JPH027224A - 磁気記録媒体ならびにその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野」 本発明は１例えばハード磁気デ・ｒスフなどの磁気記録
媒体ならびにその１０造方イムに係り、特に磁性層なら
びにその下方に形成される下地層に関するものである。

し従来の技術〕 近年、ハート磁気ディスク装置を用いた小型計算機が普
及するとともに、高記録密度化の要求が高まっている。

そして磁気ディスクは、従来の塗布法による厚膜型デ、
ｒスクがらメツキ法、スパッタリング法、真空蒸着法な
どによる薄膜型デーｒスクに開発の重点が移行されつつ
ある。特にスパッタリング法や真空蒸着法などによれば
、下地層がら保護層までの連続形成が可能であるなどの
利点１有している。

一般に、ティスフ状基体上に面内磁化膜が形成された磁
気記録媒体は、磁性層の磁気異方性をデ、ｒスフの円周
方向に配向することにより、優れた電磁変換特性が得Ｉ
′Ｊれるとさ九ていた。

【発明が解決しようとする課題〕

このため塗布法によって磁性層を形成する塗布型デーｒ
スクでは、磁性層を形成する際に磁界を印加して、磁性
層の磁気異方性を円周方向に配向することができる。シ
、かし７．高密度記録に適した磁気記録媒体を得る方法
として注目されている前述の真空蒸着法やスパッタリン
グ法などでは、前述の磁界印加法を用いることができす
、そのために十分なａ％特性が１）られない。

また、磁性層の磁気異方性を円周方向に配向した磁気記
録媒体を記録再生装置に装着して記録、再生を行なうと
、磁気記録媒体の磁気ヘットの走行方向における保磁力
が高いことなどから、高出力が得らＪＬる反面、記録再
生時のノイズがまだ高いという欠点を有しでいる。

本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消して
、磁気特性に優れた磁気記録媒体ならびにその製造方法
を提供するにある。

さらに本発明の目的は、任意の磁気特性が得られる磁気
記録媒体の製造方法を提供するにある。

１課題を解決するための手段〕 本発明は、前述の目的を達成するため、ディスク状基体
の上方に磁性層が形成された磁気記録媒体にむいて、前
記磁性層の磁気異方性がデ・イスク状基体の半径方向に
優先配向されていることを特徴とするものである。

さらに本発明は、前述の目的を達成するため。

ディスク状基体の上方に下地層ならびに磁性層が形成さ
Ｊした磁気記録媒体の製造方法にむいて、少なくとも下
地層を形成する際に前記基体に所定の電位を印加したこ
とを特徴とするものである。

さらに本発明は、前述の目的を達成するため。

ディスク状基体の上方に磁性層が直接もしくは下地層を
介して形成される磁気記録媒体の製造方法にむいて、前
記磁性層および下地層の少なくとも一方の形成時に基体
電位をプラス電位として成膜することｋ１４ｒ！１１と
するものである。

さらに本発明は、前述の目的を達成するため。

テ・Ｃスフ状基体の上方に磁性層が直接もしくは下地層
を介して形成される磁気記録媒体の製造力ｆムにむいて
、前記磁性層および下地層の少なくとも−・方の形成時
に基体電位をマ、ｒナス電位として成膜したことを特徴
とするものである９ 〔発明の実施例〕 次に本発明の実施例を図面とともに説明する。

第１図は本発明の実施例に係るバー１〜磁気デイスクの
拡大断面図−第２図は本発明で使用される高周波マグネ
１−ロンスパッタリング装置の概略構成図、第３図なら
びに第４図はＣｒ層における反射電子線回折像の電゛Ｊ
萌１＃鏡写真、第５図はｂｅｃ構造を有するＣｒの結晶
模式図、第６図ならびに第７図は半径方向に磁気異方性
を有するＣ　ｏ　−Ｎｉ層における反射電子線回折像の
電子Ｍ微鏡写真、第８図はｈｃｐ構造を：ｇするＣｏの
結晶模式図、第９図ならびに第１０図は円周方向に磁気
異方性こ有するＣｒ′Ｆ地層ならびにＣｏ−Ｎｉ磁性層
における反射電子線回折像の電子′ｄＡ倣鏡耳鏡写真る
。

