JPH05166734A - 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置 - Google Patents

化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置

Info

Publication number
JPH05166734A
JPH05166734A JP3330328A JP33032891A JPH05166734A JP H05166734 A JPH05166734 A JP H05166734A JP 3330328 A JP3330328 A JP 3330328A JP 33032891 A JP33032891 A JP 33032891A JP H05166734 A JPH05166734 A JP H05166734A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction
substrate
gas
inert gas
exhaust passage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3330328A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2763222B2 (ja
Inventor
Yoshinobu Kawada
良信 河田
Toshihiko Minami
利彦 南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18231398&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH05166734(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3330328A priority Critical patent/JP2763222B2/ja
Priority to US07/980,971 priority patent/US5338363A/en
Priority to DE4241932A priority patent/DE4241932C2/de
Publication of JPH05166734A publication Critical patent/JPH05166734A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2763222B2 publication Critical patent/JP2763222B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4558—Perforated rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 反応副生成物が反応ガス導入孔の周辺に堆積
し難くする。 【構成】 多数の不活性ガス噴出孔２５を設けた環状の
不活性ガス噴出部材２６を反応ガス導入孔１２の周辺に
設けている。不活性ガスが不活性ガス噴出孔２５から排
気口１３に向かって噴出する。反応空間４からの排ガス
の流れをこの不活性ガスが助長しつつ、排気通路１３に
向かって勢い良く流動する。このため、排ガスに含まれ
る反応副生成物２２が反応ガス導入孔の周辺２３の近辺
に多く堆積することなく速やかに排気通路１３へ排出さ
れる。 【効果】 反応副生成物が反応ガス導入孔の周辺に堆積
し難くなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、反応ガスを基板に供
給し、気相での化学反応または基板表面での化学反応に
より、基板表面に所定の組成を有した薄膜を形成させ
る、化学気相成長（ＣＶＤ）方法ならびにそのためのＣ
ＶＤ処理システムおよびＣＶＤ装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図１７は従来の常圧ＣＶＤ装置の主要部
の断面正面図である。反応容器１は反応容器本体２及び
反応容器頭部３から成り、その内部の空間（反応空間
４）を外気から隔絶する。基板支持体５は半導体基板６
を反応空間４に支持する。基板支持体５はヒータ７並び
に均熱板８を備えている。半導体基板６の両側の主面が
水平になるように、かつこれら主面の中、化学反応によ
り薄膜を形成すべき側の主面（被処理主面）９が下方向
を向くように、半導体基板６は支持される。均熱板８は
半導体基板６の裏側主面１０を真空吸着することにより
半導体基板６を密着固定する。被処理主面９に向き合う
形で反応ガス導入板１１が設置され、この反応ガス導入
板１１には被処理主面９に略対向する領域に反応ガス導
入孔１２が設けられる。反応容器頭部３には反応空間４
に向けて開口した排気通路１３が設けられ、排気通路の
中心軸１４は、反応空間４から遠方に至るほど半導体基
板６の縁から周辺に遠ざかる方向に、基板６の表面に対
して傾斜している。反応容器１には半導体基板６の外部
から反応空間４への搬入、及び反応空間４から外部への
搬出のための搬送通路１５が設けられ、外気との隔絶を
保つために搬送通路１５を閉鎖するゲート１６が設けら
れる。ゲート１６は開閉自在で、半導体基板６の搬入並
びに搬出の際には開かれる。反応ガス噴出板１１に対し
て半導体基板６が置かれる反応空間４とは反対の側に、
反応ガス混合室１７が反応ガス導入板１１に接続して設
けられる。反応ガス混合室１７には複数個の反応ガス供
給孔１８ａ，１８ｂが設けられる。
【０００３】次に動作について説明する。ゲート１６を
開いて、半導体基板６を外界から搬送通路１５を経由し
て反応空間４へ挿入する。均熱板８は半導体基板６を密
着固定する。例えばシランガス（ＳｉＨ4 ）からなる第
１の反応ガス２１ａと、酸素ガス（Ｏ2 ）からなる第２
の反応ガス２１ｂとが、それぞれ反応ガス供給孔１８
ａ，１８ｂから反応ガス混合室１７の中に供給される。
反応ガス混合室１７の中では、これらの複数種類の反応
ガス２１ａ，２１ｂが混合される。混合された反応ガス
２１は、反応ガス導入孔１２を通過して反応空間４へ噴
出される。ヒータ７で発生した熱が、均熱板８を介する
ことにより、半導体基板６の全体に一様に伝わる。この
熱により、反応ガス２１が例えば酸化反応などの熱化学
反応を引き起こし、反応生成物である２酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）が被処理主面９上に堆積し薄膜が形成される。反
応残ガスなどを含む排ガス２１は、連続的に排気通路１
３を通して反応空間４の外に排気される。被処理主面９
上に所定の量の薄膜が形成されると、ゲート１６を開い
て半導体基板６を均熱板８から離し、搬送通路１５を経
由して反応空間４から外界へ搬出される。多数の半導体
基板６に薄膜を形成するために、以上の動作を反復して
行うに伴って反応副生成物２２が、反応ガス導入孔１２
の周辺２３に徐々に堆積してゆく。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＣＶＤ装置は以
上のように構成されているので、反応ガス導入孔１２の
周辺２３に堆積した反応副生成物２２を除去する清掃作
業が必要で、この清掃作業のために定期的にＣＶＤ装置
を停止しなければならず、装置の処理能力が低下すると
いう問題があった。更に、反応ガス導入孔２１の周辺２
３に堆積した反応副生成物２２が半導体基板６を搬入若
しくは搬出する際に舞い上がり、半導体基板６に異物と
して付着するので、半導体基板６をベースとして形成さ
れる半導体装置の仕上りにおける歩留まりが低下すると
いう問題があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、反応副生成物が反応ガス導入孔
の周辺に堆積しにくくすることにより、清掃作業のため
の装置を停止する頻度を少なくして、処理能力を向上す
ることができるとともに、基板に異物が付着する確率を
も低く抑え、この基板から製造された製品の仕上がりに
おける歩留まりを向上させることができるＣＶＤ方法な
らびにそのためのＣＶＤ処理システムおよびＣＶＤ装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、第１の第２
の態様からなっている。第１の態様は請求項１〜４に特
定された構成を有し、第２の態様は請求項５〜１１に特
定された構成を有している。
【０００７】＜１．第１の態様における手段＞請求項１
のＣＶＤ方法では、反応ガスを被処理基板に供給し、前
記反応ガスの化学反応により、前記基板の主面上に所定
の組成を有した膜を形成させる化学気相成長方法であっ
て、（ａ）前記化学反応を行う反応空間を外気から隔絶
する工程と、（ｂ）前記反応空間に連通する排気通路を
確立する工程と、（ｃ）前記反応空間に前記基板を加熱
しつつ支持する工程と、（ｄ）前記基板の前記主面に向
けて開口した反応ガス導入孔から前記主面に向けて前記
反応ガスを噴出し、前記反応ガスの前記化学反応によっ
て前記膜を前記主面上に成長させる工程と、（ｅ）前記
反応ガス導入孔の周辺に設けられ、実質的に前記排気通
路に向いて開口した不活性ガス噴出孔から不活性ガスを
噴出する工程と、（ｆ）前記反応ガスから生じる排ガス
と前記不活性ガスとを前記排気通路を通じて排気する工
程とを備える。
【０００８】請求項２の化学気相成長処理システムは、
上記請求項１の方法の実施に適した構成を有しており、
（ａ）被処理基板を加熱しつつ支持する基板支持手段
と、（ｂ）前記基板と前記基板支持手段とを収容すると
ともに、前記基板の主面上に反応空間を規定してなり、
かつ前記反応空間に連通する排気通路が設けられた反応
容器と、（ｃ）前記反応空間をはさんで前記基板の反対
側に設けられ、前記基板の前記表面に向けて開口した反
応ガス導入孔を有する反応ガス導入手段と、（ｄ）前記
反応ガス導入手段の周辺に設けられ、実質的に前記排気
通路に向いて開口した不活性ガス導入孔を有する不活性
ガス導入手段と、（ｅ）前記反応ガス導入孔に結合さ
れ、前記反応ガス導入孔より前記反応空間内に反応ガス
を供給する反応ガス供給手段と、（ｆ）前記不活性ガス
導入孔に結合され、前記不活性ガス導入孔を介して前記
排気通路に向って不活性ガスを噴出させる不活性ガス供
給手段と、（ｇ）前記排気通路に結合し、前記反応ガス
