JPH0277780A

JPH0277780A - 高解像度静電カメラ

Info

Publication number: JPH0277780A
Application number: JP23047688A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Obata; 小幡　博之; Minoru Uchiumi; 内海　実; Takashi Aono; 隆青野
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1988-09-13
Filing date: 1988-09-13
Publication date: 1990-03-16
Anticipated expiration: 2015-04-17
Also published as: JP3034256B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は感光体と対向配置し、電圧印加露光により静電
潜像を形成記録する電荷保持媒体の潜像消去方法に関ず
ろものである。

〔従来の技術〕出願人は、既に銀塩写真法、電子写真技術、テレビ撮壽
技術、固体撮像素子（ＣＣＤ）等を利用したテレビ撮影
技術等に対して高品質高解像であると共Ｃコ、処理工程
が簡便で長時間の記憶が可能であり、記憶した文字、線
画、画像、光度（１、Ｏ）情報を目的に応した１ｉｊｉ
質で任意に反復再生することができる電荷保持媒体によ
る記録再生についての提案を行っている（特願昭６３−
１２１５９２号）。

〔発明が解決すべき課題〕

ところでこのような電荷保持媒体は長時間の静電潜像の
記録が可能であるが、絶縁性が高いため、容易にはその
潜像を消去することができない。またこの潜像の消去を
手軽に行えないと反復して記録再生に利用するというメ
リットを活がずことができない。

本発明は上記問題点を解決するだめのもので、簡便にか
つ確実に電荷保持媒体の潜像を消去し、電荷保持媒体の
反復利用を可能ならしめる電荷保持媒体の潜像消去方法
を提供するご七を目的々する。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、感光体と対向配置され、電圧印加露光により
静電潜像が形成された電荷保持媒体の潜像消去方法であ
って、逆電圧印加露光、均一露光、コロナ帯電、加熱、
紫外線照射、導電性部材の面ｌ−走査、蒸気の吹きつげ
等の手段により潜像の消去を行うことを均一照射ずろ。

［作用］本発明は感光体と対向配置され、電圧印加露光により静
電潜像を記録した電荷保持媒体の消去方法であって、電
荷保持媒体に対して逆電圧印加露光、同極性または異極
性の電圧印加による均一露光、記録時と逆パターンの露
光、電荷保持媒体の加熱によるチャージのリーク、紫外
線照射により発生した電荷によるパターンの消去、集電
部材あるいは導電性蒸気等の吹付けによるチャージのリ
ークを利用し７て電荷保持媒体上の潜像を消去するもの
であり、簡便にかつ確実に潜像を消去して再利用を行う
ことが可能となる。

〔実施例〕

以下、実施例を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の静電画像記録再生方法における記？１
力法を説明するだめの図で、図中、１は感光体、３は電
荷保持媒体、５は光導電層支持体、７は感光体電極、９
は光導電層、１１は絶縁層、１３は電荷保持媒体電極、
１５は絶縁層支持体、１７は電源である。

第１図においては、感光体１側から露光を行う態様であ
り、まず１　ｍｍ厚のガラスからなる光導電層支持体５
上に１０００人厚のＩＴ○からなる透明な感光体電極７
を形成し、この−１−に１０μｍ程゛度の光導電層９を
形成して感光体１を構成している。この感光体１に対し
て、１０μｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３が配置
される。電荷保持媒体３は］、ｍｍ厚のガラスからなる
絶縁層支持体１５上に１０００人厚の、１！電極Ｉ３を
蒸着により形成し、この電極１３」二に１０μｍ厚の絶
縁層１１を形成したものである。

先ず、第１図（イ）に示ずように感光体１に対して、１
０μｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３をセットし、
第１図（ロ）に示すように電源１７により電極７．１３
間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は高抵抗
体であるため、電極間には何の変化も生じない。感光体
１側より光が入射ずろと、光が入射した部分の光導電層
９は導電性を示し、絶縁層１１との間に放電が生じ、絶
縁層１１に電荷が蓄積される。

露光が終了し７たら、第１図（ハ）！こ示ずように電圧
をＯＦＦにし、次いで、第１図（ニ）に示すように電荷
保持媒体３を取り出すことにより静電潜像の形成が終了
する。

