JPH0274029A - 薄膜の形成方法およびその装置 - Google Patents
薄膜の形成方法およびその装置Info
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- JPH0274029A JPH0274029A JP22711888A JP22711888A JPH0274029A JP H0274029 A JPH0274029 A JP H0274029A JP 22711888 A JP22711888 A JP 22711888A JP 22711888 A JP22711888 A JP 22711888A JP H0274029 A JPH0274029 A JP H0274029A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
原子層エピタキシー法とそれに適用する装置に関し、
不純物含有の少ない高品質な薄膜を、しかも、高速に成
長させることを目的とし、 反応チャンバ内において同一方向に定常流れを有する複
数の原料ガスの間に、同一方向に定常流れを有する不活
性ガスを介在させ、被成長基板を該不活性ガスを横切っ
て前記複数の原料ガスの流れの中に交互に移動させて原
子層エピタキシャル成長させるようにしたことを特徴と
し、薄膜形成装置は、扇形の反応チャンバを主体とし、
該反応チャンバの要め部にオリフィス弁とターボ分子ポ
ンプを配置し、同チャンバの先端部の中央に不活性ガス
導入口の両側にそれぞれ原料ガス導入口を配置し、被成
長基板を前記チャンバ内の先端部と要め部の中間に位置
させて移動するように構成する。
長させることを目的とし、 反応チャンバ内において同一方向に定常流れを有する複
数の原料ガスの間に、同一方向に定常流れを有する不活
性ガスを介在させ、被成長基板を該不活性ガスを横切っ
て前記複数の原料ガスの流れの中に交互に移動させて原
子層エピタキシャル成長させるようにしたことを特徴と
し、薄膜形成装置は、扇形の反応チャンバを主体とし、
該反応チャンバの要め部にオリフィス弁とターボ分子ポ
ンプを配置し、同チャンバの先端部の中央に不活性ガス
導入口の両側にそれぞれ原料ガス導入口を配置し、被成
長基板を前記チャンバ内の先端部と要め部の中間に位置
させて移動するように構成する。
本発明は薄膜の形成方法とその装置に係り、特に原子層
エピタキシー法とそれに適用する装置に関する。
エピタキシー法とそれに適用する装置に関する。
近年、単原子層レベルで成長を制御できる原子層エピタ
キシー（Ａ Ｌ Ｅ ； Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法によって高品質な半魂体薄膜を形成
する方法が研究されており、その将来性が期待されてい
る。
キシー（Ａ Ｌ Ｅ ； Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法によって高品質な半魂体薄膜を形成
する方法が研究されており、その将来性が期待されてい
る。
また、絶縁膜も高品位な改質のものが望まれて、不純物
・膜欠陥などのない高耐圧・無欠陥・長寿命な絶縁膜が
要望されている。
・膜欠陥などのない高耐圧・無欠陥・長寿命な絶縁膜が
要望されている。
原子層エピタキシー法は複数の異種原料ガスを交互に切
り換えて被成長基板面に導入しｌ原子層づつ形成する方
法で、通常の化学気相成長（ＣＶＤ）法は原料ガスが被
成長基板の上部で反応して被着することが起こるが、原
子層エビクキシー法は一層ずつ積層して確実に被成長基
板面で反応するためにＣＶＤ法に比べて高品質な薄膜が
形成できるとして注目されている方法である。
り換えて被成長基板面に導入しｌ原子層づつ形成する方
法で、通常の化学気相成長（ＣＶＤ）法は原料ガスが被
成長基板の上部で反応して被着することが起こるが、原
子層エビクキシー法は一層ずつ積層して確実に被成長基
板面で反応するためにＣＶＤ法に比べて高品質な薄膜が
形成できるとして注目されている方法である。
第４図はその原子層エピタキシー法を適用する従来の薄
膜形成装置の断面図を示しており、１は反応管、２は被
成長基板、３はオリフィス弁、４は真空ポンプ、５は原
料ガスＡの導入口、６は原料ガスＢの導入口、７はバリ
アガスの導入口、５ｖ。
膜形成装置の断面図を示しており、１は反応管、２は被
成長基板、３はオリフィス弁、４は真空ポンプ、５は原
料ガスＡの導入口、６は原料ガスＢの導入口、７はバリ
アガスの導入口、５ｖ。
６Ｖ、 ７Ｖはそれらの開閉バルブである。このような
薄膜形成装置は、バリアガスおよび原料ガスＡ。
薄膜形成装置は、バリアガスおよび原料ガスＡ。
Ｂの切り換えによって被成長基板面を流れるガスの種類
を切り換えて１原子層づつ形成する方法が採られる。
を切り換えて１原子層づつ形成する方法が採られる。
また、このような薄膜形成装置の他に、原料ガスＡ、Ｂ
を別々の仕切られたチャンバ内に流入させておき、被成
長基板をその両チャンバ間に移動させる方法を採る薄膜
形成装置も提案されている。
を別々の仕切られたチャンバ内に流入させておき、被成
長基板をその両チャンバ間に移動させる方法を採る薄膜
形成装置も提案されている。
ところが、それらの方式による原子層エピタキシー法は
原料ガスＡと原料ガスＢとの切り換えの間に流す遮蔽用
バリアガスの量と時間が不十分であったり、また、ガス
の淀みやすい部分（反応チャンバの壁面やガス導入口近
傍など）ができ、原料ガスが被成長基板面以外の部分で
反応して薄膜が異常成長し、そのように異常成長した薄
膜は剥離され易いためにガスの流れに乗って被成長基板
面に達し、被成長基板面に形成される薄膜中で不純物に
なる問題があり、そうして薄膜の品質が低下する。
原料ガスＡと原料ガスＢとの切り換えの間に流す遮蔽用
バリアガスの量と時間が不十分であったり、また、ガス
の淀みやすい部分（反応チャンバの壁面やガス導入口近
傍など）ができ、原料ガスが被成長基板面以外の部分で
反応して薄膜が異常成長し、そのように異常成長した薄
膜は剥離され易いためにガスの流れに乗って被成長基板
面に達し、被成長基板面に形成される薄膜中で不純物に
なる問題があり、そうして薄膜の品質が低下する。
本発明はそのような問題点を軽減して、不純物含有の少
ない高品質な薄膜を、しかも、高速に形成することを目
的とした薄膜の形成方法とその装置を提案するものであ
る。
ない高品質な薄膜を、しかも、高速に形成することを目
的とした薄膜の形成方法とその装置を提案するものであ
る。
その課題は、反応チャンバ内において同一方向に定常流
れを有する複数の原料ガスの間に、同一方向に定常流れ
を有する不活性ガスを介在させ、被成長基板を該不活性
ガスを横切って前記複数の原料ガスの流れの中に交互に
移動させて原子層エピタキシャル成長させるようにした
薄膜の形成方法によって解決される。
れを有する複数の原料ガスの間に、同一方向に定常流れ
を有する不活性ガスを介在させ、被成長基板を該不活性
ガスを横切って前記複数の原料ガスの流れの中に交互に
移動させて原子層エピタキシャル成長させるようにした
薄膜の形成方法によって解決される。
また、それを実施する薄膜形成装置として、第１図に示
す実施例図のように、扇形の反応チャンバ１０の要め部
１１にオリフィス弁ＯＦとターボ分子ポンプｖＰを配置
し、同チャンバの先端部１２の中央に不活性ガス導入口
Ｎｃの両側にそれぞれ原料ガス導入口Ｈａ、 Ｎｂを配
置し、被成長基板Ｗを前記チャンバ内の先端部と要め部
の中間に位置させて移動するように構成にする。
す実施例図のように、扇形の反応チャンバ１０の要め部
１１にオリフィス弁ＯＦとターボ分子ポンプｖＰを配置
し、同チャンバの先端部１２の中央に不活性ガス導入口
Ｎｃの両側にそれぞれ原料ガス導入口Ｈａ、 Ｎｂを配
置し、被成長基板Ｗを前記チャンバ内の先端部と要め部
の中間に位置させて移動するように構成にする。
即ち、本発明は、複数の原料ガスの流れの間に不活性ガ
スの流れを介在させ、これらを同一方向の定常流れとし
て被成長基板を移動させて原子層エピタキシャル成長さ
せる。
スの流れを介在させ、これらを同一方向の定常流れとし
て被成長基板を移動させて原子層エピタキシャル成長さ
せる。
それを実施するための装置は、例えば、扇形反応チャン
バの要め部にオリフィス弁とターボ分子ポンプなどの排
気系を配置し、出先端部に原料ガス、不活性ガスの導入
口を設けてそれらの定常流れをつくり、被成長基板Ｗは
その中間に位置させて定常流れの中を移動するような構
造にする。
バの要め部にオリフィス弁とターボ分子ポンプなどの排
気系を配置し、出先端部に原料ガス、不活性ガスの導入
口を設けてそれらの定常流れをつくり、被成長基板Ｗは
その中間に位置させて定常流れの中を移動するような構
造にする。
そうすれば、ガスの淀み部分で原料ガスが反応して異常
成長する問題もなくなり、且つ、ガス切り換えの必要も
ないから、高品質な薄膜を高速に成長できる。
成長する問題もなくなり、且つ、ガス切り換えの必要も
ないから、高品質な薄膜を高速に成長できる。
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明の第１実施例にかかる薄膜形成装置の概
念図を示しており、第２図はその斜視図である。図中の
ＩＯは扇形の反応チャンバ、 １１はその要め部、１２
は出先端部、Ｗは被成長基板、叶はオリフィス弁、ｖＰ
はターボ分子ポンプ、 Ｎｃは不活性ガス導入口、 Ｈ
ａはＡ原料ガス導入口、 ＮｂはＢ原料ガス導入口、
Ｖｃ、 Ｖａ、 Ｖｂはそれらの導入口に付属した開閉
バルブである。本装置は不活性ガスを中央にして両側に
原料ガスを流して定常流れをつくり、被成長基板Ｗを原
料ガスの間に往復移動させて成長するような構成である
。被成長基板Ｗの移動機構は図示していないが、例えば
、移動区間にベルトを配置して、その上に被成長基板Ｗ
を載置し、反応チャンバの外部からベローズ封止を介し
てモータ駆動によって左右に移動させる方法を用いる。
念図を示しており、第２図はその斜視図である。図中の
ＩＯは扇形の反応チャンバ、 １１はその要め部、１２
は出先端部、Ｗは被成長基板、叶はオリフィス弁、ｖＰ
はターボ分子ポンプ、 Ｎｃは不活性ガス導入口、 Ｈ
ａはＡ原料ガス導入口、 ＮｂはＢ原料ガス導入口、
Ｖｃ、 Ｖａ、 Ｖｂはそれらの導入口に付属した開閉
バルブである。本装置は不活性ガスを中央にして両側に
原料ガスを流して定常流れをつくり、被成長基板Ｗを原
料ガスの間に往復移動させて成長するような構成である
。被成長基板Ｗの移動機構は図示していないが、例えば
、移動区間にベルトを配置して、その上に被成長基板Ｗ
を載置し、反応チャンバの外部からベローズ封止を介し
てモータ駆動によって左右に移動させる方法を用いる。
このような第１図に示す薄膜形成装置によって、例えば
、ＧａＡｓ結晶薄膜を形成する場合を説明すると、まず
、ターボ分子ポンプｖＰによって５Ｘ１０−７Ｔｏｒｒ
まで排気し、被成長基板Ｗを３００℃に加熱した後、最
初に、中央の開閉バルブＶｃを開けてＡｒ （アルゴン
）ガスを不活性ガス導入口Ｎｃから１０００ｓｃｃＩＩ
＋流入し、反応チャンバＩＩ内の圧力がＩ Ｔｏｒｒに
なるようにオリフィス弁ＯＦを調整する。次に、開閉バ
ルブＶａ、 Ｖｂを開けてＡ反応ガス導入口Ｎａから水
素（Ｈ２）をキャリアガスとしたトリエチルガリウム（
Ｇａ（Ｃ，Ｈ５）ａ ）ガスを５０ｓｅｃｍ流入し、且
つ、Ｂ反応ガス導入口ＮｂからＨ２をキャリアガスとし
たアルシン（ＡｓＨ３）ガスを５０ｓｅｃｒＢ流入する
。この時、中央のＡｒガスの流れのためにＨ２＋Ｇａ（
Ｃユ１１５）ａガスとＨ２＋ Ｇａ （Ｃ４Ｈ９） ３
ガスとは混合せず、定常な流れがつくられる。
、ＧａＡｓ結晶薄膜を形成する場合を説明すると、まず
、ターボ分子ポンプｖＰによって５Ｘ１０−７Ｔｏｒｒ
まで排気し、被成長基板Ｗを３００℃に加熱した後、最
初に、中央の開閉バルブＶｃを開けてＡｒ （アルゴン
）ガスを不活性ガス導入口Ｎｃから１０００ｓｃｃＩＩ
＋流入し、反応チャンバＩＩ内の圧力がＩ Ｔｏｒｒに
なるようにオリフィス弁ＯＦを調整する。次に、開閉バ
ルブＶａ、 Ｖｂを開けてＡ反応ガス導入口Ｎａから水
素（Ｈ２）をキャリアガスとしたトリエチルガリウム（
Ｇａ（Ｃ，Ｈ５）ａ ）ガスを５０ｓｅｃｍ流入し、且
つ、Ｂ反応ガス導入口ＮｂからＨ２をキャリアガスとし
たアルシン（ＡｓＨ３）ガスを５０ｓｅｃｒＢ流入する
。この時、中央のＡｒガスの流れのためにＨ２＋Ｇａ（
Ｃユ１１５）ａガスとＨ２＋ Ｇａ （Ｃ４Ｈ９） ３
ガスとは混合せず、定常な流れがつくられる。
そのようにしてつくられた定常流れを乱さないように、
被成長基板Ｗを往復速度５秒の周期でＡｒガスの流れを
越えてＨ２＋ Ｇａ （Ｃ□１ｊｙｈガスとＨ２＋ Ｇ
ａ （Ｃ工Ｈ１）３ガスとの間を移動させる。その操作
を５００回繰り返して５００分子層からなるＧａＡｓ結
晶薄膜を成長する。このような形成法によれば、原料ガ
スを切り換える必要がないがら、成長速度が速くて薄膜
が形成でき、しかも、異常成長がないために、成長した
ＧａＡｓ結晶薄膜は薄膜中に不純物の混入が観察されず
、高品質な薄膜が形成された。
被成長基板Ｗを往復速度５秒の周期でＡｒガスの流れを
越えてＨ２＋ Ｇａ （Ｃ□１ｊｙｈガスとＨ２＋ Ｇ
ａ （Ｃ工Ｈ１）３ガスとの間を移動させる。その操作
を５００回繰り返して５００分子層からなるＧａＡｓ結
晶薄膜を成長する。このような形成法によれば、原料ガ
スを切り換える必要がないがら、成長速度が速くて薄膜
が形成でき、しかも、異常成長がないために、成長した
ＧａＡｓ結晶薄膜は薄膜中に不純物の混入が観察されず
、高品質な薄膜が形成された。
次に、第３図は本発明の第２実施例にかかる薄膜形成装
置の概念図を示しており、第１図と同一部材には同一記
号が付けであるが、その他のＳａはＡ原料ガス源容器、
ｓｂはＢ原料ガス源容器、 ｆｌａ。
置の概念図を示しており、第１図と同一部材には同一記
号が付けであるが、その他のＳａはＡ原料ガス源容器、
ｓｂはＢ原料ガス源容器、 ｆｌａ。
Ｈｂはキャリアガス流入口である。本装置は第１図で説
明した構成の特徴の他に、Ａ原料ガス導入口Ｎａ、 Ｂ
原料ガス導入口Ｎｂに直接開閉バルブを設けず、Ａ原料
ガス源容器Ｓａ、 Ｂ原料ガス源容器ｓｂへのキャリ
アガスの流入・停止によって反応ガスの反応管への流入
・停止をおこなう装置で、開閉バルブＶａ、 Ｖｂは容
器Ｓａ、 Ｓｂより後のキャリアガス流入口側に設けで
ある。このような装置は腐食性の強い反応ガスを用いて
薄膜を形成する場合に使用される。例えば、Ａｌ２０３
（アルミナ）は従来のＣＶＤ法では十分な絶縁耐圧が得
られず、そのために原子層エピタキシー法が用いられて
いるが、そのようなＡｌ２ｏ、、薄膜の形成に使用して
有効な装置である。
明した構成の特徴の他に、Ａ原料ガス導入口Ｎａ、 Ｂ
原料ガス導入口Ｎｂに直接開閉バルブを設けず、Ａ原料
ガス源容器Ｓａ、 Ｂ原料ガス源容器ｓｂへのキャリ
アガスの流入・停止によって反応ガスの反応管への流入
・停止をおこなう装置で、開閉バルブＶａ、 Ｖｂは容
器Ｓａ、 Ｓｂより後のキャリアガス流入口側に設けで
ある。このような装置は腐食性の強い反応ガスを用いて
薄膜を形成する場合に使用される。例えば、Ａｌ２０３
（アルミナ）は従来のＣＶＤ法では十分な絶縁耐圧が得
られず、そのために原子層エピタキシー法が用いられて
いるが、そのようなＡｌ２ｏ、、薄膜の形成に使用して
有効な装置である。
第３図に示す薄膜形成装置（ＩＩ）によってＡｌ２Ｏ３
薄膜を形成する場合について説明すると、ターボ分子ポ
ンプｖＰによって５ Ｘ １０’Ｔｏｒｒまで排気し、
被成長基板Ｗを３００℃に加熱した後、最初に、中央の
開閉バルブＶｃを開けてＡｒガスを不活性ガス導入口Ｎ
ｃから１０００ｓｃｃ＋＊流入し、反応チャンバ１１内
の圧力がＩ Ｔｏｒｒになるようにオリフィス弁針を絞
る。次に、Ａ原料ガス源容器ＳａにＡｌＣｌ３ （塩
化アルミニウム）を収容し、１１０℃に加熱して開閉バ
ルブＶａを開け、また、日原料ガス源容器ｓｂに水を収
容して開閉バルブｖｂを開けて、キャリアガスとして計
ガスをキャリアガス流人口Ｈａ、 Ｈｂから流入してＡ
ｒ＋ＡｌＣｌ３ガスと計＋水蒸気の定常流れを形成する
。この時、中央のＡｒガスの流れのために計＋ＡｌＣｌ
、ガスとＡｒ十氷水蒸気ガスは混合されない。
薄膜を形成する場合について説明すると、ターボ分子ポ
ンプｖＰによって５ Ｘ １０’Ｔｏｒｒまで排気し、
被成長基板Ｗを３００℃に加熱した後、最初に、中央の
開閉バルブＶｃを開けてＡｒガスを不活性ガス導入口Ｎ
ｃから１０００ｓｃｃ＋＊流入し、反応チャンバ１１内
の圧力がＩ Ｔｏｒｒになるようにオリフィス弁針を絞
る。次に、Ａ原料ガス源容器ＳａにＡｌＣｌ３ （塩
化アルミニウム）を収容し、１１０℃に加熱して開閉バ
ルブＶａを開け、また、日原料ガス源容器ｓｂに水を収
容して開閉バルブｖｂを開けて、キャリアガスとして計
ガスをキャリアガス流人口Ｈａ、 Ｈｂから流入してＡ
ｒ＋ＡｌＣｌ３ガスと計＋水蒸気の定常流れを形成する
。この時、中央のＡｒガスの流れのために計＋ＡｌＣｌ
、ガスとＡｒ十氷水蒸気ガスは混合されない。
かくしてつくられた定常流れを乱さないように、被成長
基板Ｗを往復速度５秒の周期でＡｒガスの流れを越えて
Ａｒ＋＾Ｉｃ１．ガスとＡｒ十氷水蒸気ガスの間を移動
させ、その操作を３０００回繰り返して２０００分子層
からなるアルミナ多結品薄■りを成長する。
基板Ｗを往復速度５秒の周期でＡｒガスの流れを越えて
Ａｒ＋＾Ｉｃ１．ガスとＡｒ十氷水蒸気ガスの間を移動
させ、その操作を３０００回繰り返して２０００分子層
からなるアルミナ多結品薄■りを成長する。
このようなアルミナ薄膜はガス切り換えが不要のために
成長速度が速く、しかも、被成長基板面以外での異常成
長がなく、従って、ピンホールが観察されず、薄膜中に
不純物粒子が見られず、進縁耐圧の高いアルミナ薄膜が
得られる。
成長速度が速く、しかも、被成長基板面以外での異常成
長がなく、従って、ピンホールが観察されず、薄膜中に
不純物粒子が見られず、進縁耐圧の高いアルミナ薄膜が
得られる。
このようなアルミナ薄膜はＥＬパネルの絶縁層などに利
用して、その品質を向上させることができる。
用して、その品質を向上させることができる。
以上の実施例の説明から明らかなように、本発明にかか
る薄膜の形成方法および装置によれば、異常成長が薄膜
中に含まれず、高品質な結晶薄膜。
る薄膜の形成方法および装置によれば、異常成長が薄膜
中に含まれず、高品質な結晶薄膜。
多結晶薄膜が得られて、しかも、高速に形成できて製造
コストを低下させることができ、半導体装置その他の電
子デバイスの発展に大きく寄与するものである。
コストを低下させることができ、半導体装置その他の電
子デバイスの発展に大きく寄与するものである。
第１図は本発明の第１実施例にかかる薄膜形成装置の概
念図、 第２図は第１図の薄膜形成装置の斜視図、第３図は本発
明の第２実施例にかかる薄膜形成装置の概念図、 第４図は従来の薄膜形成装置の概念図である。 図において、 １０は扇形反応チャンバ、 １１は要め部、 １２は開先端部、 ｖｐはターボ分子ポンプ、 ＯＦはオリフィス弁、 Ｗは被成長基板、 Ｎｃは不活性ガス導入口、 闘ａはＡ原料ガス導入口、 ＮｂはＢ原料ガス導入口、 Ｖｃ、 Ｖａ、 Ｖｂは開閉バルブ、 ＳａはＡ原料ガス源容器、 ＳｂはＢ原料ガス源容器、 Ｈａ、 Ｈｂはキャリアガス流入口 を示している。 ′ミミＨ奪 ントｑａｓｑ二ｊＴ りざ１１１例（Ｈ
７）ｚ・３プ鵡トｉ更セρ冥゛；駒％−１社すして仁り
］暮 第、□ 才［ｍ−）族形双に１の斜視■ 第 図 ■Ｐ シト劣５ｇ耳、、うｉ２Ｅズ臼例１：ｒ＞ｘｉ尽檗形八
へ８ど【っ叛Ｇり第３図
念図、 第２図は第１図の薄膜形成装置の斜視図、第３図は本発
明の第２実施例にかかる薄膜形成装置の概念図、 第４図は従来の薄膜形成装置の概念図である。 図において、 １０は扇形反応チャンバ、 １１は要め部、 １２は開先端部、 ｖｐはターボ分子ポンプ、 ＯＦはオリフィス弁、 Ｗは被成長基板、 Ｎｃは不活性ガス導入口、 闘ａはＡ原料ガス導入口、 ＮｂはＢ原料ガス導入口、 Ｖｃ、 Ｖａ、 Ｖｂは開閉バルブ、 ＳａはＡ原料ガス源容器、 ＳｂはＢ原料ガス源容器、 Ｈａ、 Ｈｂはキャリアガス流入口 を示している。 ′ミミＨ奪 ントｑａｓｑ二ｊＴ りざ１１１例（Ｈ
７）ｚ・３プ鵡トｉ更セρ冥゛；駒％−１社すして仁り
］暮 第、□ 才［ｍ−）族形双に１の斜視■ 第 図 ■Ｐ シト劣５ｇ耳、、うｉ２Ｅズ臼例１：ｒ＞ｘｉ尽檗形八
へ８ど【っ叛Ｇり第３図
Claims (3)
- （１）反応チャンバ（１０）内において同一方向に定常
流れを有する複数の原料ガスの間に、同一方向に定常流
れを有する不活性ガスを介在させ、被成長基板（Ｗ）を
該不活性ガスを横切って前記複数の原料ガスの流れの中
に交互に移動させて原子層エピタキシャル成長させるよ
うにしたことを特徴とする薄膜の形成方法。 - （２）前記原料ガスの反応チャンバ（１０）への流入・
停止を原料ガス源へのキャリアガスの流入・停止によっ
ておこなうようにしたことを特徴とする請求項１記載の
薄膜の形成方法。 - （３）扇形の反応チャンバ（１０）を主体とし、該反応
チャンバの要め部（１１）にオリフィス弁（ＯＦ）とタ
ーボ分子ポンプ（ＶＰ）を配置し、同チャンバの先端部
（１２）の中央に不活性ガス導入口（Ｎｃ）の両側にそ
れぞれ原料ガス導入口（Ｎａ、Ｎｂ）を配置し、被成長
基板（Ｗ）を前記チャンバ内の先端部と要め部の中間に
位置させて移動するように構成したことを特徴とする薄
膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22711888A JP2717972B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 薄膜の形成方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22711888A JP2717972B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 薄膜の形成方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0274029A true JPH0274029A (ja) | 1990-03-14 |
| JP2717972B2 JP2717972B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=16855759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22711888A Expired - Fee Related JP2717972B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 薄膜の形成方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2717972B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05166734A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置 |
| US5480818A (en) * | 1992-02-10 | 1996-01-02 | Fujitsu Limited | Method for forming a film and method for manufacturing a thin film transistor |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6911391B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US6951804B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-10-04 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
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| US7049226B2 (en) | 2001-09-26 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization |
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| US7262133B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-08-28 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP22711888A patent/JP2717972B2/ja not_active Expired - Fee Related
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