。
孔径や空孔率が決定される。また、ゾルを塗布、乾燥し
てゲルとし、これを焼成する方法(ゾル−ゲル法と呼ば
れる)は、ゾルの持つ組成の均一性を利用するもので、
空孔を均一に分布させることができ、保温層の厚さも均
一にできる。
以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第1図は本発明に係るサーマルヘッド用基板の一実施例
の要部を示す断面図である。同図において、1は絶縁基
板であり、この絶縁基板1としては例えばアルミナ(A
、l1203)基板が用いられる。2は絶縁基板1上に
形成された保温層であり、この保温層2は孔径1〜11
00nの空孔を一様に分布させたZ r OS iO2
ガラスからなる。
の要部を示す断面図である。同図において、1は絶縁基
板であり、この絶縁基板1としては例えばアルミナ(A
、l1203)基板が用いられる。2は絶縁基板1上に
形成された保温層であり、この保温層2は孔径1〜11
00nの空孔を一様に分布させたZ r OS iO2
ガラスからなる。
この保温層2の厚さは1〜30μmの範囲内のある値に
設定される。尚、保温層2の材質としては孔径1〜11
00nの空孔を一様に分布させたTiOS i02ガラ
スを用いることもできる。
設定される。尚、保温層2の材質としては孔径1〜11
00nの空孔を一様に分布させたTiOS i02ガラ
スを用いることもできる。
上記保温層2は一様に分布された空孔を有するので熱伝
導率が小さく、保温層2の厚さを薄くしても十分な保温
性をもたせることができる。また、上記したZrO−3
in2ガラスやT iO25102ガラスは耐アルカリ
性に優れた性質を有する。
導率が小さく、保温層2の厚さを薄くしても十分な保温
性をもたせることができる。また、上記したZrO−3
in2ガラスやT iO25102ガラスは耐アルカリ
性に優れた性質を有する。
次に、保温層を孔径1〜1100nの空孔を−・様に分
布させたZ r OS I O2ガラスとしたサーマル
ヘッド用基板の製造方法の実施例を製法1乃至3として
示す。
布させたZ r OS I O2ガラスとしたサーマル
ヘッド用基板の製造方法の実施例を製法1乃至3として
示す。
[製法1]
先ず、テトラエトキシシラン(S i (OC2H5)
4、純度99.999%、高純度化学研究断裂)25g
即ち0.12モルにエタノール18゜8gを加えて混合
する。この混合溶液に純水2゜16g及び塩酸(35w
t%)0.3gをエタノールに溶かした溶液を加えて混
合し、さらにグリセリン3gを加えた後、1時間がく拌
する。この後、テトラ−イソ−プロポキシジルコニウム
(Zr (Ol s o C3H7) 4 、純度9
9.99%、高純度化学研究断裂)9.8g即ち0.0
3モルを加えた後、10時間かく拌し、塗布液としての
ゾルを調製する。
4、純度99.999%、高純度化学研究断裂)25g
即ち0.12モルにエタノール18゜8gを加えて混合
する。この混合溶液に純水2゜16g及び塩酸(35w
t%)0.3gをエタノールに溶かした溶液を加えて混
合し、さらにグリセリン3gを加えた後、1時間がく拌
する。この後、テトラ−イソ−プロポキシジルコニウム
(Zr (Ol s o C3H7) 4 、純度9
9.99%、高純度化学研究断裂)9.8g即ち0.0
3モルを加えた後、10時間かく拌し、塗布液としての
ゾルを調製する。
次に、アルミナ基板(Aj203、純度97%。
厚さ1mm、片面研磨、高純度化学研究断裂)上にスピ
ンコード法(回転数500rpm)で上記調製されたゾ
ルを塗布する。
ンコード法(回転数500rpm)で上記調製されたゾ
ルを塗布する。
次に、1分間大気中で乾燥し、その後500℃で10分
間加熱処理(焼成)する。
間加熱処理(焼成)する。
以上の、塗布、乾燥、焼成工程を繰り返してHf基板上
に厚さ10μmのZ r O2S I O2ガラス層を
形成する。
に厚さ10μmのZ r O2S I O2ガラス層を
形成する。
以上でサーマルヘッド用基板の!l!i!遣は終了する
。
。
このサーマルヘッド用基板を用いてサーマルヘッドを形
成する場合には、保温層2上に発熱抵抗体、その上に給
電体、その上に保護層を形成する。
成する場合には、保温層2上に発熱抵抗体、その上に給
電体、その上に保護層を形成する。
ここで、発熱抵抗体としてはTa2Nをスパッタ法で形
成されたものをフォトリソグラフィー技術によりパター
ン化したものがあり、給電体としてはNiCr−Auを
