JPH0275108A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0275108A JPH0275108A JP63226406A JP22640688A JPH0275108A JP H0275108 A JPH0275108 A JP H0275108A JP 63226406 A JP63226406 A JP 63226406A JP 22640688 A JP22640688 A JP 22640688A JP H0275108 A JPH0275108 A JP H0275108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- glass
- current density
- thermal expansion
- critical current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、超電導体に係わり、特に高磁場マグネット、
限流器、磁気推進装置等のエネルギー機器に使用するの
に好適な超電導体の製造方法に関する。
限流器、磁気推進装置等のエネルギー機器に使用するの
に好適な超電導体の製造方法に関する。
（従来の技術）
最近、イツトリウム（Ｙ）、バリウム（Ｂａ）、銅（Ｃ
ｕ）、酸素（○）からなる（Ｙ −Ｂａ−Ｃｕ−○系）
セラミックスが液体窒素沸点（７７Ｋ）付近で超電導状
態に転移することが発見された。液体窒素は安価で、取
扱いも容易であるため、従来の超電導体と比べて、大変
有利である。従って、大型・高磁場マグネットなどの超
電導体として大変価れている。
ｕ）、酸素（○）からなる（Ｙ −Ｂａ−Ｃｕ−○系）
セラミックスが液体窒素沸点（７７Ｋ）付近で超電導状
態に転移することが発見された。液体窒素は安価で、取
扱いも容易であるため、従来の超電導体と比べて、大変
有利である。従って、大型・高磁場マグネットなどの超
電導体として大変価れている。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、Ｙ −Ｂａ −Ｃｕ−〇系超電導体には、次
のような問題があった。たとえば、粉体粉末冶金協会誌
（Ｖｏｌ、３４．Ｎｏ１０，６５９−６２．Ｄｅｃ、１
９８７）、 ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｊｃｓ Ｌｅｔ；
ｔｅｒｓ （Ｖｏｌ、、５］、＆７，５３２−３４．Ａ
ｕｇ、１９８７）において、Ｖ Ｂａ−Ｃｕ−○系超
電導体は水と反応し、劣化することが示されている。こ
のことは超電導体をエネルギー機器に使用した場合、超
電導体が空気中の水分と反応して劣化するため、長時間
にわたって安定した臨界電流密度が得られないことにな
り、劣化しない安定した臨界電流密度を有する超電導体
が望まれていた。
のような問題があった。たとえば、粉体粉末冶金協会誌
（Ｖｏｌ、３４．Ｎｏ１０，６５９−６２．Ｄｅｃ、１
９８７）、 ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｊｃｓ Ｌｅｔ；
ｔｅｒｓ （Ｖｏｌ、、５］、＆７，５３２−３４．Ａ
ｕｇ、１９８７）において、Ｖ Ｂａ−Ｃｕ−○系超
電導体は水と反応し、劣化することが示されている。こ
のことは超電導体をエネルギー機器に使用した場合、超
電導体が空気中の水分と反応して劣化するため、長時間
にわたって安定した臨界電流密度が得られないことにな
り、劣化しない安定した臨界電流密度を有する超電導体
が望まれていた。
本発明は上記要望に鑑みなされたもので、長時間にわた
って安定した臨界電流密度を有する超電導体の製造方法
を提供することを目的とするものである。
って安定した臨界電流密度を有する超電導体の製造方法
を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
かかる目的を達成するために、本発明は、イツトリウム
、バリウム、銅、酸素からなる酸化物超電導体において
、少なくとも電極部を除く超電導体の表面に熱膨脹係数
が５０〜１６０ Ｘ １０−’／℃のガラス被覆膜をガ
ラス軟化点以−Ｌで、かつ超電導体の相転移温度以下の
温度で焼付けることを特徴とする。
、バリウム、銅、酸素からなる酸化物超電導体において
、少なくとも電極部を除く超電導体の表面に熱膨脹係数
が５０〜１６０ Ｘ １０−’／℃のガラス被覆膜をガ
ラス軟化点以−Ｌで、かつ超電導体の相転移温度以下の
温度で焼付けることを特徴とする。
（作 用）
超電導体の熱膨脹係数に比べて若干小さい熱膨脹係数を
有するガラス被覆膜をガラス軟化点以」二で、かつ超電
導体の相転移温度以下で焼付けることにより、超電導体
との密着性が良く、しかも超電導体自身の特性劣化も少
なく、長時間にわたって安定した臨界電流密度を有する
ことができる。
有するガラス被覆膜をガラス軟化点以」二で、かつ超電
導体の相転移温度以下で焼付けることにより、超電導体
との密着性が良く、しかも超電導体自身の特性劣化も少
なく、長時間にわたって安定した臨界電流密度を有する
ことができる。
（実 施 例）
以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
ます、酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ２）、炭酸バリウム（
ＢａＣＯ３） 、酸化銅（Ｃｕｂ）の粉末をそれぞれＹ
ｌＢａ、Ｃｕ、。
ＢａＣＯ３） 、酸化銅（Ｃｕｂ）の粉末をそれぞれＹ
ｌＢａ、Ｃｕ、。
０７−Ｘの組成比の割合で秤量した。これらの原料粉末
を十分に混合した後、この粉末を空気中で９００°Ｃで
焼成した。この工程によりＹＢａ−Ｃｕ三成分金属酸化
物が形成される。さらに、この仮焼粉をアセ１〜ンとと
もに混合・粉砕した後、５Ｘ５Ｘ］、００ｍｍのロット
状に成形し、 酸素雰囲気中で９３０℃で焼成した。こ
の焼結体に第１表で示すガラスをそれぞれの焼付温度で
酸素中で焼付け、ガラス被覆膜を形成した後超音波ハン
ダを用いて電極を形成する。この試料の断面を第１図に
示す。第１図においてＡはＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０焼結体、
Ｂはガラス被覆膜、Ｃは電極である。
を十分に混合した後、この粉末を空気中で９００°Ｃで
焼成した。この工程によりＹＢａ−Ｃｕ三成分金属酸化
物が形成される。さらに、この仮焼粉をアセ１〜ンとと
もに混合・粉砕した後、５Ｘ５Ｘ］、００ｍｍのロット
状に成形し、 酸素雰囲気中で９３０℃で焼成した。こ
の焼結体に第１表で示すガラスをそれぞれの焼付温度で
酸素中で焼付け、ガラス被覆膜を形成した後超音波ハン
ダを用いて電極を形成する。この試料の断面を第１図に
示す。第１図においてＡはＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０焼結体、
Ｂはガラス被覆膜、Ｃは電極である。
（以下余白）
一３＝
第１表
このようにして得られた各試料の臨界電流密度を第２表
に示す。また、各試料は相対湿度９５％（室温）中に放
置し、臨界電流密度の変化を測定した。第２図はその結
果で、横軸が放置時間で、縦軸が臨界電流密度を示す。
に示す。また、各試料は相対湿度９５％（室温）中に放
置し、臨界電流密度の変化を測定した。第２図はその結
果で、横軸が放置時間で、縦軸が臨界電流密度を示す。
尚、臨界電流密度は直流４端子法により液体窒素中で測
定した。
定した。
（以下余白）
第２表
試料Ｎα１は従来のガラス被覆膜を有しない超電感体で
、試料Ｎα２〜４は本発明品である。試料Ｎα２〜４は
従来の試料Ｎα１に比較して、初期の臨界電流密度は若
干小さいが長時間にわたって湿度の影響を受けないで臨
界電流密度が一定の値を示している。このように、安定
した臨界電流密度を有することは超電導マグネット、超
電導限流器等の超電専エネルギー機器を作る」二で重要
である。
、試料Ｎα２〜４は本発明品である。試料Ｎα２〜４は
従来の試料Ｎα１に比較して、初期の臨界電流密度は若
干小さいが長時間にわたって湿度の影響を受けないで臨
界電流密度が一定の値を示している。このように、安定
した臨界電流密度を有することは超電導マグネット、超
電導限流器等の超電専エネルギー機器を作る」二で重要
である。
試料Ｎα５，６はガラスの熱膨脹係数が焼結体の熱膨脹
係数（７０〜１６０ Ｘ １０−７／ °（：）と大幅
に異なるため、焼付後冷却する間でひび割れ、はがれを
生じ、湿度の影響を受けやすい。試料Ｎｏ、 ７は焼付
温度がガラスの軟化点より低いため、焼結体表面にガラ
スが付かず特性を改良する効果がみられない。
係数（７０〜１６０ Ｘ １０−７／ °（：）と大幅
に異なるため、焼付後冷却する間でひび割れ、はがれを
生じ、湿度の影響を受けやすい。試料Ｎｏ、 ７は焼付
温度がガラスの軟化点より低いため、焼結体表面にガラ
スが付かず特性を改良する効果がみられない。
試料Ｎａ ８はガラス被覆膜の密着性は十分であるが、
焼付温度が高いために焼結体自身の特性が劣化し、初期
の臨界電流密度が小さくなっている。試料Ｎα９は高分
子物質（珪素樹脂）を用いた場合で、樹脂によるコーテ
ィングはガラス被覆膜に比較して密着性が悪いため、樹
脂と焼結体の間に入った水分がぬけにくく、従来の試料
Ｎａ １よりもかえって湿度の影響が著しい。
焼付温度が高いために焼結体自身の特性が劣化し、初期
の臨界電流密度が小さくなっている。試料Ｎα９は高分
子物質（珪素樹脂）を用いた場合で、樹脂によるコーテ
ィングはガラス被覆膜に比較して密着性が悪いため、樹
脂と焼結体の間に入った水分がぬけにくく、従来の試料
Ｎａ １よりもかえって湿度の影響が著しい。
このように長時間にわたって安定した臨界電流密度を有
するようになった理由は概略以下のように考えられる。
するようになった理由は概略以下のように考えられる。
酸化物超電導体よりＯ〜２０ Ｘ １０−７／°Ｃ程度
小さい熱膨脹係数のガラスを軟化点以上の焼付温度で焼
付けることにより、焼付後のガラス被覆膜に圧縮力が加
わり、密着性が増す。また、酸化物超電導体の斜方晶系
と正方晶系の相転移温度（５７５℃付近）以下でガラス
を焼付けるため特性劣化も少ないためである。
小さい熱膨脹係数のガラスを軟化点以上の焼付温度で焼
付けることにより、焼付後のガラス被覆膜に圧縮力が加
わり、密着性が増す。また、酸化物超電導体の斜方晶系
と正方晶系の相転移温度（５７５℃付近）以下でガラス
を焼付けるため特性劣化も少ないためである。
前記した実施例では、イツトリウム、バリウム。
銅の出発原料に酸化物、炭化物を用いたが、焼結して酸
化物になるものであれば何でもよく、例えば水酸化物等
であっても同じ効果が得られることはいうまでもない。
化物になるものであれば何でもよく、例えば水酸化物等
であっても同じ効果が得られることはいうまでもない。
また、イツトリウム、バリウム、銅の組成も」二記実施
例に限定されるものではない。
例に限定されるものではない。
以−１−述べてきたように、本発明によれば、イツトリ
ウム、バリウム、銅、酸素からなる酸化物超電導体にお
いて、少なくとも電極部を除く超電導体の表面に熱膨脹
係数が５０〜１．６０ Ｘ １０−’／℃のガラス被覆
膜をガラス軟化点以上で、かつ超電導体の相転移温度以
下の温度で焼付けることにより、長時間にわたって安定
した臨界電流密度を有する超電導体の製造方法を提供す
