JPH0277110A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH0277110A JPH0277110A JP22922388A JP22922388A JPH0277110A JP H0277110 A JPH0277110 A JP H0277110A JP 22922388 A JP22922388 A JP 22922388A JP 22922388 A JP22922388 A JP 22922388A JP H0277110 A JPH0277110 A JP H0277110A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/022—Electrolytes; Absorbents
- H01G9/025—Solid electrolytes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はビロール、フラン、チオフェン等の複素環式化
合物の有機半導体を電解質とする固体電解コンデンサに
関するものである。
合物の有機半導体を電解質とする固体電解コンデンサに
関するものである。
従来固体電解コンデンサには、二酸化マンガン（ＭｎＯ
□）やＴＣＮＱ塩等を固体電解質としたものがあるが、
この二酸化マンガン（Ｍ ｎ Ｏ＊ ）やＴＣＮＱ塩等
を固体電解質とする固体電解コンデンサはその製造方法
等に難点があった。そこで本出願人は製造方法が容易で
コンデンサ特性の優れた複素環式化合物のポリマー層を
固体寛解質とする新しい固体電解コンデンサを開発して
いる（例えば特開昭６１−２３１５号公報、特開昭６０
−２４４０１７号公報、特願昭６２−７３７４１号等）
。この固体電解コンデンサはアルミニウム等の誘電体酸
化皮膜を形成される基体の表面に、誘電体酸化皮膜層、
複素環式化合物の導電性ポリマー層、グラファイト層、
銀ペースト層を順次形成し、前記基体を一方の電極、銀
ペースト層を他方の電極としたものである。
□）やＴＣＮＱ塩等を固体電解質としたものがあるが、
この二酸化マンガン（Ｍ ｎ Ｏ＊ ）やＴＣＮＱ塩等
を固体電解質とする固体電解コンデンサはその製造方法
等に難点があった。そこで本出願人は製造方法が容易で
コンデンサ特性の優れた複素環式化合物のポリマー層を
固体寛解質とする新しい固体電解コンデンサを開発して
いる（例えば特開昭６１−２３１５号公報、特開昭６０
−２４４０１７号公報、特願昭６２−７３７４１号等）
。この固体電解コンデンサはアルミニウム等の誘電体酸
化皮膜を形成される基体の表面に、誘電体酸化皮膜層、
複素環式化合物の導電性ポリマー層、グラファイト層、
銀ペースト層を順次形成し、前記基体を一方の電極、銀
ペースト層を他方の電極としたものである。
上記従来の複素環式化合物のポリマー層を電解質とする
固体電解コンデンサは、等個直列抵抗（ＥＳＲ）が小さ
い等積々のコンデンサ特性において優れたものではある
が、コンデンサ基体表面に形成された誘電体酸化皮膜に
欠陥部があると、この欠陥部を通して漏れ電流が流れ、
コンデンサの漏洩電流が増大するという問題がある。そ
こで前記誘電体酸化皮膜層、複素環式化合物の導電性ポ
リマー層、ダニファイト層及び銀ペースト層を順次形成
して、コンデンサ素子を形成した後、酸素雰囲気中でエ
ージングする等の特殊な工程を加えることにより、この
漏洩電流を減少をさせるた方法も開発されている。しか
しながら、完成はたコンデンサ素子にこの特殊な工程を
加えなければならないという問題があった。
固体電解コンデンサは、等個直列抵抗（ＥＳＲ）が小さ
い等積々のコンデンサ特性において優れたものではある
が、コンデンサ基体表面に形成された誘電体酸化皮膜に
欠陥部があると、この欠陥部を通して漏れ電流が流れ、
コンデンサの漏洩電流が増大するという問題がある。そ
