JPH0272631A - イメージセンサ - Google Patents
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- JPH0272631A JPH0272631A JP63223563A JP22356388A JPH0272631A JP H0272631 A JPH0272631 A JP H0272631A JP 63223563 A JP63223563 A JP 63223563A JP 22356388 A JP22356388 A JP 22356388A JP H0272631 A JPH0272631 A JP H0272631A
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、イメージセンサ、サーマルヘッドＴＰＴ等の
電子デバイスの配線構造に関し、特に配線の材質に関す
る。
電子デバイスの配線構造に関し、特に配線の材質に関す
る。
（従来の技術）
電子デバイスにおいては、それぞれの機能を発揮させる
ための配線が形成されている。例えはイメージセンサは
、絶縁基板上に形成しなセンサ部と、このセンサ部の駆
動を行なうＩＣチップと、このＩＣチップに制御信号等
の供給を行なう外部接続用配線とによって構成される。
ための配線が形成されている。例えはイメージセンサは
、絶縁基板上に形成しなセンサ部と、このセンサ部の駆
動を行なうＩＣチップと、このＩＣチップに制御信号等
の供給を行なう外部接続用配線とによって構成される。
すなわち、第２図に平面図、第１図に第２図のＩ−Ｉ′
線断面図で示すように、絶縁基板１上にＣｒの着膜及び
フォトリソエツチングプロセスによりクロムパターンか
ら成る複数の個別電極２を形成し、これらを覆うように
アモルファスシリコン層パターンから成る光電変換層３
を形成し、この光電変換層３上に酸化インジウム・スズ
（ＩＴＯ）層パターンから成る透明電極４を形成して複
数のサンドイッチ構造のセンサ部を構成する。このセン
サ部を覆うように、ポリイミドから成る層間膜５を形成
し、層間膜５の透明電極４の位置にスリットを設けてセ
ンサエリアを規定する遮光膜６を形成し、更にその上に
ポリイミドから成る保護層７を形成する。
線断面図で示すように、絶縁基板１上にＣｒの着膜及び
フォトリソエツチングプロセスによりクロムパターンか
ら成る複数の個別電極２を形成し、これらを覆うように
アモルファスシリコン層パターンから成る光電変換層３
を形成し、この光電変換層３上に酸化インジウム・スズ
（ＩＴＯ）層パターンから成る透明電極４を形成して複
数のサンドイッチ構造のセンサ部を構成する。このセン
サ部を覆うように、ポリイミドから成る層間膜５を形成
し、層間膜５の透明電極４の位置にスリットを設けてセ
ンサエリアを規定する遮光膜６を形成し、更にその上に
ポリイミドから成る保護層７を形成する。
個別電極２は、方形状の画素２ａとそれに連設する引き
出し電極２ｂから成る。また遮光膜６は、引き出し電極
２ｂと透明電極４との重なり合う部分に光が入射してこ
の部分がセンサとしての感度をもってしまうのを防ぎ、
且つアモルファスシリコンに光か入射して導電率が増加
しＭＦＴが低下するのを防ぐために設けられる。
出し電極２ｂから成る。また遮光膜６は、引き出し電極
２ｂと透明電極４との重なり合う部分に光が入射してこ
の部分がセンサとしての感度をもってしまうのを防ぎ、
且つアモルファスシリコンに光か入射して導電率が増加
しＭＦＴが低下するのを防ぐために設けられる。
絶縁基板１上にセンサ部を形成した後、絶縁基板１上に
複数個のＩＣチップ８を実装し、ＩＣチップ８のパッド
と引き出し電極２ｂの端部、ＩＣチップ８のパッドと外
部接続用配線９とをそれぞれホンディングワイヤ１０．
１０で接続していた。
複数個のＩＣチップ８を実装し、ＩＣチップ８のパッド
と引き出し電極２ｂの端部、ＩＣチップ８のパッドと外
部接続用配線９とをそれぞれホンディングワイヤ１０．
１０で接続していた。
そして、ＩＣチップ８及びホンディングワイヤ１０を湿
気等から保護するため、ＩＣチップ８及びこのＩＣのホ
ンディングエリア上にシリコン樹脂１１を帯状に塗布す
る。
気等から保護するため、ＩＣチップ８及びこのＩＣのホ
ンディングエリア上にシリコン樹脂１１を帯状に塗布す
る。
前記透明電極４は、ＩＣチップ８毎に引き出し部４ａを
有し、層間膜５に穿孔したスルーホール５ａを介して前
記引き出し部４ａと遮光膜６とが接続されている。従っ
て、遮光膜６は透明電極４の電圧降下を防ぐ補強電極と
しての配線の役目も有している。
有し、層間膜５に穿孔したスルーホール５ａを介して前
記引き出し部４ａと遮光膜６とが接続されている。従っ
て、遮光膜６は透明電極４の電圧降下を防ぐ補強電極と
しての配線の役目も有している。
（発明か解決しようとする課題）
上述した従来例では、遮光膜６の材料として純アルミニ
ウムを用いていた。しかしながら、遮光膜６に純アルミ
ニウムを用いると、信頼性試験としてプレッシャフッカ
テスト（Ｐ、Ｃ，Ｔ、１２１°Ｃ，２気圧、湿度１００
％ＲＨ）を行なうと、テスト開始から２０時間程で遮光
膜６内に腐食か生じ、遮光機能か働かなくなりセンサ部
の感度を低下させなり、また断線が生じることにより配
線機能に支障を与えるという問題点があった。これは、
ポリイミドで形成された保護層７から遮光膜６内に水分
か侵入することに起因していると考えられる。
ウムを用いていた。しかしながら、遮光膜６に純アルミ
ニウムを用いると、信頼性試験としてプレッシャフッカ
テスト（Ｐ、Ｃ，Ｔ、１２１°Ｃ，２気圧、湿度１００
％ＲＨ）を行なうと、テスト開始から２０時間程で遮光
膜６内に腐食か生じ、遮光機能か働かなくなりセンサ部
の感度を低下させなり、また断線が生じることにより配
線機能に支障を与えるという問題点があった。これは、
ポリイミドで形成された保護層７から遮光膜６内に水分
か侵入することに起因していると考えられる。
本発明は上記実情に鑑みてなされたものて、電子デバイ
スにおける配線やイメージセンサにおける配線を兼用す
る遮光膜の耐食性を向上させ、高信頼性を有する配線構
造を提供することを目的とする。
スにおける配線やイメージセンサにおける配線を兼用す
る遮光膜の耐食性を向上させ、高信頼性を有する配線構
造を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解消するため請求項１記載の発明
は、金属配線上に保護層を設けた電子デバイスにおいて
、前記配線はアルミニウムを主成分とし、不純物を添加
することにより耐食性を向上させたことを特徴としてい
る。
は、金属配線上に保護層を設けた電子デバイスにおいて
、前記配線はアルミニウムを主成分とし、不純物を添加
することにより耐食性を向上させたことを特徴としてい
る。
また請求項２記載の発明は、透明電極の補強電極として
機能する遮光膜を有するイメージセンサにおいて、この
遮光膜はアルミニウムを主成分とし、不純物を添加する
ことにより耐食性を向上させたことを特徴としている。
機能する遮光膜を有するイメージセンサにおいて、この
遮光膜はアルミニウムを主成分とし、不純物を添加する
ことにより耐食性を向上させたことを特徴としている。
添加する不純物は、ｆｌ（Ｃｕ）、シリコン（Ｓｉ）、
クロム（Ｃｒ）の内の一種類であり、また二種類以上の
不純物（例えばＣｕとＳｉ）を混入してもよい。
クロム（Ｃｒ）の内の一種類であり、また二種類以上の
不純物（例えばＣｕとＳｉ）を混入してもよい。
配線や遮光膜の着膜にはスパッタリング法、蒸着法等が
あるが、着膜するＡｌ−Ｃｕの組成比を一定に保つ必要
上、スパッタリング法か適している。
あるが、着膜するＡｌ−Ｃｕの組成比を一定に保つ必要
上、スパッタリング法か適している。
（作用）
本発明によれは、アルミニウムに銅等の不純物を添加す
ることにより、配線や遮光膜を構成する粒径を純アルミ
ニウムに比較して微結晶にしている。粒径が微結晶にな
ると、結晶界面か密になりＣＩ−等の腐食に寄与するイ
オンの進入を防ぐことができる。また、結晶の欠陥が減
少し、局部電池の発生を防止することができる。
ることにより、配線や遮光膜を構成する粒径を純アルミ
ニウムに比較して微結晶にしている。粒径が微結晶にな
ると、結晶界面か密になりＣＩ−等の腐食に寄与するイ
オンの進入を防ぐことができる。また、結晶の欠陥が減
少し、局部電池の発生を防止することができる。
（実施例）
本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
第１図に示すイメージセンサにおいて、層間膜５を含む
絶縁基板１の全面に、不純物を添加したアルミニウムを
着膜する。そして、フォトリソエツチングプロセスによ
り、眉間膜５の透明電極４の位置にスリットを設けてセ
ンサエリアを規定する遮光膜６を形成するとともに、引
き出し電極２ｂの端部、ＩＣチップ８の実装部及び外部
接続用配線９の端部に、接続部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ
を形成する。アルミニウム添加する不純物の量が多いと
、前記接続部１２ａ、１２ｂ、１２ｃが硬化しホンディ
ングワイヤ１０の接続等に悪影響を及ぼすので、不純物
の添加量はアルミニウムに対して上限で４％程度に制限
される。
絶縁基板１の全面に、不純物を添加したアルミニウムを
着膜する。そして、フォトリソエツチングプロセスによ
り、眉間膜５の透明電極４の位置にスリットを設けてセ
ンサエリアを規定する遮光膜６を形成するとともに、引
き出し電極２ｂの端部、ＩＣチップ８の実装部及び外部
接続用配線９の端部に、接続部１２ａ、１２ｂ、１２ｃ
を形成する。アルミニウム添加する不純物の量が多いと
、前記接続部１２ａ、１２ｂ、１２ｃが硬化しホンディ
ングワイヤ１０の接続等に悪影響を及ぼすので、不純物
の添加量はアルミニウムに対して上限で４％程度に制限
される。
第３図は、例えばイメージセンサの駆動用のスイッチと
して用いられるＴＰＴについて本発明を適用したもので
、カラス基板２１上にＣｒの着膜及びフォトリソエツチ
ングプロセスによりスリットを有するクロム電極２２と
してのクロムパタンを形成し、このスリットを覆うよう
にｎ型５ｉＮｘ２３．ａ−８ｉ ：Ｈ２４，ＳｉＮｘ絶
縁膜２５を順次形成し、ＳｉＮｘ絶縁膜２５上に不純物
を添加したアルミニウムから成るゲート電極２６を形成
する。そして、全体をポリイミドから成るパッシベーシ
ョン膜２７で覆う。
して用いられるＴＰＴについて本発明を適用したもので
、カラス基板２１上にＣｒの着膜及びフォトリソエツチ
ングプロセスによりスリットを有するクロム電極２２と
してのクロムパタンを形成し、このスリットを覆うよう
にｎ型５ｉＮｘ２３．ａ−８ｉ ：Ｈ２４，ＳｉＮｘ絶
縁膜２５を順次形成し、ＳｉＮｘ絶縁膜２５上に不純物
を添加したアルミニウムから成るゲート電極２６を形成
する。そして、全体をポリイミドから成るパッシベーシ
ョン膜２７で覆う。
第４図はサーマルヘッドに一ついて本発明を適用したも
ので、アルミナ基板上に形成したアンタグレース層３１
上に酸化物薄膜抵抗体層を着膜し、この抵抗体層をフォ
トリソエツチングして第４図の表裏方向に複数の矩形状
のドツト分離型抵抗体３２を形成する。そして、各抵抗
体３２の−ＰｐＪ端部を覆うように第１電極３３を形成
し、各抵抗体３２の他側端部を覆うように第２電極３４
を形成している。これらの電極は不純物を添加したアル
ミニウムで形成されている。第１電極３３は共通電極と
なる外部電源（図示せず）に接続されるとともに、第２
電極３４はＩＣチップ３５にボンディングワイヤ３６を
介して接続している。ＩＣチップ３５はボンディングワ
イヤ３７を介してＩＣチップ駆動用配線３８に接続され
ている。各抵抗体３２．第１電極３３及び第２電極３４
上には、これらを保護するようＴａ２Ｏ，，５ｉｎ２の
二層から成るオーバーグレーズ層３９が形成されている
。第２電極３４上にポリイミドから成る保護層４０を設
けている。
ので、アルミナ基板上に形成したアンタグレース層３１
上に酸化物薄膜抵抗体層を着膜し、この抵抗体層をフォ
トリソエツチングして第４図の表裏方向に複数の矩形状
のドツト分離型抵抗体３２を形成する。そして、各抵抗
体３２の−ＰｐＪ端部を覆うように第１電極３３を形成
し、各抵抗体３２の他側端部を覆うように第２電極３４
を形成している。これらの電極は不純物を添加したアル
ミニウムで形成されている。第１電極３３は共通電極と
なる外部電源（図示せず）に接続されるとともに、第２
電極３４はＩＣチップ３５にボンディングワイヤ３６を
介して接続している。ＩＣチップ３５はボンディングワ
イヤ３７を介してＩＣチップ駆動用配線３８に接続され
ている。各抵抗体３２．第１電極３３及び第２電極３４
上には、これらを保護するようＴａ２Ｏ，，５ｉｎ２の
二層から成るオーバーグレーズ層３９が形成されている
。第２電極３４上にポリイミドから成る保護層４０を設
けている。
アルミニウムに不純物を添加すると耐食性が向上するこ
とを確認するなめ、次のような実験を行なった。
とを確認するなめ、次のような実験を行なった。
カラス基板に、着膜されるターゲット組成が１）ＡＩ
（９９，９９％） ２ Ａｌ−Ｃｕ （０，５ｗｔ％） ３ Ａｔ−Ｃｕ （１，０ｗｔ％） ４ Ａｌ−Ｃｕ （２，０ｗｔ％） ５）ＡＩ−８ｉ （１，０ｗｔ％） となるように、スパッタリング法により膜厚１０ＡＬｍ
の膜を形成しな。スパッタ条件は、ターゲット ５イン
チφ、ＤＣパワー １．０ｋＷ、スパッタ圧力 ４Ｘ１
０−’Ｔｏｒｒとしな。
（９９，９９％） ２ Ａｌ−Ｃｕ （０，５ｗｔ％） ３ Ａｔ−Ｃｕ （１，０ｗｔ％） ４ Ａｌ−Ｃｕ （２，０ｗｔ％） ５）ＡＩ−８ｉ （１，０ｗｔ％） となるように、スパッタリング法により膜厚１０ＡＬｍ
の膜を形成しな。スパッタ条件は、ターゲット ５イン
チφ、ＤＣパワー １．０ｋＷ、スパッタ圧力 ４Ｘ１
０−’Ｔｏｒｒとしな。
このように形成した膜の上に、保護膜としてのポリイミ
ド（ポリイミドＰＩＸ１４００ （日立化成（株）製〉
）を１．５μｍの膜厚にコートとして前記（１）〜（５
）で形成された膜を有する５種類のサンプルを形成した
。
ド（ポリイミドＰＩＸ１４００ （日立化成（株）製〉
）を１．５μｍの膜厚にコートとして前記（１）〜（５
）で形成された膜を有する５種類のサンプルを形成した
。
これらのサンプルについてそれぞれ信頼性試験（プレッ
シャフッカテスト）を行ない、１２１°Ｃ１湿度１００
％ＲＨ，２気圧の状態で顕微鏡観察を行なったところ、
（１）のＡＩ （９９，９９％）のサンプルは２０〜３
０時間で腐食しはじめ、光が透過して遮光膜の機能をは
なさなくなった。しかし、他の（２）ＡＩ−Ｃｕ （０
，５ｗｔ％）、（３）ＡＩ−Ｃｕ （１，０ｗｔ％）、
（４）ＡＩＣｕ（２，０ｗｔ％）及び（５）ＡＩ−３ｉ
（１，０ｗｔ％）のサンプルは、３００時間まで観察を
行なったが腐食は発生しなかった。
シャフッカテスト）を行ない、１２１°Ｃ１湿度１００
％ＲＨ，２気圧の状態で顕微鏡観察を行なったところ、
（１）のＡＩ （９９，９９％）のサンプルは２０〜３
０時間で腐食しはじめ、光が透過して遮光膜の機能をは
なさなくなった。しかし、他の（２）ＡＩ−Ｃｕ （０
，５ｗｔ％）、（３）ＡＩ−Ｃｕ （１，０ｗｔ％）、
（４）ＡＩＣｕ（２，０ｗｔ％）及び（５）ＡＩ−３ｉ
（１，０ｗｔ％）のサンプルは、３００時間まで観察を
行なったが腐食は発生しなかった。
また、前記（１）のＡＩ ＜９９．９９％）と（４）の
ＡＩ−Ｃｕ（２゜Ｏｗ ｔ％）の材料を用いて第１図に
示す構造をもつイメージセンサを作製した。そして、こ
の二種類のイメージセンサについてそれぞれ信頼性試験
（プレッシャフッカテスト）を行なった。ＰＣＴ１００
時間、８５℃。
ＡＩ−Ｃｕ（２゜Ｏｗ ｔ％）の材料を用いて第１図に
示す構造をもつイメージセンサを作製した。そして、こ
の二種類のイメージセンサについてそれぞれ信頼性試験
（プレッシャフッカテスト）を行なった。ＰＣＴ１００
時間、８５℃。
８５％ＲＨ，通電１０００時間、ヒートサイクル（−４
０℃〜１００°Ｃ）１００サイクルを行なった後に、イ
メージセンサの動作試験を行なったところ、（１）の材
料で形成した遮光膜を有するイメージセンサは腐食が発
生しセンサ出力特性が低下しなか、（４）の材料で形成
した遮光膜を有するイメージセンサについては性能の劣
化は生じなかった。
０℃〜１００°Ｃ）１００サイクルを行なった後に、イ
メージセンサの動作試験を行なったところ、（１）の材
料で形成した遮光膜を有するイメージセンサは腐食が発
生しセンサ出力特性が低下しなか、（４）の材料で形成
した遮光膜を有するイメージセンサについては性能の劣
化は生じなかった。
（発明の効果）
上述したように本発明は、銅等の不純物を添加したアル
ミニウムで配線や遮光膜を構成するので、その耐食性を
向上させることができ、これらの配線や遮光膜を有する
デバイスの信頼性の向上を図ることができる。
ミニウムで配線や遮光膜を構成するので、その耐食性を
向上させることができ、これらの配線や遮光膜を有する
デバイスの信頼性の向上を図ることができる。
第１図はイメージセンサの断面説明図、第２図はイメー
ジセンサの平面説明図、第３図はＴＰＴの断面説明図、
第４図はサーマルヘッドの断面説明図である。 ４０・・・・・・保護層 ６・・・・・・遮光膜 ７・・・・・・保護層 ２６・・・・・・ゲート電極 ２７・・・・・・パッシベーション膜 ３３．３４・・・・・・＠極 ３９・・・・・・オーバーグレ−ス層
ジセンサの平面説明図、第３図はＴＰＴの断面説明図、
第４図はサーマルヘッドの断面説明図である。 ４０・・・・・・保護層 ６・・・・・・遮光膜 ７・・・・・・保護層 ２６・・・・・・ゲート電極 ２７・・・・・・パッシベーション膜 ３３．３４・・・・・・＠極 ３９・・・・・・オーバーグレ−ス層
Claims (2)
- （１）金属配線上に保護層を設けた電子デバイスにおい
て、 前記配線はアルミニウムを主成分とし、不純物を添加す
ることにより耐食性を向上させたことを特徴とする電子
デバイスにおける配線構造。 - （２）光電変換層を多数の個別電極及び透明電極で挾持
するセンサ部を有し、前記個別電極の引き出し電極と透
明電極とが重なる部分に光が入射するのを防止し、かつ
透明電極の補強電極として機能する遮光膜を前記透明電
極上に層間膜を介して形成したイメージセンサにおいて
、 前記遮光膜はアルミニウムを主成分とし、不純物を添加
することにより耐食性を向上させたことを特徴とするイ
メージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22356388A JP2792041B2 (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22356388A JP2792041B2 (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | イメージセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0272631A true JPH0272631A (ja) | 1990-03-12 |
| JP2792041B2 JP2792041B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=16800121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22356388A Expired - Fee Related JP2792041B2 (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2792041B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0695968A2 (en) | 1994-08-01 | 1996-02-07 | Eastman Kodak Company | Viscosity reduction in a photographic melt |
| JP2001284569A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Texas Instr Japan Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923542A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6039847A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS60171739A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-05 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
| JPS62195149A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP22356388A patent/JP2792041B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5923542A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6039847A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS60171739A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-05 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
| JPS62195149A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0695968A2 (en) | 1994-08-01 | 1996-02-07 | Eastman Kodak Company | Viscosity reduction in a photographic melt |
| JP2001284569A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Texas Instr Japan Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2792041B2 (ja) | 1998-08-27 |
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