JPH027056B2 - - Google Patents
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- JPH027056B2 JPH027056B2 JP58112206A JP11220683A JPH027056B2 JP H027056 B2 JPH027056 B2 JP H027056B2 JP 58112206 A JP58112206 A JP 58112206A JP 11220683 A JP11220683 A JP 11220683A JP H027056 B2 JPH027056 B2 JP H027056B2
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- Japan
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- protective layer
- electron
- layer
- substance
- electrical resistance
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子写真用感光体、更に詳しく言えば
光導電性層表面に保護層を有する電子写真用感光
体の改良に関するものである。
光導電性層表面に保護層を有する電子写真用感光
体の改良に関するものである。
従来技術
帯電、露光、現像等の一連の工程を含む電子写
真法における感光体としては多くのものが実用化
されている。例えば、適当な基板上に無定形セレ
ンまたはその合金などを蒸着したもの、結着樹脂
中にZnO、CdS、TiO2等の無機光導電性材料を
分散させたもの、有機光導電性材料を結着樹脂中
に分散するか、あるいは適当な基板上に塗布また
は蒸着するなどにより直接設けたもの、もしくは
これら各種の光導電性層の２種以上を積層したも
のなどが知られている。
真法における感光体としては多くのものが実用化
されている。例えば、適当な基板上に無定形セレ
ンまたはその合金などを蒸着したもの、結着樹脂
中にZnO、CdS、TiO2等の無機光導電性材料を
分散させたもの、有機光導電性材料を結着樹脂中
に分散するか、あるいは適当な基板上に塗布また
は蒸着するなどにより直接設けたもの、もしくは
これら各種の光導電性層の２種以上を積層したも
のなどが知られている。
これら感光体では、その電気的並びに光学的性
質と機械的性質とを両立させるために、また場合
によつては現像工程等における特性を向上させる
ために、感光体表面に表面層を設けることが提案
されている。このような表面層の１つは保護層と
いわれるものであつて、例えば樹脂薄膜である。
この薄膜に対して帯電および画像露光（カールソ
ン法）がなされ潜像形成が行なわれる。
質と機械的性質とを両立させるために、また場合
によつては現像工程等における特性を向上させる
ために、感光体表面に表面層を設けることが提案
されている。このような表面層の１つは保護層と
いわれるものであつて、例えば樹脂薄膜である。
この薄膜に対して帯電および画像露光（カールソ
ン法）がなされ潜像形成が行なわれる。
近年、保護層として結着樹脂中に電気抵抗調節
剤を分散させた低抵抗保護層が提案されている。
この低抵抗保護層を無機光導電性層に積層した場
合には、帯電々位が安定する、残留電位が過度に
上昇することがない等の種々の利点を有する感光
体を得ることが可能であつた。
剤を分散させた低抵抗保護層が提案されている。
この低抵抗保護層を無機光導電性層に積層した場
合には、帯電々位が安定する、残留電位が過度に
上昇することがない等の種々の利点を有する感光
体を得ることが可能であつた。
一方、このような低抵抗保護層を有機光導電性
層に積層して用いる場合には、無機光導電性層に
積層して用いる場合とは逆に、初期帯電々位が低
い、繰り返し潜像を形成すると帯電々位が徐々に
低下して画像濃度の低い複写物を与える。もしく
はゴースト像が形成されるなど種々の問題を生ず
ることが判明した。
層に積層して用いる場合には、無機光導電性層に
積層して用いる場合とは逆に、初期帯電々位が低
い、繰り返し潜像を形成すると帯電々位が徐々に
低下して画像濃度の低い複写物を与える。もしく
はゴースト像が形成されるなど種々の問題を生ず
ることが判明した。
発明の目的
本発明者等はこのような情況の下で、特に有機
