JPS5923542A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5923542A JPS5923542A JP13193382A JP13193382A JPS5923542A JP S5923542 A JPS5923542 A JP S5923542A JP 13193382 A JP13193382 A JP 13193382A JP 13193382 A JP13193382 A JP 13193382A JP S5923542 A JPS5923542 A JP S5923542A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- conductor layer
- wiring conductor
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は耐湿信頼度の改善された半導体装置に関し、特
に樹脂封止された前記半導体装置に関する。
に樹脂封止された前記半導体装置に関する。
樹脂封止した半導体装置における信頼度上の問題は耐湿
信頼度である。高温高湿下において、水分は樹脂中に浸
透し、半導体表面に達し、Ａｔ配線を腐食させ、半導体
装置をやがては故障に至らしめる。
信頼度である。高温高湿下において、水分は樹脂中に浸
透し、半導体表面に達し、Ａｔ配線を腐食させ、半導体
装置をやがては故障に至らしめる。
このような不良を避けるには、セシミツク封止が完全で
あるが、価格が約１０倍も高くなるので、特に高い信頼
度が必要なデバイス以外には適用することは困難な実情
にある。また配線の下地拐料には、第１パツシベーシヨ
ン膜としてリンを含む５ｉ０２（以下、リンを含むガラ
スもしくはＰＳＧと記す）膜が用いられているのが通常
であり、浸透して来た水分によってリンが溶出し、これ
がＡｔの腐食をさらに促進する作用をなしていた。
あるが、価格が約１０倍も高くなるので、特に高い信頼
度が必要なデバイス以外には適用することは困難な実情
にある。また配線の下地拐料には、第１パツシベーシヨ
ン膜としてリンを含む５ｉ０２（以下、リンを含むガラ
スもしくはＰＳＧと記す）膜が用いられているのが通常
であり、浸透して来た水分によってリンが溶出し、これ
がＡｔの腐食をさらに促進する作用をなしていた。
さらに、最近の高集積化の何１向に対応して配線層も１
層から２層さらには３ル：１と増加しているが、配線層
間絶縁膜としては、プｔ１セスコストが小さく、配線歩
留υも高く、樹脂封止のときのモールドストレスに対し
てもクラックの生じないポリイミド樹脂膜もしくはポリ
イミド・インインドロ・キナゾリンジオン樹脂膜が多く
用いられるようになっているが、この場合も樹脂材料で
あるため、水分の浸透を完全には防止しきれない。この
ため、配線の下地の第１パッシベーションＭがＰＳＧ［
で、さらにポリイミド系樹脂で保許された配線構造を有
する樹脂封止された半導体装置あるいはさらに第２層、
第３層の配線がポリイミド系絶縁膜を介して構成され、
ポリイミド系樹脂膜で保睦された配線構造を有する樹脂
制止半導体素子などの耐湿信頼度のレベルは、民生用の
半導体素子に必要な規準は十分に有していても、さらに
その上の産業用の半導体素子に必要な（Ｊｌ、準を満た
すには、必らずしも十分であるとはいいがたかった。
層から２層さらには３ル：１と増加しているが、配線層
間絶縁膜としては、プｔ１セスコストが小さく、配線歩
留υも高く、樹脂封止のときのモールドストレスに対し
てもクラックの生じないポリイミド樹脂膜もしくはポリ
イミド・インインドロ・キナゾリンジオン樹脂膜が多く
用いられるようになっているが、この場合も樹脂材料で
あるため、水分の浸透を完全には防止しきれない。この
ため、配線の下地の第１パッシベーションＭがＰＳＧ［
で、さらにポリイミド系樹脂で保許された配線構造を有
する樹脂封止された半導体装置あるいはさらに第２層、
第３層の配線がポリイミド系絶縁膜を介して構成され、
ポリイミド系樹脂膜で保睦された配線構造を有する樹脂
制止半導体素子などの耐湿信頼度のレベルは、民生用の