から生じる排ガスと前記不活性ガスとを前記排気通路を
通じて排気する排気手段とを備える。
【０００９】請求項３のシステムは、上記請求項２のシ
ステムにおいて、前記不活性ガス供給手段が、（ｆ−
１）加圧された不活性ガスを発生する不活性ガス発生手
段と、（ｆ−２）前記不活性ガス発生手段と前記不活性
ガス導入孔との間に介挿され、前記加圧された不活性ガ
スの流量率を調節して前記不活性ガス導入孔に与える質
量流量制御手段とを備える。
【００１０】請求項４の化学気相成長装置は、請求項２
のシステムの本体部分に対応した構成を有し、請求項２
のシステムの構築に利用可能である。
【００１１】＜２．第２の態様における手段＞一方、請
求項５の化学気相成長方法では、（ａ）化学反応を行う
反応空間を、反応容器によって外気から隔絶する工程
と、（ｂ）前記反応空間に連通する排気通路を確立する
工程と、（ｃ）前記反応空間に前記基板を加熱しつつ支
持する工程と、（ｄ）前記基板の前記主面に向けて前記
反応ガスを噴出し、前記反応ガスの前記化学反応によっ
て前記膜を前記主面上に成長させる工程と、（ｅ）前記
反応ガスから生じる排ガスの流れを前記反応空間の周辺
に設けられた整流手段によってガイドすることにより、
前記反応空間から前記排気通路への前記排ガスの前記流
れを層流とさせる工程と、（ｆ）前記層流とされた前記
排ガスを、前記排気通路を通じて排気する工程とを備え
る。
【００１２】請求項６の方法では、請求項５の方法にお
いて、前記工程（ａ）が、（ａ−１）前記反応容器の一
部に、前記反応空間に連通し、前記反応容器の外部から
前記反応容器内への前記基板の搬入及び前記反応容器内
から前記外部への前記基板の搬出のための基板搬送通路
を確立する工程を備える。また、前記基板搬送通路は、
前記反応容器の内部において開口する第１の開口と、前
記反応容器の前記外部に開口する第２の開口とを有し、
前記工程（ｅ）は、（ｅ−１）前記整流手段が、前記第
１の開口を覆う可動部分と、前記第１の開口を避けた位
置において固定された固定部分とを有するように前記整
流手段を構成する工程を備える。さらに、前記工程
（ｃ）は、（ｃ−１）前記可動部分を駆動することによ
って前記第１の開口を開く工程と、（ｃ−２）前記基板
搬送通路を通して前記基板を前記反応容器の外部から前
記反応空間へと搬入する工程と、（ｃ−３）前記可動部
分を駆動することによって前記第１の開口を閉じる工程
とを備える。
【００１３】請求項７の方法では、請求項６の方法にお
いて、前記整流手段は、前記可動部分の周囲に設けられ
たシール手段をさらに備え、前記工程（ｃ−３）が、
（ｃ−３−１）前記可動部分によって前記第１の開口を
閉じた際に、前記シール手段によって前記可動部分と前
記第１の開口との間を気密状態とする工程を備える。
【００１４】請求項８の化学気相成長処理システムは請
求項５の方法の実施に利用され得るシステムであって
（ａ）被処理基板を加熱しつつ支持する基板支持手段
と、（ｂ）前記基板と前記基板支持手段とを収容すると
ともに、前記主面上に反応空間を規定してなり、かつ前
記反応空間に連通する排気通路が設けられた反応容器
と、（ｃ）前記反応空間をはさんで前記基板の反対側に
設けられ、前記基板の前記表面に向けて開口した反応ガ
ス導入孔を有するガス導入手段と、（ｄ）前記反応容器
内に設けられ、前記反応ガスから生じる排ガスの前記反
応空間から前記排気通路までの流れに対して、該流れを
層流とさせる壁面を有する整流手段と、（ｅ）前記反応
ガス導入孔に結合され、前記反応ガス導入孔より前記反
応空間内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、
（ｆ）前記排気通路に結合し、前記排ガスを前記排気通
路を通じて排気する排気手段とを備える。
【００１５】請求項９および請求項１０のシステムは、
それぞれ請求項６，７の方法の実施に適した構造とされ
ている。
【００１６】さらに、請求項１１の装置は、請求項８の
システムの本体部としての構成を有し、請求項８のシス
テムの構築に利用可能である。
【００１７】
【作用】
＜１．第１の態様における作用＞この発明の第１の態様
では、被処理基板の主面に向かって反応ガスを噴出する
反応ガス導入孔の周辺に不活性ガス噴出孔が位置してお
り、実質的に排気通路に向って不活性ガスが噴出される
ために、反応副生成物を含む排ガスの流れを不活性ガス
の流れが助長する。このため、反応副生成物を含む排ガ
スが不活性ガスの流れに伴って排気通路へ速やかに排出
される。これらの結果、反応副生成物が反応ガス導入孔
の周辺に堆積し難くなる（請求項１〜４）。
【００１８】また、前記不活性ガスの流量率を質量流量
制御手段によって調節することによって、不活性ガスの
流量率が自動的にかつ最適に維持される（請求項３）。
【００１９】＜２．第２の態様における作用＞この発明
の第２の態様では、整流手段を設けて反応副生成物を含
む排ガスの流れが層流になるようにしてあるので、排ガ
スが排気通路へ至るまでに流れが乱れて吹き溜りを形成
することがなく、このため反応副生成物が反応ガス導入
孔の周辺に堆積し難くなる（請求項５〜１１）。
【００２０】特に、整流手段のうち、基板を外界と反応
容器内との間で搬入並びに搬出する際の基板の通過通路
の開口に面する部分を可動部分とする場合には、反応容
器を分解することなく、基板を容易に搬入並びに搬出す
ることができるという機能を維持しつつ、反応副生成物
の堆積を防止できる（請求項６，９）。
【００２１】また、上記可動部分に、反応容器内と外気
との間を隔絶するためのシールを設ける場合には、反応
中においては可動部分によって基板通過通路の開口を閉
じて反応容器内を外界から隔絶し、基板の搬入並びに搬
出の際には開扉するゲートとなすことができ、他に別途
ゲートを設ける必要がない（請求項７，１０）。
【００２２】
【実施例】
［実施例１］図１はこの発明の第１の実施例である常圧
ＣＶＤ処理システム１００の断面正面図である。このシ
ステム１００は、システム本体に相当する常圧ＣＶＤ装
置１０１と、その周辺に設けられた付帯設備とを備えて
いる。
【００２３】＜常圧ＣＶＤ装置１０１の全体構成＞常圧
ＣＶＤ装置１０１は、反応容器１を有しており、この反
応容器１は反応容器本体２及び反応容器頭部３によって
構成されている。反応容器１は、その内部の空間すなわ
ち反応空間４を外気から隔絶する。半導体基板６が略円
形であることに対応して、反応空間４は略円形の外周を
有する空間となっている。
【００２４】反応容器１の上部からは、半導体基板６を
支持するとともに半導体基板６を加熱するための基板支
持体５が吊下げられている。基板支持体５はヒータ７並
びに均熱板８を備えており、半導体基板６を、その被処
理主面９が反応空間４に対向するように下向きかつ水平
に支持する。このうち、均熱板８は半導体基板６の裏側
主面１０を真空吸着することにより半導体基板６を密着
固定する機能をも有する。すなわち、この装置１０１は
フェイスダウン形式の常圧ＣＶＤ装置である。
【００２５】被処理主面９に向き合う形でガス導入板１
１が設置されている。このガス導入板１１は、中央領域
に位置して半導体基板６に対向する凸部１１ａと、この
凸部１１ａの周囲を囲むフランジ部１１ｂとを有し、こ
れらの凸部１１ａとフランジ部１１ｂとは一体化されて
いる。そして、凸部１１ａを垂直方向に貫くように、被
処理主面９に略対向する複数の反応ガス導入孔１２が設
けられる。
【００２６】反応容器頭部３には、半導体基板６の周囲
下方において反応空間４に対向した排気取入口を有する
排気通路１３が設けられ、排気通路の中心軸１４は、反
応空間４から遠方に至るほど半導体基板６の縁から周辺
に遠ざかる方向に、基板６の表面に対して傾斜してい
る。この排気通路１３は、反応空間４の周囲を取囲む円
を下方端縁とし、下方から上方に向う方向に沿って漸次
に広がる反応容器頭部３の２つの円錐台状テーパ壁面３
ａ，３ｂの間に規定された空間である。
【００２７】また、テーパ壁面３ａの中にはヒータ３８
が埋設され、排気通路１３を規定する各壁面を加熱す
る。
【００２８】反応容器１には半導体基板６の外部から反
応空間４への搬入、及び反応空間４から外部への搬出の
ための搬送通路１５が設けられ、外気との隔絶を保つた
めに搬送通路１５を閉鎖するゲート１６が設けられる。
ゲート１６は開閉自在で、半導体基板６の搬入並びに搬
出の際には開かれる。
【００２９】ガス噴出板１１に対して半導体基板６が置
かれる反応空間４とは反対の側に、反応ガス混合室１７
がガス導入板１１に接続して設けられる。反応ガス混合
室１７には複数個の反応ガス供給孔１８ａ，１８ｂが設
けられる。
【００３０】＜常圧ＣＶＤ装置内の不活性ガス供給経路
＞反応ガス混合室１７の壁面の中には、第１の不活性ガ
スの流路２８が形成されており、この第１の不活性ガス
の流路２８の開口２７は、ガス導入板１１のフランジ部
１１ｂの上面に位置している。
【００３１】フランジ部１１ｂの上には、ガス導入板１
１の凸部１１ａを囲む中空環状の不活性ガス噴出部材２
６が設けられている。不活性ガス噴出部材２６の中空部
分は第１の不活性ガスの流路２８の開口２７に連通して
いる。また、不活性ガス噴出部材２６の上面は、反応空
間４と排気通路１３との境界に位置しており、この上面
には、実質的に排気通路１３に向いて開口した複数の不
活性ガス噴出孔２５が形成されている。
【００３２】反応容器頭部３には第２の不活性ガスの流
路３３が形成されている。この第２の不活性ガスの流路
３３は基板支持体５の上方周辺を囲むリング状の通路と
なっており、反応容器頭部３の上面に開口する孔３４に
連通している。第２の不活性ガスの流路３３は第２の不
活性ガス噴出孔３２に連通しており、この不活性ガス噴
出孔３２は、基板支持体５の周囲に設けられた空間に向
けて斜め下方に開口している。
【００３３】＜付帯設備の構成＞反応ガス供給孔１８
ａ，１８ｂには反応ガス供給装置１９ａ，１９ｂがそれ
ぞれ配管を介して接続される。反応ガス供給装置１９
ａ，１９ｂはシランガス２１ａと酸素ガス２１ｂとを反
応ガス供給孔１８ａ，１８ｂにそれぞれ供給し、それら
の反応ガス２１ａ，２１ｂは反応ガス混合室１７にて混
合されて、混合反応ガス２１となる。
【００３４】また、排気通路１３には配管を介して排気
処理装置２０が接続される。基板支持体５に配管を介し
て接続される真空装置２４の働きにより、均熱板８は半
導体基板６の裏側主面１０を真空吸着する。
【００３５】第１と第２の不活性ガスを常圧ＣＶＤ装置