なお、感光体１と電荷保持媒体３とは−１−記のように
非接触でなく接触代でもよく、接触代の場合には、感光
体電極７側から光導電層９の露光部に正または負の電荷
が注入され、この電荷は電荷保持媒体３例の電極１３に
引かれて光導電層９を通過し、絶縁層１１面に達した所
で電荷移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される
。そして、感光体１と電荷保持媒体３とを分離すると、
絶縁層１１は電荷を蓄積したままの状態で分離される。

この記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写ｐ
、法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層
］１上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好
な絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放
電せず長期間保存されろ。

この絶縁層１１上の電荷保存期間は、絶縁体の性質によ
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持媒体
の物理的損傷や湿度が高い場合の放電等を防くために絶
縁層１１の表面を絶縁性フィルム等で覆って保存するよ
うにしてもよい。

以下、本願発明に用いられる感光体、および電荷保持媒
体の構成材料について説明する。

光導電層支持体５としては、感光体を支持することがで
きるある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは
特に制限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフィ
ルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、
金属＋Ｆｊ、（電極を兼ねることもできる）等の剛体が
使用される。但し、感光体側から光を入射して情報を記
録する装置に用いられる場合には、当然その光を透過さ
せる特性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感
光体側から入射するカメラに用いられる場合には、厚み
１ｍｍ程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフ
ィルム、シートが使用される。

感光体電極７は、光導電層支持体５に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体５に形成され、その
材質は比抵抗値が１０６Ω・ｃｍ以下であれば限定され
なく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等である
。このような感光体電極７は、光導電層支持体５上に、
蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング、メツキ
、ディッピング、電解重合等により形成される。またそ
の厚みは、感光体電極７を構成する材質の電気特性、お
よび情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要が
あるが、例えばアルミニウムであれば、１００〜３００
０人程度である。ごの感光体電極７も光導電層支持体５
と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には、」
１述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光（
４００〜７００ｎｍ）であれば、Ｉ　Ｔｏ　（ＩｎｚＯ
３−３ｎ０２）　、Ｓ　ｎ　０２等をスパッタリング、
蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ
化してコーティングしたような透明電極や、Ａｕ、、Ａ
Ｉ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ等を蒸着、またはスパッタリング
で作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン（Ｔ
ＣＮＱ）　、ポリアセチレン等のコーティングによる有
機透明電極等が使用される。

また情報光が赤外（７００ｎｍ以上）光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。

更に、情報光が紫外（４００Ωｍ以下）光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガラス
等）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。

光導電層９は、光が照射されると照射部分て光キャリア
（電子、正孔）が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる導電性層であり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。材料は無機光
導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材料
等で構成される。

以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法に
ついて説明する。

（Ａ）無機感光体（光導電体）無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。

（イ）アモルファスシリコン感光体アモルファスシリコン感光体としては ■水素化アモルファスシリコン（ａ−３ｉ：）Ｉ）■フ
ッ素化アモルファスシリコン（ａ−３ｔ：Ｆ）・これら
に対して不純物をドーピングしないもの・Ｂ、、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｆ等をドーピングにより
Ｐ型（ホール輸送型）にしたちの・Ｐ、、Ａｇ、、Ｓ　
ｂ、Ｂ　ｉ等をドーピングによりＮ型（電子輸送型）に
したものがある。

感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく　１０−”〜
Ｉ　Ｔｏｒｒ）　、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱した
電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体原
料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは積
層で使用する。膜厚は１〜５０μｍである。

また、透明電極７から電荷が注入され、露光してないの
にもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するため
に、感光体電極７の表面に電荷注入防止層を設けること
ができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と感
光体最上層（表面層）の一方或いは両方に、グロー放電
、蒸着、スパッター法等によりａ−５ｉＮ層、ａ−５ｉ
Ｃ層、５ｉＯｚ層、Ａｆｆｉ、Ｏ，層等の絶縁層を設け
るとよい。この絶縁層を余り厚くしすぎると露光したと
き電流が流れないので、少なくとも１０００Å以下とす
る必要があり、作製し易さ等を考慮すると４００〜５０
０人稈度が望ましい。

また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板子に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層を
設ける。例えば、Ｓｉにボロンをドープしたａ−３ｉ：
Ｉイ（ｎ゛）は、ホールの輸送特性が上がって整流効果
が得られ、電荷注入防止層として機能する。