光導電性層を用いた場合に生ずる上記の如き種々
の欠点を解消すべく種々研究、検討したところ、
有機光導電性層において用いられる電子供与性物
質が保存層中に拡散した結果生じるラジカルカチ
オンの影響により上記欠点がもたらされることを
見出した。更に、保護層中に該ラジカルカチオン
の捕捉物質を添加することにより、該諸欠点が解
消されることを見出し本発明を完成した。
光導電性層を用いた場合に生ずる上記の如き種々
の欠点を解消すべく種々研究、検討したところ、
有機光導電性層において用いられる電子供与性物
質が保存層中に拡散した結果生じるラジカルカチ
オンの影響により上記欠点がもたらされることを
見出した。更に、保護層中に該ラジカルカチオン
の捕捉物質を添加することにより、該諸欠点が解
消されることを見出し本発明を完成した。
そこで、本発明の主な目的は特殊な潜像形成法
を用いることなしに、いわゆるカールソン法によ
り潜像形成可能な、保増層を有する感光体であつ
て、上記のような諸欠点を確実に克服することを
可能とする電子写真用感光体を提供することにあ
る。
を用いることなしに、いわゆるカールソン法によ
り潜像形成可能な、保増層を有する感光体であつ
て、上記のような諸欠点を確実に克服することを
可能とする電子写真用感光体を提供することにあ
る。
発明の構成
本発明の前記並びにその他の目的は導電性基板
上に有機光導電性層および保護層をこの順序で積
層した電子写真用感光体において、該有機光導電
性層中に電子供与性物質を含み、かつ前記保護層
は、電気抵抗調節剤と電子受容性物質とを含み、
その電気抵抗を108〜1014Ωcmとしたことを特徴
とする負帯電用電子写真用感光体により達成する
ことができる。
上に有機光導電性層および保護層をこの順序で積
層した電子写真用感光体において、該有機光導電
性層中に電子供与性物質を含み、かつ前記保護層
は、電気抵抗調節剤と電子受容性物質とを含み、
その電気抵抗を108〜1014Ωcmとしたことを特徴
とする負帯電用電子写真用感光体により達成する
ことができる。
本発明に係る保護層は結着樹脂、電気抵抗調節
剤および電子受容性物質を必須成分とする。
剤および電子受容性物質を必須成分とする。
まず、結着樹脂としてはポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリウレタン、ポリスチレン、アク
リル樹脂、ポリビニルクロリド、ポリビニルアセ
テート、シリコーン樹脂等の透明絶縁性樹脂を例
示することができる。
ーボネート、ポリウレタン、ポリスチレン、アク
リル樹脂、ポリビニルクロリド、ポリビニルアセ
テート、シリコーン樹脂等の透明絶縁性樹脂を例
示することができる。
本発明の保護層において使用する電気抵抗調節
剤は保護層の電気抵抗を108〜1014Ωcm、好まし
くは109〜1013Ωcmとするのに有効な導電性金属
酸化物、例えば、SnO2、Sb2O3、TiO2またはこ
れらの混合物もしくは固溶体である。これについ
ては、特に特開昭57−30486に開示されている。
剤は保護層の電気抵抗を108〜1014Ωcm、好まし
くは109〜1013Ωcmとするのに有効な導電性金属
酸化物、例えば、SnO2、Sb2O3、TiO2またはこ
れらの混合物もしくは固溶体である。これについ
ては、特に特開昭57−30486に開示されている。
これら電気抵抗調節剤は10〜60重量％の範囲で
使用され、平均粒径は0.3μｍ以下、好ましくは
0.15μｍ以下であり、これらの範囲は保護層の透
明性および電気抵抗に対する要求から定められる
ものである。
使用され、平均粒径は0.3μｍ以下、好ましくは
0.15μｍ以下であり、これらの範囲は保護層の透
明性および電気抵抗に対する要求から定められる
ものである。
また、本発明において保護層中に添加すること
のできる電子受容性物質としてはカルボン酸無水
物；ｏ−またはｐ−キノイド構造のような電子受
容性の置換基を有する化合物；ニトロ基、ニトロ
ソ基、シアノ基などの電子受容性の置換基を有す
る脂肪族環式化合物、芳香族化合物、複素環式化
合物などであり、その具体例を示すと無水マレイ
ン酸、無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル
酸、テトラブロモ無水フタル酸、無水フタル酸、
無水ピロメリツト酸、クロロ−ｐ−ベンゾキノ
