JPH0274948A - レジスト膜の塗布方法 - Google Patents
レジスト膜の塗布方法Info
- Publication number
- JPH0274948A JPH0274948A JP63229301A JP22930188A JPH0274948A JP H0274948 A JPH0274948 A JP H0274948A JP 63229301 A JP63229301 A JP 63229301A JP 22930188 A JP22930188 A JP 22930188A JP H0274948 A JPH0274948 A JP H0274948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- film
- semiconductor substrate
- resist
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
この発明は、レジスト膜の塗布方法に関し、さらに詳し
くは、ＬＳＩ（高密度半導体集積回路装置）の製造プロ
セスに通用されるところの、３層からなるレジスト膜の
塗布方法の改良に係るものである。
くは、ＬＳＩ（高密度半導体集積回路装置）の製造プロ
セスに通用されるところの、３層からなるレジスト膜の
塗布方法の改良に係るものである。
従来例によるこの種のレジスト膜の塗布方法。
こ１では、下層、中間層、および上層の３層からなるレ
ジスト膜の塗布方法によって得たレジスト層全体の態様
を第５図（ａ） 、 （ｂ）に示しており、この場合、
同第５図（ａ）はこのレジスト層全体の縦断面図、同図
（ｂ）は同上平面図である。
ジスト膜の塗布方法によって得たレジスト層全体の態様
を第５図（ａ） 、 （ｂ）に示しており、この場合、
同第５図（ａ）はこのレジスト層全体の縦断面図、同図
（ｂ）は同上平面図である。
すなわち、これらの第５図（ａ） 、 （ｂ）に示す従
来の３層からなるレジスト膜において、符号ｌは半導体
基板であり、また、２，３．および４はこの半導体基板
１上に、順次に塗布形成されたそれぞれに下層レジスト
膜、中間Ｓ ＯＧ （ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）
膜、および上層レジスト膜を示し、５は前記半導体基板
ｌ上に存在し、かつ前記各層２，３．４を通して上方に
突出する比較的巨大な異物、６は前記下層レジスト膜２
内から中間ＳＯＧ膜３上にかけて、また、中間ＳＯＧ＠
３上に独立して存在するそれぞれに比較的微細な異物で
ある。
来の３層からなるレジスト膜において、符号ｌは半導体
基板であり、また、２，３．および４はこの半導体基板
１上に、順次に塗布形成されたそれぞれに下層レジスト
膜、中間Ｓ ＯＧ （ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）
膜、および上層レジスト膜を示し、５は前記半導体基板
ｌ上に存在し、かつ前記各層２，３．４を通して上方に
突出する比較的巨大な異物、６は前記下層レジスト膜２
内から中間ＳＯＧ膜３上にかけて、また、中間ＳＯＧ＠
３上に独立して存在するそれぞれに比較的微細な異物で
ある。
これらの第５図（ａ） 、 （ｂ）に見られるように、
従来の半導体基板ｌに対する３層レジスト膜の塗布方法
の場合には、この半導体基板１上に下層レジスト膜２．
および中間ＳＯＧ膜３を突き抜ける程度までに比較的巨
大な異物５が存在しているとき。
従来の半導体基板ｌに対する３層レジスト膜の塗布方法
の場合には、この半導体基板１上に下層レジスト膜２．
および中間ＳＯＧ膜３を突き抜ける程度までに比較的巨
大な異物５が存在しているとき。
および／または中間ＳＯＧ膜３上に独立して比較的微細
な異物６が存在しているときなどにあって、これらの下
層レジスト膜２．および中間ＳＯＧ膜３上に、引き続い
て、上層レジスト膜４を塗布すると、その中間ＳＯＧ膜
３の表面上には、この異物５．および／または異物６を
中心にして、比較的大きな面積範囲に亘り、いわゆる、
レジストボイド（比較的巨大なピンホール）８を発生す
ることが知られている。
な異物６が存在しているときなどにあって、これらの下
層レジスト膜２．および中間ＳＯＧ膜３上に、引き続い
て、上層レジスト膜４を塗布すると、その中間ＳＯＧ膜
３の表面上には、この異物５．および／または異物６を
中心にして、比較的大きな面積範囲に亘り、いわゆる、
レジストボイド（比較的巨大なピンホール）８を発生す
ることが知られている。
前記したように、従来のシリコン半導体基板ｌに対する
３層の各レジスト膜２，３．および４の塗布方法におい
て、半導体基板ｌ上に比較的巨大な異物５が存在してい
て、この異物５が下層レジスト膜２．中間層ＳＯＧ膜３