蒸着法及びメツキ法により形成しフォトリソグラフィー
技術によりパターン化し、保護層は5i02をスパッタ
法により形成する。
成されたものをフォトリソグラフィー技術によりパター
ン化したものがあり、給電体としてはNiCr−Auを
蒸着法及びメツキ法により形成しフォトリソグラフィー
技術によりパターン化し、保護層は5i02をスパッタ
法により形成する。
[製法2]
塗布液としてのゾル調製工程において、テトラ−イソ−
プロポキシジルコニウム(Zr(0−iso−C3H7
) 4の添加量を0.12モルとし、これ以外について
上記製法1と同じに製造する。
プロポキシジルコニウム(Zr(0−iso−C3H7
) 4の添加量を0.12モルとし、これ以外について
上記製法1と同じに製造する。
[製法3]
塗布液としてのゾル調製工程において、テトラ−イソ−
プロポキシジルコニウム(Zr(0−is o C3
H7) 4の添加量を0.28モルとし、これ以外につ
いて上記製法1と同じに製造する。
プロポキシジルコニウム(Zr(0−is o C3
H7) 4の添加量を0.28モルとし、これ以外につ
いて上記製法1と同じに製造する。
上記製法1乃至3によって得られたサーマルヘッドをそ
れぞれ実施例1乃至3とし、これらサーマルヘッドの印
加電力対印字濃度特性を調べた。
れぞれ実施例1乃至3とし、これらサーマルヘッドの印
加電力対印字濃度特性を調べた。
ここで、印加電力はパルス幅Q、3ms、パルス周期0
.6msのパルス入力とした。
.6msのパルス入力とした。
尚、比較例として、テトラ−イソ−プロポキシジルコニ
ウム(Zr (0−iso−C3H7)4を無添加とし
て上記製法1乃至3と同様の製造方法によるもの(比較
例1)、及びテトラ−イソ−プロポキシジルコニウム(
Zr (0−i so −C3H7)4の添加量を0.
013モルと極めて少なくして上記製法1乃至3と同様
の製造方法によるもの(比較例2)を製造したが、発熱
抵抗体が剥離して印字特性を調べることはできなかった
。
ウム(Zr (0−iso−C3H7)4を無添加とし
て上記製法1乃至3と同様の製造方法によるもの(比較
例1)、及びテトラ−イソ−プロポキシジルコニウム(
Zr (0−i so −C3H7)4の添加量を0.
013モルと極めて少なくして上記製法1乃至3と同様
の製造方法によるもの(比較例2)を製造したが、発熱
抵抗体が剥離して印字特性を調べることはできなかった
。
さらに、スパッタ法によりアルミナ基板上に厚さ10μ
mのS i 02膜を形成したもの(比較例3)の印加
電圧対印字濃度特性を調べた。
mのS i 02膜を形成したもの(比較例3)の印加
電圧対印字濃度特性を調べた。
上記の印加電圧対印字濃度特性を第3図に示し、印字性
能を以下の表1に示す。
能を以下の表1に示す。
次に、保温層を孔径1〜1100nの空孔を一様に分布
させたTiO2−8iO2ガラスとしたサーマルヘッド
用基板の製造方法の実施例を製法4乃至6として以下に
示す。
させたTiO2−8iO2ガラスとしたサーマルヘッド
用基板の製造方法の実施例を製法4乃至6として以下に
示す。
[製法4]
先ず、テトラエトキシシラン(S l (OC2H5)
4、純度99.999%、高純度化学研究断裂)25g
即ち0.12モルにエタノール18゜8gを加えて混合
する。この混合溶液に純水2゜16g及び塩酸(35w
t%)0.3gをエタノールに溶かした溶液を加えて混
合し、さらにグリセリン3gを加えた後、1時間かく拌
する。この後、テトラ−イソ−10ボキシチタン(Ti
(01S OC3H7) 4.純度99.999%、高
純度化学研究断裂)8.5g即ち0.03モルを加えた
後、10時間かく拌し、塗布液としてのゾルを調製する
。
4、純度99.999%、高純度化学研究断裂)25g
即ち0.12モルにエタノール18゜8gを加えて混合
する。この混合溶液に純水2゜16g及び塩酸(35w
t%)0.3gをエタノールに溶かした溶液を加えて混
合し、さらにグリセリン3gを加えた後、1時間かく拌
する。この後、テトラ−イソ−10ボキシチタン(Ti
(01S OC3H7) 4.純度99.999%、高
純度化学研究断裂)8.5g即ち0.03モルを加えた
後、10時間かく拌し、塗布液としてのゾルを調製する
。
以降のゾル塗布工程、乾燥工程、焼成工程、並びにサー
マルヘッドの形成は、上記製法1と同様に製造する。
マルヘッドの形成は、上記製法1と同様に製造する。
[製法5コ
塗布液としてのゾル調製工程において、テトラ−イソ−
プロポキシチタン(Ti (0−iso −C3H7)
4の添加量を0.12モルとし、これ以外について上記
製法4と同じに製造する。
プロポキシチタン(Ti (0−iso −C3H7)
4の添加量を0.12モルとし、これ以外について上記
製法4と同じに製造する。
[製法6]
塗布液としてのゾル調製工程において、テトラ−イソ−
プロポキシチタン(Ti (0−iso −C3H7)
4の添加量を0.28モルとし、これ以外について上記
製法4と同じに製造する。
プロポキシチタン(Ti (0−iso −C3H7)
4の添加量を0.28モルとし、これ以外について上記
製法4と同じに製造する。
上記製法4乃至6によって得られたサーマルヘッドをそ
れぞれ実施例4乃至6とし、これらサーマルヘッドの印
加電力対印字濃度特性を調べた。
れぞれ実施例4乃至6とし、これらサーマルヘッドの印
加電力対印字濃度特性を調べた。
ここで、印加電力はパルス幅Q、3ms、パルス周期0
.6msのパルス入力とした。
.6msのパルス入力とした。
尚、比較例として、テトラ−イソ−プロポキシチタン(
Ti (0−i 5o−C3H7)4を無添加として上
記製法4乃至6と同様の製造方法によるもの(比較例4
)、及びテトラ−イソ−プロポキシチタン(Ti (0
−i 5o−C3H7)4の添加量を0.013モルと
極めて少なくして上記製法4乃至6と同様の製造方法に
よるもの(比較例5)を製造したが、発熱抵抗体が剥離
して印字特性を調べることはできなかっな。さらに、ス
パッタ法によりアルミナ基板上に厚さ10μmのSio
2膜を形成した6の(比較例6)の印加電圧対印字濃度
特性を調べた。
Ti (0−i 5o−C3H7)4を無添加として上
記製法4乃至6と同様の製造方法によるもの(比較例4
)、及びテトラ−イソ−プロポキシチタン(Ti (0
−i 5o−C3H7)4の添加量を0.013モルと
極めて少なくして上記製法4乃至6と同様の製造方法に
よるもの(比較例5)を製造したが、発熱抵抗体が剥離
して印字特性を調べることはできなかっな。さらに、ス
パッタ法によりアルミナ基板上に厚さ10μmのSio
2膜を形成した6の(比較例6)の印加電圧対印字濃度
特性を調べた。
上記の印加電圧対印字濃度特性を第4図に示し、印字性
能を以下の表2に示す。
能を以下の表2に示す。
第3図及び第4図の結果より、本発明に係るサーマルヘ
ッド用基板により構成されたサーマルヘッドは少ない印
加電力で高い印字濃度が得られ、熱効率が良好であるこ
とがわかる。また、表1及び表2の結果より、印字性能
が良好である。
ッド用基板により構成されたサーマルヘッドは少ない印
加電力で高い印字濃度が得られ、熱効率が良好であるこ
とがわかる。また、表1及び表2の結果より、印字性能
が良好である。
また、酸化物を保温層としたので、耐熱性及び耐アルカ
リ性に優れた性質を有する。
リ性に優れた性質を有する。
さらに、本発明に係る製造方法においては、ゾル−ゲル
法を使用しているので、ゾルの持つ組成の均一性により
空孔分布の均一な焼結体が形成され、また焼結体の厚さ
を均一にできる。そして、従来のように、ガラス粉内部
より気泡を発生させた場合と異なり、蓄熱層表面に凹凸
が形成されることはない。
法を使用しているので、ゾルの持つ組成の均一性により
空孔分布の均一な焼結体が形成され、また焼結体の厚さ
を均一にできる。そして、従来のように、ガラス粉内部
より気泡を発生させた場合と異なり、蓄熱層表面に凹凸
が形成されることはない。
以上説明したように、本発明のサーマルヘッド用基板は
、熱伝導率が小さく、保温層を薄型化しても十分な保温
性を持たせることができる。よって、熱効率の向上を図
りつつ、発熱体の放熱速度を速くすることができ、低消
費電力化及び印字速度の高速化が可能になる。また、酸
化物を保温層とじたので、耐熱性及び耐アルカリ性に漱
れた性質を有する。
、熱伝導率が小さく、保温層を薄型化しても十分な保温
性を持たせることができる。よって、熱効率の向上を図
りつつ、発熱体の放熱速度を速くすることができ、低消
費電力化及び印字速度の高速化が可能になる。また、酸
化物を保温層とじたので、耐熱性及び耐アルカリ性に漱
れた性質を有する。
さらに、本発明に係る製造方法においては、空孔分布の
均一な保温層が形成でき、ガラス粉内部より気泡を発生
させた場合のように、蓄熱層表面に凹凸が形成されるこ
とはなく、印字品質の艮好なサーマルヘッドを形成する
ことができる。また、焼成工程における温度の設定、膜
厚の制御が容易である。
均一な保温層が形成でき、ガラス粉内部より気泡を発生
させた場合のように、蓄熱層表面に凹凸が形成されるこ
とはなく、印字品質の艮好なサーマルヘッドを形成する
ことができる。また、焼成工程における温度の設定、膜
厚の制御が容易である。
第1図は本発明に係るサーマルヘッド用基板の一実施例
を示す断面図、 第2図は従来のサーマルヘッドの構成を示す要部断面図
、 第3図及び第4図は本実施例により構成されたのサーマ
ルヘッドの印加電力対印字濃度特性を示すグラフである
。 1・・・絶縁基板、 2・・・保温層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 前 1) 実 1′77−poi−h (”/aot)ゴ’f−?+
レヘ−/Y、PIfr7)p4i fpl 壕、t、i
j ノ亡E第3riA Aト2g=川めづ;71し△〜゛lY“)ηノト才のし
第 因 第 ■
を示す断面図、 第2図は従来のサーマルヘッドの構成を示す要部断面図
、 第3図及び第4図は本実施例により構成されたのサーマ
ルヘッドの印加電力対印字濃度特性を示すグラフである
。 1・・・絶縁基板、 2・・・保温層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 前 1) 実 1′77−poi−h (”/aot)ゴ’f−?+
レヘ−/Y、PIfr7)p4i fpl 壕、t、i
j ノ亡E第3riA Aト2g=川めづ;71し△〜゛lY“)ηノト才のし
第 因 第 ■
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、絶縁基板と、 上記絶縁基板上に形成された保温層とを有し、上記保温
層が孔径1〜100nmの空孔を一様に分布させたZr
O_2−SiO_2ガラスからなることを特徴とするサ
ーマルヘッド用基板。 2、シランアルコキシドとジルコニウムルアルコキシド
よりゾルを調製する工程と、 絶縁基板上に上記ゾルを塗布する工程と、 これを乾燥する工程と、 これを焼成する工程と を有することを特徴とするサーマルヘッド用基板の製造
方法。 3、絶縁基板と、 上記絶縁基板上に形成された保温層とを有し、上記保温
層が孔径1〜100nmの空孔を一様に分布させたTi
O_2−SiO_2ガラスからなることを特徴とするサ
ーマルヘッド用基板。 4、シランアルコキシドとチタンアルコキシドよりゾル
を調製する工程と、 絶縁基板上に上記ゾルを塗布する工程と、 これを乾燥する工程と、 これを焼成する工程と を有することを特徴とするサーマルヘッド用基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21946788A JPH0267150A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | サーマルヘッド用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21946788A JPH0267150A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | サーマルヘッド用基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0267150A true JPH0267150A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16735891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21946788A Pending JPH0267150A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | サーマルヘッド用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0267150A (ja) |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21946788A patent/JPH0267150A/ja active Pending
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