ン、２，３−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジ
クロロベンゾキノン、５，８−ジクロロナフトキ
ノン、ｏ−クロロアニル、ｏ−ブロモアニル、ｐ
−クロロアニル、ｐ−ブロモアニル、ｐ−ヨード
アニル、テトラシアノキノジメタン、５，６−キ
ノリンジオン、クマリン−２，２−ジオン、オキ
シインジルビン、オキシインジゴ、１，２−ジニ
トロエタン、２，２−ジニトロプロパン、２−ニ
トロ−２−ニトロソプロパン、イミノジアセトニ
トリル、スクシノニトリル、テトラシアノエチレ
ン、１，１，３，３−テトラシアノプロペニド、
ｏ−、ｍ−またはｐ−ジニトロベンゼン、１，
２，３−トリニトロベンゼン、１，２，４−トリ
ニトロベンゼン、１，３，５−トリニトロベンゼ
ン、ジニトロジベンジル、２，４−ジニトロアセ
トフエノン、２，４−ジニトロトルエン、１，
３，５−トリニトロベンゾフエノン、１，２，３
−トリニトロアニソール、α，β−ジニトロナフ
タリン、１，４，５，８−テトラニトロナフタリ
ン、３，４，５−トリニトロ−１，２−ジメチル
ベンゼン、３−ニトロソ−２−ニトロトルエン、
２−ニトロソ−３，５−ジニトロトルエン、ｏ
−、ｍ−またはｐ−ニトロニトロソベンゼン、フ
タロニトリル、テレフタロニトリル、イソフタロ
ニトリル、シアン化ベンゾイル、シアン化ブロモ
ベンジル、シアン化キノリン、シアン化−ｏ−キ
シリレン、ｏ−、ｍ−またはｐ−シアン化ニトロ
ベンジル、３，５−ジニトロピペリジン、３−ニ
トロ−２−ピリドン、３，４−ジシアノピリジ
ン、α−、β−またはγ−シアノピリジン、４，
６−ジニトロキノン、４−ニトロキサントン、
９，10−ジニトロアントラセン、１−ニトロアン
トラセン、２−ニトロフエナントレンキノン、
２，５−ジニトロフルオレノン、２，６−ジニト
ロフルオレノン、３，６−ジニトロフルオレノ
ン、２，７−ジニトロフルオレノン、２，４，７
−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テ
トラニトロフルオレノン、３，６−ジニトロフル
オレノンマンデノニトリル、３−ニトロフルオレ
ノンマンデノニトリル、テトラシアノピレンなど
である。
のできる電子受容性物質としてはカルボン酸無水
物；ｏ−またはｐ−キノイド構造のような電子受
容性の置換基を有する化合物；ニトロ基、ニトロ
ソ基、シアノ基などの電子受容性の置換基を有す
る脂肪族環式化合物、芳香族化合物、複素環式化
合物などであり、その具体例を示すと無水マレイ
ン酸、無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル
酸、テトラブロモ無水フタル酸、無水フタル酸、
無水ピロメリツト酸、クロロ−ｐ−ベンゾキノ
ン、２，３−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジ
クロロベンゾキノン、５，８−ジクロロナフトキ
ノン、ｏ−クロロアニル、ｏ−ブロモアニル、ｐ
−クロロアニル、ｐ−ブロモアニル、ｐ−ヨード
アニル、テトラシアノキノジメタン、５，６−キ
ノリンジオン、クマリン−２，２−ジオン、オキ
シインジルビン、オキシインジゴ、１，２−ジニ
トロエタン、２，２−ジニトロプロパン、２−ニ
トロ−２−ニトロソプロパン、イミノジアセトニ
トリル、スクシノニトリル、テトラシアノエチレ
ン、１，１，３，３−テトラシアノプロペニド、
ｏ−、ｍ−またはｐ−ジニトロベンゼン、１，
２，３−トリニトロベンゼン、１，２，４−トリ
ニトロベンゼン、１，３，５−トリニトロベンゼ
ン、ジニトロジベンジル、２，４−ジニトロアセ
トフエノン、２，４−ジニトロトルエン、１，
３，５−トリニトロベンゾフエノン、１，２，３
−トリニトロアニソール、α，β−ジニトロナフ
タリン、１，４，５，８−テトラニトロナフタリ
ン、３，４，５−トリニトロ−１，２−ジメチル
ベンゼン、３−ニトロソ−２−ニトロトルエン、
２−ニトロソ−３，５−ジニトロトルエン、ｏ
−、ｍ−またはｐ−ニトロニトロソベンゼン、フ
タロニトリル、テレフタロニトリル、イソフタロ
ニトリル、シアン化ベンゾイル、シアン化ブロモ
ベンジル、シアン化キノリン、シアン化−ｏ−キ
シリレン、ｏ−、ｍ−またはｐ−シアン化ニトロ
ベンジル、３，５−ジニトロピペリジン、３−ニ
トロ−２−ピリドン、３，４−ジシアノピリジ
ン、α−、β−またはγ−シアノピリジン、４，