（ロ）アモルファスセレン感光体アモルファスセレン感光体としては、 ■アモルファスセレン（ａ−５ｅ） ■アモルファスセレンテルル（ａ　−５ｅ−Ｆｅ）■ア
モルファスひ素セレン化合物（ａ　−ＡＳｚＳｅ＋）■
アモルフアスひ素セレン化合物＋Ｔｅがある。

この感光体しよ蒸着、スパッター法により作製し、また
電荷注入■土層としてＳ　ｉ　ＯＺ、八（！２０＋　、
５ｉＣ１ＳｉＮ層を蒸着、スパッター、グロー放電法等
により電極基板上に設けられる。またと記■〜■を組み
合わせ、積層型感光体としてもよい。感光体層の膜厚は
アモルファスシリコン感光体と同様である。

（ハ）硫化カドミウム（ＣｄＳ　）この感光体は、コーティング、蒸着、スバ・ツタリング
法により作製する。蒸着の場合はＣｄＳの固体粒をタン
グステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、Ｅ
Ｂ（エレクトロンビーム）蒸着により行う。またスパッ
タリングの場合はＣｄＳターゲットを用いてアルゴンプ
ラズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモ
ルファス状態でＣｄＳが堆積されるが、スパッタリング
条件を選択することにより結晶性の配向膜（膜厚方向に
配向）を得ることもできる。コーティングの場合は、Ｃ
ｄＳ粒子（粒径１〜１００μｍ）をバインダー中に分散
させ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい
。。

（ニ）酸化亜鉛（Ｚｎ　Ｏ）この感光体はコーティング法、或いはＣＶＤ法で作製さ
れる。コーティング法としては、ＺｎＳ粒子（粒径１〜
１００μｍ）をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またＣＶＤ
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中（１０−２〜ＩＴｏｒｒ）で混合
し、加熱した電極基板（１５０〜４００°Ｃ）上で化学
反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合も膜
厚方向に配向した膜が得られる。

（Ｂ）有機感光体有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。

（イ）単層系感光体単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。

〈電荷発生物質系〉光を吸収して電荷を生し易い物質であり、例えば、アブ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリし・ン系卸料、ピリリウム染料系、
シアニン染料系、メチン染料系が使用される。

く電荷輸送物質系〉電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、Ｉ−リジフェニルメタン系、アジン系、アミ
ン系、芳香族アミン系等がある。

まだ、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体とし７てもよい。

通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニル力ルバヅール（ＰＶＫ）は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレ／ｙ　（ＴＮＦ）　は４００ｎｍ波長
近傍しが感しないが、Ｐ　Ｖ　Ｋ　　Ｔ　Ｎ　Ｆ　８９
体は６５０ｎｍ波長域まで感じるようになる。

このような単層系感光体の膜厚は、１０〜５゜μｍが好
ましい。

（ロ）機能分離型感光体電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。

（電荷発生層〉電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、ａ−３ｅ　、、ａ−３
ｔ　、アズレニウム塩系、スクアリウム基糸等がある。

く電荷輸送層〉電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ビラプリン系、ＰＶＫ系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。

機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極トに塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を０
．　１〜１０μｍ、電荷輸送層を１０〜５０μｍの膜厚
とするとよい。

なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセタールＨｌｉ、フェノール樹脂、ポリ
メチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、メラミン樹
脂、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷発生材料各
１部に対し、０．１〜１０部添加して付着し易いように
する。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着
法、スパッター法等を使用することができる。

次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。

電荷注入防止層は、光導電層９の両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電層９の電圧印加時の暗電流（
電極からの電荷注入）、すなわち露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方（電子、またはホール
）が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこれ
らを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例えば
Ａｓ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＲｉｚＯｚ　、ＣｄＳ　、　Ｃ
ａＯ、、Ｃｅ０ｚ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｏｏ　、Ｇｅ０ｚ、
］９ＨｆＯ，、Ｆｅ２Ｏ３、Ｌａ２’ｓ　　、ＭｇＯ、Ｍｎ
Ｏ２、Ｎｄ２Ｏ，、Ｎｂ２Ｏ！　　、ＰｂＯ、，５ｂｚ
０３　．５ｔ０２、Ｓｅａ□、Ｔａｚ０５　　、ＴｉＯ
２、ｈｏ３　、Ｖ２Ｏ，、、Ｙ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、Ｚｒ
Ｏ□、ＢａＴｉＯ３、八１２０３、ＢａＴｉＯ３、Ｃａ
Ｏ−３ｒＯ、Ｃａ０−Ｙ２Ｏ３、Ｃｒ−３ｉＯ１１，１
Ｔａ０３、ＰｂＴｉ０ａ、ＰｂＺｒ０．、Ｚｒ０２−Ｃ
ｏ　　、、Ｚｒ（１２−５ｉｎｇ　　、ＡＩＮ　　、Ｂ
Ｎ、、ＮｂＮ　、、５ｉｓ）Ｌ４　、ＴａＮ　　Ｘ　Ｔ
ｉＮ　　、、ＶＮ、ＺｒＮ　　。

ＳｉＣ、、ＴｉＣ、、ＷＣ，Ａｌ４Ｃ３等をグロー放電
、蒸着、スパッタリング等により形成される。尚、この
層の膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効
果の点を考慮して使用される材質ごとに決められる。次
ぎに整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を
利用して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する
電荷輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層
は無機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導電
層で形成され、その膜厚は０．１〜１０μｍ程度である
。具体的には、電極がマイナスの場合はＢ、、Ａ１．、
Ｇａ、Ｉｎ等をドープしたアモルファスシリコン光導電
層、アモルファスセレン、またはオキサジアゾール、ビ
ラプリン、ポリビニルカルバゾール、スチルヘン、アン
トラセン、ナフタレン、トリジフェニルメタン、トリフ
ェニルメタン、アジン、アミン、芳香族アミン等を樹脂
中に分散して形成した有機光導電層、電極がプラスの場
合は、Ｐ、Ｎ、、ＡｓＸＳｂ、、Ｂｉ等をドープしたア
モルファスシリコン光導電層、ＺｎＯ光導電層等をグロ
ー放電、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング
等の方法により形成される。

次ぎに、電荷保持媒体材料、および電荷保持媒体の作製
方法について説明する。

電荷保持媒体３は感光体１と共に用いられて、電荷保持
媒体３を構成する絶縁層１１の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。従って記録される情報、あるいは記録の方法により
この電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができ
る。例えば静電カメラに用いられる場合には、一般のフ
ィルム（単コマ、連続コマ用）形状、あるいはディスク
状となり、レーザー等によりデジタル情報、またはアナ
ログ情報を記録する場合には、テープ形状、ディスク形
状、或いはは−ド形状となる。

絶縁層支持体１５は、上記のような電荷保持媒体３を強
度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支持
体５と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求さ
れる場合がある。具体的には、電荷保持媒体３がフレキ
シブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合に
は、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用
され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、ガ
ラス等の無機材料等が使用される。

電荷保持媒体電極１３は、基本的には感光体電極７と同
じでよく、上述した感光体電極７と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体１５上に形成される。

絶縁層１１は、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で１０′４
Ω・ｃｍ以」−の絶縁性を有することが要求される。こ
のような絶縁層１１は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ
、コーティング、ディッピングするか、または蒸着、ス
パッタリング法により層形成させることができる。

ここで、ト記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレン
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロール樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン６６、ナイロン６、ポリカーボネー
ト、アセタールホモポリマー２弗素樹脂、セルロース樹
脂、フェノール樹脂。

ユリア樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、可撓性
エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フェノオ
キシ樹脂、芳香族ポリイミド、ＰＰＯポリスルホン等、
またポリイソプレン、ポリブタジェン、ポリクロロプレ
ン、イソブヂレン。

極高ニトリル２　ポリアクリルゴム、クロロスルホン化
ポリエチレン、エチレン・プロピレンラバー。

弗素ゴム、シリコンラバー、多硫化系合成ゴム。

ウレタンゴム等のゴムの単体、あるいは混合物が使用さ
れる。

またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチジンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーポネーＩ・フィルム、ポリアミドフィルム等を
電荷保持媒体電極１３上に接着剤等を介して貼着するこ
とにより層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム
等に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、デ
ィッピングすることにより層形成してもよい。

また絶縁層１１として、ラングミュア−・プロシェド法
により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使用
することができる。

またこれら絶縁層１１には、電極面との間、または絶縁
層１１上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷
保持強化層とは、強電界（１０４Ｖ　／　ｃ　ｍ以上）
が印加された時には電荷が注入するが、低電界（１０’
Ｖ／ｃｍ以下）では電荷が注入しない層のごとをいう。

電荷保持強化層としては、例えば５ｉ０２、旧ｚｏ、３
、ＳｉＣ、、ＳｉＮ等が使用でき、有機系物質としては
例えばポリエチレン蒸着膜、ポリバラキシレン蒸着膜が
使用できる。

また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層１１
に、電子供与性を有する物質（ドナー材料）、あるいは
電子受容性を有する物質（アクセプター材料）を添加す
るとよい。ドナー材料としではスチレン系、ピレン系、
ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン系
化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン（ＴＴ
Ｆ）、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、ポ
リビニルアントラセン、ボリアジン、ポリビニルビし・
ン、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して
用いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化
合物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的に
はテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）ｌ・リニトロ
フルオレノン（ＴＮＦ）等が使用され、一種、または混
合して使用されろ。ドナー材料、アクセプター材料は、
樹脂等に対して０．００１〜１０％程度添加して使用さ
れる。

さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体中
に元素中休微粒子を添加ずろことができる。元素単体と
しては周期律表第ＴＡ族（アルカリ金属）、同ＩＢ族（
銅族）、同ＩＩＡ族（アルカリ土類金属）、同１７Ｂ族
（亜鉛族）、同ｍＡ族（アルミニウム族）、同ＩＢ族（
希土類）、同■Ｂ族（チタン族）、同ＶＢ族（バナジウ
ム族）、同ＶＴＢ族（クロム族）、同■Ｂ族（マンガン
族）、同■族（鉄族、白金族）、また同ＩＶＡ族（炭素
族）としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、同ＶＡ族（
窒素族）としてはアンチモン、ビスマス、同ＶＩＡ族（
酸素族）としては硫黄、セレン、テルルが微細粉状で使
用される。また」１記元素単体のうち金属類は金属イオ
ン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態としても使
用することができる。

更にＬ記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体にごく僅か
添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対して０．０
１〜１０重量％程度でよい。　また絶縁層１１は、絶縁
性の点からは少２（くても１０００人（０１１〕ｍ）以
上の厚みが必要であり、フレキシビル性の点からは１０
０μｍ以下が好ましい。

このようにして形成される絶縁層１１は、破損、または
その表面の情報電荷の放電を防止するために、その表面
に保護膜を設けることができる。保護膜としては粘着性
を有するシリコンゴム等のゴム類、ポリテルペン樹脂等
の樹脂類をフィルム状にし、絶縁層１１の表面に貼着す
るか、またプラスチックフィルムをシリコンオイル等の
密着剤を使用して貼着するとよく、比抵抗１０１４Ω・
ｃｍ以−１−のものであればよく、膜厚は０．５〜３０
μｍ程度であり、絶縁層１１の情報を高解像度とする必
要がある場合には保護膜は薄い程よい。この保護層は、
情報再生時には保護膜−トから情報を再生してもよ（、
また保護膜を剥離して絶縁層の情報を再生することもで
きる。

静電荷保持の方法としては、前述したような表面電荷を
蓄積するいわゆる自由電荷保持方法以外に絶縁媒体内部
に電荷の分布、分極を生しさせるエレクト／ノドがある
ユ第２図は光エレクトレットを用いた静電荷保持方法を示
す図で、第１図と同一番号は同一内容を示している。な
お、図中、１９は透明電極である。

第２図（イ）に示すようにフィルム等の支持体１５上に
電極１３を形成し、電極板−ヒにＺｎＳ。

ＣｄＳ、ＺｎＯを、蒸着スハ−）ター、ＣＶＤ、Ｄ−テ
ィング法等で１層１〜５Ｈｔｍ形成する。そしてこの感
光層表面に透明電極１９を接触あるいは非接触で重ね、
電圧印加状態で露光すると（第２図（ロ））、露光部で
光によって電荷が発生し、電場によって分極し、電荷は
電場を取り去ゲてもその位置にトラップされる（第２図
（ハ））。こうして、露光量に応じたエレクトレットが
得られる。なお、第２図の電荷保持媒体の場合は別体の
感光体を必要としない利点がある。

５第３図は熱ニレクレットを用いた静電荷保持方法を示
す図で、第１図と同一番号は同一内容である。

熱エレクトレツト材料としては、例えばポリ弗化ビニリ
デン（ＰＶＤＦ）、ポリ（ＶＤＦ／ｆｆ三）ソ化エチレ
ン）、ポリ（ＶＤＦ／四フフ化エチレン）、ポリフッ化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン。

ポリアクリロニトリル、ポリ−α−クロロアクリロニト
リル、ポリ　（アクリロニトリル／塩化ビニル）、ポリ
アミド１１．ポリアミド３．ポリーｍ−フＬニレンイソ
フタルアミド、ポリカーボネート２ポリ（ビニリデンシ
アナイド酢酸ビニル）。

ＰＶＤＦ／ＰＺＴ複合体等からなり、これを電極基板］
３に６二１〜５０μｍ弔層で設けるかあるいは２種類基
−ヒのものを積層する。

そして露光前に抵抗加熱等で」１記媒体材料のガラス転
移基−トに媒体を加熱しておき、その状態で電圧印加露
光を行う（第３図（ロ））。高温ではイオンの移動度が
大きくなっており、露光部では絶縁層に高電界が加わり
、熱的に活性化されたイオンの内、負電荷は正電掻に、
正電荷は負電極に集まって空間電荷を形成し、分極を生
じる。その後、媒体を冷却すると、発生した電荷は電場
を取り去ってもその位置にトラップされ露光量に応じた
エレクトレットを生しる（第３図（ハ））。

次ぎに、絶縁層１１に情報を入力する方法としては高解
像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記録方
法がある。まず本願発明で使用される高解像度静電カメ
ラは、通常のカメラに使用されている写真フィルムの代
わりに、前面に感光体電極７を設けた光導電層９からな
る感光体１と、感光体１に対向し、後面に電荷保持媒体
電極１３を設けた絶縁層１１からなる電荷保持媒体とに
より記録部材を構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光
に応じて光導電層を導電性として入射光量に応じて絶縁
層上に電荷を蓄積させることにより入射光学像の静電潜
像を電荷蓄積媒体上に形成するもので、機械的なシャッ
タも使用しうるし、また電気的なシャッタも使用しうる
ちのであり、また静電潜像は明所、暗所に関係なく長期
間保持することが可能である。またプリズムにより光情
報を、Ｒ，Ｇ、Ｂ光成分に分離し、平行光として取り出
すカラーフィルターを使用し、Ｒ，Ｇ、Ｂ分解した電荷
保持媒体３セツトで１コマを形成するか、または１千面
上にＲ，Ｇ、Ｂ像を並べて１セットで１コマとすること
により、カラー撮影することもできる。

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー（５１４，４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネ
オンレーザ−（６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８０
ｎｍ、８１０ｎｍ等）が使用でき、感光体と電荷保持媒
体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔をお
いて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキャリ
アの極性と同じ極性に感光体電極をセットするとよい。

この状態で画像信号、文字信号、コート信号、線画信号
に対応したレーザー露光をスキャニングにより行うもの
である。画像のようなアナログ的な記録は、レーザーの
光強度を変調して行い、文字、コード、線画のようなデ
ジタル的な紀行は、レーザー光の０Ｎ−ＯＦＦ制御によ
り行う。また画像において網点形成されるものには、レ
ーザー光にドツトジェネレーター０Ｎ−ＯＦＦ制御をか
けて形成するものである。尚、感光体における光導電層
の分光特性は、パンクロマチインクである必要はなく、
レーザー光源の波長に感度を有していればよい。

第４図は本発明の潜像消去方法の一実施例を示す図であ
る。

第４図（イ）に示すように、感光体１と電荷保持媒体３
との間に電源１７により所定の電圧を印加し、この状態
で露光を行うと、電荷保持媒体３の絶縁層１１上にはマ
イナスの電荷がトラップされて保持され、潜像が形成さ
れる。この潜像を消去するには第４図（ロ）に示すよう
に、電源１７の極性を逆極性とし、第４図（イ）と同じ
露光パターンで露光すると、電荷保持媒体３の絶縁層１
１上には第４図（イ）と逆極性の電荷が記録され、その
ため第４図（イ）による露光により形成された潜像がキ
ャンセルされて、絶縁層１１上の電位はＯとなって潜像
が消去される。

また第４図（ハ）に示すように、第４図（イ）の露光時
と同極性の電圧を印加しておき、第４図（イ）と逆のパ
ターンで露光を行えば、絶縁層１１上にはマイナス電荷
が均一に帯電記録されるごとになり、潜像か消去された
ことになる。第４図（ハ）の場合には絶縁層１１が所定
の一定電位に保持されるので電源電圧の極性を逆にして
露光を行えば、再記録が可能となる。

第５図は本発明の他の実施例を示す図で、潜像が形成さ
れた電荷保持媒体に対して均一露光を行うことにより、
潜像の消去を行うようにしたものである。

第５回（イ）は電圧印加露光時と同極性の電圧を印加し
て均一露光を行う例を示す図で、潜像が形成されている
部分がさらに露光によりチャージがのるため、露光を継
続すると速く飽和し、さらに潜像が形成されていなかっ
た部分も露光を継続することによりそこの部分にのるチ
ャージ量は飽和する。こうして一定時間露光を行うこと
により絶縁像１１の表面は飽和電圧に達し、潜像の消去
が行われる。この状態で電源電圧を逆極性にして露光を
行えば再書込みが可能である。

第５図（ロ）は第４図（イ）の露光時と逆極性の印加電
圧により均一露光をした例を示し、この場合は第４図（
イ）で露光されていなかった部分がまずプラス帯電で飽
和し、次に露光されて潜像が形成されている部分が飽和
して全面均一帯電になり、潜像の消去が行われる。この
場合も電圧を逆極性にして再書込みが可能となる。

第６図はコロナ放電により均一帯電を行って潜像消去を
行う実施例を示す図である。

本実施例では例えば交流コロナ放電を行い、絶縁層１１
上を正電荷あるいは負電荷により均一帯電して潜像の消
去を行う。もちろん交流でなく、直流による放電でも可
能である。

次に第７図〜第１０図により加熱による潜像消去方法を
示す。

第７図は赤外線加熱により潜像を消去する方法を示す図
で、潜像を形成した電荷保持媒体に赤外線を照射するこ
とにより絶縁Ｎ１１を加熱し、その結果絶縁層１１の導
電性が上がり、潜像を形成するチャージがリークして潜
像の消去が行われる。

第８図は電荷保持媒体の電極に通電して抵抗加熱により
潜像消去を行う実施例を示す図である。

電荷保持媒体の電極は１０６Ω・ｃｍ以下の抵抗を示す
物質から形成され、所定の抵抗を持っているので、ここ
に通電することにより発熱し、また電荷保持媒体自体が
極めて薄く熱容量が小さいので短時間で加熱され、潜像
を形成するチャージがリークして潜像の消去が行われる
。

第９図はマイクロ波加熱により潜像消去を示す回で、絶
縁層１１の誘電体損によって絶縁層自体が発熱して温度
上昇し、導電性が上がってチャージがリークし、潜像の
消去が行われる。

第１０図はサーマルヘッドを用い、電荷保持媒体の絶縁
層１１の表面を加熱して潜像を消去する例を示す図で、
サーマルヘッド２２を加熱し、絶縁層１１を接触または
非接触で加熱し、潜像を形成するチャージをリークさせ
て潜像の消去を行う。

第１１図は紫外線を照射することにより潜像を消去する
実施例を示す回である。

第１１図（イ）は潜像が形成された露光パターンと同じ
パターンの紫外光を照射する例を示し、紫外線の照射に
より絶縁層１１内に電子とホールのキャリアが発生し、
潜像が形成されている部分は潜像を形成する電荷による
電界が発生しでいるため、その電荷と逆極性のキャリア
が引きつけられて中和され、反対極性の電荷はアース側
に流れる。その結果潜像形成する電荷は中和されて潜像
が消去される。

第１Ｉ図（ロ）は紫外線を電荷保持媒体面上に均一に照
射した例を示し、潜像が形成されている部分は第１１図
（イ）と同様に電荷が中和され、他の部分は電界が生じ
ていないので、発生したキャリアは直ちに再結合して消
失するので全体として絶縁層１１上には電荷が蓄積され
ず潜像の消去を行うことができる。

第１２図は集電部材により絶縁層１１上の電荷をリーク
させる実施例を示す図である。　図中、３１は導電性部
材であり、ブラシ３２を有しており、ブラシ３２で電荷
保持媒体表面上を走査することにより電荷をリークさせ
て潜像を消去することができる。

第１３図は水蒸気を電荷保持媒体上に吹付ＬＪ導電性を
付与して電荷をリークさせる例を示す図で、この導電性
気体を通して電荷がリークし、潜像を消去することがで
きる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、絶縁性が高く、消去しに
くい電荷保持媒体上の潜像を極めて簡便にかつ確実に消
去することができるので、電荷保持媒体を反復再利用す
ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の静電画像記録再生方法における記録方
法を説明するだめの図、第２図は光エレクトレットを用
いた静電荷保持方法を示す図、第３図は熱ニレクレット
を用いた静電荷保持方法を示す図、第４図は本発明の潜
像消去方法の一実施例を示す図、第５図は本発明の均一
露光により潜像消去を行う他の実施例を示す図、第６図
はコロナ放電により均一帯電を行って潜像消去を行う実
施例を示す図、第７図は赤外線加熱により潜像を消去す
る方法を示す図、第８図は電荷保持媒体の電極に通電し
て抵抗加熱により潜像消去を行う実施例を示す図、第９
図はマイクロ波加熱により潜像消去を示す図、第１０図
はサーマルヘッドを用いて潜像を消去する実施例を示す
図、第１１図は紫外線を照射することにより潜像を消去
する実施例を示す図、第１２図は集電部材により電荷を
リークさせて潜像を消去する実施例を示す図、第１３図
は蒸気を吹付けて潜像を消去する実施例を示す図である
。１・・・感光体、３・・・電荷保持媒体、５・・・光導
電層支持体、７・・・感光体電極、９・・・光導電層、
１１・・・絶縁層、１３・・・電荷保持媒体電極、１５
・・・絶縁層支持体、１７・・・電源。出　　願　　人　　大日本印刷株式会社代理人　弁理士
　　蛭　川　昌　信（外４名）；駅区　　　　　　　Ｈ区 ■　　　　　　　　　ト　　　　　　　の賊　　　　　
　城　　　　　賊 ■　　　　　　９恢　　　　　城

Claims

【特許請求の範囲】

（１）感光体と対向配置され、電圧印加露光により静電
潜像が形成された電荷保持媒体の潜像消去方法であって
、逆電圧印加露光を行うことを特徴とする電荷保持媒体
の潜像消去方法。
（２）逆電圧印加露光時の露光パターンは潜像成形時の
露光パターンと同じである請求項１記載の電荷保持媒体
の潜像消去方法。
（３）逆電圧印加露光時の露光パターンは潜像形成時の
露光パターンと逆のパターンである請求項１記載の電荷
保持媒体の潜像消去方法。
（４）感光体と対向配置され、電圧印加露光により静電
潜像が形成された電荷保持媒体の潜像消去方法であって
、同極性または異極性の電圧を印加して均一露光を行う
ことを特徴とする電荷保持媒体の潜像消去方法。
（５）感光体と対向配置され、電圧印加露光により静電
潜像が形成された電荷保持媒体の潜像消去方法であって
、コロナ放電による均一帯電を行うことを特徴とする電
荷保持媒体の潜像消去方法。
（６）感光体と対向配置され、電圧印加露光により静電
潜像が形成された電荷保持媒体の潜像消去方法であって
、電荷保持媒体を加熱することを特徴とする電荷保持媒
体の潜像消去方法。
（７）感光体と対向配置され、電圧印加露光により静電
潜像が形成された電荷保持媒体の潜像消去方法であって
、加熱手段が赤外線加熱、抵抗加熱、マイクロ波加熱、
サーマルヘッドによる加熱である請求項６記載の電荷保
持媒体の潜像消去方法。
（８）感光体と対向配置され、電圧印加露光により静電
潜像が形成された電荷保持媒体の潜像消去方法であって
、電荷保持媒体に紫外線を照射することを特徴とする電
荷保持媒体の潜像消去方法。
（９）紫外線は電圧印加露光時と同じパターンである請
求項８記載の電荷保持媒体の潜像消去方法。
（１０）紫外線により電荷保持媒体面を均一照射する請
求項９記載の電荷保持媒体の潜像消去方法。
（１１）感光体と対向配置され、電圧印加露光により静
電潜像が形成された電荷保持媒体の潜像消去方法であっ
て、導電性部材を電荷保持媒体面に接触させ、面上を走
査することを特徴とする電荷保持媒体の潜像消去方法。
（１２）感光体と対向配置され、電圧印加露光により静
電潜像が形成された電荷保持媒体の潜像消去方法であっ
て、蒸気を電荷保持媒体面に吹きつけることを特徴とす
る電荷保持媒体の潜像消去方法。