この実施例に係るハート磁気ディスクは第１図に示すよ
うに、ディスク状基体１上にＮｉ　−Ｐ合金メツキ層２
、下地層３、磁性層４ならびに保護層５が順次形成され
たものである。

前記基体ｌとしては、例えばアルミニウム、ガラス、セ
ラミック、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリ
イミド、ポリエステルなどのプラスチック、または、そ
れらプラスチック基体中に炭素繊維、セラミック繊維、
銅などの無機物を適量混入した複合材料などが用いられ
る。

前記下地層３としては、Ｃｒ単体、Ｃｒ−Ｇ。

合金、Ｃｒ−Ｖ合金！　Ｃｒ　　Ｆ　ｅ合金、Ｃｒ−Ｍ
ｏ合金、Ｃｒ−Ｎｂ合金＋Ｃｒ−Ｚｒ合金。

Ｃｒ　−Ｔ　ａ合金、Ｃｒ−Ｗ合金、Ｃｒ−０合金など
のＣｒを主成分とする金属が用いられる。下地層３の厚
さは、約３０〜３００ｎｍが適当である。

前記磁性ＭＩ４としては、Ｃｏを主成分とする強磁性体
が用いられ、具体的にはＣｏ単体、あるいはＣｏ−Ｎｉ
合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｐ合金
、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金などのＣｏ合金が用いられる。前
記Ｃｏ−Ｎｉ合金ならびにＣｏ−Ｎｉ−Ｐ合金の場合は
、Ｎｉの含有率は約４０重量％以下が望ましい。またＣ
ｏ−Ｃｒ合金＋　Ｃｏ　　Ｆ　ｅ合金ならびにＣｏ−Ｐ
合金などの場合は、Ｃｒ、ＦｅならびなＰの含有率は約
３０重量％以下が望ましい、この磁性層４の厚さは、約
２０へ２００ｎｍが適当である。

前記保護層５しとては、例えば脂肪酸系化合物。

フッ素系化合物、シリコン系化物などの有機化合物、あ
るいは炭素、ケイ素、ホウ素などを主成分とする化合物
が適宜使用される。この保護層５の厚さは、約５〜５０
ｎｍが適当である。

前述の下地層３ならびに磁性層４は、例えば真空蒸着法
、スパッタリング法、イオンビームデポジション法、イ
オンプレーテング法などの薄膜形成技術によって形成さ
れる。

次に本発明の実施例で用いられる高周波（ＲＦ）マグネ
トロンスパッタリング装置の概略構成について、第２図
を用いて説明する。

図中の６はＤＣバイアス電源、７はＲＦバイアス電源、
８はマツチングボックス、９は基体加熱ヒーター電源、
１０は冷却水管、１１は真空槽、１２は印加電極、１３
はシャッター、１４はターゲット、１５はマクネトＯン
コーｒル、１６はガス導入管、１７は排気管、１８は冷
却水管、１９はマツチングボックス、２０は電磁石電源
、２１はＲＦｔｔ！源である。

この高周波スパッタリング装置にむいて、印加電極１２
はアースがら電気的に絶縁されており、ＤＣバイアスあ
るいはＲＦバーｒアスを選択的に印加することができる
ようになっている。また、印加ｍｔｒ！１２とターゲッ
ト１４との間隔が調整可能になっており、ターゲット１
４には高周波（ＲＦ）電源２１が接続されている。さら
に、各マクネ１へロンコイル１５に流す電流値を変えて
磁場に強弱をつけることにより、エロージョン領域を拡
げてターゲット１４の使用効率を高めている。

この装置を用いたマグネトロン・スパッタリング法では
、磁界を印加することによりグロー放電領域のプラズマ
密度を高め、膜形成速度が速くできるという特長を有し
ている６ 次に具体的な実施例について説明する。

