JPH027578A - 薄膜型光電変換素子の製造方法 - Google Patents
薄膜型光電変換素子の製造方法Info
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- JPH027578A JPH027578A JP63158462A JP15846288A JPH027578A JP H027578 A JPH027578 A JP H027578A JP 63158462 A JP63158462 A JP 63158462A JP 15846288 A JP15846288 A JP 15846288A JP H027578 A JPH027578 A JP H027578A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、薄膜型光電変換素子の製造方法に関するもの
である。
である。
［従来の技術］
最近、アモルファスシリコン等を用いた集積型光電変換
素子が、電力用以外にフォトダイオードアレイ等の電子
部品分野でも用いられようとしている。また、薄膜型で
あることを応用して、パワーＭＯ３）ランリスタの上に
形成し、発光ダイオード（ＬＥＤ）と対向実装すること
により、トランジスタ駆動用電源として利用することも
試みられている。
素子が、電力用以外にフォトダイオードアレイ等の電子
部品分野でも用いられようとしている。また、薄膜型で
あることを応用して、パワーＭＯ３）ランリスタの上に
形成し、発光ダイオード（ＬＥＤ）と対向実装すること
により、トランジスタ駆動用電源として利用することも
試みられている。
フォトダイオードアレイ等の素子を製造するには、微小
なサイズに加工する必要があるため、−般にフォトリソ
グラフィを用いて加工される。第３図はその一般的な製
造方法を示すもので、下部金属電極１、光電変換層２、
透明電極３、透明保護膜４、ボンディング用ＡＩ！電極
５を順次フォトリソグラフィを用いて形成する。
なサイズに加工する必要があるため、−般にフォトリソ
グラフィを用いて加工される。第３図はその一般的な製
造方法を示すもので、下部金属電極１、光電変換層２、
透明電極３、透明保護膜４、ボンディング用ＡＩ！電極
５を順次フォトリソグラフィを用いて形成する。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、早産性やコストを考慮すると、上記フォトリ
ソグラフィで行われるエツチング方法としては、湿式エ
ツチングの方が有利である。ところが、ボンディング用
ＡＰ電極５を湿式エッチングしたとき、光電変換層２の
上の透明電極３が腐食するという問題がしばしば生じる
。特に集積型にした場合この傾向が著しい。これは、透
明保護膜４のピンホールを通して電気化学反応が起こる
ものと考えられる。
ソグラフィで行われるエツチング方法としては、湿式エ
ツチングの方が有利である。ところが、ボンディング用
ＡＰ電極５を湿式エッチングしたとき、光電変換層２の
上の透明電極３が腐食するという問題がしばしば生じる
。特に集積型にした場合この傾向が著しい。これは、透
明保護膜４のピンホールを通して電気化学反応が起こる
ものと考えられる。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので
、その目的とするところは、腐食が起こらず、信頼性の
高い薄膜型光電変換素子の製造方法を提供するにある。
、その目的とするところは、腐食が起こらず、信頼性の
高い薄膜型光電変換素子の製造方法を提供するにある。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る製造方法を第１図に基づいて説明する。ま
ず、絶縁基板Ｓ上にＡ１電極５を形成する（同図（ａ）
参照）。次に、下部金属電極１を前記／ｌ電極５を完全
に覆うように形成しく同図（ｂ）参照）、シかる後、光
電変換層２、透明電極３、透明保護膜４を順次形成する
（同図［Ｃ）〜（ｅｌ参照）。
ず、絶縁基板Ｓ上にＡ１電極５を形成する（同図（ａ）
参照）。次に、下部金属電極１を前記／ｌ電極５を完全
に覆うように形成しく同図（ｂ）参照）、シかる後、光
電変換層２、透明電極３、透明保護膜４を順次形成する
（同図［Ｃ）〜（ｅｌ参照）。
最後にＡｌｔ電極５上の下部金属電極１を、それらの接
続部を残すようにして中央部付近だけをエツチング除去
する（同図（ｆ）参照）、これによって、ＡＩ電極５が
表面に露出してワイヤーボンディングが可能となる。
続部を残すようにして中央部付近だけをエツチング除去
する（同図（ｆ）参照）、これによって、ＡＩ電極５が
表面に露出してワイヤーボンディングが可能となる。
［作 用］
上記の工程によると、Ａｌのエツチング工程を最初に行
なうので、下地に及ぼす影響を考える必要がない、つま
り、従来例の如き腐食の生じるおそれのない安定した工
程を実現できる。
なうので、下地に及ぼす影響を考える必要がない、つま
り、従来例の如き腐食の生じるおそれのない安定した工
程を実現できる。
［実施例］
下部金属電極１としてＣｒ、光電変換層２としてアモル
ファスＳ ｉ ％ Ｊ明電極３としてインジウム・スズ
酸化物及び透明保護膜４としてＳｉＯ２股を用いて集積
型太陽電池を試作した。サイズは０．６１１１ｍ口のセ
ルを１０（Ｉｌｉｌ直列に接続したものである。
ファスＳ ｉ ％ Ｊ明電極３としてインジウム・スズ
酸化物及び透明保護膜４としてＳｉＯ２股を用いて集積
型太陽電池を試作した。サイズは０．６１１１ｍ口のセ
ルを１０（Ｉｌｉｌ直列に接続したものである。
まず最初に、真空蒸着によりＡｌ膜を５０００人形成し
、これをフォトリソグラフィ・エツチングにより加工し
てボンディング用Ａ１電極５とする。
、これをフォトリソグラフィ・エツチングにより加工し
てボンディング用Ａ１電極５とする。
エッチャントとしてりん酸系エツチング液を用いた０次
に、スパッタリング法によりＣｒｌ１３を２０００人形
成して、フォトリソグラフィにより下部金属電極１とす
る。エッチャントとして酢酸・硝酸アンモニウム系を用
いた。続いてプラズマＣＶＤによりアモルファスＳｉ膜
をｐ、ｉ、ｎの順に約６０００人、ＥＢ蒸着によりイン
ジウム・スズを９００人、プラズマＣＶＤによりＳ ｉ
０２膜を５０００人形成し、それぞれフォトリソグラ
フィ・エツチングにより所定の形状に加工する。最後に
Ｃｒ電極の中央部をフォトリソグラフィ・エツチングに
よって除去してＡ１電極を露出させる。
に、スパッタリング法によりＣｒｌ１３を２０００人形
成して、フォトリソグラフィにより下部金属電極１とす
る。エッチャントとして酢酸・硝酸アンモニウム系を用
いた。続いてプラズマＣＶＤによりアモルファスＳｉ膜
をｐ、ｉ、ｎの順に約６０００人、ＥＢ蒸着によりイン
ジウム・スズを９００人、プラズマＣＶＤによりＳ ｉ
０２膜を５０００人形成し、それぞれフォトリソグラ
フィ・エツチングにより所定の形状に加工する。最後に
Ｃｒ電極の中央部をフォトリソグラフィ・エツチングに
よって除去してＡ１電極を露出させる。
このようにして得られた集積型太陽電池の概略図を第２
図に示す。図において、ｌは下部金属電極、３は透明電
極、５はＡＮ電極である。
図に示す。図において、ｌは下部金属電極、３は透明電
極、５はＡＮ電極である。
本発明に係る薄膜型集積光電変換素子の応用として、パ
ワーＭＯ３）ランリスタの駆動用電源が考えられる。現
在実用化されているフォトＭＯＳリレー等は、単結晶太
陽電池とＭＯＳトランジスタと２つのチップより構成さ
れている。しかし、薄膜型の場合はＭＯＳ）ランリスタ
の上に絶縁層を介して形成可能である。
ワーＭＯ３）ランリスタの駆動用電源が考えられる。現
在実用化されているフォトＭＯＳリレー等は、単結晶太
陽電池とＭＯＳトランジスタと２つのチップより構成さ
れている。しかし、薄膜型の場合はＭＯＳ）ランリスタ
の上に絶縁層を介して形成可能である。
そこで、前記実施例の集積型太陽電池の２つの電極と同
じ位置にソース電極とゲート電極を持つパワーＭＯ３）
ランリスタの上に、同様なプロセスで集積型太陽電池を
形成した。この場合、既にソース電極、ゲート電極には
Ａ１膜が形成されているので、これをそのままボンディ
ングパッド用ＡＩ電極として用いることができる。つま
り、製造工程の簡略化が図れる。
じ位置にソース電極とゲート電極を持つパワーＭＯ３）
ランリスタの上に、同様なプロセスで集積型太陽電池を
形成した。この場合、既にソース電極、ゲート電極には
Ａ１膜が形成されているので、これをそのままボンディ
ングパッド用ＡＩ電極として用いることができる。つま
り、製造工程の簡略化が図れる。
以上のようにして得られたセルを発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）と対向実装して、ＬＥＤを発光させたところ、太陽
電池の起電力によってパワーＭＯＳトランジスタを駆動
できることを確認した。
Ｄ）と対向実装して、ＬＥＤを発光させたところ、太陽
電池の起電力によってパワーＭＯＳトランジスタを駆動
できることを確認した。
［発明の効果］
本発明は上記のように、薄膜型光電変換素子の製造にお
いて、まず前記絶縁基板上にボンディング用Ａβ電極を
形成し、次に下部金ＦＩ［極を前記ＡＩ電極を完全に覆
うように形成し、しかる後、光電変換層、上部透明電極
及び透明保護膜を順次形成し、最後にＡβ電極上の下部
金属電極を、下部金属電極とＡβ電極間の接続部を残し
て除去したことを特徴とするので、本発明によれば、湿
式エツチングによって加工する場合でも腐食の発生しな
い安定したプロセスが可能となる。
いて、まず前記絶縁基板上にボンディング用Ａβ電極を
形成し、次に下部金ＦＩ［極を前記ＡＩ電極を完全に覆
うように形成し、しかる後、光電変換層、上部透明電極
及び透明保護膜を順次形成し、最後にＡβ電極上の下部
金属電極を、下部金属電極とＡβ電極間の接続部を残し
て除去したことを特徴とするので、本発明によれば、湿
式エツチングによって加工する場合でも腐食の発生しな
い安定したプロセスが可能となる。
第１図は本発明のプロセスを示す図、第２し１は本発明
により製造されたｇｌｌ梨型太陽電池概略平面図、第３
図は従来例のプロセスを示す図であるＳ・・・絶縁基板
、ｌ・・・下部金属電極、２・・・光電変換層、３・・
・上部透明電極、４・・・透明保護膜、５・・・Ａｌ電
極。
により製造されたｇｌｌ梨型太陽電池概略平面図、第３
図は従来例のプロセスを示す図であるＳ・・・絶縁基板
、ｌ・・・下部金属電極、２・・・光電変換層、３・・
・上部透明電極、４・・・透明保護膜、５・・・Ａｌ電
極。
Claims (1)
- （１）絶縁基板上に下部金属電極、光電変換層、上部透
明電極、透明保護膜、及びボンディング用Ａｌ電極をフ
ォトリソグラフィによって形成する薄膜型光電変換素子
の製造において、まず前記絶縁基板上にボンディング用
Ａｌ電極を形成し、次に下部金属電極を前記Ａｌ電極を
完全に覆うように形成し、しかる後、光電変換層、上部
透明電極及び透明保護膜を順次形成し、最後にＡｌ電極
上の下部金属電極を、下部金属電極とＡｌ電極間の接続
部を残して除去したことを特徴とする薄膜型光電変換素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158462A JPH027578A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 薄膜型光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63158462A JPH027578A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 薄膜型光電変換素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027578A true JPH027578A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15672269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63158462A Pending JPH027578A (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | 薄膜型光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH027578A (ja) |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63158462A patent/JPH027578A/ja active Pending
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