１０１に供給するために、加圧された不活性ガスを発生
する不活性ガス発生装置２９が設けられる。不活性ガス
発生装置２９は工場に設置された不活性ガス貯留設備で
あってもよく、不活性ガスボンベであってもよい。この
実施例では第１と第２の不活性ガスとして窒素（Ｎ2 ）
ガスが使用される。このため、不活性ガス発生装置２９
が第１と第２の不活性ガスの発生のために共用されてい
るが、第１と第２の不活性ガスの発生のために個別の不
活性ガス発生装置が設けられていてもよい。
【００３６】不活性ガス発生装置２９からの配管は２つ
に分岐し、それぞれの枝は第１と第２の減圧器３０，３
５に接続されている。もっとも、不活性ガス発生装置２
９からの配管が単一の減圧器を通った後に２つに分岐し
ていてもよい。
【００３７】第１と第２の減圧器３０，３５でそれぞれ
減圧された不活性ガスは、第１と第２の質量流量制御装
置（mass flow controller）３１，３６に与えられる。
質量流量制御装置３１，３６は流量率制御機構を有して
おり、その中を通る第１と第２の不活性ガスの質量流量
率をそれぞれ任意に設定可能となっている。質量流量制
御装置３１，３６のかわりに流量調節弁と流量率計（fl
ow meter）との組合せを用いてもよいが、減圧器３０，
３５から供給される不活性ガスの圧力が変動しても、不
活性ガスの流量値を常にそれぞれの設定値に維持できる
点において、質量流量制御装置の使用が好ましい。
【００３８】質量流量制御装置３１，３６によって質量
流量が制御された第１と第２の不活性ガスは、それぞれ
第１と第２の不活性ガスの流路２８，３４に供給され
る。このため、あらかじめ設定されたそれぞれの流量率
で第１と第２の不活性ガスを、不活性ガス噴出孔２５，
３２から反応容器１内に噴射することが可能である。
【００３９】＜常圧ＣＶＤ装置１０１の細部構成＞図２
は図１に図示する線分ＡＡ’に沿って切断したＣＶＤ装
置１０１の切断平面図である。排気通路１３は、半導体
基板６の周辺を囲む形で配置された円溝状をなしてお
り、反応容器頭部３の４つの角に位置する排気通路１３
の端部に形成された配管路４０とを介して図１の排気処
理装置２０に通じている。
【００４０】図３は基板支持体５の斜視図である。均熱
板８の底面には円形の溝４１ａおよび十字形の溝４１ｂ
が施されており、基板支持体５の中心軸を貫通する孔４
２の一端４３が十字形の溝４１ｂの中心に開口してい
る。孔４２の他の一端４４は配管を介して図１の真空装
置２４に接続される。
【００４１】図４は基板支持体５に半導体基板６が吸着
された状態を示す部分断面図である。均熱板８の直径は
半導体基板６の直径よりもわずかに大きくされており、
半導体基板６の縁６ａが均熱板８の半導体基板６に接触
する面上の縁４５よりも僅かに周辺に突き出るように、
半導体基板６が均熱板８に吸着される。突き出る距離ｄ
は、例えば０．５mm程度である。
【００４２】図５は不活性ガス部材２６とその周辺の詳
細断面図である。不活性ガス噴出部材２６にはボルト孔
４６が設けられており、ボルト孔４６を貫通するボルト
４７で反応ガス導入板１１に固定される。ガス導入板１
１の表面上の第１の不活性ガスの流路２８の端部の周辺
には、第１の不活性ガスの流路２８を取り巻くようにＯ
−リング４８が取り付けられている。これにより第１の
不活性ガスの流路２８を通過する不活性ガスが反応ガス
導入板１１と不活性ガス噴出手段２６の間隙から漏れ出
ることなく不活性ガス導入孔２７へ導入される。不活性
ガス噴出孔２５は、その中心軸４９が環状の不活性ガス
噴出部材２６の径方向から所定の仰角θを持つことによ
り略排気通路１３の開口に向かうように設けられる。好
ましくは、このように設定される仰角θは４５゜程度で
ある。
【００４３】図６は不活性ガス噴出部材２６の一部を切
断した部分断面斜視図である。中空で環状の不活性ガス
噴出部材２６の上面には、不活性ガス噴出部材２６の円
周方向に沿って多数の不活性ガス噴出孔２５がほぼ等間
隔で設けられており、底面には１箇所に不活性ガス導入
孔２７が設けられる。不活性ガス噴出孔２５の個数は望
ましくは２０個以上である。
【００４４】＜システムの動作＞この常圧ＣＶＤ処理シ
ステムを用いて半導体基板の下主面上に薄膜を形成させ
る動作は以下のようになる。まず、開閉機構３９を用い
てゲート１６を開いて、半導体基板６を外界から搬送口
１５を経由して反応空間４へ挿入する。この動作はロボ
ット等の基板搬送装置を用いて行われる。
【００４５】基板搬送装置のアームを駆動することによ
って半導体基板６の裏主面１０が均熱板８の下面に接触
乃至近接するように半導体基板６を位置決めした後、図
１の真空装置２４を能動化する。それによって、均熱板
の溝４１ａ，４１ｂ付近に負圧が発生し、その負圧によ
って半導体基板６が均熱板８の下面に密着保持される。
その後、基板搬送装置のアームが常圧ＣＶＤ装置１０
１の外部へ退避し、開閉機構３９を用いてゲート１６を
閉じる。
【００４６】次に、反応ガス２１が反応ガス混合室１７
から反応ガス導入孔１２を通過して反応空間４の中に、
半導体基板６の被処理主面９へ向かって噴出される。ヒ
ータ７による加熱の作用により、反応ガス２１が酸化反
応などの熱化学反応を引き起こし、反応生成物である２
酸化珪素が半導体基板表面９上に堆積し薄膜が形成され
る。反応ガス２１のうち未反応の部分や、反応によって
生じるガスなどを含む排ガスは、連続的に排気通路１３
を通して反応空間４の外に排気され、配管を介して排気
処理装置２０へ送られる。
【００４７】これらの動作と平行して不活性ガス発生設
備２９から配管を通じて輸送された不活性ガスの一部
は、まず第１の減圧器３０において圧力を２乃至３気圧
程度に減圧され、ついで第１の質量流量制御装置３１に
輸送され、その流量率が所定の最適値になるように自動
的に調整される。このようにして流量率を制御された不
活性ガスが第１の不活性ガスの流路２８、不活性ガス導
入孔２７を経由して不活性ガス噴出部材２６へ送出され
る。
【００４８】不活性ガス噴出部材２６に到達した不活性
ガス（第１の不活性ガス）は多数の不活性ガス噴出孔２
５から排気通路１３に向かって噴出する。このことによ
り、反応空間４からの排ガスは、第１の不活性ガスの流
れによって加速されつつ排気通路１３へと導かれる。こ
れらの結果、排ガスに含まれる反応副生成物２２も反応
ガス２１の流れに伴って排気通路１３へ速やかに排出さ
れる。このため、反応副生成物２２が反応ガス導入孔の
周辺２３に堆積することが抑制される。
【００４９】一方、第２の不活性ガスの流路３３に供給
された第２の不活性ガスは、第２の不活性ガス噴出孔３
２から、基板裏側主面１０の側部上方から斜め下方に向
けて噴出する。これにより、半導体基板６のエッジ上方
の空間が第２の不活性ガスで満たされ、この空間に反応
ガス２１並びに反応ガス２１に混合する反応副生成物２
２が侵入することが抑制される。
【００５０】第１および第２の質量流量制御装置３１，
３６で設定される流量率は、反応副生成物２２の堆積を
防止するために適当な値としてそれぞれが事前に最適の
値に決定されており、それらの値は一般に互いに異なっ
た値とされる。
【００５１】ヒータ３８は排気通路１３の壁面を加熱す
ることにより、この壁面に付着する反応副生成物２２を
除去する働きをする。
【００５２】図４において説明したように、均熱板８の
半導体基板６に接触する面上の縁４５よりも半導体基板
６の縁が僅かながら周辺に突き出ているために、均熱板
８の半導体基板６に接触する面が全て半導体基板６で確
実に覆われる。このため、均熱板８の半導体基板６に接
触する面上のどの部分も、反応副生成物２２が混じった
反応ガス２１に直接曝され反応副生成物２２が付着する
ことがない。このことにより、つぎの新たな半導体基板
６を均熱板８の底面に確実に密着保持し得ることが保証
される。
【００５３】以上の構成により、反応空間４の壁面をな
すどの部分にも反応副生成物２２が付着乃至堆積するこ
とが抑制される。半導体基板表面９上に所定の量の薄膜
が形成されると、開閉機構３９を作動させることにより
ゲート１６を開いて、半導体基板６を均熱板８から離
し、搬送口１５を経由して反応空間４から外界へ搬出さ
れる。この作業も通常、ロボット等の搬送装置を用いて
行われる。
【００５４】そして、このような操作を複数の半導体基
板について繰返すことによって、各基板へのＣＶＤ膜の
形成処理が順次に実行される。
【００５５】このようにこの実施例のシステム１００で
は、反応ガス導入孔の周辺２３への反応副生成物２２の
堆積が抑制されるため、ＣＶＤ装置１０１の分解クリー
ニングの頻度は少なくてすむ。
【００５６】特に、この実施例のシステム１００では第
２の不活性ガスの流路３３にも不活性ガスが供給される
とともに、排気通路１３の壁面がヒータ３８によって加
熱されるため、ＣＶＤ装置１０１はクリーニングレスの
装置として運用することも可能である。
【００５７】＜不活性ガス噴出部材の他の例＞図７は、
図１の不活性ガス噴出部材２６のかわりに使用可能な不
活性ガス噴出部材２６ａの一部を切断した部分断面斜視
図である。この不活性ガス噴出部材２６ａでは、中空リ
ングの上面にスリット状の不活性ガス噴出孔２５ａがほ
ぼ等間隔で配列している。このため、反応空間４の周囲
における第１の不活性ガスの流れの分布が、図１の場合
よりも均一になる。
【００５８】図８は、他の不活性ガス噴出部材２６ｂの
一部を切断した部分断面斜視図である。この他の不活性
ガス噴出部材２６ｂでは、不活性ガス噴出孔２５ｂが、
中空リグの上面に沿って周回するスリットとなってい
る。この場合には、反応空間４の周囲における第１の不
活性ガスの流れの分布をさらに均一化できる。ただし、
不活性ガス噴出孔２５ｂのうち、不活性ガス導入孔２７
に近い部分２５ｓにおいて比較的多くの不活性ガスが噴
出すると、不活性ガス導入孔２７から遠い部分２５ｔか
ら噴出する不活性ガスの圧力が減少し、不活性ガス噴出
孔２５ｂから噴出する不活性ガスの圧力分布が必らずし
も一様にはならない。このため、この様な場合には、不
活性ガス導入孔２７に近い部分２５ｓのスリット幅Ｄs
を比較的小さくし、不活性ガス導入孔２７から遠い部分
２５ｔのスリット幅Ｄt を比較的大きくするように、ス
リット幅を漸次に拡大しておくことが好ましい。
【００５９】図９は、更に別の不活性ガス噴出部材２６
ｃの一部を切断した部分断面斜視図である。この不活性
ガス噴出手段２６ｃでは、中空のパイプを円形に曲げて