（実施例１） ９５ｍｍ　（３，５インチ）径のアルミニウム製（Ａ　
Ｑ　−４重量％Ｍｇ合金）ディスク状基体ｌの両面にＮ
ｉ−１５原了・％Ｐ合金からなるメツキ層２を形成する
。そのメツキ層２を鏡面加工した後に、２００番の粗さ
を有する研磨テープをデーＣスフ状基体ｌに押し当てな
がら回転させ、研磨粒子による同心円状の擦傷痕を基体
表面に形成し、半径方向の表面粗さが０．００７μｍ　
Ｒａの同心円状テクスチャリング溝を形成する。このチ
ーｒスク状基体ｌを、前記高周波マダイ・トロンスパッ
タリンク装置の引加電極１２にセットする。

次に真空槽ｌｌ内を６．７ＸｌＯ−’パスカル（５Ｘ１
０−’　　トール）に減圧して、基体ｌの表面温度が２
５０℃になるように加熱保持し、次の表１に示す電位を
基体１に印加しながら、１．３パスカル（ＩＸＩＯ−ト
ール）雰囲気下で、Ｃｒからなる厚さ１５０ｎｍの下地
層３ならびにＧ　ｏ　　２０　！ｌ！量％Ｎｉ合金の強
磁性金属からなる厚さ５０ｎｍの磁性層４？ｉニスバツ
クリング法によって順次形成する。

表　　２ 表　　１ 各サンプルについて、磁気異方性トルク測定器（束英工
業社製　Ｔ　ＲＴ　−２型）を用いてトルク劇定を行な
い、異方性定数にυ、その磁気異方性の方向ならびに電
磁変換特性評価装置を用いてＳ／Ｎの値を求め、それら
の値を次の表２にまとめた。

なおこの表の磁気異方性方向の欄にむいて、半径方向と
はデ（ス９　（’）半径方向、すなわちテクスチャリン
グ溝とＩＮ′Ｉ２する方向を２円周方向とはチー（スフ
の円周方向、すなわちテクスチャリング溝と同一の方向
を意味している。

次に、ディスクの半径方向ならびに円周方向に生じた磁
気異方性と結晶構造との関係について第３図ないし第１
０図を用いて詳細に説明する。

第３図ならびに第４図はサンプルＮｏ１．２のように磁
気異方性がディスクの半径ブｊ向に生じたサンプルにお
けるＣ　１−”７−地層の反射電子線回折像を示す電子
顕微鎧与真で、第３図は電子線を円周方向から入射した
場合の写真、第４図は電子線を円周方向から入射した場
合の写真である６なお、この結晶構造解析には、透過型
電子顕微鏡〔（株）日立製作所社製　Ｈ７００Ｈ型」を
使用した。また第５図に、（１１０１面および（３１０
）面の方位関係を表してたｂｃｃ　　Ｃｒの結晶模式図
を示す。

第３図ならびに第４図の回折像は明らかに、Ｃｒ下地層
がｂｃｃ構造であることを示しており、円周方向から電
子線を入射した場合（第３図）には、（１１０）面の他
に（３１０）面の回折線が認められるが、半径方向から
電子線を入射した場合（第４図参照）は、（３１０）面
の回折が認められない。第５図に示すｂｂｃ　　Ｃｒ結
晶模式図を見て明らかなように１円周方向では＋１１０
）面ならびに（３１０）面が共にブラック条件を満すた
め両方の面が回折されるが、半径方向では（３１０）面
の回折は起こらない。これらのことから、第３図ならび
に第４図に示す回折像はＣｒのｂｃｃ構造であり、（１
１０）面の長軸方向が半径方向に優先配向しでおり、そ
の（１１０）面が基体面と平行に優先配向していること
が分かる。

第６図ならびに第７図は、前記サンプルＮαｌ。

２のように磁気異方性が半径方向に生じたサンプルにお
けるＣｃ−Ｎｉｍ性層の反射電子線回折像を示す電Ｔ−
顕微鏡写真で、第６図は電子ａｔ円周方向から入射した
回折像を、第７図はｔ了−線を半径方向から入射して回
折像を、ぞれＣれ示している。