こで前記誘電体酸化皮膜層、複素環式化合物の導電性ポ
リマー層、ダニファイト層及び銀ペースト層を順次形成
して、コンデンサ素子を形成した後、酸素雰囲気中でエ
ージングする等の特殊な工程を加えることにより、この
漏洩電流を減少をさせるた方法も開発されている。しか
しながら、完成はたコンデンサ素子にこの特殊な工程を
加えなければならないという問題があった。
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので上記問題点を
除去し、特殊工程を加えることなく、漏洩電流の極めて
少ない複素環式化合物の導電性ポリマー層を電解質とす
る固体電解コンデンサを提供することにある。
除去し、特殊工程を加えることなく、漏洩電流の極めて
少ない複素環式化合物の導電性ポリマー層を電解質とす
る固体電解コンデンサを提供することにある。
上記課題を解決するため本発明は、固体電解コンデンサ
を誘電体酸化皮膜を形成できる金属基体の表面に誘電体
酸化皮膜を形成した後、該誘電体酸化皮膜層上に絶縁性
樹脂薄膜層を形成し、該絶縁性樹脂薄膜層上に複素環式
化合物の導電性ポリマー層、導電体層を順次形成し、該
導電体層を一方の電極とし、金属基体を他方の電極とし
たことを特徴とする。
を誘電体酸化皮膜を形成できる金属基体の表面に誘電体
酸化皮膜を形成した後、該誘電体酸化皮膜層上に絶縁性
樹脂薄膜層を形成し、該絶縁性樹脂薄膜層上に複素環式
化合物の導電性ポリマー層、導電体層を順次形成し、該
導電体層を一方の電極とし、金属基体を他方の電極とし
たことを特徴とする。
上記の如く誘電体酸化皮膜層上に絶縁性樹脂薄膜層を形
成するので、誘電体酸化皮膜層の絶縁欠陥部がこの絶縁
性樹脂薄膜層で補修されたことになり、漏洩電流の極め
て小さい固体電解コンデンサとなる。
成するので、誘電体酸化皮膜層の絶縁欠陥部がこの絶縁
性樹脂薄膜層で補修されたことになり、漏洩電流の極め
て小さい固体電解コンデンサとなる。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図及び第２図は本発明に係る固体電解コンデンサの
断面構造を示す概略図で、第１図はその全体を示し、第
２図は第１図のＡ部分の拡大図である。固体電解コンデ
ンサのコンデンサ素子は図示するように誘電体酸化被膜
を形成できる金属基板１の表面に、誘電体酸化被膜２、
絶縁性樹脂薄膜層３、複素環式化合物の導電性ポリマー
層４、グラファイト層５及び銀ペースト層６を順次形成
し、金属基板１上に一方の電極端子７を取り付け、銀ペ
ーストＦＩＧ上に他方の電極端子８を取り付けた構成で
ある。以下、上記各部を詳細に説明する。
断面構造を示す概略図で、第１図はその全体を示し、第
２図は第１図のＡ部分の拡大図である。固体電解コンデ
ンサのコンデンサ素子は図示するように誘電体酸化被膜
を形成できる金属基板１の表面に、誘電体酸化被膜２、
絶縁性樹脂薄膜層３、複素環式化合物の導電性ポリマー
層４、グラファイト層５及び銀ペースト層６を順次形成
し、金属基板１上に一方の電極端子７を取り付け、銀ペ
ーストＦＩＧ上に他方の電極端子８を取り付けた構成で
ある。以下、上記各部を詳細に説明する。
金属基板１はチタン、タンタル及びアルミニウムのよう
な誘電体酸化皮膜を形成できる金属からなる基板である
。
な誘電体酸化皮膜を形成できる金属からなる基板である
。
誘電体酸化被膜２は金属基板１の表面に形成される。例
えば金属基板１としてアルミニウム基板を用いた場合、
該アルミニウム基板をエツチング処理により粗面化し、
該粗面化した表面に化成化処理により、厚さ１００〜２
０００人の酸化アルミニウム層を形成する。
えば金属基板１としてアルミニウム基板を用いた場合、
該アルミニウム基板をエツチング処理により粗面化し、
該粗面化した表面に化成化処理により、厚さ１００〜２
０００人の酸化アルミニウム層を形成する。
絶縁性樹脂薄膜層３の形成方法には下記のような２つの
方法がある。
方法がある。
その一つは、プロロオレフィンとアルキルビニールエー
テルの共重合体又はポリ塩化ビニル又はポリ塩化ビニリ
デンを、キシレンジオキシン酸又はＮＮジメチルホルム
アミド等の溶媒に溶解させて、誘電体酸化被膜２の上に
塗布又はデツプするごとにＪり絶縁性樹脂薄膜層３を形
成する。
テルの共重合体又はポリ塩化ビニル又はポリ塩化ビニリ
デンを、キシレンジオキシン酸又はＮＮジメチルホルム
アミド等の溶媒に溶解させて、誘電体酸化被膜２の上に
塗布又はデツプするごとにＪり絶縁性樹脂薄膜層３を形
成する。
また、他の一つはアニオン電着が可能な、例えばウレタ
ン系不飽和樹脂等の水溶性又は非水溶性の樹脂を電荷粒
子として溶媒中に分散させ、この中に誘電体酸化被膜２
を形成した金属基板１を浸漬し、該金属基板１を陽極と
し、対向電極を陰極として所定の直流電圧を印加するこ
とにより、誘電体酸化被膜２の上に絶縁性樹脂薄膜Ｒ３
を形成する。
ン系不飽和樹脂等の水溶性又は非水溶性の樹脂を電荷粒
子として溶媒中に分散させ、この中に誘電体酸化被膜２
を形成した金属基板１を浸漬し、該金属基板１を陽極と
し、対向電極を陰極として所定の直流電圧を印加するこ
とにより、誘電体酸化被膜２の上に絶縁性樹脂薄膜Ｒ３
を形成する。
複素環式化合物の導電性ポリマー層４の形成は、複素環
式化合物を含む電解液中で電解酸化重合により形成する
。例えば複素環式化合物としてビロールを用いる場合は
、アセトニトリル或いはアセトンを溶媒としてビロー・
ルとボロジサリチル酸塩のアンモニウムボロジサリシレ
ート（ＡＢＳ）とを含む電解液中に前記絶縁性樹脂薄膜
層３を形成した金属基板１を浸漬し、該金属基板１を陽
極とし、対向電極を陰極として所定の直流電圧を印加す
ることによりにより、電解液中に電解酸化重合が起こり
、絶縁性ｍ詣薄膜層３の表面にビＤ−ルの導電性ポリマ
ー層、即ちポリピロール層が形成される。なお、このポ
リピロール層の形成の詳細は、本出願人が先に出願した
特願昭６２−２２７６４７号の明細書に詳細に開示して
いるからここでは省略する。
式化合物を含む電解液中で電解酸化重合により形成する
。例えば複素環式化合物としてビロールを用いる場合は
、アセトニトリル或いはアセトンを溶媒としてビロー・
ルとボロジサリチル酸塩のアンモニウムボロジサリシレ
ート（ＡＢＳ）とを含む電解液中に前記絶縁性樹脂薄膜
層３を形成した金属基板１を浸漬し、該金属基板１を陽
極とし、対向電極を陰極として所定の直流電圧を印加す
ることによりにより、電解液中に電解酸化重合が起こり
、絶縁性ｍ詣薄膜層３の表面にビＤ−ルの導電性ポリマ
ー層、即ちポリピロール層が形成される。なお、このポ
リピロール層の形成の詳細は、本出願人が先に出願した
特願昭６２−２２７６４７号の明細書に詳細に開示して
いるからここでは省略する。
グラファイト層５及び銀ペースト層６を形成するには、
グラフアイ）・溶液中に浸漬した後、硬化させてグラフ
ァイト層５を形成した後、更に銀ペースト溶液中に浸漬
して銀ペスートを塗布し、その後硬化させることにより
銀ペースト層６を形成する。
グラフアイ）・溶液中に浸漬した後、硬化させてグラフ
ァイト層５を形成した後、更に銀ペースト溶液中に浸漬
して銀ペスートを塗布し、その後硬化させることにより
銀ペースト層６を形成する。
上記のように誘電体酸化被膜２の上に絶縁性樹脂薄膜！
３を形成することにより、誘電体酸化被膜２を形成する
時に発生した欠陥部をこの絶縁性樹脂薄膜層３が覆うこ
とにより保護し、コンデンサの漏れ電流を大幅に低下さ
せることができる。
３を形成することにより、誘電体酸化被膜２を形成する
時に発生した欠陥部をこの絶縁性樹脂薄膜層３が覆うこ
とにより保護し、コンデンサの漏れ電流を大幅に低下さ
せることができる。
また、コンデンサ中に水分が入った場合、絶縁性樹脂薄
膜層３を形成しないと、この欠陥部に水分が入り、コン
デンサの静電容量が増加してしまうが、絶縁性樹脂薄膜
層３を形成することによりこのような問題はなくなる。
膜層３を形成しないと、この欠陥部に水分が入り、コン
デンサの静電容量が増加してしまうが、絶縁性樹脂薄膜
層３を形成することによりこのような問題はなくなる。
以上説明したように、本発明によれば下記のような優れ
た効果が得られる。
た効果が得られる。
（１）誘電体酸化皮膜層上に絶縁性樹脂薄膜層を形成す
るので、誘電体酸化皮膜層の絶縁欠陥部がこの絶縁性樹
脂薄膜層で補修きれたことになり、漏洩′Ｆｔ流の極め
て小さい固体電解コンデンサを提供できる。
るので、誘電体酸化皮膜層の絶縁欠陥部がこの絶縁性樹
脂薄膜層で補修きれたことになり、漏洩′Ｆｔ流の極め
て小さい固体電解コンデンサを提供できる。
（２）また、絶縁性樹脂薄膜層が誘電体酸化被膜の欠陥
部に浸透する水分を阻止する作用を奏するから、容量変
化の少ない固体電解コンデンサを提供できる。
部に浸透する水分を阻止する作用を奏するから、容量変
化の少ない固体電解コンデンサを提供できる。
第１図は本発明に係る固体電解コンデンサの断面構造を
示す概略図、第２図は第１図のＡ部分の拡大図である。 図中、１・・・・金属基板、２・・・・誘電体酸化被膜
、３・・・・絶縁性樹脂薄膜層、４・・・・複素環式化
合物の導電性ポリマー層、５・・・・グラファイト層、
６・・・・銀ペースト層、７，８・・・・電極端子。
示す概略図、第２図は第１図のＡ部分の拡大図である。 図中、１・・・・金属基板、２・・・・誘電体酸化被膜
、３・・・・絶縁性樹脂薄膜層、４・・・・複素環式化
合物の導電性ポリマー層、５・・・・グラファイト層、
６・・・・銀ペースト層、７，８・・・・電極端子。
Claims (1)
- 誘電体酸化皮膜を形成できる金属基体の表面に誘電体
酸化皮膜を形成した後、該誘電体酸化皮膜層上に絶縁性
樹脂薄膜層を形成し、該絶縁性樹脂薄膜層上に複素環式
化合物の導電性ポリマー層、導電体層を順次形成し、該
導電体層を一方の電極とし、前記金属基体を他方の電極
としたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22922388A JPH0277110A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22922388A JPH0277110A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0277110A true JPH0277110A (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=16888759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22922388A Pending JPH0277110A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0277110A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100753612B1 (ko) * | 2001-05-09 | 2007-08-29 | 에스케이케미칼주식회사 | 고체 전해 커패시터 및 그 제조방법 |
-
1988
- 1988-09-13 JP JP22922388A patent/JPH0277110A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100753612B1 (ko) * | 2001-05-09 | 2007-08-29 | 에스케이케미칼주식회사 | 고체 전해 커패시터 및 그 제조방법 |
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