JPH0273707A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
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- JPH0273707A JPH0273707A JP63225855A JP22585588A JPH0273707A JP H0273707 A JPH0273707 A JP H0273707A JP 63225855 A JP63225855 A JP 63225855A JP 22585588 A JP22585588 A JP 22585588A JP H0273707 A JPH0273707 A JP H0273707A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕−
本発明は電子部品の製造方法に関し、具体的には半田付
けによる電子部品の製造工程に係るものである。
けによる電子部品の製造工程に係るものである。
圧電部品等の従来の電子部品にあっては、Cuの下地型
g!層の上にAgの表面電極層を積層して2層構造の電
極を形成してあり、Ag入り半田を用いてこの電極にリ
ード端子などを半田付けして電子部品を製造していた。
g!層の上にAgの表面電極層を積層して2層構造の電
極を形成してあり、Ag入り半田を用いてこの電極にリ
ード端子などを半田付けして電子部品を製造していた。
このように2層構造の電極を用いているのは、Agの表
面電極層によって電極の導電性と半田付は時の半田濡れ
性を良好にすると共に表面電極層のAgに半田食われが
生じてもCuの下地電極層によって電極の断線を防止す
るためである。また、Ag入り半田を用いているのは、
Cuよりも半田食われの生じ易いAgの耐半田食われ性
を向上させるなめである。
面電極層によって電極の導電性と半田付は時の半田濡れ
性を良好にすると共に表面電極層のAgに半田食われが
生じてもCuの下地電極層によって電極の断線を防止す
るためである。また、Ag入り半田を用いているのは、
Cuよりも半田食われの生じ易いAgの耐半田食われ性
を向上させるなめである。
従来にあっては、上記のように、CuとAgの2層構造
の電極にAg入り半田によって端子等の半田付けを行な
っていたので、通常の半田付は温度においては、Agの
表面電極層の耐半田食われ性をある程度向上させること
ができる。しがし、このAg入り半田はCuの下地電極
層に対しては耐半田食われ性を改善する効果は無く、半
田付は温度が何らかのトラブルによって過昇すると、
Agの表面電極層とCuの下地電極層とに共に半田食わ
れを生じ、この結果電極密着強度等の極端な劣化や電極
の断線などを招くおそれがあった。
の電極にAg入り半田によって端子等の半田付けを行な
っていたので、通常の半田付は温度においては、Agの
表面電極層の耐半田食われ性をある程度向上させること
ができる。しがし、このAg入り半田はCuの下地電極
層に対しては耐半田食われ性を改善する効果は無く、半
田付は温度が何らかのトラブルによって過昇すると、
Agの表面電極層とCuの下地電極層とに共に半田食わ
れを生じ、この結果電極密着強度等の極端な劣化や電極
の断線などを招くおそれがあった。
しかして、本発明は、半田付は温度が過昇した場合など
に生じていた上記のような電極性能の極端な劣化を防止
することを目的としてなされたものである。
に生じていた上記のような電極性能の極端な劣化を防止
することを目的としてなされたものである。
本発明の電子部品の製造方法は、Cuの下地電極層の上
にAgの表面電極層を積層して電極を形成し、Cu成分
を含有した半田を用いて前記電極に半田付けを行なうこ
とを特徴としている。
にAgの表面電極層を積層して電極を形成し、Cu成分
を含有した半田を用いて前記電極に半田付けを行なうこ
とを特徴としている。
本発明にあっては1.、Cu入り半田を用いてCuとA
gの2層構造の電極に半田付けを行なっているので、半
田付は時に下地電極層のCuが半田側へ拡散しに<<、
下地電極層の耐半田食われ性を向上させることができる
。したがって、半田付は温度が過度に上昇し、Agの表
面電f!層に半田食われが生じてもCuの下地電極層に
は半田食われが生じず、従来のように半田付は温度の過
昇時に表面電極層と下地電極層の双方が半田食われを起
こして電極密着強度を極端に劣化させたり、電極の断線
を生じたりすることを防止することができる。
gの2層構造の電極に半田付けを行なっているので、半
田付は時に下地電極層のCuが半田側へ拡散しに<<、
下地電極層の耐半田食われ性を向上させることができる
。したがって、半田付は温度が過度に上昇し、Agの表
面電f!層に半田食われが生じてもCuの下地電極層に
は半田食われが生じず、従来のように半田付は温度の過
昇時に表面電極層と下地電極層の双方が半田食われを起
こして電極密着強度を極端に劣化させたり、電極の断線
を生じたりすることを防止することができる。
以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する。
第2図に示すものは、厚み滑り振動を利用した圧電共振
子5であり、PZTのような圧電セラミックス製の基板
6の両面に電極3,3が施されており、中央の画電極3
.3の重複した部分が振動電極部となっており、両端の
重複しない電極部分にリード端子7が半田付けされる。
子5であり、PZTのような圧電セラミックス製の基板
6の両面に電極3,3が施されており、中央の画電極3
.3の重複した部分が振動電極部となっており、両端の
重複しない電極部分にリード端子7が半田付けされる。
第1図には、この電極3の構造を拡大して示しである。
電極3は、Cuの下地電極層1の上にAgの表面型8i
i層2を積層した2層構造となっている。
i層2を積層した2層構造となっている。
このCuの下地電極層1は、スパッタリングや真空蒸着
等の薄膜形成技術によって基板1表面に形成されたもの
である。また、表面電極層2のAgは、薄膜形成技術、
AgメツキあるいはAg系ペーストの印刷及び焼き付け
などによって下地電極層1の上に形成することが考えら
れる。しかして、Agの表面電極層2によって導電性の
良好な電極を得ることができる。また、たとえAgに半
田食われが生じても、下地電′Ig1層1に半田食われ
が生じにくいので、電極3の導通不良を防止できるので
ある。さらに、電極3の表面に半田濡れ性のよいAgを
用いであるので、半田付は性も良好である。
等の薄膜形成技術によって基板1表面に形成されたもの
である。また、表面電極層2のAgは、薄膜形成技術、
AgメツキあるいはAg系ペーストの印刷及び焼き付け
などによって下地電極層1の上に形成することが考えら
れる。しかして、Agの表面電極層2によって導電性の
良好な電極を得ることができる。また、たとえAgに半
田食われが生じても、下地電′Ig1層1に半田食われ
が生じにくいので、電極3の導通不良を防止できるので
ある。さらに、電極3の表面に半田濡れ性のよいAgを
用いであるので、半田付は性も良好である。
この電極3には、第1図に示すように、Cu入り半田4
によってリード端子7を半田付けしである。Cu入り半
田4としては、例えば0.8%のCuを添加した半田を
用いることができる。しかして、Cu入り半田4を用い
ると、Ag入り半田を用いた場合のようにAgの表面電
極層2に対して耐半田食われ性を改善することは期待で
きないが、電極3を2層構造としているので、通常の半
田付は温度では、たとえAgの表面電極層2に半田食わ
れが生じてもCuの下地電極層1によって電極密着強度
を保ち、電極3の断線防止を図れる。しかも、Cu入り
半田4を用いることによってCuの下地電極層1の耐半
田食われ性を向上させることができるので、半田付は時
に半田付は温度が過度に上昇した場合にも、下地電極、
IIIの半田食われを防止でき、Agの表面電極層2と
Cuの下地電極層1の双方が共に半田食われを起こすこ
とが無く、電極密着強度の極端な劣化や断線を防止する
ことができる。したがって、Ag入り半田を用いた場合
と比較すると、電極3の半田食われによる極端な性能劣
化を防止することができる。
によってリード端子7を半田付けしである。Cu入り半
田4としては、例えば0.8%のCuを添加した半田を
用いることができる。しかして、Cu入り半田4を用い
ると、Ag入り半田を用いた場合のようにAgの表面電
極層2に対して耐半田食われ性を改善することは期待で
きないが、電極3を2層構造としているので、通常の半
田付は温度では、たとえAgの表面電極層2に半田食わ
れが生じてもCuの下地電極層1によって電極密着強度
を保ち、電極3の断線防止を図れる。しかも、Cu入り
半田4を用いることによってCuの下地電極層1の耐半
田食われ性を向上させることができるので、半田付は時
に半田付は温度が過度に上昇した場合にも、下地電極、
IIIの半田食われを防止でき、Agの表面電極層2と
Cuの下地電極層1の双方が共に半田食われを起こすこ
とが無く、電極密着強度の極端な劣化や断線を防止する
ことができる。したがって、Ag入り半田を用いた場合
と比較すると、電極3の半田食われによる極端な性能劣
化を防止することができる。
尚、上記実施例では、Agを含まないCu入り半田の場
合について説明したが、Cu入り半田としてはAg成分
とCu成分とを共に含むものであってもよい、前者では
、半田コストを安価にできるという利点があり、後者で
はAgの耐半田食われ性も向上するという利点がある。
合について説明したが、Cu入り半田としてはAg成分
とCu成分とを共に含むものであってもよい、前者では
、半田コストを安価にできるという利点があり、後者で
はAgの耐半田食われ性も向上するという利点がある。
また、上記実施例では、リード端子を電極に半田付けす
る場合について述べたが、電極に半田付けされるものは
端子に限るものでないのは勿論である。
る場合について述べたが、電極に半田付けされるものは
端子に限るものでないのは勿論である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、半田付は温度の過昇などの場合にも、
Cuの下地電極層の半田食われを防止することができ、
電極密着強度の極端な劣化や電極の断線などを防止する
ことができる。したがって、半田付けの条件が緩くなり
、電子部品の工程管理が容易になる。また、ユーザ等に
おいて、リフロー半田付は等の厳しい半田付は条件で半
田付けされても、電極の性能劣化が少ないという利点が
ある。
Cuの下地電極層の半田食われを防止することができ、
電極密着強度の極端な劣化や電極の断線などを防止する
ことができる。したがって、半田付けの条件が緩くなり
、電子部品の工程管理が容易になる。また、ユーザ等に
おいて、リフロー半田付は等の厳しい半田付は条件で半
田付けされても、電極の性能劣化が少ないという利点が
ある。
第1図は本発明の一実施例を示す部分断面図、第2図は
同上の斜視図である。 1・・・下地電極層 2・・・表面電極層3・・・
電8i!4・・・半田 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 中 野 雅 房
同上の斜視図である。 1・・・下地電極層 2・・・表面電極層3・・・
電8i!4・・・半田 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 中 野 雅 房
Claims (1)
- (1)Cuの下地電極層の上にAgの表面電極層を積層
して電極を形成し、Cu成分を含有した半田を用いて前
記電極に半田付けを行なうことを特徴とする電子部品の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63225855A JPH0273707A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63225855A JPH0273707A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273707A true JPH0273707A (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=16835904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63225855A Pending JPH0273707A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0273707A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04255103A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振素子の製造方法 |
| JPH04255102A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振素子の製造方法 |
| JPH06252682A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Rohm Co Ltd | 圧電発振子 |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP63225855A patent/JPH0273707A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04255103A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振素子の製造方法 |
| JPH04255102A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振素子の製造方法 |
| JPH06252682A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Rohm Co Ltd | 圧電発振子 |
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