第６図ならびに第７図の回折像は、Ｃｏ−Ｎｉ磁性層が
ｈｃｐ構造であり、ｆｅｅ構造に帰属する回折像がＬ３
めら九ないことを示している。また。

Ｃｏ−Ｎｉの（１０］　０）面が基体面と平行に優先配
向しており、さらに第６図と第第図とを比較すると、半
径方向入射の場合では０００７面の他に（１ｘ′Ｘｏ）
而の回折像が超められていることが分かる。

第８図はｈｃｐ　　Ｃｏの結晶模式図を示す図であり、
この図から明らかなように、電子線を半径方向から入射
した場合（ｌＯ了０）面と（１１丁０）面の回折か共に
起こることから、ｈｃｐＣｏ−ＮｉのＣ軸が半径方向（
−優先して配向していることが分かる。

これらの結果から、磁気異方性かディスクの半径方向に
生じたＣｏ−Ｎｉｍ性１Ｍ／　Ｃｒ下地層では、Ｃｒ下
地層（１１０）面上にＣｏ−Ｎｉｉ性層（１０丁０）面
がエピタキシャル成長し、その結晶磁気異方性軸である
Ｃ軸が半径方向に優先配向していることが明らかである
。

第９図は前記サンプルＮα４のように、６ｊ＆気異方性
がディスクの周方向に配向されたサンプルにおけるＣｒ
下地層の反射重子・線回折像を示す塩７−ｗ１微鏡写真
である。

同図に示すように、磁気異方性が円周方向に配向される
と、前述のサンプルＮＱ　］　４２のように半径方向に
磁気異方性が配向されている場合と異なり、Ｃｒ下地層
は（２００）面が基体面と平行に優先配向されている。

第１Ｏ図は、前記サンプルＮｏ　４のように磁気異方性
が周方向に配向されたＣｏ−Ｎｉ磁性層の反射電子回折
像である。

同図に示すように、磁気異方性が円周方向に配向されて
いると、前述のサンプルＮｏ１．２のよっに半径方向に
磁気異方性が配向された場合と異なり、Ｃｏ−Ｎｉ磁性
層は（ｚ、”Ｎｏ）面が基体面と平行に優先配向されて
いる。

（実施例２） 次に印加電圧を表３に示すように種＋変更した場合の磁
気特性、磁気異方性定数（Ｋｕｌならびに磁気異方性の
方向を測定して表４に示す。

表　　３ 表４ これらの各表から明らかなように、基体への印加電圧を
（−）　ａＳ位にすることによって、磁気異方性をディ
スクの半径方向に向けることができ、一方、基体への印
加電位を（＋）電位にすることによって、磁気異方性を
ディスクの周方向に向けることができる。すなわち、基
体への印加電圧の極性を選択することにより磁気異方性
の方向を任意に特定することができ、チー（スフにおけ
る磁気異方性の制御が可能となる。

なお、この実施例では基体上に下地層を介して磁性層を
形成したが、基体」二に直接磁性層を形成する磁気記録
媒体においても同様に磁気異方性の制御が可能である。

前記実施例では基体上に同心円状のテクスチャリング溝
を形成した場合について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、テクスチャリング溝を設けない
磁気記録媒体についても適用可能である。

また前記実施例では、下地層ならびに磁性層を形成する
方法として高周波マク不［・ロンスフ（ツタリング法を
用いたが、本発明はこれに限定さ扛るものではなく、真
空蒸着法など他のＷｉ膜形成技術を用いた形成すること
もできる。

〔発明の効果〕

本発明は前述のように、基体上に磁性層が直接または下
地層を介して形成される磁気記録媒体にむいて、下地層
または（ならびに）Ｂ＆磁性層形成する際、前記基体に
強制的に電位を印加することにより、磁性層または（な
らびに）下地層の磁気異方性を一定の方向に規制するこ
とができ、品質の安定化が図れる。

また、前述の印加電位をプラス電位またはマイナス電位
のいずれかに選択することにより、磁気異方性の方向を
半径方向または円周方向に任意に制御することが可能で
、磁気特性のコントロールができる。

