JPH0276852U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0276852U JPH0276852U JP1988156519U JP15651988U JPH0276852U JP H0276852 U JPH0276852 U JP H0276852U JP 1988156519 U JP1988156519 U JP 1988156519U JP 15651988 U JP15651988 U JP 15651988U JP H0276852 U JPH0276852 U JP H0276852U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- semiconductor device
- semiconductor light
- optical semiconductor
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図は本考案の第１に係る光半導体素子の実
施例の正面図、第２図は同実施例の回路図、第３
図は本考案の第１に係る光半導体素子の他の実施
例の斜視図、第４図は同実施例の回路図、第５図
ないし第７図は本考案の第１に係る光半導体素子
のさらに他の実施例の回路図、第８図は本考案の
第２に係る光半導体素子の実施例の斜視図、第９
図は同実施例の回路図、第１０図は本考案の第２
に係る光半導体素子の他の実施例の斜視図、第１
１図は同実施例の回路図、第１２図ないし第１４
図は本考案の第２に係る光半導体素子のさらに他
の実施例の回路図である。 １０，４０……光半導体素子（受光素子、受光
素子）、１２……半導体受光部（ホトダイオード
チツプ）、１４……ステム、１８……負荷抵抗器
、２４……透明部材（透明エポキシ樹脂）、２６
……レンズ部、２８，４４……増幅部（チツプト
ランジスタ）、４２……半導体発光部（発光ダイ
オードチツプ）４８……電流制限抵抗器。
施例の正面図、第２図は同実施例の回路図、第３
図は本考案の第１に係る光半導体素子の他の実施
例の斜視図、第４図は同実施例の回路図、第５図
ないし第７図は本考案の第１に係る光半導体素子
のさらに他の実施例の回路図、第８図は本考案の
第２に係る光半導体素子の実施例の斜視図、第９
図は同実施例の回路図、第１０図は本考案の第２
に係る光半導体素子の他の実施例の斜視図、第１
１図は同実施例の回路図、第１２図ないし第１４
図は本考案の第２に係る光半導体素子のさらに他
の実施例の回路図である。 １０，４０……光半導体素子（受光素子、受光
素子）、１２……半導体受光部（ホトダイオード
チツプ）、１４……ステム、１８……負荷抵抗器
、２４……透明部材（透明エポキシ樹脂）、２６
……レンズ部、２８，４４……増幅部（チツプト
ランジスタ）、４２……半導体発光部（発光ダイ
オードチツプ）４８……電流制限抵抗器。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体受光部とこの半導体受光部に接続し
た負荷抵抗器とを透明部材中に封入したことを特
徴とする光半導体素子。 (2) 前記半導体受光部と前記負荷抵抗器との接
続部に増幅部が接続してあることを特徴とする請
求項１記載の光半導体素子。 (3) 前記半導体受光部はホトダイオードチツプ
であることを特徴とする請求項２記載の光半導体
素子。 (4) 前記増幅部は演算増幅器であることを特徴
とする請求項２記載の光半導体素子。 (5) 前記半導体受光部はホトダイオードチツプ
であり、前記増幅部は電界効果トランジスタであ
ることを特徴とする請求項２記載の受光素子。 (6) 半導体発光部とこの半導体発光部に接続し
た増幅部とを透明部材中に封入したことを特徴と
する光半導体素子。 (7) 前記半導体発光部は発光ダイオードチツプ
であり、前記増幅部はバイポーラ型トランジスタ
であることを特徴とする請求項６記載の光半導体
素子。 (8) 前記バイポーラ型トランジスタは、接地さ
れる端子に電流制限抵抗器が接続されていること
を特徴とする請求項７記載の光半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988156519U JPH0276852U (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988156519U JPH0276852U (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276852U true JPH0276852U (ja) | 1990-06-13 |
Family
ID=31435131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988156519U Pending JPH0276852U (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0276852U (ja) |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP1988156519U patent/JPH0276852U/ja active Pending