ることができる。
ウム、バリウム、銅、酸素からなる酸化物超電導体にお
いて、少なくとも電極部を除く超電導体の表面に熱膨脹
係数が５０〜１．６０ Ｘ １０−’／℃のガラス被覆
膜をガラス軟化点以上で、かつ超電導体の相転移温度以
下の温度で焼付けることにより、長時間にわたって安定
した臨界電流密度を有する超電導体の製造方法を提供す
ることができる。
＝７−
第１図は本発明の一実施例を示す超電導体の断面図、第
２図は同じく本発明の実施例による超電導体の効果を示
す臨界電流密度特性図である。 Ａ−Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−○焼結体 Ｂ・・・ガラス被覆膜 Ｃ・・電極 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 第子丸 健 第１図 耘 放置時間 （／−ｆ） 第２図
２図は同じく本発明の実施例による超電導体の効果を示
す臨界電流密度特性図である。 Ａ−Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−○焼結体 Ｂ・・・ガラス被覆膜 Ｃ・・電極 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 第子丸 健 第１図 耘 放置時間 （／−ｆ） 第２図
Claims (1)
- イットリウム（Ｙ）、バリウム（Ｂａ）、銅（Ｃｕ）、
酸素（Ｏ）からなる超電導体の製造方法において、少な
くとも電極部を除く超電導体の表面に熱膨脹係数が５０
〜１６０×１０＾−＾７／℃のガラス被覆膜をガラス軟
化点以上で、かつ超電導体の相転移温度以下の温度で焼
付けることを特徴とする超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63226406A JPH0275108A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63226406A JPH0275108A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0275108A true JPH0275108A (ja) | 1990-03-14 |
Family
ID=16844620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63226406A Pending JPH0275108A (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0275108A (ja) |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP63226406A patent/JPH0275108A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1022654C (zh) | 隧道型约瑟夫森器件及其制造方法 | |
| JPH0275108A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JP2817048B2 (ja) | スクリーン印刷によるＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導膜の製造方法 | |
| JP2803123B2 (ja) | 超電導線 | |
| JP2703227B2 (ja) | 超電導体装置 | |
| JP3590567B2 (ja) | 酸化物超電導線材の製造方法及び酸化物超電導線材 | |
| JP2595670B2 (ja) | 超電導膜形成基板の製造方法 | |
| JPS63299012A (ja) | 超電導ファイバおよびその製造方法 | |
| JP2004026625A (ja) | 酸化物超電導体厚膜およびその製造方法 | |
| JPS63239147A (ja) | 超電導材料の製造方法 | |
| JP2556095B2 (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH04216699A (ja) | 超電導磁気シールド筒体とその製造方法 | |
| JPH05339009A (ja) | Ｂｉ系超電導体および超電導厚膜の製造方法 | |
| KR930002579B1 (ko) | 후막초전도체와 그 제조방법 | |
| SU1034548A1 (ru) | Устройство со многими джозефсоновскими переходами и способ его изготовлени | |
| JPH02120233A (ja) | 酸化物超伝導材料 | |
| JPH01160855A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPS6161717B2 (ja) | ||
| JPH02229717A (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造法 | |
| JPH01115860A (ja) | 超電導体 | |
| JPH01115861A (ja) | 超電導体 | |
| JPH01226761A (ja) | 超電導セラミックス組成物 | |
| JPH01111764A (ja) | 超電導セラミックス組成物 | |
| JPH05294628A (ja) | 酸化物超電導複合体及びその製造法 | |
| JPH01270582A (ja) | セラミックス超電導体の導電体接合膜 |