半導体素子に必要な規準は十分に有していても、さらに
その上の産業用の半導体素子に必要な（Ｊｌ、準を満た
すには、必らずしも十分であるとはいいがたかった。
したがって本発明の目的は、耐湿性に侵れた新しいＡｔ
基合金を配線材料に用いることによって、信頼度の高い
半導体装置、特に高分子樹脂からなる絶縁層を有する半
導体装置を提供することにある。
基合金を配線材料に用いることによって、信頼度の高い
半導体装置、特に高分子樹脂からなる絶縁層を有する半
導体装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、０．
０１〜２．５ ｗ １％のＮｔ、ｏ、５〜４．Ｑｗｔ％
のＳ’および残余がＡｔからなる組成の合金で構成され
た配線導体層を半清７体基板上に有するものである。Ｎ
ｉ量のよシ望ましい範囲は０．１〜１、□ｗｔ％、Ｓｉ
量のよシ望ましい範囲は１．０〜２、 ＯＷ １％であ
る。Ｎｉ量およびＳｉ量が前記範凹外でおると、耐湿信
頼性が低下して好ましくない。
０１〜２．５ ｗ １％のＮｔ、ｏ、５〜４．Ｑｗｔ％
のＳ’および残余がＡｔからなる組成の合金で構成され
た配線導体層を半清７体基板上に有するものである。Ｎ
ｉ量のよシ望ましい範囲は０．１〜１、□ｗｔ％、Ｓｉ
量のよシ望ましい範囲は１．０〜２、 ＯＷ １％であ
る。Ｎｉ量およびＳｉ量が前記範凹外でおると、耐湿信
頼性が低下して好ましくない。
本発明の半導体装置は、通常、前記配線導体層の少なく
とも一部が、高分子樹脂によシ被腐されているものとす
る。
とも一部が、高分子樹脂によシ被腐されているものとす
る。
また、前記半導体基板は、少なくとも１表面に絶縁膜を
具備するものを用いると好都合であシ、この場合、前記
配線導体層は少なくともその一部し、この場合に本発明
の効果が顕著に認められる。
具備するものを用いると好都合であシ、この場合、前記
配線導体層は少なくともその一部し、この場合に本発明
の効果が顕著に認められる。
しかし、これに限定する必要はない。
配線導体層を被履する上記高分子樹脂や上記絶縁膜を構
成する高分子樹脂には、いずれも、ポリイミド樹脂およ
び／もしくはポリイミド・インインドロ・キナゾリンジ
オン樹脂を用いると、耐熱性の点から有利である。
成する高分子樹脂には、いずれも、ポリイミド樹脂およ
び／もしくはポリイミド・インインドロ・キナゾリンジ
オン樹脂を用いると、耐熱性の点から有利である。
本発明の半導体装置は多層配線構造としてもよく、この
場合、前記配線導体層が少なくとも２層からなシ、その
上部側の配線導体層はその下に位置する配線導体層の少
なくとも一部を被履する高分子樹脂層上に形成され、且
つ該上部側の配線導体層の少なくとも一部が高分仔樹脂
により被履されるように構成すると、特に好都合である
。この高分子樹脂も前述のポリイミド樹脂および／もし
くはポリイミド・イソインドｔｚ・キナゾリンジオン樹
脂を用いることができる。
場合、前記配線導体層が少なくとも２層からなシ、その
上部側の配線導体層はその下に位置する配線導体層の少
なくとも一部を被履する高分子樹脂層上に形成され、且
つ該上部側の配線導体層の少なくとも一部が高分仔樹脂
により被履されるように構成すると、特に好都合である
。この高分子樹脂も前述のポリイミド樹脂および／もし
くはポリイミド・イソインドｔｚ・キナゾリンジオン樹
脂を用いることができる。
上記配線導体層を、必要に応じて、半導体基板表面の絶
縁膜の開孔部を経由し−Ｃ半導体ウェーハの所定部分に
接続せしめ、′？ｆた必列に応じて、層間絶縁層の所定
の開孔部を経由して上下の配線導体層を互に接続せしめ
るようにイ”１ｑ成できることは言うまでもない。
縁膜の開孔部を経由し−Ｃ半導体ウェーハの所定部分に
接続せしめ、′？ｆた必列に応じて、層間絶縁層の所定
の開孔部を経由して上下の配線導体層を互に接続せしめ
るようにイ”１ｑ成できることは言うまでもない。
本発明の上記半導体装置は、いずれも、樹脂封止して用
いた場合に、もつともその効果を期待できる。しかし、
樹脂封止した場合に限らず、半導体装置の耐湿信頼性を
向上させる場合一般に、本発明を適用できる。
いた場合に、もつともその効果を期待できる。しかし、
樹脂封止した場合に限らず、半導体装置の耐湿信頼性を
向上させる場合一般に、本発明を適用できる。
ところでＡ７の腐食に対しては、一般に異種金属を加え
ると多少なυとも効果のあることが知られており、有効
な金属としてＮ’＋Ｆｅ＋Ｃｕｔ’Ｉ’ｉ＋ Ｃｒｔ
ＭＯ，ｗｌ Ｐ ｔ＋ Ｐｄなどがあげられて卦シ、−
！た逆にＭｇ、Ｚｎ＋ Ａｇ、Ｍ膠。
ると多少なυとも効果のあることが知られており、有効
な金属としてＮ’＋Ｆｅ＋Ｃｕｔ’Ｉ’ｉ＋ Ｃｒｔ
ＭＯ，ｗｌ Ｐ ｔ＋ Ｐｄなどがあげられて卦シ、−
！た逆にＭｇ、Ｚｎ＋ Ａｇ、Ｍ膠。
Ｓｎなどは無効もしくは有害とされている（電気化学便
覧、電気化学便覧編、丸善、１９６４年、第９２７頁）
。しかしながらこれらの知見ｉ１： Ａ ｔの構造相料
から得られたものであって、半導体装１ｇ。
覧、電気化学便覧編、丸善、１９６４年、第９２７頁）
。しかしながらこれらの知見ｉ１： Ａ ｔの構造相料
から得られたものであって、半導体装１ｇ。
に用いられる厚さ１μｍ程度の極めて高純度の蒸着Ａｔ
膜についても同様に有効であるとは断言できない。
膜についても同様に有効であるとは断言できない。
そこで上記の有効とされた金属のうち蒸着によシＡｔと
合金化薄膜を形成し１ｎる金Ｆｊ戎をいくつかとυ上げ
て、耐湿信頼性を評価した。面１湿試験としては、樹脂
封止された半導体素子でよく用いられている周知のプレ
ッシャークツカーテスト（以下、Ｐ ＣＴと記す、１２
（１’、２気圧の水蒸気中に放置する）を採用した。評
価用試作は、次のようにＡ、Ｂの２とうシに作成した。
合金化薄膜を形成し１ｎる金Ｆｊ戎をいくつかとυ上げ
て、耐湿信頼性を評価した。面１湿試験としては、樹脂
封止された半導体素子でよく用いられている周知のプレ
ッシャークツカーテスト（以下、Ｐ ＣＴと記す、１２
（１’、２気圧の水蒸気中に放置する）を採用した。評
価用試作は、次のようにＡ、Ｂの２とうシに作成した。
すなわちＡは、８’基板表面に形成したＰＳＧ膜（厚さ
０゜７μｍ）」二に配線パターン（厚さ１μｍ）を作成
し、ポリイミド系樹脂（厚さ２，５μｍ）による保護膜
を形成した。ポリイミド系樹脂としてＰＩＱ（日立化成
（株）の商品名）を用いた。Ｂは、Ｓｉ基板上にＰＩＱ
膜（厚さ２．５μｍ）を形成し、この上に配線パターン
（厚さ１μｍ）を形成してさらにＰＩＱによる保護膜（
厚さ２．５μｍ）を形成した。
０゜７μｍ）」二に配線パターン（厚さ１μｍ）を作成
し、ポリイミド系樹脂（厚さ２，５μｍ）による保護膜
を形成した。ポリイミド系樹脂としてＰＩＱ（日立化成
（株）の商品名）を用いた。Ｂは、Ｓｉ基板上にＰＩＱ
膜（厚さ２．５μｍ）を形成し、この上に配線パターン
（厚さ１μｍ）を形成してさらにＰＩＱによる保護膜（
厚さ２．５μｍ）を形成した。
これらの試験試料に対して１） Ｃ’Ｉ”を施こし、腐
食開始時間を評価した結果を第１表に示す。
食開始時間を評価した結果を第１表に示す。
その結果、効果あシとされた元素は、蒸着薄膜として評
価した場合、はぼ有効であることが確認できたが、それ
ぞれ効果に著るしい違いがあり、中にはＴｉのように殆
んど効果のないものも見られた。しかしながらｈｔ−Ｎ
ｉのＮｉの濃度１〜２、５ ｗ ｔ％とＡｔ−Ｐｄ（起
ｔ％）については、最もよい腐食防止効果を示した。こ
れは試料ＡおよびＢについて共通の傾向であった。
価した場合、はぼ有効であることが確認できたが、それ
ぞれ効果に著るしい違いがあり、中にはＴｉのように殆
んど効果のないものも見られた。しかしながらｈｔ−Ｎ
ｉのＮｉの濃度１〜２、５ ｗ ｔ％とＡｔ−Ｐｄ（起
ｔ％）については、最もよい腐食防止効果を示した。こ
れは試料ＡおよびＢについて共通の傾向であった。
さらに腐食防止に最も有効な組み合せであったＡｔ−Ｐ
ｄとｈｔ−Ｎｉをペースにさらに第３の元素を加えて同
様の試験をカ１；こした。得られた結果を第２表に示す
。
ｄとｈｔ−Ｎｉをペースにさらに第３の元素を加えて同
様の試験をカ１；こした。得られた結果を第２表に示す
。
第 １ 表
第 ２ 表
その結果、ＡＡ−Ｐｄと他の金属元素との組み合わせで
はさほどの腐食防止効果の向上はみられなかった。寸た
ｈｔ−Ｎｉと他の金が元素のうちＳｉ以外の金属との組
み合せはさほどの効果の向上はみられなかったが、ｈｔ
−ＮｉとＳｓの組み合わせにおいては、さらに効果の相
乗性を見出せた。これは試料Ａおよび試別１３において
共通の傾向として見られた。
はさほどの腐食防止効果の向上はみられなかった。寸た
ｈｔ−Ｎｉと他の金が元素のうちＳｉ以外の金属との組
み合せはさほどの効果の向上はみられなかったが、ｈｔ
−ＮｉとＳｓの組み合わせにおいては、さらに効果の相
乗性を見出せた。これは試料Ａおよび試別１３において
共通の傾向として見られた。
次にｈｔ−Ｎｉ−８ｉの合金薊ｊ摸中のＮｉ及びＢｒの
有効濃度範囲について検問した結果を第３表に示す。そ
の結果各元素の有効濃度は、Ｎｔ；０．０１〜２．５
ｗ ｔ％ ５ｉｉ０．５ 〜４ ｗｔ％ であることがわかった。
有効濃度範囲について検問した結果を第３表に示す。そ
の結果各元素の有効濃度は、Ｎｔ；０．０１〜２．５
ｗ ｔ％ ５ｉｉ０．５ 〜４ ｗｔ％ であることがわかった。
以下、本発明を実施例によシさらに詳細に説明する。
第 ３ 表
実施例１
第１図において、シリコンウェー” １ 上ＫＰｓＧ膜
２を形成したのち、第１の配線導体／Ｒ３を形成した。
２を形成したのち、第１の配線導体／Ｒ３を形成した。
次に層間絶縁膜４をＰＩＱによシ形成したのちスルーホ
ール加工を行ない、次いで第２の配線導体層５を形成し
、さらに保腟膜６を再びＰＩＱによシ形成した。保爬膜
６には、外部とワイヤホンディングするための開口を設
けた。
ール加工を行ない、次いで第２の配線導体層５を形成し
、さらに保腟膜６を再びＰＩＱによシ形成した。保爬膜
６には、外部とワイヤホンディングするための開口を設
けた。
この構造において、配線導体層３および５ｄ：次のよう
に形成した。はじめにＡｔを５００人蒸差したのちＮｉ
を３０人蒸着し、次いでＳｉを１５０人、更にＡｔを９
５００人蒸光蒸着のぢ４００Ｃ〜４５０Ｃでアニールし
て合金化した。次でホトエツチングによυ配線パターン
を形成した。層間絶縁膜および保護膜についてｔ”ｌ、
ＰＩＱのプレポリマー溶液を回転塗布したのち２００Ｃ
で６０分、３５０Ｃで３０分のベークを行なって形成し
た。
に形成した。はじめにＡｔを５００人蒸差したのちＮｉ
を３０人蒸着し、次いでＳｉを１５０人、更にＡｔを９
５００人蒸光蒸着のぢ４００Ｃ〜４５０Ｃでアニールし
て合金化した。次でホトエツチングによυ配線パターン
を形成した。層間絶縁膜および保護膜についてｔ”ｌ、
ＰＩＱのプレポリマー溶液を回転塗布したのち２００Ｃ
で６０分、３５０Ｃで３０分のベークを行なって形成し
た。
膜厚は２μｍとした。また配線層間のスルーホールおよ
びポンディングパッドの開口の形成ハ、ホトレジストに
ネガタイプのＯＭ几８３（東京応化（株）商品名）を用
い、エッチャントにヒドラジンとエチレンジアミンの混
合液を用いて行なった。
びポンディングパッドの開口の形成ハ、ホトレジストに
ネガタイプのＯＭ几８３（東京応化（株）商品名）を用
い、エッチャントにヒドラジンとエチレンジアミンの混
合液を用いて行なった。
ＰＳＧ膜は螢光Ｘ線分析よシＰ２Ｏ５換算で５Ｉ０２と
のモル比が１２：８８であった。咬た、その厚さは０．
７μｍとした。
のモル比が１２：８８であった。咬た、その厚さは０．
７μｍとした。
また、このようにして形成した配線導体層け、Ｎｉを約
Ｑ、 ６ｗ ｔ％、Ｓｉを約１．５ｗｔ％含むＡｔ合金
からなるものである。
Ｑ、 ６ｗ ｔ％、Ｓｉを約１．５ｗｔ％含むＡｔ合金
からなるものである。
以上のようにして形成した配線に金線によるワイヤボン
ディングを行ない、エポキシ樹脂を用いて樹脂封止した
のち、Ｉ’ＣＴを行なった。そして配線抵抗値を評価し
、配線抵抗値の上昇が観測されはじめる最初の２０１時
間を評価した。評価は第１７脅、第２層とも純ＡＡで構
成した試料との比較で行なった。その結果、純Ａｔで抵
抗変化が観測された２０１時間は、第１１脅、第２層と
もわずか数時間であったのに対して、本実施例の試料は
、第１層で約３０倍、第２層で１００倍以上の長時間が
必要であり、副食性はきわめて良好であった。
ディングを行ない、エポキシ樹脂を用いて樹脂封止した
のち、Ｉ’ＣＴを行なった。そして配線抵抗値を評価し
、配線抵抗値の上昇が観測されはじめる最初の２０１時
間を評価した。評価は第１７脅、第２層とも純ＡＡで構
成した試料との比較で行なった。その結果、純Ａｔで抵
抗変化が観測された２０１時間は、第１１脅、第２層と
もわずか数時間であったのに対して、本実施例の試料は
、第１層で約３０倍、第２層で１００倍以上の長時間が
必要であり、副食性はきわめて良好であった。
実施例２
配線導体層を形成するＡｔ合金中のＮｉ量とＳＮ量をか
えたこと以外は実施例１と同様にして第１図に示す構造
の半導体装１ｒ１を作成した。ただし第１層および第２
層の配線２ξｔ１体中のＮｉ及びＳｉの濃度はそれぞれ
０．０１ｗｔ％、０．５ｗｔ％とした。
えたこと以外は実施例１と同様にして第１図に示す構造
の半導体装１ｒ１を作成した。ただし第１層および第２
層の配線２ξｔ１体中のＮｉ及びＳｉの濃度はそれぞれ
０．０１ｗｔ％、０．５ｗｔ％とした。
抵抗変化が認められたＰ Ｃ’１’時間ａ１純Ａｔのそ
れに対して、第１層配線で２０倍、第２層配線で７０倍
となった。実施例１にくらべ、やや知かいが、ｈｔ−Ｎ
ｉの二元系にくらべれはなおはるかに面・１食性が増し
ており、効果が認められる。
れに対して、第１層配線で２０倍、第２層配線で７０倍
となった。実施例１にくらべ、やや知かいが、ｈｔ−Ｎ
ｉの二元系にくらべれはなおはるかに面・１食性が増し
ており、効果が認められる。
実施例３
配線導体層を形成するＡｔ合金中のＮ Ｉ−Ｊｊｊと３
ｉ量をかえたこと以外は実施例１と同様にして第１図に
示す構造の半導体装置を作成した。ただし第１層および
第２層の配＋Ｖｊ！導体中のＮｉ及びＳｉの濃度は、そ
れぞれ２．５ ｗ ｔ％、４ｗｔ％とじた。
ｉ量をかえたこと以外は実施例１と同様にして第１図に
示す構造の半導体装置を作成した。ただし第１層および
第２層の配＋Ｖｊ！導体中のＮｉ及びＳｉの濃度は、そ
れぞれ２．５ ｗ ｔ％、４ｗｔ％とじた。
抵抗変化のはじまる２０１時間は、純Ａ７のそれに対し
て、第１層配線で２０倍、第２層配線で８０倍であった
。実施例１にくらべやや炉かめではあるが、十分耐食効
果が認められた。
て、第１層配線で２０倍、第２層配線で８０倍であった
。実施例１にくらべやや炉かめではあるが、十分耐食効
果が認められた。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置を示す概
略断面図である。 １・・・半導体ウエーノ・、２・・・ＰＳＧ膜（第１パ
ツシベーシヨン膜）、３・・・第１層配線溝体、４・・
・配線層間絶縁膜、５・・・第２層配線溝体、６・・・
保護膜１６５
略断面図である。 １・・・半導体ウエーノ・、２・・・ＰＳＧ膜（第１パ
ツシベーシヨン膜）、３・・・第１層配線溝体、４・・
・配線層間絶縁膜、５・・・第２層配線溝体、６・・・
保護膜１６５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 、０．０１〜２．５ Ｗ １％のＮｉ、 ｏ、ｓ
〜４．ｏｗｔ％のＳｉおよび残余がＡｔからなる組成の
合金で構成された配線導体層を半導体基板上に有するこ
とを特徴とする半導体装置。 ２、前記合金力０．０１〜２．５ Ｗ １％（７）Ｎｉ
、１．０〜２、Ｑｗｔ％のＢｉおよび残余がＡ４からな
る組成を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。 ３、前記合金がｏ、ｉ 〜ｔｏｗｔ％のＮｌＸ０．５〜
４、 Ｑ Ｗ １％のＳｉおよび残余がＡｔからなる組
成を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体装置。 ４、前記合金７５” ０．１〜ｉ、 ｏ ｗ １％のＮ
ｉ、１．０〜２、 Ｑ ｗ １％のＳｉおよび残余がＡ
ｔからなる組成を有することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置。 ５、前記配線導体層の少なくとも一部が、高分子樹脂に