さらに特に、磁気異方性の方向を半径方向に規制するこ
とにより、Ｓ／Ｎ値が低くて磁気特性の優れた磁気記録
媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の実施例に係る磁気記録媒体の拡大断面
図、第２図はその磁気記録媒体の成膜に用いられる高周
波マグネト・ロンスパッタリング装置の概略図、第３図
ならびに第４図は磁気異方性が半径方向に配向されたＣ
ｒ下地層の反射電子線回折像を示す電子顕微鏡写真、第
５図はｂｃｃ構造を有するＣｒの結晶模式図、第６図な
らびに第７図は磁気異方性が半径方向に配向されたＣｏ
　−Ｎｉ磁性層の反射電子線回折像を示す電子顕微鏡写
真、第８図はｈｃｐ構造を有するＣｏの結晶模式図、第
９図は磁気異方性が円周方向に配向されたＣｒ下地層の
反射電子線回折像を示す１ａ子顕微鏡写真、第１０図は
磁気異方性が円周方向に配向されたＣｏ−Ｎｉ磁性層の
反射電子線回折像を示す電子顕微鏡写真である。 ■・・・・・ディスク状基体。 ２・・・・・・Ｎｉ−Ｐ合金メツキ層、３・・・・・・
下地層、　　　４・・・・・磁性層。 ６・・・・・・ＤＣバイアス電源。 ７・・・・・・ＲＦバイアス電源、 １１・・・・・・真空槽、　　１２・・・・・・印加電
極、１４・・・・・・ターゲット。 １５・・・・・・マグネトロンコイル。 第１図 手続術〇正書（自発） 昭和６３年ｌＯ月１３日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）ディスク状基体の上方に磁性層が形成された磁気
   記録媒体において、前記磁性層の磁気異方性がディスク
   状基体の半径方向に優先配向されていることを特徴とす
   る磁気記録媒体。 （２）請求項（１）記載において、前記磁性層が強磁性
   金属で構成されていることを特徴とする磁気記録媒体。 （３）請求項（２）記載において、前記強磁性金属が、
   Ｃｏ、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｐ合金
   、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金のグループから選択されたコバル
   トを主成分とする強磁性金属で構成されていることを特
   徴とする磁気記録媒体。 （４）ディスク状基体の上方に磁性層が形成された磁気
   記録媒体において、前記磁性層がＣｏを主成分とする合
   金からなり、その合金がｈｃｐ構造を有し、かつその合
   金の（１０＠１＠０）面が基体面と平行に優先配向され
   ていることを特徴とする磁気記録媒体。 （５）請求項（１）記載において、前記基体がアルミニ
   ウムからなり、その基体の磁性層が形成される側の表面
   にＮｉ−Ｐ合金層が形成されていることを特徴とする磁
   気記録媒体。 （６）請求項（５）記載において、前記合金層に同心円
   状のテクスチャリング溝が形成されていることを特徴と
   する磁気記録媒体。 （７）請求項（１）記載において、前記基体と磁性層と
   の間に下地層が設けられていることを特徴とする磁気記
   録媒体。 （８）請求項（７）記載にむいて、前記下地層がＣｒ、
   Ｃｒ−Ｃｏ合金、Ｃｒ−Ｖ合金、Ｃｒ−Ｆｅ合金、Ｃｒ
   −Ｍｏ合金、Ｃｒ−Ｎｂ合金、Ｃｒ−Ｚｒ合金、Ｃｒ−
   Ｔａ合金、Ｃｒ−Ｗ合金、Ｃｒ−Ｏ合金のグループから
   選択されたクロムを主成分とする金属から構成されてい
   ることを特徴とする磁気記録媒体。 （９）請求項（７）記載にむいて、前記下地層ならびに
   磁性層の磁気異方性がともにディスク状基体の半径方向
   に優先配向されていることを特徴とする磁気記録媒体。 （１０）請求項（４）記載にむいて、前記下地層がｂｃ
   ｃ構造を有するＣｒを主成分とする合金からなり、かつ
   そのＣｒの（１１０）面が基体面と平行に優先配向され
   、前記磁性層がＣｏを主成分としｈｃｐ構造を有する合
   金からなり、その合金の（１０１０）面が基体面と平行
   に優先配向され、前記Ｃｒ（１１０）面上にＣｏ（１０
   ＠１＠０）面が成長していることを特徴とする磁気記録
   媒体。 （１１）デスイク状基体の上方に下地層ならびに磁性層
   が形成される磁気記録媒体の製造方法にむいて、少なく
   とも下地層を形成する際に、前記基体に所定の電位を印
   加したことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （１２）請求項（１１）記載において、前記下地層が高
   周波マグネトロンスパッタリング法によつて形成される
   ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （１３）請求項（１１）記載にむいて、前記下地層なら
   びに磁性層がともに高周波マグネトロンスパッタリング
   法によつて形成されることを特徴とする磁気記録媒体の
   製造方法。（１４）請求項（１１）記載にむいて、前記
   磁性層の磁気異方性がデイスク状基体の半径方向に優先
   配向されていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方
   法。 （１５）請求項（１１）記載において、前記磁性層が強
   磁性金属で構成されていることを特徴とする磁気記録媒
   体の製造方法。 （１６）請求項（１５）記載において、前記強磁性金属
   が、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｐ
   合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金のグループから選択された強
   磁性金属で構成されていることを特徴とする磁気記録媒
   体の製造方法。 （１７）ディスク状基体の上方に磁性層が形成された磁
   気記録媒体にむいて、前記磁性層がＣｏを主成分とする
   合金からなり、その合金がｈｃｐ構造を有し、かつその
   合金の（１０＠１＠０）面が基体面と平行に優先配向し
   ていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （１８）請求項（１１）記載において、前記基体がアル
   ミニウムからなり、その基体の磁性層が形成される側の
   表面にＮｉ−Ｐ合金層が形成されていることを特徴とす
   る磁気記録媒体の製造方法。 （１９）請求項（１８）記載において、前記合金層にテ
   クスチャリング溝が形成されていることを特徴とする磁
   気記録媒体の製造方法。 （２０）請求項（１１）記載において、前記下地層がＣ
   ｒ、Ｃｒ−Ｃｏ合金、Ｃｒ−Ｖ合金、Ｃｒ−Ｆｅ合金、
   Ｃｒ−Ｍｏ合金、Ｃｒ−Ｎｂ合金、Ｃｒ−Ｚｒ合金、Ｃ
   ｒ−Ｔａ合金、Ｃｒ−Ｗ合金、Ｃｒ−Ｏ合金のグループ
   から選択されたＣｒを主成分とする金属から構成されて
   いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （２１）請求項（１１）記載において、前記下地層の磁
   気異方性がディスク状基体の半径方向に優先配向されて
   いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （２２）請求項（１１）記載において、前記下地層なら
   びに磁性層の磁気異方性がともにディスク状基体の半径
   方向に優先配向されていることを特徴とする磁気記録媒
   体の製造方法。 （２３）請求項（１７）記載において、前記下地層がｂ
   ｃｃ構造を有するＣｒを主成分とする合金からなり、か
   つそのＣｒの（１１０）面が基体面と平行に優先配向さ
   れ、前記磁性層がＣｏを主成分としｈｃｐ構造を有する
   合金からなり、かつその合金の（１０＠１＠０）面が基
   体面と平行に優先配向され、前記Ｃｒ（１１０）面上に
   Ｃｏ（１０＠１＠０）面が成長していることを特徴とす
   る磁気記録媒体の製造方法。 （２４）ディスク状基体の上方に磁性層が直接もしくは
   下地層を介して形成される磁気記録媒体の製造方法にお
   いて、前記磁性層および下地層の少なくとも一方の形成
   時に基体電位をプラス電位にして成膜することを特徴と
   する磁気記録媒体の製造方法。 （２５）請求項（２４）記載において、前記磁性層およ
   び下地層の少なくとも一方が高周波マグネトロンスパッ
   タリング法によつて形成されることを特徴とする磁気記
   録媒体の製造方法。 （２６）請求項（２４）記載において、前記磁性層が強
   磁性金属で構成されていることを特徴とする磁気記録媒
   体の製造方法。 （２７）請求項（２６）記載において、前記強磁性金属
   が、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｐ
   合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金のグループから選択された強