を突き抜けている場合、および／または中間層のＳＯＧ
膜３上に比較的微細な異物６が存在している場合などに
は、これらの各膜２，３上に上層レジスト膜４を塗布し
たとき、これらの異物５．および／または異物６を中心
にして比較的大きな面積のレジストボイド８が発生する
ことがあり、このレジストボイド８によって、後工程を
経て製造されるデバイス自体が不良になると云う不都合
があった。
３層の各レジスト膜２，３．および４の塗布方法におい
て、半導体基板ｌ上に比較的巨大な異物５が存在してい
て、この異物５が下層レジスト膜２．中間層ＳＯＧ膜３
を突き抜けている場合、および／または中間層のＳＯＧ
膜３上に比較的微細な異物６が存在している場合などに
は、これらの各膜２，３上に上層レジスト膜４を塗布し
たとき、これらの異物５．および／または異物６を中心
にして比較的大きな面積のレジストボイド８が発生する
ことがあり、このレジストボイド８によって、後工程を
経て製造されるデバイス自体が不良になると云う不都合
があった。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、３層からな
るレジスト膜の塗布方法において、その塗布形成後での
レジストボイドの発生を効果的に抑制し得るようにした
。この種のレジストの塗布方法、こＳでは、ＬＳＩ製造
プロセスに適用される３層からなるレジスト膜の塗布方
法を提供することである。
なされたもので、その目的とするところは、３層からな
るレジスト膜の塗布方法において、その塗布形成後での
レジストボイドの発生を効果的に抑制し得るようにした
。この種のレジストの塗布方法、こＳでは、ＬＳＩ製造
プロセスに適用される３層からなるレジスト膜の塗布方
法を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る３層からな
るレジスト膜の塗布方法は、半導体基板上にあって、下
層レジスト膜、および中間ＳＯＧ膜を塗布形成させた後
、この半導体基板を回転させながら、その表面に有機ア
ルカリ水溶液を滴下して洗浄処理した上で、あらためて
上層レジスト膜を塗布形成させるようにしたものである
。
るレジスト膜の塗布方法は、半導体基板上にあって、下
層レジスト膜、および中間ＳＯＧ膜を塗布形成させた後
、この半導体基板を回転させながら、その表面に有機ア
ルカリ水溶液を滴下して洗浄処理した上で、あらためて
上層レジスト膜を塗布形成させるようにしたものである
。
すなわち、この発明は、ＬＳＩの製造プロセスに適用さ
れる３層からなるレジスト膜の塗布方法において、まず
、半導体基板上にあって、下層レジスト膜、および中間
ＳＯＧ膜を順次に塗布し、かつベーク処理した後、この
半導体基板を回転させながら、その表面に対して、例え
ば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（Ｔ
閘＾Ｈ）などを含む有機アルカリ水溶液を滴下して洗浄
処理し、ついで、この有機アルカリ水溶液によって洗浄
処理された中間ＳＯＧ膜上に、上層レジスト膜を塗布形
成するようにしたことを特徴とするレジスト膜の塗布方
法である。
れる３層からなるレジスト膜の塗布方法において、まず
、半導体基板上にあって、下層レジスト膜、および中間
ＳＯＧ膜を順次に塗布し、かつベーク処理した後、この
半導体基板を回転させながら、その表面に対して、例え
ば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（Ｔ
閘＾Ｈ）などを含む有機アルカリ水溶液を滴下して洗浄
処理し、ついで、この有機アルカリ水溶液によって洗浄
処理された中間ＳＯＧ膜上に、上層レジスト膜を塗布形
成するようにしたことを特徴とするレジスト膜の塗布方
法である。
〔作 用）
従って、この発明においては、半導体基板上に、下層レ
ジスト膜、および中間・ＳＯＧ膜の塗布形成後、その表
面を有機アルカリ水溶液で洗浄処理してから、これらの
上に、あらためて上層レジスト膜を塗布形成させるよう
にしているので、上層レジスト膜の密着性が良好に改善
されて、中間ＳＯＧ膜上でのレジストボイドの発生を効
果的に抑制し得るのである。
ジスト膜、および中間・ＳＯＧ膜の塗布形成後、その表
面を有機アルカリ水溶液で洗浄処理してから、これらの
上に、あらためて上層レジスト膜を塗布形成させるよう
にしているので、上層レジスト膜の密着性が良好に改善
されて、中間ＳＯＧ膜上でのレジストボイドの発生を効
果的に抑制し得るのである。
以下、この発明に係るレジスト膜の塗布方法の一実施例
につき、第１図ないし第４図を参照して詳細に説明する
。
につき、第１図ないし第４図を参照して詳細に説明する
。
第１図および第２図はこの実施例を適用した下層、中間
層、および上層の３層からなるレジスト膜の塗布方法で