よシ被腐されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第４項のいずれかの項に記載の半導体装置。 ６、前記配線導体層の少なくとも一部を被腐する高分子
樹脂が、ポリイミド樹脂およびポリイミド・イソインド
ロ・キナゾリンジオン樹脂からなる群よシ選択された少
なくとも１樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲
第５項記載の半導体装置。 ７、前記半導体基板が少なくとも１表面に絶縁膜を有す
るものであシ、前記配線導体層は少なくともその一部が
該絶縁膜上に存在することを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第６項のいずれかの項に記載の半導体装置。 ８、前記絶縁膜がリンを含むガラスからなることを特徴
とする特許請求の範囲第７項記載の半導体装置。 ９、前記絶縁膜が高分子樹脂からなることを特徴とする
特許請求の範囲第７項記載の半導体装置。 １０、前記絶縁膜を構成する高分子樹脂が、ポリイミド
樹脂およびポリイミド・イソインドロ・キナゾリンジオ
ン樹脂からなる群より選択された少なくとも１樹脂であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の半導体
装置。 １１、前記配線導体層が少なくとも２層からなり、その
上部側の配線導体層はその下に位置する配線導体層の少
なくとも一部を被履する高分子樹脂層上に形成され、且
つ該」一部側の配線導体層の少なくとも一部が高分子樹
脂により被履されていることを特徴とする特許Ｎｔ”ｆ
求の範囲第５項乃至第１０項のいずれかの項に記載の半
導体装置。 １２、樹脂封止されてなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至第１１ＪＩ’Ｊのいずれかの項に記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13193382A JPS5923542A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13193382A JPS5923542A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923542A true JPS5923542A (ja) | 1984-02-07 |
Family
ID=15069603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13193382A Pending JPS5923542A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923542A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272631A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-12 | Fuji Xerox Co Ltd | イメージセンサ |
| JPH0423836A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 模様入りシート |
| JPH0468030A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 意匠性シート |
| CN102110599A (zh) * | 2010-11-01 | 2011-06-29 | 兰州大学 | 可溶性聚酰亚胺的生产工艺 |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP13193382A patent/JPS5923542A/ja active Pending
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