   磁性金属で構成されていることを特徴とする磁気記録媒
   体の製造方法。 （２８）デイスク状基体の上方に磁性層が形成された磁
   気記録媒体において、前記磁性層がＣｏを主成分とする
   合金からなり、その合金の（１１＠２＠０）面が基体と
   平行に優先配向されていることを特徴とする磁気記録媒
   体の製造方法。 （２９）請求項（２４）記載において、前記基体がアル
   ミニウムからなり、その基体の磁性層が形成される側の
   表面にＮｉ−Ｐ合金層が形成されていることを特徴とす
   る磁気記録媒体の製造方法。 （３０）請求項（２９）記載において、前記合金層にテ
   クスチャリング溝が形成されていることを特徴とする磁
   気記録媒体の製造方法。 （３１）請求項（２４）記載において、前記下地層が、
   Ｃｒ、Ｃｒ−Ｃｏ合金、Ｃｒ−Ｖ合金、Ｃｒ−Ｆｅ合金
   、Ｃｒ−Ｍｏ合金、Ｃｒ−Ｎｂ合金、Ｃｒ−Ｚｒ合金、
   Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｒ−Ｗ合金、Ｃｒ−Ｏ合金のグルー
   プから選択されたＣｒを主成分とする金属から構成され
   ていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （３２）請求項（２４）記載において、前記下地層がＣ
   ｒを主成分とする合金からなり、そのＣｒの（２００）
   面が基体面と平行に優先配向され、前記磁性層がＣｏを
   主成分とする合金からなり、そのＣｏ合金の（１１＠２
   ＠０）面が基体面と平行に優先配向されていることを特
   徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （３３）ディスク状基体の上方に磁性層が直接もしくは
   下地層を介して形成される磁気記録媒体の製造方法にお
   いて、前記磁性層および下地層の少なくとも一方の形成
   時に基体電位をマイナス電位にして成膜することを特徴
   とする磁気記録媒体の製造方法。 （３４）請求項（３３）記載において、前記磁性層およ
   び下地層の少なくとも一方が高周波マグネトロンスパッ
   タリング法によつて形成されることを特徴とする磁気記
   録媒体の製造方法。 （３５）請求項（３３）記載において、前記磁性層が強
   磁性金属で構成されていることを特徴とする磁気記録媒
   体の製造方法。 （３６）請求項（３３）記載において、前記強磁性金属
   が、Ｃｏ、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｐ
   合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金のグループから選択された強
   磁性金属で構成されていることを特徴とする磁気記録媒
   体の製造方法。 （３７）請求項（３３）記載において、前記磁性層がＣ
   ｏを主成分とするＣｏ−Ｎｉ合金からなり、そのＣｏ−
   Ｎｉ合金の（１０＠１＠０）面が基体と平行に優先配向
   されていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （３８）請求項（３３）記載において、前記基体がアル
   ミニウムからなり、その基体の磁性層が形成される側の
   表面にＮｉ−Ｐ合金層が形成されていることを特徴とす
   る磁気記録媒体の製造方法。 （３９）請求項（３８）記載において、前記合金層にテ
   クスチャリング溝が形成されていることを特徴とする磁
   気記録媒体の製造方法。 （４０）請求項（３３）記載において、前記下地層が、
   Ｃｒ、Ｃｒ−Ｃｏ合金、Ｃｒ−Ｖ合金、Ｃｒ−Ｆｅ合金
   、Ｃｒ−Ｍｏ合金、Ｃｒ−Ｎｂ合金、Ｃｒ−Ｚｒ合金、
   Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｒ−Ｗ合金、Ｃｒ−Ｏ合金のグルー
   プから選択されたＣｒを主成分とする金属から構成され
   ていることを特徴とする磁気媒体の製造方法。 （４１）請求項（３３）記載において、前記下地層がＣ
   ｒからなり、そのＣｒの（１１０）面が基体面と平行に
   優先配向され、前記磁性層がＣｏを主成分とするＣｏ−
   Ｎｉ合金からなり、そのＣｏ−Ｎｉ合金の（１０＠１＠
   ０）面が基体面と平行に優先配向されていることを特徴
   とする磁気記録媒体の製造方法。