の主要な工程を順次模式的に示すそれぞれに縦断面説明
図であり、また、第３図易よび第４図は同上中間層の表
面を洗浄処理するための各別の手段をそれぞれに示す概
略説明図である。こＳで、これらの第１図および第２図
に示す実施例方法において、前記第５図（ａ） 、 （
ｂ）に示す従来例方法と同一符号は同一または相当部分
を表わしている。
層、および上層の３層からなるレジスト膜の塗布方法で
の主要な工程を順次模式的に示すそれぞれに縦断面説明
図であり、また、第３図易よび第４図は同上中間層の表
面を洗浄処理するための各別の手段をそれぞれに示す概
略説明図である。こＳで、これらの第１図および第２図
に示す実施例方法において、前記第５図（ａ） 、 （
ｂ）に示す従来例方法と同一符号は同一または相当部分
を表わしている。
すなわち、この実施例方法においては、前記従東側方法
の場合と同様に、比較的巨大な異物５が存在している塗
布対象としての半導体基板ｌを用いる場合、第１図に示
されているように、この半導体基板Ｉに対して、まず、
下層レジスト膜２．および中間ＳＯＧ膜３を順次に塗布
するが、このとき、前記異物５は、これらの下層レジス
ト膜２．中間層のＳＯＧＯｓＯ４れぞれを突き抜けるよ
うにして表面上に突出されることになり、この突出部の
周囲にあっては、中間層のＳＯＧＯｓＯ４し分けた状態
で、下層レジスト膜２の一部が露出されて、この部分に
露出部２ａを形成している。
の場合と同様に、比較的巨大な異物５が存在している塗
布対象としての半導体基板ｌを用いる場合、第１図に示
されているように、この半導体基板Ｉに対して、まず、
下層レジスト膜２．および中間ＳＯＧ膜３を順次に塗布
するが、このとき、前記異物５は、これらの下層レジス
ト膜２．中間層のＳＯＧＯｓＯ４れぞれを突き抜けるよ
うにして表面上に突出されることになり、この突出部の
周囲にあっては、中間層のＳＯＧＯｓＯ４し分けた状態
で、下層レジスト膜２の一部が露出されて、この部分に
露出部２ａを形成している。
しかして、この実施例方法では、このようにして半導体
基板１上に、下層レジスト膜２．および中間ＳＯＧ膜３
を順次に塗布し、かつこれをベータ処理した後９例えば
、第３図、第４図に示した手段（詳細は後述する）など
を用いることで、この半導体基板１を回転させながら、
その表面、つまり、下層レジスト膜２での露出部２ａを
含む中間ＳＯＧ膜３の表面に対して、２％以下の濃度の
有機アルカリ水溶液、この場合には、例えば、２％以下
のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭ
ＡＨ）などを含んだ有機アルカリ水溶液７を滴下（また
は、吹き付け）して洗浄処理し、ついで、その後、第２
図に示されているように、この有機アルカリ水溶液７に
よって洗浄処理された露出部２ａを含む中間ＳＯＧ膜３
上に、最後の上層レジスト＠４を塗布形成するのである
。
基板１上に、下層レジスト膜２．および中間ＳＯＧ膜３
を順次に塗布し、かつこれをベータ処理した後９例えば
、第３図、第４図に示した手段（詳細は後述する）など
を用いることで、この半導体基板１を回転させながら、
その表面、つまり、下層レジスト膜２での露出部２ａを
含む中間ＳＯＧ膜３の表面に対して、２％以下の濃度の
有機アルカリ水溶液、この場合には、例えば、２％以下
のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭ
ＡＨ）などを含んだ有機アルカリ水溶液７を滴下（また
は、吹き付け）して洗浄処理し、ついで、その後、第２
図に示されているように、この有機アルカリ水溶液７に
よって洗浄処理された露出部２ａを含む中間ＳＯＧ膜３
上に、最後の上層レジスト＠４を塗布形成するのである
。
また、前記中間ＳＯＧ膜３の表面に対する有機アルカリ
水溶＊７の滴下（または、吹き付け）による洗浄処理の
ための手段は、次の通りであってよい。
水溶＊７の滴下（または、吹き付け）による洗浄処理の
ための手段は、次の通りであってよい。
すなわち、第３図に示す手段は、まず、カップＵ内にあ
って、約２５℃程度の温度に維持されたステージ１２上
に、前記した下層レジスト膜２．および中間ＳＯＧ膜３
を順次に塗布し、かつベーク処理した半導体基板１を載
置させ、このステージ１２゜ひいては、この半導体基板
ｌを適当する速度で回転させると共に、カップ１１内を
排気させるようにしておき、ついで、２％以下の濃度の
有機アルカリ水溶液７を収容したタンク１３内に、バブ
ラー１４を介して窒素ガスを供給することによって、こ
のタンク１３に接続されたバイブ１５の先端から、中間
ＳＯＧ膜３上に有機アルカリ水溶液７を滴下かつ吹き付
けて洗浄処理するようにしたものであり、また、第４図
に示す手段は、前記バイブ１５の先端に超音波ノズル１
６を設けておき、このバイブ１５を通して供給される有
機アルカリ水溶液７を、超音波ノズル１６により微粒子
化して、同様に中間ＳＯＧ膜３上に滴下かつ吹き付けて
洗浄処理するようにしたものである。
って、約２５℃程度の温度に維持されたステージ１２上
に、前記した下層レジスト膜２．および中間ＳＯＧ膜３
を順次に塗布し、かつベーク処理した半導体基板１を載
置させ、このステージ１２゜ひいては、この半導体基板
ｌを適当する速度で回転させると共に、カップ１１内を
排気させるようにしておき、ついで、２％以下の濃度の
有機アルカリ水溶液７を収容したタンク１３内に、バブ
ラー１４を介して窒素ガスを供給することによって、こ
のタンク１３に接続されたバイブ１５の先端から、中間
ＳＯＧ膜３上に有機アルカリ水溶液７を滴下かつ吹き付
けて洗浄処理するようにしたものであり、また、第４図
に示す手段は、前記バイブ１５の先端に超音波ノズル１
６を設けておき、このバイブ１５を通して供給される有
機アルカリ水溶液７を、超音波ノズル１６により微粒子
化して、同様に中間ＳＯＧ膜３上に滴下かつ吹き付けて
洗浄処理するようにしたものである。
従って、この実施例方法によって形成された３層からな
るレジスト膜では、下層レジスト膜２．および中間ＳＯ
Ｇ膜３を順次に塗布してベーク処理した後、この半導体
基板ｌを回転させながら、下層レジスト膜２での露出部
２ａを含む中間Ｓ Ｏａ＠・３の表面に、有機アルカリ
水溶液７を滴下することで洗浄処理しているために、そ
の後の上層レジスト膜４の塗布形成が良好になされ、前
記した従来例方法の場合とは全く異なって、異物５を中
心にしたレジストボイド８の発生を効果的に抑制し得る
のであり、結果的には、これらの下層レジスト２での露
出部２ａを含む中間ＳＯＧ膜３上の全面に、上層レジス
ト膜４を良好に密着して塗布形成できるもので、そして
これはまた、前記したように下層レジスト膜２内から中
間ＳＯＧ膜３上にかけて異物６が存在する場合、および
／あるいは中間ＳＯＧ膜３上に独立した異物６が存在す
る場合のそれぞれにあっても全く同様に作用するのであ
る。
るレジスト膜では、下層レジスト膜２．および中間ＳＯ
Ｇ膜３を順次に塗布してベーク処理した後、この半導体
基板ｌを回転させながら、下層レジスト膜２での露出部
２ａを含む中間Ｓ Ｏａ＠・３の表面に、有機アルカリ
水溶液７を滴下することで洗浄処理しているために、そ
の後の上層レジスト膜４の塗布形成が良好になされ、前
記した従来例方法の場合とは全く異なって、異物５を中
心にしたレジストボイド８の発生を効果的に抑制し得る
のであり、結果的には、これらの下層レジスト２での露
出部２ａを含む中間ＳＯＧ膜３上の全面に、上層レジス
ト膜４を良好に密着して塗布形成できるもので、そして
これはまた、前記したように下層レジスト膜２内から中
間ＳＯＧ膜３上にかけて異物６が存在する場合、および
／あるいは中間ＳＯＧ膜３上に独立した異物６が存在す
る場合のそれぞれにあっても全く同様に作用するのであ
る。
なお、前記実施例方法においては、半導体基板上に３層
レジストを塗布形成する場合について述べたが、その他
、同様にレジストボイドを発生する惧れのある場合に適
用しても、同様な作用、効果を得られることは勿論であ
る。
レジストを塗布形成する場合について述べたが、その他
、同様にレジストボイドを発生する惧れのある場合に適
用しても、同様な作用、効果を得られることは勿論であ
る。
以上詳述したように、この発明方法によれば、ＬＳＩの
製造プロセスに適用されるレジスト膜の塗布方法におい
て、まず、半導体基板に対し、下層レジスト膜、および
中間ＳＯＧ膜を順次に塗布形成してベータ処理した後、
この半導体基板を回転させながら、その中間ＳＯＧ膜の
表面に、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド（ＴＭＡＨ）などを含む有機アルカリ水溶液を滴
下して洗浄処理し、ついで、この有機アルカリ水溶液で
洗浄処理された中間ＳＯＧ膜上に、上層レジスト膜を塗
布形成させるようにしたので、従来、異物の存在によっ
て、中間ＳＯＧ膜上に発生していたレジストボイドを効
果的に抑制、もしくは防止でき、結果的に、製造される
デバイスに致命的なダメージなどを与える惧れがなく、
しかも、製造工程上、単に有機アルカリ水溶液による洗
浄処理工程を付加するのみであるから、その方法１手段
が極めて簡単で、容易に実施できるなどの特長を有する
ものである。
製造プロセスに適用されるレジスト膜の塗布方法におい
て、まず、半導体基板に対し、下層レジスト膜、および
中間ＳＯＧ膜を順次に塗布形成してベータ処理した後、
この半導体基板を回転させながら、その中間ＳＯＧ膜の
表面に、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド（ＴＭＡＨ）などを含む有機アルカリ水溶液を滴
下して洗浄処理し、ついで、この有機アルカリ水溶液で
洗浄処理された中間ＳＯＧ膜上に、上層レジスト膜を塗
布形成させるようにしたので、従来、異物の存在によっ
て、中間ＳＯＧ膜上に発生していたレジストボイドを効
果的に抑制、もしくは防止でき、結果的に、製造される
デバイスに致命的なダメージなどを与える惧れがなく、
しかも、製造工程上、単に有機アルカリ水溶液による洗
浄処理工程を付加するのみであるから、その方法１手段
が極めて簡単で、容易に実施できるなどの特長を有する
ものである。
第１図および第２図はこの発明の一実施例を適用した下
層、中間層、および上層の３層からなるレジスト膜の塗
布方法での主要な工程を順次模式的に示すそれぞれに縦
断面説明図、第３図および第４図は同上方法での中間層
の表面を洗浄処理するだめの各別の手段をそれぞれに示
す概略説明図であり、また、第５図（ａ） 、 （ｂ）
は従来例方法によって得た下層、中間層、および上層の
３層からなるレジスト膜全体の態様を示す縦断面図、お
よび平面図である。 ■・・・・半導体基板、２・・・・下層レジスト膜、２
ａ・・・・下層レジスト膜の露出部、３・・・・中間Ｓ
ＯＧ膜、４・・・・上層レジスト膜、５．６・・・・異
物、７・・・・有機アルカリ水溶液、８・・・・レジス
トボイド。 代理人 大 岩 増 雄
層、中間層、および上層の３層からなるレジスト膜の塗
布方法での主要な工程を順次模式的に示すそれぞれに縦
断面説明図、第３図および第４図は同上方法での中間層
の表面を洗浄処理するだめの各別の手段をそれぞれに示
す概略説明図であり、また、第５図（ａ） 、 （ｂ）
は従来例方法によって得た下層、中間層、および上層の
３層からなるレジスト膜全体の態様を示す縦断面図、お
よび平面図である。 ■・・・・半導体基板、２・・・・下層レジスト膜、２
ａ・・・・下層レジスト膜の露出部、３・・・・中間Ｓ
ＯＧ膜、４・・・・上層レジスト膜、５．６・・・・異
物、７・・・・有機アルカリ水溶液、８・・・・レジス
トボイド。 代理人 大 岩 増 雄
Claims (1)
- ＬＳＩ製造プロセスに適用される３層からなるレジスト
膜の塗布方法において、まず、半導体基板上にあつて、
下層レジスト膜、および中間ＳＯＧ膜を順次に塗布し、
かつべーク処理した後、この半導体基板を回転させなが
ら、その表面に対して、例えば、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドなどを含む有機アルカリ水溶液
を滴下して洗浄処理し、ついで、この有機アルカリ水溶
液によつて洗浄処理された中間ＳＯＧ膜上に、上層レジ
スト膜を塗布形成するようにしたことを特徴とするレジ
スト膜の塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63229301A JPH0682599B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | レジスト膜の塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63229301A JPH0682599B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | レジスト膜の塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0274948A true JPH0274948A (ja) | 1990-03-14 |
| JPH0682599B2 JPH0682599B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16889991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63229301A Expired - Fee Related JPH0682599B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | レジスト膜の塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682599B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7851363B2 (en) | 2004-01-15 | 2010-12-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and manufacturing method of semiconductor device |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP63229301A patent/JPH0682599B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7851363B2 (en) | 2004-01-15 | 2010-12-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and manufacturing method of semiconductor device |
| US8728943B2 (en) | 2004-01-15 | 2014-05-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and manufacturing method of semiconductor device |
| US9202722B2 (en) | 2004-01-15 | 2015-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and manufacturing method of semiconductor device |
| US9601331B2 (en) | 2004-01-15 | 2017-03-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and manufacturing method of semiconductor device |
| US9897918B2 (en) | 2004-01-15 | 2018-02-20 | Toshiba Memory Corporation | Pattern forming method and manufacturing method of semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682599B2 (ja) | 1994-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108828898A (zh) | 改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法 | |
| JPH0274948A (ja) | レジスト膜の塗布方法 | |
| JPS5898733A (ja) | 現像装置 | |
| JPH01292829A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20020085400A (ko) | 스핀 온 글라스막의 에지 비드 제거 방법 | |
| JPH04206626A (ja) | 周辺レジスト除去方法 | |
| JP2000150627A (ja) | 液塗布装置 | |
| JPH01253920A (ja) | 塗布膜形成方法 | |
| JPS6161416A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH04171820A (ja) | 塗布膜形成方法 | |
| JPS5972725A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPS59115763A (ja) | 超音波フオグ処理装置 | |
| JPH02295107A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04155915A (ja) | 被処理基板の現像方法 | |
| JPH04283751A (ja) | 感光性ポリイミド前駆体の現像方法 | |
| KR920004558B1 (ko) | 칼라 브라운관의 노광방법 | |
| JPS6020901B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR970009865B1 (ko) | 반도체 소자의 입자제거 방법 | |
| JPH0430739B2 (ja) | ||
| JPH0219831A (ja) | 液晶ディスプレイ用カラーフィルタ基板の製造方法 | |
| KR20020024888A (ko) | 웨이퍼 상에 스핀 온 글래스막을 도포하는 방법 | |
| JPH03238068A (ja) | フォトレジストを塗布する方法 | |
| JPS58145133A (ja) | リフトオフパタ−ン形成方法 | |
| JPH04267525A (ja) | コンタクトホールに生成する金属膜よりなる環状生成物の除去方法 | |
| JPH04367229A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |