JPH0268919A - Ｓｏｒ露光システム - Google Patents

Ｓｏｒ露光システム

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JPH0268919A JP63220488A JP22048888A JPH0268919A JP H0268919 A JPH0268919 A JP H0268919A JP 63220488 A JP63220488 A JP 63220488A JP 22048888 A JP22048888 A JP 22048888A JP H0268919 A JPH0268919 A JP H0268919A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［ａ業上の利用分野］ 本発明は半導体製造工程等に適したＳＯＲ露光システム
に関し、特にリーク時における露光装置部の保護を向上
させ、さらには地震による不良な露光を防止したＳＯＲ
露光システムに関する。
［従来の技術］ 第２図（ａ）は、従来例であり、また本発明の適用対象
例でもあるＳＯＲ（シンクロトロン放射光）露光システ
ムの装置構成を示す。
同図において、８はＳＯＲ光を発生させるためのＳＯＲ
リングである。６はＳＯＲリング８へ電子ビームのエネ
ルギを注入するための電子ビームを発生し加速するりニ
アツク（電子直線加速器）、７はビーム輸送路である。
１３ａ〜１３ｆはＳＯＲリング８からＳＯＲ光をとりだ
すためのボート、１４はＳＯＲリング８の蓄積エネルギ
またはＳＯＲ光量をモニタするビームモニタ、１５ａ〜
１５ｅは露光装置である。ここで、各装置は個別に制御
装置を持っている。
ＳＯＲリング８は、リニアツク６から電子ビームが入射
される入射部１０、電子ビームが環状にまわるためのリ
ング状の超高真空槽９、これを真空に引くための不図示
の真空ポンプ、電子ビームを曲げるための偏向電磁石１
２ａ〜１２ｈ１入射時の電子ビームの軌道および定常状
態の軌道を修正するためのキツカーコイル１６、電子ビ
ームが１回転して速度低下するためこれを加速し定速を
維持するための高周波加速空房１１から構成される。そ
して、ＳＯＲ光は偏向電磁石１２ａ〜１２ｈにより電子
ビームが曲げられる所で発生する。なお、ＳＯＲリング
８は実際にはさらに複雑な構成であるが、ここでは主要
部分のみ図示している。
第２図（ｂ）に示すようにＳＯＲリング８からＳＯＲ光
をとりだすボート１３ａから露光装置１５ａまでについ
ては、順に緊急遮断弁１７ａ、衝撃遅延管１８ａ、ミラ
ーチャンバ１９ａが配置されていて、露光装置１５ａの
直前にはベリリウム窓２０ａがある。ミラーチャンバ１
９ａは内部にＳＯＲ光を面分布光に広げるためのＸ線ミ
ラーが配置されていて、チャンバ内は高真空に保たれる
。ベリリウム窓２０ａは露光装置１５ａが大気圧雰囲気
またはＨｅ雰囲気の露光の場合に、前記ミラーチャンバ
１９ａ内の真空雰囲気を圧力的に隔壁する目的、および
ＳＯＲ光から露光に必要な波長のみを取り出すフィルタ
ーの目的で設けられたものである。また、緊急遮断弁１
フａおよび衝撃波遅延器１８ａは、ミラーおよび露光装
置側からの真空リークに対してＳＯＲ側の超高真空を保
護する目的を有する。以上の構成はボート１３ｂ〜１３
ｆの各ボートについても同様である。Ｓ。
Ｒリング８、リニアツク６および露光装置１５ａ〜１５
ｅにはそれぞれをコントロールする制御部分１，２．４
ａ〜４ｅがあるが、各制御部分間を通信ケーブル５で接
続している。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、上述の従来例においては、ＳＯＲ側あるいは
ミラ一部を含んだボート側の真空のリークが生じると露
光装置に取り付けられたベリリウム窓が差圧（大気圧と
Ｈｅ圧）に耐えられなくなって破損し、そのベリリウム
の破へん等により露光装置側が汚染されるという問題が
生じる。
さらには、従来例のように１台のＳＯＲリングに複数の
露光装置がつながっている場合には、１台の露光装置の
ボートの真空異常によりＳＯＲリングそのものの真空破
壊および他のボートへの連動した真空リークにより他の
複数台の露光装置のベリリウム窓破損による汚染が生じ
る可能性がある。
本発明の目的は、以上の問題点に鑑み、ボートの真空破
壊が起きてもベリリウム窓に差圧がかからないようにす
るとともに、他の露光装置への被害を防止することにあ
る。
また、ＳＯＲ露光システムとしては、ＳＯＲリング、ミ
ラーボートおよび露光装置間での位置合せが維持されて
いる必要があり、特にミラーポートと露光装置間では重
要である。この位置関係は通常ある範囲内におさまるよ
うに設定されるかまたは制御されているが地震等の原因
で個々の位置が恒久的にずれてしまうと、露光の転写ひ
ずみの点で露光が不可能になる。
そこで、本発明の他の目的はＳＯＲリング、ミラーポー
トおよび露光装置間の位置ずれの可能性を地震計により
検知して露光装置を停止させて、不良な露光ショットを
抑えることにある。
［課題を解決するための手段および作用］上記目的を達
成するために、本発明では、ミラーチャンバ内に真空計
をおいてミラーチャンバおよびボート部の真空度を計測
し、ベリリウム窓の光源側すなわちミラー側に緊急遮断
弁をおくことにより、ミラーチャンバ部の圧力によりこ
の緊急遮断弁を閉じることでベリリウム窓を保護するよ
うにしている。さらに、１つのボートの真空度の異常を
検出したならば、通信手段を利用してすべてのボートの
緊急遮断弁を閉じると共に、ＳＯＲリングおよびすべて
の露光装置に通信して所定の動作をとるように処理する
ことで真空異常に対する被害を防ぐようにしている。ま
た、ＳＯＲリング、ミラーボートおよび露光装置の位置
ずれについては、地震計により異常を検知し、通信ケー
ブルを介して全ての露光装置を停止させるようにしてい
る。
［実施例コ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
本実施例は、第２図の構成のＳＯＲ露光システムに本発
明を適用したものである。第１図は本発明の一実施例に
係るＳＯＲ露光システムのうち、ボートから露光装置へ
の部分を示している。同図において、２１ａはベリリウ
ム窓２０ａの直前のミラー側におかれた緊急遮断弁、２
２ａはミラーチャンバ１９ａ内およびベリリウム窓２０
ａまでのビームライン部の真空度を計測する真空計、２
４ａおよび２５ａはそれぞれ緊急遮断弁１７ａおよび２
１ａを駆動する駆動装置である。２６ａはボート制御部
であり、真空計２２ａ、駆動装置２４ａ、２５ａ等はこ
のボート制御部２６ａに接続されており、またボート制
御部、２６ａは通信ケーブル５を介して露光装置制御部
４ａとを相互に通信している。なお、以上の同図の構成
は、第２図のボート１３ｂ〜１３ｅから露光装置１５ｂ
〜１５ｅまでの各ボートについても同様であり、ボート
制御部２６ａは他のボート制御部２６ｂ〜２６ｅおよび
露光装置制御部４ｂ〜４ｅならびにリニアツク制御部１
およびＳＯＲリング制御部２に通信ケーブル５を介して
つながっていて、いずれか１つの制御部との通信が可能
である。また、２９ａは露光装置１５ａ本体内の圧力を
計測する真空計露光装置制御部４ａとつながっている。
２７ａはベリリウム窓２０ａの両側を連通させるバイパ
スバルブで、２８ａはその駆動回路である。
次に、第１図および第２図を参照して、本実施例の装置
の動作を説明する。いま、ＳＯＲリング８の超高真空槽
９は、超高真空状態、例えば、１０　””’　Ｔｏｒｒ
程度であるが、この状態にあるとすると、ボート１３（
ボート１３ａ〜１３ｅの各ボートを意味する。以下同様
）から開状態にある緊急遮断弁１７および衝撃波遅延管
１８を介してミラーチャンバ１９内が真空状態例えば１
０−’Ｔｏｒｒに達している。図示していないが、ボー
ト１３からミラーチャンバ１９の間は複数台の真空ポン
プにより排気されている。さらに、ミラーチャンバ１９
から先は、緊急遮断弁２１の開閉状態に応じてベリリウ
ム窓２０の直前までが高真空に引かれるか否かが決まる
。露光装置１５の本体内部の圧力は真空計２９により計
測されるが、この圧力ＶＣと真空計２２により計測され
るミラーチャンバ１９内の圧力ＶＭＲによりボート制御
部２６は、ベリリウム窓２０にかかる差圧を判定し、バ
イパスバルブ２７の開閉を行なう。具体的には、（１）
Ｖ、　＝　１５０Ｔｏｒｒ％Ｖ、、＝７６０Ｔｏｒｒ、
および（２）　Ｖｅ＝　７６０　Ｔｏｒｒ、　ｖｌｌＲ
＝　１０−’Ｔｏｒｒの場合のベリリウム窓２０への差
圧状態が禁止され、このときは、緊急遮断弁２１を閉と
してバイパスバルブ２７を開とし、差圧を零にする。
以上が通常時におけるバルブの動作であるが、異常時の
場合は以下の動作を行なう。
・まず、ＳＯＲリング８あるいはボート１３側がリーク
した場合、ＳＯＲリング側のボートに取り付けられた真
空計２３によりリークが検知される。この検出信号はボ
ート制御部２６を介して駆動装置２５を駆動し、緊急遮
断弁２１を閉にする。このときリークによる衝撃波は遅
延管１８とベリリウム窓２０までの実際の距離、例えば
１０ｍとにより伝播が遅れ、衝撃波より遮断弁２１の閉
動作が先行可能である。
次に、露光装置１５側あるいはミラーチャンバ１９側が
リークした場合には、リークは、ミラーチャンバ１９の
真空計２２により検知される。先の場合と同様にこの検
出信号により直接ボート側の緊急遮断弁１７が閉じる。
衝撃波遅延管１８は双方向に遅延特性を有しているので
、この場合も衝撃波に先行して閉動作が行なわれる。
以上により、ＳＯＲボート側および露光装置側のいずれ
についても２ケ所の緊急遮断弁により、リークをおさえ
ることが可能であるが、次に、ＳＯＲリング８に接続し
た複数個の露光装置１５ａ〜１５ｅ相互のリークプロテ
クトについて説明する。
まず、ボート側のリーク時であるが、例えばボート１３
ａでのリークすなわち真空計２３ａがリークを検知する
と、その信号値通信ケーブル５を介して、各ボートのボ
ート制御部２６ａ〜２６ｅに送信し、すべての露光装置
側の緊急遮断弁２１８〜２１ｅを閉じる。この場合はＳ
ＯＲ側のリークであるため、全ボートがリーク異常とな
る可能性が高く、各ボート毎に独自にリークを検出して
遮断弁を動作させるよりも確実であり、信頼性が高い。
露光装置側のリークの場合には、リークの発生したボー
トを緊急遮断弁１７で切り離すことになるが、これと同
時に各露光装置側の緊急遮断弁２１ａ〜２１ｅを閉じて
しまう。これにより緊急遮断弁１７でリークを止め°る
ことができなかった最悪の場合にも確実にベリリウム窓
２１および露光装置１５を保護することができる。
第３図はＳＯＲ露光システムの異常信号として、さらに
地震計からの信号をも扱うようにした場合の実施例を示
している。同図において、３０はＳＯＲ露光システムが
設置された同一の地盤上に置かれた地震計であり、３１
は地震計３０からの信号をある設定値と比較して、所定
の場合に異常信号として警報を発し、通信ケーブル５へ
送信するための通信コントロール部を含んだ信号処理部
である。
露光システムの異常振動が検出された場合には、露光シ
ステムとしてはボート側の緊急遮断弁１７から露光装置
側の緊急遮断弁２１までのミラーボート部と露光装置１
５との位置合せ状態がずれている可能性があるので、露
光途中のクエへについては、即座に露光を中止する必要
がある。従って、地震信号処理部３１からの異常信号を
通信ケーブル５を介して受信すると、露光装置制御部４
は全露光装置の露光を中断させる。中断したあとの露光
の再開は、所定のミラーボート部と露光装置間の位置合
せ状態を確認する手順を経てから行なう。また、先の地
震計３０からの異常信号を受信すると、リニアツク制御
部１およびＳＯＲリング制御部２は、ＳＯＲリング８部
分の駆動を停止させることも行なう。したがって、この
部分の再開も所定の点検手続を経てから行なうことにな
る。なお、通信ケーブル５は単一の通信ラインでもよい
が、異常信号専用のラインを含む複数の通信ラインを有
していてもよい。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、露光装置側に配
設されたベリリウム窓の手前のミラーチャンバ側に緊急
遮断弁を設置することにより、緊急リーク発生時にベリ
リウム窓にかかる差圧をなくすことができ、ベリリウム
の破損、さらにはベリリウムの破片による露光装置のメ
インチャンバ内の汚染を防ぐことが可能となる。
また、各ミラーボート制御部ならびに各露光装置を通信
ラインにより接続することにより、１つのボートでのリ
ーク検出時に同時に全てのボートの緊急遮断弁を閉じる
ことが可能となり、全露光装置の破損等の危険を防ぐこ
とができる。
また、ＳＯＲリング、ミラーボートおよび露光装置間の
位置ずれに関して地震計から異常信号を通信ラインによ
り全ての露光装置へ通信し、露光を停止することにより
、不良ショットを最小に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係るＳＯＲ露光システムの
主要部の装置構成図、 第２図（ａ）および（ｂ）は、従来例に係るＳＯＲ露光
システムの装置構成図、そして 第３図は、本発明の他の実施例に係るＳＯＲ露光システ
ムの装置構成図である。 １、リニアツク制御部、 ２　：　ＳＯＲリング制御部、 ４ａ〜４ｅ：露光装置制御部、 ５：通信ケーブル、 ６：リニアツク、 ７：ビーム輸送路、 ８：ＳＯＲリング、 １３ａ〜１３ｅ：ボート、 １５ａ〜１５ｅ：露光装置、 １７ａ〜１７ｅ：緊急遮断弁、 １８ａ〜１８ｅ：衝撃波遅延管、 １９ａ〜１９ｅ：ミラーチャンバ、 ２０ａ〜２０ｅ：ベリリウム窓、 ２１ａ〜２１ｅ：緊急遮断弁、 ２２ａ〜２２ｅ：真空計、 ２３ａ〜２３ｅ：真空計、 ２４ａ〜２４ｅ、緊急遮断弁駆動装置、緊急遮断弁駆動
装置、 ：ボート制御部、 ：バイパスバルブ、 ：駆動装置、 ：真空計、 ２５ａ　　〜　２５ｅ ２６ａ　　〜　２６ｅ ２７ａ　　〜　２７ｅ ２８ａ　　〜　２８ｅ ２９ａ　　〜　２９ｅ ３０：地震計、 ３１：信号処理部。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ＳＯＲリングおよびこれを制御するＳＯＲリング
    制御手段ならびに該ＳＯＲリングからのＳＯＲ光により
    露光を行なう１以上の露光装置およびこれを制御する露
    光装置制御手段を備え、該ＳＯＲリング制御手段および
    露光装置制御手段の少なくとも２以上の間を通信手段に
    より接続したＳＯＲ露光システムにおいて、該通信手段
    を介して露光システムに関する異常信号をやりとりする
    ことを特徴とするＳＯＲ露光システム。
  2. （２）前記異常信号として、露光システムの真空ライン
    のリークを検出して使用する請求項１記載のＳＯＲ露光
    システム。
  3. （３）前記露光装置のＳＯＲ光の入射口にベリリウム窓
    を備え、その近傍のＳＯＲ光入射側に緊急遮断弁を配置
    したことを特徴とする、請求項１または請求項２記載の
    ＳＯＲ露光システム。
  4. （４）前記異常信号として、地震計からの出力信号を使
    用する請求項１記載のＳＯＲ露光システム。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009219696A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Mitsubishi Electric Corp 粒子線治療装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2728898B2 (ja) * 1988-10-05 1998-03-18 キヤノン株式会社 露光装置
EP0447175B1 (en) * 1990-03-13 1997-11-19 Canon Kabushiki Kaisha Synchrotron Radiation Exposure Apparatus
JP2959579B2 (ja) * 1990-06-19 1999-10-06 キヤノン株式会社 Ｘ線露光装置
JP3336436B2 (ja) * 1991-04-02 2002-10-21 株式会社ニコン リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法
JPH0661000A (ja) * 1992-08-07 1994-03-04 Hitachi Ltd 円形加速器及び円形加速器の運転方法並びに半導体露光装置
JP3210145B2 (ja) 1993-07-14 2001-09-17 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法
US5920398A (en) * 1996-03-01 1999-07-06 Canon Kabushiki Kaisha Surface position detecting method and scanning exposure method using the same
JP3138253B2 (ja) * 1997-03-27 2001-02-26 キヤノン株式会社 Ｘ線装置およびこれを用いたｘ線露光装置ならびにデバイス製造方法
UA59495C2 (uk) * 2000-08-07 2003-09-15 Мурадін Абубєкіровіч Кумахов Рентгенівський вимірювально-випробувальний комплекс
DE102012212503B4 (de) * 2012-07-17 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographieanlage und verfahren

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639929A (ja) * 1986-06-30 1988-01-16 Nec Corp Ｘ線露光装置
JPS63138732A (ja) * 1986-12-01 1988-06-10 Canon Inc 露光システム

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6032050A (ja) * 1983-08-02 1985-02-19 Canon Inc 露光装置
US4788698A (en) * 1984-04-15 1988-11-29 Hitachi, Ltd. X-ray exposure system
JPS62222634A (ja) * 1986-03-18 1987-09-30 Fujitsu Ltd Ｘ線露光方法
JPS63116424A (ja) * 1986-11-05 1988-05-20 Nec Corp Ｘ線露光装置
JPH1088400A (ja) * 1996-09-12 1998-04-07 Okuno Chem Ind Co Ltd 銀の電解剥離剤及び剥離液並びに電解剥離方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639929A (ja) * 1986-06-30 1988-01-16 Nec Corp Ｘ線露光装置
JPS63138732A (ja) * 1986-12-01 1988-06-10 Canon Inc 露光システム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009219696A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Mitsubishi Electric Corp 粒子線治療装置

Also Published As

Publication number Publication date
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DE68925604D1 (de) 1996-03-21
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US5001734A (en) 1991-03-19
EP0358426A2 (en) 1990-03-14
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