JPH0276204A - ＺｎＯ薄膜バリスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は、ＺｎＯ層がＣ軸に優位配向していない多結
晶膜で構成されていることによって、ＺｎＯ層の表面を
平坦に形成して、非直線性の向上を図ったＺｎＯ薄膜バ
リスタに関するものである。

［従来の技術］ 従来、ＺｎＯ薄膜バリスタとして第３図に示すような構
造を有するものが知られている。すなわち、ガラスまた
はセラミックの基板１の上にＡｕ。

Ｎｉなどを真空蒸着して下部電極２とし、下部電極２の
上にスパッタリングによりＺｎ０層３を形成し、Ｚｎ０
層３の上にスパッタリングにより金属酸化物層４を形成
してＺｎ０層３の接合界面に電位障壁５を形成し、金属
酸化物層４の上にＡｕ、Ｎｉなどを真空蒸着して上部電
極６としたものである。上部電極６が下部電極２に対し
て正になるように電圧を加えると、電位障壁５は正方向
にバイアスされ、逆方向に電圧を加えると、逆方向バイ
アスされて、正、逆方向によって電流電圧特性が異る。

かつ、その電流電圧特性は非直線である。

［発明が解決しようとする課題１ 上記のスパッタリングにおけるスパッタ方式は、高周波
スパッタまたは高周波マグネトロンスパッタである。タ
ーゲットと基板が対向しているこれらのスパッタ方式で
Ｚｎ０層３を形成した場合、ＺｎＯは、Ｃ軸、すなわち
基板の垂直方向に優位配向する性質を持つ。したがって
、第３図（ｂ）に示すように、柱状の成長レベルに不揃
いが生じて、Ｚｎ０層３の表面に凹凸が生ずる（高低差
は最大１　、０００人）。このように表面平坦性が悪い
場合、電流電圧特性における非直線性に悪影響を与える
。

すなわち、非直線指数αを大きくできない。

なお、表面平坦性を良くするために、研磨などの物理的
方法も考えらるが、１μｍより薄い薄膜では、物理的に
不可能である。

この発明は、このような従来技術の課題を解決する目的
でなされたものである。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するための手段を、実施例に対応する第
１図を用いて以下説明する。この発明は、第１図に示す
ように、Ｚｎ０層１１が、Ｃ軸に優位配向していない多
結晶で構成されている。

［作　用］ このように構成されたものにおいては、Ｚｎ０層１１の
表面平坦性は改善される。

［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例を示す図である。

第１図において、・１１はＺｎＯ層、４はＢｉ、Ｏ。

などの金属酸化物層、５は電位障壁である。

Ｚｎ０層１１は、第１図（ｂ）に示すように、Ｃ軸に優
位配向していない多結晶膜である。Ｚｎ０層１１は、第
２図に示すような、ターゲットとターゲットとが対向し
ている対向形スパッタを用いることにより形成される。

ターゲット間のプラズマからイオンが不規則に飛び込ん
で、膜を形成していく。膜は、整列方向が異なる微少な
単結晶の乱雑な集合体である多結晶膜であるので、第１
図［有］）に示すように、Ｚｎ０層１１の表面は平坦化
される（高低差は最大２００人）。よって、電流電圧特
性における非直線性は改善され、非直線指数αは、従来
の１０から３０に増大した。

［発明の効果］ 以上説明してきたように、この発明は、ＺｎＯ層がＣ軸
に優位配向していない多結晶膜で構成されている。それ
ゆえ、ＺｎＯ層の表面平坦性は改善される。したがって
、この発明によれば、電流電圧特性における非直線性が
改善されるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す図で、（ａ）は断面
図、（ｂ）はＺｎＯ層の拡大断面図、第２図は対向形ス
パッタを示す図、第３図は従来技術を示す図で、（ａ）
は断面図、Φ）はＺｎＯ層の拡大断面図である。 ■・・・基板、２・・・下部電極、４・・・金属酸化物
層、５・・・電位障壁、６・・・下部電極、３．１１・
・・ＺｎＯ層 特許出願人　ティーデイ−ケイ株式会社一一； 第１図 （Ｑ）　　　　　　　　　　　　　　　　（ｂ）第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．ＺｎＯ層がＣ軸に優位配向していない多結晶膜で構
   成されていることを特徴とするＺｎＯ薄膜バリスタ