JPH027432A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH027432A JPH027432A JP15733188A JP15733188A JPH027432A JP H027432 A JPH027432 A JP H027432A JP 15733188 A JP15733188 A JP 15733188A JP 15733188 A JP15733188 A JP 15733188A JP H027432 A JPH027432 A JP H027432A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact hole
- shallow
- wiring layer
- deep
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に潔さの異
なるコンタクト穴の形成法に関する。
なるコンタクト穴の形成法に関する。
従来、この種の深さの異なるコンタクト穴の形成は、浅
いコンタクト穴下部の配線層と層間絶縁膜のエツチング
の選択比を大きくとって深いコンタクト穴のエツチング
に合わせてエツチングしたり、また、浅いコンタクト穴
下部の配線層を深いコンタクト穴形成時のエツチングに
たえ得る程厚くして、コンタクト穴を同時に形成してい
た。
いコンタクト穴下部の配線層と層間絶縁膜のエツチング
の選択比を大きくとって深いコンタクト穴のエツチング
に合わせてエツチングしたり、また、浅いコンタクト穴
下部の配線層を深いコンタクト穴形成時のエツチングに
たえ得る程厚くして、コンタクト穴を同時に形成してい
た。
上述した従来この種のコンタクト穴の形成方法は、浅い
フンタクト穴下部の配線層を深いコンタクト穴形成時の
余分のエツチングに耐えるように形成しているので例え
ば、層間膜の平坦化が進み、上部配線層上の層間厚膜と
下部配線層上のそれの膜厚差が非常に大きくなった場合
、及び高抵抗素子形成の為などの理由により上部配線層
を厚く出来ない場合には、深いコンタクト穴形成時の余
分のエツチングに耐えられなくなり第２図に示すように
、浅いコンタクトは下部の配線層をつきぬけてしまう欠
点があった。
フンタクト穴下部の配線層を深いコンタクト穴形成時の
余分のエツチングに耐えるように形成しているので例え
ば、層間膜の平坦化が進み、上部配線層上の層間厚膜と
下部配線層上のそれの膜厚差が非常に大きくなった場合
、及び高抵抗素子形成の為などの理由により上部配線層
を厚く出来ない場合には、深いコンタクト穴形成時の余
分のエツチングに耐えられなくなり第２図に示すように
、浅いコンタクトは下部の配線層をつきぬけてしまう欠
点があった。
本発明の深さの異なるコンタクト穴の形成方法は、浅い
コンタクト穴、深いコンタクト穴開孔部分以外を第１の
耐エツチング性膜で覆う工程と、浅いコンタクト穴を完
全に開孔すると同時に深いコンタクト穴を途中迄開孔す
る工程と、浅いコンタクト穴の部分を第２の耐エツチン
グ性膜で覆う工程と、深いコンタクト穴を完全に開孔す
る工程と、第１，２の耐エツチング性膜を除去する工程
を有している。
コンタクト穴、深いコンタクト穴開孔部分以外を第１の
耐エツチング性膜で覆う工程と、浅いコンタクト穴を完
全に開孔すると同時に深いコンタクト穴を途中迄開孔す
る工程と、浅いコンタクト穴の部分を第２の耐エツチン
グ性膜で覆う工程と、深いコンタクト穴を完全に開孔す
る工程と、第１，２の耐エツチング性膜を除去する工程
を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例の縦断面図
である。１１はＰ型基板、１２はフィールド酸化膜、１
３はＮ＋拡散層、１４，１６は層間絶縁膜、１５は配線
層（多結晶シリコン）、１７．１８はフォトレジスト、
１９は金属配線（Ａｉ）とする。
である。１１はＰ型基板、１２はフィールド酸化膜、１
３はＮ＋拡散層、１４，１６は層間絶縁膜、１５は配線
層（多結晶シリコン）、１７．１８はフォトレジスト、
１９は金属配線（Ａｉ）とする。
まず第１図（ａ）に示すように、Ｐ型基板ｌｌ上に、ロ
コス酸化によりフィルド酸化膜２２（８０００Ａ）を形
成し、イオン注入法によりＡ３をエネルギー７０ＫｅＶ
、ドーズ量５Ｘ１０１ｓａｍ−”注入し、Ｎ＋拡散層１
３を形成する、次にＣＶＤ法により層間絶縁膜１４を６
０００人成長し、多結晶シリコン層を２０００人成長し
、フォトエツチング法により配線層１５を形成し、ＣＶ
Ｄ法にて、ＢＰＳＧの層間膜２６を１００００人成長し
、９００℃窒素雰囲気中で４０分熱処理を行い平坦化さ
せる。
コス酸化によりフィルド酸化膜２２（８０００Ａ）を形
成し、イオン注入法によりＡ３をエネルギー７０ＫｅＶ
、ドーズ量５Ｘ１０１ｓａｍ−”注入し、Ｎ＋拡散層１
３を形成する、次にＣＶＤ法により層間絶縁膜１４を６
０００人成長し、多結晶シリコン層を２０００人成長し
、フォトエツチング法により配線層１５を形成し、ＣＶ
Ｄ法にて、ＢＰＳＧの層間膜２６を１００００人成長し
、９００℃窒素雰囲気中で４０分熱処理を行い平坦化さ
せる。
次に第１図（ｂ）に示すように、フォトエツチング法に
て配線層１５上の浅いコンタクト穴を開孔し、かつ、Ｎ
＋拡散層上の深いコンタクト穴を途中迄エツチングする
、この時浅いコンタクト穴は、深いコンタクト穴開孔の
為の余分のエツチングにさらされない為、配線層１５を
つき抜けることはない。
て配線層１５上の浅いコンタクト穴を開孔し、かつ、Ｎ
＋拡散層上の深いコンタクト穴を途中迄エツチングする
、この時浅いコンタクト穴は、深いコンタクト穴開孔の
為の余分のエツチングにさらされない為、配線層１５を
つき抜けることはない。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、開孔された配線層１
５上の浅いコンタクト穴の部分をフォトレジスト１８で
覆い、拡散層１３上の深いコンタクト穴を異方性エツチ
ング法にて完全に開孔する。
５上の浅いコンタクト穴の部分をフォトレジスト１８で
覆い、拡散層１３上の深いコンタクト穴を異方性エツチ
ング法にて完全に開孔する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、フォトレジス）１７
，１８を除去し、従来法にて金属配線１９を形成する。
，１８を除去し、従来法にて金属配線１９を形成する。
なお、本実施例では、拡散層上の深いコンタクト穴と配
線層上の浅いコンタクト穴の形成方法を説明したが、深
さの異なる二種類以上のコンタクト穴であればいずれで
もよい。
線層上の浅いコンタクト穴の形成方法を説明したが、深
さの異なる二種類以上のコンタクト穴であればいずれで
もよい。
以上説明したように本発明は、深さの異なるコンタクト
穴を形成する際に、浅いコンタクト穴を完全に開孔する
とともに、深いコンタクト穴を途中迄開孔しその後、浅
いコンタクト穴を耐エツチング性膜で覆い、深いコンタ
クト穴を完全に開孔することにより、浅いコンタクト大
王の配線層を余分なエツチングにさらすことがなく、つ
き抜は等が発生しないという効果がある。
穴を形成する際に、浅いコンタクト穴を完全に開孔する
とともに、深いコンタクト穴を途中迄開孔しその後、浅
いコンタクト穴を耐エツチング性膜で覆い、深いコンタ
クト穴を完全に開孔することにより、浅いコンタクト大
王の配線層を余分なエツチングにさらすことがなく、つ
き抜は等が発生しないという効果がある。
また上記理由により、層間膜の平坦化が十分行え、また
、配線層の薄膜化も容易にできる効果がある。
、配線層の薄膜化も容易にできる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例の縦断面図
、第２図は従来法での欠点を示す縦断面図である。 符号の°説明、１１．２１・・・・・・Ｐ型基板、１２
゜２２・・・・・・フィールド酸化膜、１３，２３・・
・・・・Ｎ＋拡散層、１４．１６，２４．２６・・・・
・・層間絶縁膜、１５．２５・・・・・・配線層（多結
晶シリコン）、１７゜１８．２７・・・・・・フォトレ
ジスト、１９・・・・・・金属配線。 代理人 弁理士 内 原 晋 ｊｉｔ 図どａつ 第１回（Ｃシ
、第２図は従来法での欠点を示す縦断面図である。 符号の°説明、１１．２１・・・・・・Ｐ型基板、１２
゜２２・・・・・・フィールド酸化膜、１３，２３・・
・・・・Ｎ＋拡散層、１４．１６，２４．２６・・・・
・・層間絶縁膜、１５．２５・・・・・・配線層（多結
晶シリコン）、１７゜１８．２７・・・・・・フォトレ
ジスト、１９・・・・・・金属配線。 代理人 弁理士 内 原 晋 ｊｉｔ 図どａつ 第１回（Ｃシ
Claims (1)
- 深さの異なるコンタクト穴の形成方法において、浅いコ
ンタクト穴、及び深いコンタクト穴を開孔するべき部分
以外に、第１の耐エッチング性膜を形成する工程と、浅
いコンタクト穴を完全に開孔するとともに深いコンタク
ト穴を途中迄開孔する工程と、前記浅いコンタクト穴上
に第２耐エッチング性膜を形成する工程と、前記深いコ
ンタクト穴を完全に開孔する工程と、前記第１及び第２
の耐エッチング性膜を除去する工程とを有することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15733188A JPH027432A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15733188A JPH027432A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027432A true JPH027432A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15647357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15733188A Pending JPH027432A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH027432A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444020A (en) * | 1992-10-13 | 1995-08-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming contact holes having different depths |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP15733188A patent/JPH027432A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444020A (en) * | 1992-10-13 | 1995-08-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming contact holes having different depths |
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