６−ジニトロキノン、４−ニトロキサントン、
９，10−ジニトロアントラセン、１−ニトロアン
トラセン、２−ニトロフエナントレンキノン、
２，５−ジニトロフルオレノン、２，６−ジニト
ロフルオレノン、３，６−ジニトロフルオレノ
ン、２，７−ジニトロフルオレノン、２，４，７
−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テ
トラニトロフルオレノン、３，６−ジニトロフル
オレノンマンデノニトリル、３−ニトロフルオレ
ノンマンデノニトリル、テトラシアノピレンなど
である。
これらの電子受容性物質は0.5〜30重量部、好
ましくは１〜20重量部の範囲の量で保護層中に添
加され、これによつて十分な効果を達成すること
が可能となる。
ましくは１〜20重量部の範囲の量で保護層中に添
加され、これによつて十分な効果を達成すること
が可能となる。
本発明に係る光導電性層において使用する電子
供与性低分子有機光導電性物質としては、例えば
少なくとも１つのアルキル基、アミノ基、イミノ
基およびイミド基を含む化合物、あるいは主鎖ま
たは側鎖にアントラセン、ピレン、フエナントレ
ン、コロネンなどの多環式芳香族化合物もしくは
インドール、カルバゾール、オキサゾール、イソ
オキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラ
ゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、ト
リアゾールなどの含窒素環式化合物を有する化合
物であり、その具体例を示せばヘキサメチレンジ
アミン、Ｎ−（４−アミノブチル）−カゾベリン、
α，β−ジドデシルヒドラジン、ｐ−トルイジ
ン、４−アミノ−ｏ−キシレン、Ｎ，N′−ジフ
エニル−１，２−ジアミノエタン、ｏ−、ｍ−ま
たはｐ−ジニトリルアミン、トリフエニルアミ
ン、ジユレン、２−ブロモ−３，７−ジメチルナ
フタリン、２，３，５−トリメチルナフタリン、
N′−（３ブロモフエニル）−Ｎ−（β−ナフチル）
−尿素、Ｎ−メチル−Ｎ−（α−ナフチル）−尿
素、Ｎ，N′−ジエチル−Ｎ−（α−ナフチル）−
尿素、２，６−ジメチルアントラセン、アントラ
セン、２−フエニル−アントラセン、９，10−ジ
フエニルアントラセン、９，9′−ビアントラニ
ル、２−ジメチルアミノアントラセン、フエナン
トレン、９−アミノフエナントレン、３，６−ジ
メチルフエナントレン、５，７−ジブロモ−２−
フエニルインドール、２，３−ジメチルインドリ
ン、３−インドリルメチルアミン、カルバゾー
ル、２−メチルカルバゾール、Ｎ−エチルカルバ
ゾール、９−フエニル−カルバゾール、１，1′−
ジカルバゾール、３−（ｐ−メトキシフエニル）−
オキサゾリジン、３，４，５−トリメチルイソオ
キサゾール、２−アニリノ−４，５−ジフエニル
チアゾール、２，４，５−トリニトロフエニルイ
ミダゾール、４−アミノ−３，５−ジメチル−１
−フエニル−ピラゾール、２，５−ジフエニル−
１，３，４−オキサジアゾール、１，３，５−ト
リフエニル−１，２，４−トリアゾール、１−ア
ミノ−５−フエニルテトラゾール、ビス−ジエチ
ルアミノフエニル−１，３，５−オキサジアゾー
ルなどを挙げることができる。
供与性低分子有機光導電性物質としては、例えば
少なくとも１つのアルキル基、アミノ基、イミノ
基およびイミド基を含む化合物、あるいは主鎖ま
たは側鎖にアントラセン、ピレン、フエナントレ
ン、コロネンなどの多環式芳香族化合物もしくは
インドール、カルバゾール、オキサゾール、イソ
オキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラ
ゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、ト
リアゾールなどの含窒素環式化合物を有する化合
物であり、その具体例を示せばヘキサメチレンジ
アミン、Ｎ−（４−アミノブチル）−カゾベリン、
α，β−ジドデシルヒドラジン、ｐ−トルイジ
ン、４−アミノ−ｏ−キシレン、Ｎ，N′−ジフ
エニル−１，２−ジアミノエタン、ｏ−、ｍ−ま
たはｐ−ジニトリルアミン、トリフエニルアミ
ン、ジユレン、２−ブロモ−３，７−ジメチルナ
フタリン、２，３，５−トリメチルナフタリン、
N′−（３ブロモフエニル）−Ｎ−（β−ナフチル）
−尿素、Ｎ−メチル−Ｎ−（α−ナフチル）−尿
素、Ｎ，N′−ジエチル−Ｎ−（α−ナフチル）−
尿素、２，６−ジメチルアントラセン、アントラ
セン、２−フエニル−アントラセン、９，10−ジ
フエニルアントラセン、９，9′−ビアントラニ
ル、２−ジメチルアミノアントラセン、フエナン
トレン、９−アミノフエナントレン、３，６−ジ
メチルフエナントレン、５，７−ジブロモ−２−
フエニルインドール、２，３−ジメチルインドリ
ン、３−インドリルメチルアミン、カルバゾー
ル、２−メチルカルバゾール、Ｎ−エチルカルバ
ゾール、９−フエニル−カルバゾール、１，1′−
ジカルバゾール、３−（ｐ−メトキシフエニル）−
オキサゾリジン、３，４，５−トリメチルイソオ
キサゾール、２−アニリノ−４，５−ジフエニル
チアゾール、２，４，５−トリニトロフエニルイ
ミダゾール、４−アミノ−３，５−ジメチル−１
−フエニル−ピラゾール、２，５−ジフエニル−
１，３，４−オキサジアゾール、１，３，５−ト
リフエニル−１，２，４−トリアゾール、１−ア
ミノ−５−フエニルテトラゾール、ビス−ジエチ
ルアミノフエニル−１，３，５−オキサジアゾー
ルなどを挙げることができる。
これらの電子供与性物質は必要に応じて種々の
結着樹脂、例えばポリエステル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂
等と組み合せて用いることができ、更に電荷発生
剤としてSe、Se−Te合金、Se−As合金あるいは
アゾ系顔料、フタロシアニン系顔料、シアニン系
顔料などと適当に組み合せて使用することができ
る。これらは、常法に従つて適当な手段により混
合され、支持体上に塗布されるなどして光導電層
とされる。これら各成分は何等特別な割合である
必要はなく、従来公知の量で使用される。
結着樹脂、例えばポリエステル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂
等と組み合せて用いることができ、更に電荷発生
剤としてSe、Se−Te合金、Se−As合金あるいは
アゾ系顔料、フタロシアニン系顔料、シアニン系
顔料などと適当に組み合せて使用することができ
る。これらは、常法に従つて適当な手段により混
合され、支持体上に塗布されるなどして光導電層
とされる。これら各成分は何等特別な割合である
必要はなく、従来公知の量で使用される。
本発明に係る保護層は前記の結着樹脂、電気抵
抗調節剤、電子受容性物質を含有する溶液を感光
層上に塗布するか、もしくは常法に従つて予めフ
イルム状に形成したものを感光層上に接着するこ
とにより得ることができる。
抗調節剤、電子受容性物質を含有する溶液を感光
層上に塗布するか、もしくは常法に従つて予めフ
イルム状に形成したものを感光層上に接着するこ
とにより得ることができる。
保護層の厚さは通常１〜20μｍ、好ましくは３
〜15μｍの範囲内であり、これによつて十分な効
果を期待することができる。
〜15μｍの範囲内であり、これによつて十分な効
果を期待することができる。
発明の効果
かくして、本発明によれば、特に有機光導電性
物質を含む光導電性層の保護層中に電気抵抗調節
剤および電子受容性物質を含有させたときに基き
種々の効果を達成することが可能となつた。即
ち、初期帯電々位が高く、また多数回に亘り繰り
返し潜像形成を行つても帯電々位が大幅に低下す
ることはなく、従つて画像濃度の高い鮮鋭な複写
物を得ることができ、更にゴースト像の形成もみ
られない。
物質を含む光導電性層の保護層中に電気抵抗調節
剤および電子受容性物質を含有させたときに基き
種々の効果を達成することが可能となつた。即
ち、初期帯電々位が高く、また多数回に亘り繰り
返し潜像形成を行つても帯電々位が大幅に低下す
ることはなく、従つて画像濃度の高い鮮鋭な複写
物を得ることができ、更にゴースト像の形成もみ
られない。
実施例
以下実施例により本発明を更に具体的に説明す
るが、本発明はこれら実施例によつて何等制限さ
れるものではない。
るが、本発明はこれら実施例によつて何等制限さ
れるものではない。
実施例 １
ポリエステルフイルム上にアルミニウムを蒸着
した支持体上にシアニン顔料（日本感光色素製、
NK−103）をジクロロメタン中に分散させた分
散液を塗布し、厚さ1μの電荷発生層を得た。さ
らに、この上に２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミ
ノフエニル）−１，３，４−オキサジアゾール２
部、ポリカーボネート樹脂３部をジクロロメタン
に溶解させた溶液を塗布して厚さ20μの電荷輸送
層を得た。
した支持体上にシアニン顔料（日本感光色素製、
NK−103）をジクロロメタン中に分散させた分
散液を塗布し、厚さ1μの電荷発生層を得た。さ
らに、この上に２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミ
ノフエニル）−１，３，４−オキサジアゾール２
部、ポリカーボネート樹脂３部をジクロロメタン
に溶解させた溶液を塗布して厚さ20μの電荷輸送
層を得た。
さらに、ここの上に粒径0.1μ以下の酸化スズ35
重量部をポリウレタン樹脂（関西ペイント、レタ
ン4000）に分散させた後さらに電子受容性物質で
ある２，４，７−トリニトロフルオレノン３重量
部を加えデイツピングにより乾燥後の膜厚が2μ
となるように保護層を形成した。
重量部をポリウレタン樹脂（関西ペイント、レタ
ン4000）に分散させた後さらに電子受容性物質で
ある２，４，７−トリニトロフルオレノン３重量
部を加えデイツピングにより乾燥後の膜厚が2μ
となるように保護層を形成した。
このようにして得られた保護層を有する電子写
真用感光体を通常の電子写真方式により帯電、露
光、現像を5000回繰り返したところ帯電電位のサ
イクル低下は30Vであり画像上も何等劣化は認め
られなかつた。これに対し保護層中に電子受容性
物質である２，４，７−トリニトロフルオレノン
を含まない同様の感光体では5000回の帯電、露
光、現像の繰り返しにより帯電電位のサイクル低
下は200Vを示し、画像上においてはネガゴース
ト像が観察された。
真用感光体を通常の電子写真方式により帯電、露
光、現像を5000回繰り返したところ帯電電位のサ
イクル低下は30Vであり画像上も何等劣化は認め
られなかつた。これに対し保護層中に電子受容性
物質である２，４，７−トリニトロフルオレノン
を含まない同様の感光体では5000回の帯電、露
光、現像の繰り返しにより帯電電位のサイクル低
下は200Vを示し、画像上においてはネガゴース
ト像が観察された。
実施例 ２
ポリエステルフイルム上にアルミニウムを蒸着
した支持体上にシアニン顔料（日本感光色素製、
NK−103）をジクロロメタン中に分散させた分
散液を塗布し、厚さ1μの電荷発生層を得た。
した支持体上にシアニン顔料（日本感光色素製、
NK−103）をジクロロメタン中に分散させた分
散液を塗布し、厚さ1μの電荷発生層を得た。
さらに、この上に１−フエニル−３−（Ｎ，Ｎ
−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｎ，Ｎ−ジエ
チルアミノフエニル）−ピラゾリン２部、ポリカ
ーボネート樹脂３倍をジクロロメタンに溶解させ
た溶液を塗布して、厚さ20μの電荷輸送層を得
た。
−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｎ，Ｎ−ジエ
チルアミノフエニル）−ピラゾリン２部、ポリカ
ーボネート樹脂３倍をジクロロメタンに溶解させ
た溶液を塗布して、厚さ20μの電荷輸送層を得
た。
さらに、この上に粒径0.1μ以下の酸化スズ35重
量部をポリウレタン樹脂（関西ペイント、レタン
4000）に分散させた後、さらに電子受容性物質で
ある２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン
３重量部を加えデイツピングにより乾燥後の膜厚
が2μとなるように保護層を塗布した。
量部をポリウレタン樹脂（関西ペイント、レタン
4000）に分散させた後、さらに電子受容性物質で
ある２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン
３重量部を加えデイツピングにより乾燥後の膜厚
が2μとなるように保護層を塗布した。
このようにして得られた保護層を有する電子写
真用感光体を通常の電子写真方式により帯電、露
光、現像を5000回繰り返したところ帯電電位のサ
イクル低下は40Vであり画像上も何等劣化は認め
られなかつた。これに対し保護層中に電子受容性
物質である２，４，５，７−テトラニトロフルオ
レノンを含まない同様の感光体では5000回の帯
電、露光、現像の繰り返しにより帯電電位のサイ
クル低下は230Vを示し、画像上においてはネガ
ゴースト像が観察された。
真用感光体を通常の電子写真方式により帯電、露
光、現像を5000回繰り返したところ帯電電位のサ
イクル低下は40Vであり画像上も何等劣化は認め
られなかつた。これに対し保護層中に電子受容性
物質である２，４，５，７−テトラニトロフルオ
レノンを含まない同様の感光体では5000回の帯
電、露光、現像の繰り返しにより帯電電位のサイ
クル低下は230Vを示し、画像上においてはネガ
ゴースト像が観察された。
Claims (1)
- １ 導電性基板上に、有機光導電性層および保護
層をこの順序で積層した電子写真用感光体におい
て、該有機光導電性層中に電子供与性物質を含
み、かつ前記保護層は、電気抵抗調節剤と電子受
容性物質とを含み、その電気抵抗を108〜1014Ω
cmとしたことを特徴とする負帯電用電子写真用感
光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11220683A JPS603641A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11220683A JPS603641A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603641A JPS603641A (ja) | 1985-01-10 |
| JPH027056B2 true JPH027056B2 (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=14580905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11220683A Granted JPS603641A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603641A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4886483B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2012-02-29 | 株式会社リコー | 静電潜像担持体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び画像形成方法 |
| JP6024554B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2016-11-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS533338A (en) * | 1976-06-30 | 1978-01-13 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic photoimaging element |
| JPS56128950A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-08 | Ricoh Co Ltd | Lamination type electrophotographic receptor |
| JPS57128344A (en) * | 1981-02-03 | 1982-08-09 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5730846A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-19 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS57154251A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-24 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP11220683A patent/JPS603641A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS603641A (ja) | 1985-01-10 |
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