環となし、不活性ガスの漏れを防ぐために底部を平坦面
に加工したものである。この不活性ガス噴出部材２６ｃ
は止め金５０を介してボルト４７でガス導入板１１に固
定される。図９に例示した不活性ガス噴出孔２５ｃの形
状は円形であるが、スリット状であってもよい。この不
活性ガス噴出部材２６ｃは、その製作がより容易に行い
得るという利点がある。
【００６０】［実施例２］図１０は、この発明の第２の
実施例である常圧ＣＶＤ処理システム２００の断面正面
図である。このシステム２００では、常圧ＣＶＤ装置２
０１における第１の不活性ガス噴出のための構造が第１
の実施例のものとは異なっている。
【００６１】すなわち、この常圧ＣＶＤ装置２０１で
は、リング状の中空部２５ａを、ガス導入板１１の中央
凸部１１ａの外周に沿って形成している。このリング状
の中空部２５ａは、複数の不活性ガス噴出孔２５を有す
るリング部材２６ｄを中央凸部１１ａに外嵌合めして固
定することによって得られている。不活性ガス噴出孔２
５は、第１の実施例と同様に反応空間４と排気通路４と
の境界付近に位置しており、この排気通路１３に向いて
開口している。
【００６２】したがって、実質的には、この第２の実施
例における不活性ガス噴出孔２５は、ス導入板１１に固
定的に設けられた孔となっている。
【００６３】残余の構成と操作方法は、図１のシステム
１００と同様である。
【００６４】この装置２０１においても、不活性ガス噴
出孔２５からの不活性ガスの噴出によって、反応ガス導
入孔の周辺２３に反応副生成物２２が蓄積することは抑
制される。
【００６５】なお、不活性ガス噴出孔２５をスリット状
にする場合などにおいては、そのスリットを通してリン
グ状の中空部２５ａを堀り込むことが可能であるため、
ガス導入板１１の凸部１１ａの径を比較的大きくとり、
その辺縁部分に不活性ガス噴出孔２５とリング状の中空
部２５ａとを形成してもよい。この場合には、リング部
材２６ｄは不要である。
【００６６】［実施例３］ ＜構成＞図１１はこの発明の第３の実施例にかかる常圧
ＣＶＤ処理システム３００の断面正面図である。このシ
ステム３００に用いられる常圧ＣＶＤ装置３０１では、
ガス導入板１１の周辺２３に相当するフランジ部１１ｂ
の上に、固定整流板５４、および可動整流板５５が設置
される。可動整流板５５は反応ガス混合室１７を貫通す
るロッド５６を介して直動シリンダ５７の中を摺動する
ピストン５８に接続される。
【００６７】図１４は、固定整流板５４と可動整流板５
５との組合せからなる整流部材５１の平面図である。整
流部材５１は全体としてリング状となっており、図１１
の反応ガス噴出孔２５の配列の周囲を囲んでいる。図１
１のフランジ部１１ｂのうち、基板搬送通路１５に対向
している部分１１ｃの高さは残余の部分のよりも低くな
っており、この部分１１ｃの上に可動整流板５５が位置
している。固定整流板５４と可動整流板５５とのそれぞ
れは円弧状であり、固定整流板５４の方が可動整流板５
５よりも長くなっている。また整流部材５１の断面は図
１１に示すごとく台形であり、その斜辺の傾きは、排気
通路１３の底面の傾きとほぼ同一であって、整流部材５
１の斜辺と排気通路１３の底面とは滑らかに連続するよ
うになっている。
【００６８】可動整流板５５は直動シリンダ５７の働き
で上下にスライド可動であり、装置３０１が稼働中にお
いては、可動整流板５５は図１１において実線で描かれ
るように上方向に位置し、半導体基板６を搬入若しくは
搬出する際には、図１１において点線で描かれる下方向
に位置する。可動整流板５５がこのように動作するため
に、反応容器頭部３を取り外すことなく、搬送口１５を
使って半導体基板６の搬入並びに搬出を容易に行うこと
が可能となる。直動シリンダ５７の代わりに他のアクチ
ュエータを利用することも可能である。
【００６９】この第３の実施例の装置３０１では、第１
の実施例の装置１０１と異なり、ガス導入板１１の上に
は不活性ガス噴出孔とそれに不活性ガスを供給する通路
とは設けられていない。残余の構成は、第１の実施例の
システム１００と同様である。
【００７０】＜動作＞装置３０１への半導体基板６の搬
入を行なうためにゲート１６を開く時点では、可動整流
板５５は点線の位置まで引き下げられた状態にある。こ
のため、半導体基板６を反応空間４に搬入し、基板支持
体５に支持させるプロセスにおいて、可動整流板５５が
半導体基板６の進路を阻むことはない。
【００７１】半導体基板６を基板支持体５によって支持
させた後、直動シリンダ５７を駆動することによって可
動整流板５５が実線位置まで押し上げられる。また、こ
れと前後してゲート１６を閉じる。
【００７２】反応ガスの供給やＣＶＤ膜形成の原理は第
１の実施例のシステム１００と同様である。排ガスが排
気通路１３へ流れるにあたって、固定整流板５４及び可
動整流板５５は排ガスの流れが層流になるように流れを
滑らかに導くガイドとして機能する。それ故、排ガスの
流れが乱れて渦を成したり、一部に滞留する吹き溜りを
形成することがなく、このため排ガスに混入している反
応副生成物２２が反応ガス導入孔１２の周辺の壁面に堆
積することが抑制される。
【００７３】ＣＶＤ膜の形成後にゲート１６が開かれる
とともに、可動整流板５５は点線の位置まで引き下げら
れる。そして、半導体基板６がゲート１６から搬出され
る。
【００７４】この装置３０１では、固定整流板５４がガ
ス導入板１１から分離した構造であり、反応容器頭部３
を持ち上げて反応容器本体２から切り離した後に、固定
整流板５４をガス導入板１１から取り外すことができ
る。可動整流板５５も同様に取り外しが可能である。こ
れにより、固定整流板５４及び可動整流板５５の清掃或
は交換を容易に行うことができる。
【００７５】＜整流板の他の例＞図１３は、図１１の固
定整流板５４のかわりに使用可能な固定整流板５４ａの
断面図である。可動整流板５５についても、この固定整
流板５４ａと同様の断面を持つ部材を代用可能である。
【００７６】図１１の固定整流板５４ではガスの流れを
ガイドする斜面の断面が直線状であるが、この整流板５
４ａの斜面５９の断面は下に凸の曲線となっている。好
ましくは、壁面５９の輪郭の形状は反応ガス２１の流線
の方向を緩やかに曲げるような曲線であり、たとえば球
面や放物面を採用可能である。
【００７７】［実施例４］図１４はこの発明の第４の実
施例にかかる常圧ＣＶＤ処理システム４００の断面正面
図である。このシステム４００に用いられる常圧ＣＶＤ
装置４０１では、可動整流板５５の縁を囲むようにＯ−
リング６０が取り付けられている。図１１のゲート１６
および開閉機構３９は、この第４の実施例の装置４０１
では不要である。
【００７８】図１５は可動整流板５５の詳細斜視図であ
り、Ｏ−リング６０は可動整流板５５の上面５５ｔ、側
面５５ｓおよび内側面下方部分５５ｉにわたって掛渡さ
れている。これらの面５５ｔ、５５ｓおよび５５ｉは、
可動整流板５５が図１４において実線で描かれるように
上方向に位置する時に、この可動整流板５５がその周囲
の部材に当接する面に相当する。
【００７９】可動整流板５５がこのような構造であるた
めに、可動整流板５５が図１４において実線で描かれる
ように上方向に位置する時には、反応空間４の外気との
気密が保持される。すなわち、可動整流板５５がゲート
１６の機能をも兼ね備えており、ゲート１６を別途に設
ける必要がなく、更にゲート１６を開閉する開閉機構３
９も要しない。それ故、装置の構造が単純となるのに加
えて、半導体基板６の反応空間４への搬入並びに反応空
間４からの搬出がより容易に行い得る。
【００８０】［実施例５］図１６はこの発明の第５の実
施例にかかる常圧ＣＶＤ処理システム５００の断面正面
図である。このシステム５００に用いられる常圧ＣＶＤ
装置５０１では、ガス導入板１１のうち反応ガス噴出孔
１２の配列の周囲を囲む部分が斜面状に高くされてお
り、この部分が整流部分５１ａとして機能する。整流部
分５１ａの上面は、反応ガス噴出孔１２の配列が形成さ
れたガス導入板１１の中央部分１１ｅの上面と、排気通
路１３３の底面とを段差なく接続する。
【００８１】この装置５０１では可動整流板は設けられ
ておらず、このため半導体基板６を外界から反応空間４
へ搬入するとき、及び反応空間４から外界へ搬出すると
きには、反応容器頭部３を持ち上げて反応容器本体２か
ら切り離す。
【００８２】［変形例］ （１）以上の実施例では、反応ガス２１ａ，２１ｂがシ
ラン−酸素系である例を示したが、本発明は、シラン−
酸素系以外の反応ガスを用いる場合にも適用可能であ
る。 実施例６． （２）本発明においてＣＶＤ膜の形成を行なう基板は、
半導体基板６に限定されない。
【００８３】（３）この発明は、減圧ＣＶＤにおいても
適用が可能である。
【００８４】
【発明の効果】
＜１．第１の態様における効果＞この発明の第１の態様
（請求項１〜４）では、被処理基板の主面に向かって反
応ガスを噴出する反応ガス導入孔の周辺に不活性ガス噴
出孔が位置しており、実質的に排気通路に向って不活性
ガスが噴出されるために、反応副生成物を含む排ガスの
流れを不活性ガスの流れが助長する。このため、反応副
生成物を含む排ガスが不活性ガスの流れに伴って排気通
路へ速やかに排出される。これらの結果、反応副生成物
が反応ガス導入孔の周辺に堆積し難くなる。
【００８５】このため、清掃作業のための装置を停止す
る頻度を少なくして、処理能力を向上することができる
とともに、基板に異物が付着する確率をも低く抑え、こ
の基板から製造された製品の仕上がりにおける歩留まり
を向上することができる効果がある。
【００８６】また、請求項３の構成では、前記不活性ガ
スの流量率を質量流量制御手段によって調節することに
よって、不活性ガスの流量率が自動的にかつ最適に維持
される。
【００８７】＜２．第２の態様における効果＞この発明
の第２の態様（請求項５〜１１）では、整流手段を設け
て反応副生成物を含む排ガスの流れが層流になるように
してあるので、排ガスが排気通路へ至るまでに流れが乱
れて吹き溜りを形成することがなく、このため反応副生
成物が反応ガス導入孔の周辺に堆積し難くなる。
【００８８】このため、この第２の態様においても、清
掃作業のための装置を停止する頻度を少なくして、処理
能力を向上することができるとともに、基板に異物が付
着する確率をも低く抑え、この基板から製造された製品
の仕上がりにおける歩留まりを向上することができる効
果がある。
【００８９】特に、整流手段のうち、基板を外界と反応
容器内との間で搬入並びに搬出する際の基板の通過通路
の開口に面する部分を可動部分とする場合には、反応容
器を分解することなく、基板を容易に搬入並びに搬出す
ることができるという機能を維持しつつ、反応副生成物
の堆積を防止できる（請求項６，９）。
【００９０】また、上記可動部分に、反応容器内と外気
との間を隔絶するためのシールを設ける場合には、反応
中においては可動部分によって基板通過経路の開口を閉
じて反応容器内を外界から隔絶し、基板の搬入並びに搬
出の際には開扉するゲートとなすことができ、他に別途
ゲートを設ける必要がない（請求項７，１０）。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施例による常圧ＣＶＤ処理
システムの断面正面図である。
【図２】図１に図示する線分ＡＡ’に沿った切断平面図
である。
【図３】基板支持部材の斜視図である。
【図４】基板支持部材に半導体基板が取り付けられた状
態を示す断面図である。
【図５】不活性ガス噴出部材とその周辺の詳細断面図で
ある。
【図６】不活性ガス噴出部材の一部を切断した部分断面
斜視図である。
【図７】不活性ガス噴出部材の他の例における部分断面
斜視図である。
【図８】不活性ガス噴出部材の他の例における部分断面
斜視図である。
【図９】不活性ガス噴出部材の他の例における部分断面
斜視図である。
【図１０】この発明の第２の実施例による常圧ＣＶＤ処
理システムの断面正面図である。
【図１１】この発明の第３の実施例による常圧ＣＶＤ処
理システムの断面正面図である。
【図１２】第３の実施例の常圧ＣＶＤ処理システムにお
ける固定整流板及び可動整流板の平面図である。
【図１３】固定整流板の他の例を示す断面図である。
【図１４】この発明の第４の実施例による常圧ＣＶＤ処
理システムの断面正面図である。
【図１５】可動整流板へのＯ−リングの取付けを示す斜
視図である。
【図１６】この発明の第５の実施例による常圧ＣＶＤ処
理システムの断面正面図である。
【図１７】従来の常圧ＣＶＤ装置の主要部の断面正面図
である。
【符号の説明】
１ 反応容器 ５ 基板支持体 ６ 半導体基板 ９ 半導体基板の被処理主面 １０ 半導体基板の裏側主面 １１ ガス導入板 １２ 反応ガス導入孔 １３ 排気通路 １５ 基板搬送通路 ２１ 反応ガス ２３ 反応ガス導入孔の周辺 ２５ 第１の不活性ガス噴出孔 ２６ 不活性ガス噴出部材 ３１ 第１の質量流量制御装置 ３３ 第２の不活性ガス噴出孔 ３７ 排気装置 ３８ ヒータ ５４ 固定整流板 ５５ 可動整流板 ５９ 整流板の壁面

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 反応ガスを被処理基板に供給し、前記反
    応ガスの化学反応により、前記基板の主面上に所定の組
    成を有した膜を形成させる化学気相成長方法であって、
    （ａ）前記化学反応を行う反応空間を外気から隔絶する
    工程と、（ｂ）前記反応空間に連通する排気通路を確立
    する工程と、（ｃ）前記反応空間に前記基板を加熱しつ
    つ支持する工程と、（ｄ）前記基板の前記主面に向けて
    開口した反応ガス導入孔から前記主面に向けて前記反応
    ガスを噴出し、前記反応ガスの前記化学反応によって前
    記膜を前記主面上に成長させる工程と、（ｅ）前記反応
    ガス導入孔の周辺に設けられ、実質的に前記排気通路に
    向いて開口した不活性ガス噴出孔から不活性ガスを噴出
    する工程と、（ｆ）前記反応ガスから生じる排ガスと前
    記不活性ガスとを前記排気通路を通じて排気する工程
    と、を備える化学気相成長方法。
  2. 【請求項２】 被処理基板の主面上に所定の組成を有し
    た膜を形成させる化学気相成長処理システムであって、
    （ａ）前記基板を加熱しつつ支持する基板支持手段と、
    （ｂ）前記基板と前記基板支持手段とを収容するととも
    に、前記主面上に反応空間を規定してなり、かつ前記反
    応空間に連通する排気通路が設けられた反応容器と、
    （ｃ）前記反応空間をはさんで前記基板の反対側に設け
    られ、前記基板の前記主面に向けて開口した反応ガス導
    入孔を有する反応ガス導入手段と、（ｄ）前記反応ガス
    導入手段の周辺に設けられ、実質的に前記排気通路に向
    いて開口した不活性ガス導入孔を有する不活性ガス導入
    手段と、（ｅ）前記反応ガス導入孔に結合され、前記反
    応ガス導入孔より前記反応空間内に反応ガスを供給する
    反応ガス供給手段と、（ｆ）前記不活性ガス導入孔に結
    合され、前記不活性ガス導入孔を介して前記排気通路に
    向って不活性ガスを噴出させる不活性ガス供給手段と、
    （ｇ）前記排気通路に結合し、前記反応ガスから生じる
    排ガスと前記不活性ガスとを前記排気通路を通じて排気
    する排気手段と、を備える化学気相成長処理システム。
  3. 【請求項３】 前記不活性ガス供給手段が、（ｆ−１）
    加圧された不活性ガスを発生する不活性ガス発生手段
    と、（ｆ−２）前記不活性ガス発生手段と前記不活性ガ
    ス導入孔との間に介挿され、前記加圧された不活性ガス
    の流量率を調節して前記不活性ガス導入孔に与える質量
    流量制御手段と、を備える請求項２に記載の化学気相成
    長処理システム。
  4. 【請求項４】 被処理基板の主面上に所定の組成を有し
    た膜を形成させる化学気相成長装置であって、（ａ）前
    記基板を加熱しつつ支持する基板支持手段と、（ｂ）前
    記基板と前記基板支持手段とを収容するとともに、前記
    主面上に反応空間を規定してなり、かつ前記反応空間に
    連通する排気通路が設けられた反応容器と、（ｃ）前記
    反応空間をはさんで前記基板の反対側に設けられ、前記
    基板の前記表面に向けて開口した反応ガス導入孔を有す
    る反応ガス導入手段と、（ｄ）前記反応ガス導入手段の
    周辺に設けられ、実質的に前記排気通路に向いて開口し
    た不活性ガス導入孔を有する不活性ガス導入手段と、を
    備える化学気相成長処理装置。
  5. 【請求項５】 反応ガスを被処理基板に供給し、前記反
    応ガスの化学反応により、前記基板の主面上に所定の組
    成を有した膜を形成させる化学気相成長方法であって、
    （ａ）前記化学反応を行う反応空間を、反応容器によっ
    て外気から隔絶する工程と、（ｂ）前記反応空間に連通
    する排気通路を確立する工程と、（ｃ）前記反応空間に
    前記基板を加熱しつつ支持する工程と、（ｄ）前記基板
    の前記主面に向けて前記反応ガスを噴出し、前記反応ガ
    スの前記化学反応によって前記膜を前記主面上に成長さ
    せる工程と、（ｅ）前記反応ガスから生じる排ガスの流
    れを前記反応空間の周辺に設けられた整流手段によって
    ガイドすることにより、前記反応空間から前記排気通路
    への前記排ガスの前記流れを層流とさせる工程と、
    （ｆ）前記層流とされた前記排ガスを、前記排気通路を
    通じて排気する工程と、を備える化学気相成長方法。
  6. 【請求項６】 前記工程（ａ）は、（ａ−１） 前記反
    応容器の一部に、前記反応空間に連通し、前記反応容器
    の外部から前記反応容器内への前記基板の搬入及び前記
    反応容器内から前記外部への前記基板の搬出のための基
    板搬送通路を確立する工程、を備え、 前記基板搬送通路は、 前記反応容器の内部において開口する第１の開口と、 前記反応容器の前記外部に開口する第２の開口と、を有
    し、 前記工程（ｅ）は、（ｅ−１） 前記整流手段が、 前記第１の開口を覆う可動部分と、 前記第１の開口を避けた位置において固定された固定部
    分と、 を有するように前記整流手段を構成する工程を備え、 前記工程（ｃ）は、 （ｃ−１）前記可動部分を駆動することによって前記第
    １の開口を開く工程と、（ｃ−２）前記基板搬送通路を
    通して前記基板を前記反応容器の外部から前記反応空間
    へと搬入する工程と、 （ｃ−３）前記可動部分を駆動することによって前記第
    １の開口を閉じる工程と、を備える、請求項５に記載の
    化学気相成長方法。
  7. 【請求項７】 前記整流手段は、 前記可動部分の周囲に設けられたシール手段、をさらに
    備え、 前記工程（ｃ−３）が、 （ｃ−３−１）前記可動部分によって前記第１の開口を
    閉じた際に、前記シール手段によって前記可動部分と前
    記第１の開口との間を気密状態とする工程を備える、請
    求項６に記載の化学気相成長方法。
  8. 【請求項８】 被処理基板の主面上に所定の組成を有し
    た膜を形成させる化学気相成長処理システムであって、
    （ａ）前記基板を加熱しつつ支持する基板支持手段と、
    （ｂ）前記基板と前記基板支持手段とを収容するととも
    に、前記主面上に反応空間を規定してなり、かつ前記反
    応空間に連通する排気通路が設けられた反応容器と、
    （ｃ）前記反応空間をはさんで前記基板の反対側に設け
    られ、前記基板の前記表面に向けて開口した反応ガス導
    入孔を有するガス導入手段と、（ｄ）前記反応容器内に
    設けられ、前記反応ガスから生じる排ガスの前記反応空
    間から前記排気通路までの流れに対して、該流れを層流
    とさせる壁面を有する整流手段と、（ｅ）前記反応ガス
    導入孔に結合され、前記反応ガス導入孔より前記反応空
    間内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、（ｆ）
    前記排気通路に結合し、前記排ガスを前記排気通路を通
    じて排気する排気手段と、を備える化学気相成長処理シ
    ステム。
  9. 【請求項９】前記反応容器には、前記反応容器の一部
    に、前記反応空間に連通し、前記反応容器の外部から前
    記反応容器内への前記基板の搬入及び前記反応容器内か
    ら前記外部への前記基板の搬出のための基板搬送通路が
    形成され、 前記基板搬送通路は、 前記反応容器の内部において開口する第１の開口と、 前記反応容器の前記外部に開口する第２の開口と、 を有し、 前記整流手段は、（ｄ−１）前記第１の開口を覆う可動
    部分と、（ｄ−２）前記第１の開口を避けた位置におい
    て前記ガス導入手段の周辺に固定された固定部分と、を
    備え、 前記処理システムは、（ｇ）前記可動部分に結合され、
    前記可動部分を駆動することによって前記第１の開口を
    開閉させる駆動手段、をさらに備える、請求項７に記載
    の化学気相成長処理システム。
  10. 【請求項１０】 前記反応容器が、（ｂ−１）前記第１
    の開口を囲む壁面を備え、 前記整流手段が、（ｄ−３）前記可動部分に固定され
    て、前記可動部分が前記第１の開口を閉じた際に前記可
    動部分と前記壁面との間をシールするシール手段、をさ
    らに備える、請求項８に記載の化学気相成長処理システ
    ム。
  11. 【請求項１１】 被処理基板の主面上に所定の組成を有
    した膜を形成させる化学気相成長装置であって、（ａ）
    前記基板を加熱しつつ支持する基板支持手段と、（ｂ）
    前記基板と前記基板支持手段とを収容するとともに、前
    記主面上に反応空間を規定してなり、かつ前記反応空間
    に連通する排気通路が設けられた反応容器と、（ｃ）前
    記反応空間をはさんで前記基板の反対側に設けられ、前
    記基板の前記表面に向けて開口した反応ガス導入孔を有
    するガス導入手段と、（ｄ）前記反応容器内に設けら
    れ、前記反応ガスから生じる排ガスの前記反応空間から
    前記排気通路までの流れに対して、該流れを層流とさせ
    る壁面を有する整流手段と、を備える化学気相成長装
    置。
JP3330328A 1991-12-13 1991-12-13 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置 Expired - Fee Related JP2763222B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3330328A JP2763222B2 (ja) 1991-12-13 1991-12-13 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置
US07/980,971 US5338363A (en) 1991-12-13 1992-11-24 Chemical vapor deposition method, and chemical vapor deposition treatment system and chemical vapor deposition apparatus therefor
DE4241932A DE4241932C2 (de) 1991-12-13 1992-12-11 Verfahren sowie Vorrichtung zur Steuerung des Gasflusses bei CVD-Prozessen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3330328A JP2763222B2 (ja) 1991-12-13 1991-12-13 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05166734A true JPH05166734A (ja) 1993-07-02
JP2763222B2 JP2763222B2 (ja) 1998-06-11

Family

ID=18231398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3330328A Expired - Fee Related JP2763222B2 (ja) 1991-12-13 1991-12-13 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5338363A (ja)
JP (1) JP2763222B2 (ja)
DE (1) DE4241932C2 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0936050A (ja) * 1995-07-25 1997-02-07 Mitsubishi Electric Corp 常圧ｃｖｄ装置
JP2004288982A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2009065153A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Applied Materials Inc プラズマリアクタチャンバにおいてウェハ縁端部でガスを注入するカソードライナ
JP2011204952A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Toyota Central R&D Labs Inc 表面処理装置
JP2013502068A (ja) * 2009-08-10 2013-01-17 ヨン イ，ソン 窒素ガス噴射装置
JP2013521655A (ja) * 2010-03-03 2013-06-10 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド 傾斜縁を有するウエハキャリア
JP2014503119A (ja) * 2011-01-04 2014-02-06 ジェイ−ソリューション カンパニー，リミテッド 省エネルギー型のサイレンサーアセンブリ、これを備える半導体製造用真空ポンプ、及び窒素ガスの加熱方法
JP2018138691A (ja) * 2016-12-15 2018-09-06 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜抑制ガス排気のためのシャワープレート構造
JP2022535430A (ja) * 2019-06-06 2022-08-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 底部パージガス流の均一性を改善するためのバッフルの実装
JP2022125017A (ja) * 2021-02-16 2022-08-26 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 流れ制御リングを有する基板処理装置、および基板処理方法
JP2023524023A (ja) * 2020-04-28 2023-06-08 ラム リサーチ コーポレーション ウエハのベベル／縁部上の堆積を制御するためのシャワーヘッド設計
JP2023094228A (ja) * 2021-12-23 2023-07-05 三菱電機株式会社 基板載置台及び成膜装置
JP2025132997A (ja) * 2024-02-29 2025-09-10 株式会社 天谷製作所 半導体製造装置
WO2026023159A1 (ja) * 2024-07-25 2026-01-29 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法およびプログラム

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697080A (ja) * 1992-09-10 1994-04-08 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置用反応室および該反応室を用いた化学気相成長装置
JPH0799162A (ja) * 1993-06-21 1995-04-11 Hitachi Ltd Ｃｖｄリアクタ装置
US5643366A (en) * 1994-01-31 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Wafer handling within a vacuum chamber using vacuum
DE19501733C1 (de) * 1995-01-20 1996-05-15 Heraeus Quarzglas Vorrichtung zur Aufteilung eines Gasstromes in mehrere Teilgasströme
US5746834A (en) * 1996-01-04 1998-05-05 Memc Electronics Materials, Inc. Method and apparatus for purging barrel reactors
US5895530A (en) * 1996-02-26 1999-04-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for directing fluid through a semiconductor processing chamber
US5906683A (en) * 1996-04-16 1999-05-25 Applied Materials, Inc. Lid assembly for semiconductor processing chamber
US6004828A (en) * 1997-09-30 1999-12-21 Semitool, Inc, Semiconductor processing workpiece support with sensory subsystem for detection of wafers or other semiconductor workpieces
US5653808A (en) * 1996-08-07 1997-08-05 Macleish; Joseph H. Gas injection system for CVD reactors
EP0823491B1 (en) * 1996-08-07 2002-02-27 Concept Systems Design Inc. Gas injection system for CVD reactors
JP3925566B2 (ja) * 1996-11-15 2007-06-06 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜形成装置
US5814365A (en) * 1997-08-15 1998-09-29 Micro C Technologies, Inc. Reactor and method of processing a semiconductor substate
JPH11297681A (ja) * 1998-04-07 1999-10-29 Mitsubishi Electric Corp 高誘電率薄膜形成用ｃｖｄ装置および高誘電率薄膜の形成方法
KR100267885B1 (ko) * 1998-05-18 2000-11-01 서성기 반도체 박막증착장치
US6300255B1 (en) 1999-02-24 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing semiconductive wafers
US6444040B1 (en) * 2000-05-05 2002-09-03 Applied Materials Inc. Gas distribution plate
KR100332314B1 (ko) * 2000-06-24 2002-04-12 서성기 박막증착용 반응용기
KR100444149B1 (ko) * 2000-07-22 2004-08-09 주식회사 아이피에스 Ald 박막증착설비용 클리닝방법
US7378127B2 (en) 2001-03-13 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
US7049226B2 (en) 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
WO2003029516A1 (en) * 2001-09-29 2003-04-10 Cree, Inc. Apparatus for inverted cvd
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US7390366B2 (en) * 2001-11-05 2008-06-24 Jusung Engineering Co., Ltd. Apparatus for chemical vapor deposition
KR100453014B1 (ko) * 2001-12-26 2004-10-14 주성엔지니어링(주) Ｃｖｄ 장치
US7229666B2 (en) * 2002-01-22 2007-06-12 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition method
US6787185B2 (en) * 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
US7468104B2 (en) * 2002-05-17 2008-12-23 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus and deposition method
JP4354908B2 (ja) * 2002-06-10 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6887521B2 (en) * 2002-08-15 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices
KR100505367B1 (ko) * 2003-03-27 2005-08-04 주식회사 아이피에스 박막증착용 반응용기
US7245022B2 (en) * 2003-11-25 2007-07-17 International Business Machines Corporation Semiconductor module with improved interposer structure and method for forming the same
JP4550507B2 (ja) * 2004-07-26 2010-09-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US8097120B2 (en) * 2006-02-21 2012-01-17 Lam Research Corporation Process tuning gas injection from the substrate edge
US7615061B2 (en) 2006-02-28 2009-11-10 Arthrocare Corporation Bone anchor suture-loading system, method and apparatus
JP2008311385A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Hitachi High-Technologies Corp 基板処理装置
JP5347294B2 (ja) * 2007-09-12 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US8092606B2 (en) * 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
CN101537536A (zh) * 2008-03-20 2009-09-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 剪切装置
DE102008026000B4 (de) * 2008-05-29 2012-03-22 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung flächiger Substrate
KR101092122B1 (ko) * 2010-02-23 2011-12-12 주식회사 디엠에스 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템
US9129778B2 (en) 2011-03-18 2015-09-08 Lam Research Corporation Fluid distribution members and/or assemblies
JP5902896B2 (ja) * 2011-07-08 2016-04-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
FR3002241B1 (fr) * 2013-02-21 2015-11-20 Altatech Semiconductor Dispositif de depot chimique en phase vapeur
US20150030766A1 (en) * 2013-07-25 2015-01-29 Novellus Systems, Inc. Pedestal bottom clean for improved fluorine utilization and integrated symmetric foreline
US9741575B2 (en) * 2014-03-10 2017-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CVD apparatus with gas delivery ring
US9881788B2 (en) 2014-05-22 2018-01-30 Lam Research Corporation Back side deposition apparatus and applications
WO2016182648A1 (en) 2015-05-08 2016-11-17 Applied Materials, Inc. Method for controlling a processing system
JP5990626B1 (ja) * 2015-05-26 2016-09-14 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6054470B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置
JP6054471B2 (ja) 2015-05-26 2016-12-27 株式会社日本製鋼所 原子層成長装置および原子層成長装置排気部
CN106282969B (zh) * 2015-06-02 2019-02-15 中微半导体设备(上海)有限公司 化学气相沉积装置及其沉积方法
CN108292588B (zh) * 2015-12-04 2022-02-18 应用材料公司 用以防止hdp-cvd腔室电弧放电的先进涂层方法及材料
KR102303066B1 (ko) * 2016-06-03 2021-09-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 챔버 내부의 유동을 확산시키는 것에 의한 더 낮은 입자 수 및 더 양호한 웨이퍼 품질을 위한 효과적이고 새로운 설계
KR102040378B1 (ko) * 2016-12-20 2019-11-05 주식회사 티씨케이 지그를 이용한 반도체 제조용 부품의 제조방법 및 제조장치
US10851457B2 (en) 2017-08-31 2020-12-01 Lam Research Corporation PECVD deposition system for deposition on selective side of the substrate
WO2020146047A1 (en) * 2019-01-08 2020-07-16 Applied Materials, Inc. Pumping apparatus and method for substrate processing chambers
FR3099185A1 (fr) * 2019-07-25 2021-01-29 Université De Montpellier Réacteur pour le dépôt d’un matériau sur une surface d’un substrat disposé à l’intérieur du réacteur, et procédé pour déposer le matériau sur un substrat, en protégeant la paroi du réacteur.
WO2021034508A1 (en) 2019-08-16 2021-02-25 Lam Research Corporation Spatially tunable deposition to compensate within wafer differential bow
KR102335472B1 (ko) * 2019-09-04 2021-12-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20210071296A1 (en) * 2019-09-06 2021-03-11 Asm Ip Holding B.V. Exhaust component cleaning method and substrate processing apparatus including exhaust component
CN110592553B (zh) * 2019-10-24 2021-11-16 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室及半导体设备
US11236424B2 (en) * 2019-11-01 2022-02-01 Applied Materials, Inc. Process kit for improving edge film thickness uniformity on a substrate
WO2021138018A1 (en) 2020-01-03 2021-07-08 Lam Research Corporation Station-to-station control of backside bow compensation deposition
KR20260029373A (ko) 2020-01-30 2026-03-04 램 리써치 코포레이션 국부적인 응력 변조를 위한 uv 경화
CN115036231B (zh) * 2021-03-08 2026-02-06 中国科学院微电子研究所 一种半导体处理腔、制造设备及清洗方法
CN112992743B (zh) * 2021-05-17 2021-09-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室及半导体工艺设备

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5741367A (en) * 1980-08-25 1982-03-08 Fujitsu Ltd Chemical vapor deposition device
JPS6090831U (ja) * 1983-11-28 1985-06-21 関西日本電気株式会社 半導体のエピタキシヤル装置
JPS63274125A (ja) * 1987-05-06 1988-11-11 Mitsui Toatsu Chem Inc 高周波印加電極体構造
JPH0246723A (ja) * 1988-08-09 1990-02-16 Fujitsu Ltd 薄膜形成装置
JPH0274029A (ja) * 1988-09-09 1990-03-14 Fujitsu Ltd 薄膜の形成方法およびその装置
JPH02166735A (ja) * 1988-12-21 1990-06-27 Nec Corp 常圧ｃｖｄ装置
JPH02207528A (ja) * 1989-02-08 1990-08-17 Hitachi Ltd プラズマ化学反応成膜装置及びその方法
JPH02283696A (ja) * 1989-04-25 1990-11-21 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
JPH0383891A (ja) * 1989-08-24 1991-04-09 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3751755T2 (de) * 1986-06-30 1997-04-03 Nihon Sinku Gijutsu K K Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden aus der Gasphase
JP2613035B2 (ja) * 1986-12-05 1997-05-21 日本電信電話株式会社 基板吸着固定装置
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
JPH02222134A (ja) * 1989-02-23 1990-09-04 Nobuo Mikoshiba 薄膜形成装置
JPH02295116A (ja) * 1989-05-10 1990-12-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
DE4142877A1 (de) * 1990-12-28 1992-07-02 Mitsubishi Electric Corp Cvd-verfahren und vorrichtung zu dessen durchfuehrung

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5741367A (en) * 1980-08-25 1982-03-08 Fujitsu Ltd Chemical vapor deposition device
JPS6090831U (ja) * 1983-11-28 1985-06-21 関西日本電気株式会社 半導体のエピタキシヤル装置
JPS63274125A (ja) * 1987-05-06 1988-11-11 Mitsui Toatsu Chem Inc 高周波印加電極体構造
JPH0246723A (ja) * 1988-08-09 1990-02-16 Fujitsu Ltd 薄膜形成装置
JPH0274029A (ja) * 1988-09-09 1990-03-14 Fujitsu Ltd 薄膜の形成方法およびその装置
JPH02166735A (ja) * 1988-12-21 1990-06-27 Nec Corp 常圧ｃｖｄ装置
JPH02207528A (ja) * 1989-02-08 1990-08-17 Hitachi Ltd プラズマ化学反応成膜装置及びその方法
JPH02283696A (ja) * 1989-04-25 1990-11-21 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
JPH0383891A (ja) * 1989-08-24 1991-04-09 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0936050A (ja) * 1995-07-25 1997-02-07 Mitsubishi Electric Corp 常圧ｃｖｄ装置
JP2004288982A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2009065153A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Applied Materials Inc プラズマリアクタチャンバにおいてウェハ縁端部でガスを注入するカソードライナ
JP2013502068A (ja) * 2009-08-10 2013-01-17 ヨン イ，ソン 窒素ガス噴射装置
JP2013521655A (ja) * 2010-03-03 2013-06-10 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド 傾斜縁を有するウエハキャリア
JP2011204952A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Toyota Central R&D Labs Inc 表面処理装置
US9243326B2 (en) 2010-03-26 2016-01-26 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Surface treatment apparatus
JP2014503119A (ja) * 2011-01-04 2014-02-06 ジェイ−ソリューション カンパニー，リミテッド 省エネルギー型のサイレンサーアセンブリ、これを備える半導体製造用真空ポンプ、及び窒素ガスの加熱方法
JP2018138691A (ja) * 2016-12-15 2018-09-06 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜抑制ガス排気のためのシャワープレート構造
JP2022535430A (ja) * 2019-06-06 2022-08-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 底部パージガス流の均一性を改善するためのバッフルの実装
JP2024178182A (ja) * 2019-06-06 2024-12-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 底部パージガス流の均一性を改善するためのバッフルの実装
US12183553B2 (en) 2019-06-06 2024-12-31 Applied Materials, Inc. Baffle implementation for improving bottom purge gas flow uniformity
JP2023524023A (ja) * 2020-04-28 2023-06-08 ラム リサーチ コーポレーション ウエハのベベル／縁部上の堆積を制御するためのシャワーヘッド設計
JP2022125017A (ja) * 2021-02-16 2022-08-26 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 流れ制御リングを有する基板処理装置、および基板処理方法
JP2023094228A (ja) * 2021-12-23 2023-07-05 三菱電機株式会社 基板載置台及び成膜装置
JP2025132997A (ja) * 2024-02-29 2025-09-10 株式会社 天谷製作所 半導体製造装置
JP2025132658A (ja) * 2024-02-29 2025-09-10 株式会社 天谷製作所 半導体製造装置
WO2026023159A1 (ja) * 2024-07-25 2026-01-29 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法およびプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2763222B2 (ja) 1998-06-11
DE4241932A1 (en) 1993-06-17
US5338363A (en) 1994-08-16
DE4241932C2 (de) 1996-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05166734A (ja) 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置
US9490149B2 (en) Chemical deposition apparatus having conductance control
JP5735304B2 (ja) 基板処理装置、基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法およびガス供給管
CN105304526B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
EP3174089B1 (en) Semiconductor manufacturing device, and method of manufacturing semiconductor
KR100859602B1 (ko) 기판처리 장치 및 반도체 디바이스의 제조방법
JP4875190B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US10519542B2 (en) Purging method
KR101092852B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이의 배기 방법
TWI674622B (zh) 磊晶晶圓的製造裝置及製造方法
JPWO2012026241A1 (ja) 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置
KR102676982B1 (ko) 기상 성장 장치 및 기상 성장 방법
US12100590B2 (en) Vapor deposition method and vapor deposition device
JP5785062B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2005050955A (ja) 基板処理装置
KR100873150B1 (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법
KR100839188B1 (ko) 기판을 처리하는 방법 및 장치
KR20080062339A (ko) 기판처리장치 및 이를 제조하는 방법
JP2021106181A (ja) 気相成長装置
US12371789B2 (en) Vapor deposition device and carrier used in same
KR100839189B1 (ko) 반도체 제조장치 및 반도체 제조장치의 공정챔버에 기판을이송하는 방법
JPH09186090A (ja) 半導体製造装置
KR20230149548A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JPH076966A (ja) 縦型拡散・ｃｖｄ装置
KR20080062211A (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees