JPH01293359A - 静電複写装置 - Google Patents
静電複写装置Info
- Publication number
- JPH01293359A JPH01293359A JP12360188A JP12360188A JPH01293359A JP H01293359 A JPH01293359 A JP H01293359A JP 12360188 A JP12360188 A JP 12360188A JP 12360188 A JP12360188 A JP 12360188A JP H01293359 A JPH01293359 A JP H01293359A
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- JP
- Japan
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- charge
- layer
- photoreceptor
- light
- medium
- Prior art date
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- Pending
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- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は原稿面からの情報光により静電潜像を形成し、
該静電潜像をトナー現像する装置に係わり、特に静電潜
像形成媒体として安定して長期間潜像を保持することが
できる電荷保持媒体を使用する静電複写装置に関するも
のである。
該静電潜像をトナー現像する装置に係わり、特に静電潜
像形成媒体として安定して長期間潜像を保持することが
できる電荷保持媒体を使用する静電複写装置に関するも
のである。
一般に、従来の複写機においては、光導電層に電極を蒸
着し、暗所で光導電層上にコロナ帯電により全面帯電さ
せ、次いで強い光で露光して光の当たった部位の光導電
層を導電性にし、その部位の電荷をリークさせて除去す
ることにより静電荷潜像を光導M1層の面上に光学的に
形成させ、その残留静電荷と逆極性の電荷(または同極
性の電荷)を有するトナーを付着さ□せて現像するもの
が使用されている。
着し、暗所で光導電層上にコロナ帯電により全面帯電さ
せ、次いで強い光で露光して光の当たった部位の光導電
層を導電性にし、その部位の電荷をリークさせて除去す
ることにより静電荷潜像を光導M1層の面上に光学的に
形成させ、その残留静電荷と逆極性の電荷(または同極
性の電荷)を有するトナーを付着さ□せて現像するもの
が使用されている。
しかしながら従来の複写機においては、得られた静電潜
像をトナー現像して顕像化することば簡単、かつ迅速に
行うことができるが、静電荷の保持時間が非常に短いた
めに静電潜像形成後、直ちにトナー現像する必要があり
、静電潜像形成後、任意の時点でトナー現像することは
不可能であった。また、全面コロナ帯電させて感光体を
強い光で露光するために、高電圧、大電力を必要とする
という問題があった。
像をトナー現像して顕像化することば簡単、かつ迅速に
行うことができるが、静電荷の保持時間が非常に短いた
めに静電潜像形成後、直ちにトナー現像する必要があり
、静電潜像形成後、任意の時点でトナー現像することは
不可能であった。また、全面コロナ帯電させて感光体を
強い光で露光するために、高電圧、大電力を必要とする
という問題があった。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、高品質、
高解像であると共に、低電圧、低消費電力化を行うこと
ができると共に、長時間の記憶が可能で任意の時点でト
ナー現像することが可能な電荷保持媒体を利用した静電
複写装置を提供することを目的とする。
高解像であると共に、低電圧、低消費電力化を行うこと
ができると共に、長時間の記憶が可能で任意の時点でト
ナー現像することが可能な電荷保持媒体を利用した静電
複写装置を提供することを目的とする。
第1図は本発明の静電画像記録再生方法における記録方
法を説明するための図で、図中、1は感光体、3は電荷
保持媒体、5は光導電層支持体、7は感光体電極、9は
光、iti、11は絶縁層、13は電荷保持媒体電極、
15は絶縁層支持体、17は電源である。
法を説明するための図で、図中、1は感光体、3は電荷
保持媒体、5は光導電層支持体、7は感光体電極、9は
光、iti、11は絶縁層、13は電荷保持媒体電極、
15は絶縁層支持体、17は電源である。
第1図においては、感光体1側から露光を行う態様であ
り、まず1■厚のガラスからなる光導電層支持体5上に
1000人厚の1TOからなる透明な感光体電極7を形
成し、この上に10μm程度の光導電層9を形成して感
光体1を構成している。この感光体lに対して、10I
Im程度の空隙を介して電荷保持媒体3が配置される。
り、まず1■厚のガラスからなる光導電層支持体5上に
1000人厚の1TOからなる透明な感光体電極7を形
成し、この上に10μm程度の光導電層9を形成して感
光体1を構成している。この感光体lに対して、10I
Im程度の空隙を介して電荷保持媒体3が配置される。
電荷保持媒体3は工腫厚のガラスからなる絶縁層支持体
!5上に1000人厚の1Tfi電極13を蒸着により
形成し、この電極13上に10μm厚の絶縁層11を形
成したものである。
!5上に1000人厚の1Tfi電極13を蒸着により
形成し、この電極13上に10μm厚の絶縁層11を形
成したものである。
先ず、第1図(イ)に示すように感光体1に対して、l
Oμm程度の空隙を介して電荷保持媒体3をセントし、
第1図(ロ)に示すように電源17により′IX極7.
13間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層9は高
抵抗体であるため、電極間には何の変化も生じない。感
光体1側より光が入射すると、光が入射した部分の光導
電N9は導電性を示し、絶縁Jiltとの間に放電が生
じ、絶縁層11に電荷が蓄積される。
Oμm程度の空隙を介して電荷保持媒体3をセントし、
第1図(ロ)に示すように電源17により′IX極7.
13間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層9は高
抵抗体であるため、電極間には何の変化も生じない。感
光体1側より光が入射すると、光が入射した部分の光導
電N9は導電性を示し、絶縁Jiltとの間に放電が生
じ、絶縁層11に電荷が蓄積される。
露光が終了したら、第1図(ハ)に示すように電圧をO
FFにし、次いで、第1図(ニ)に示すように電荷保持
媒体3を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する
。
FFにし、次いで、第1図(ニ)に示すように電荷保持
媒体3を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する
。
なお、感光体1と電荷保持媒体3とは上記のように非接
触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体電
極7側から光導電層9の露光部に正または負の電荷が注
入され、この電荷は電荷保持媒体3例の電極13に引か
れて光導電層9を通過し、絶縁層11面に達した所で電
荷移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。そ
して、感光体1と電荷保持媒体3とを分離すると、絶縁
層11は電荷を蓄積したままの状態で分離される。
触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体電
極7側から光導電層9の露光部に正または負の電荷が注
入され、この電荷は電荷保持媒体3例の電極13に引か
れて光導電層9を通過し、絶縁層11面に達した所で電
荷移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。そ
して、感光体1と電荷保持媒体3とを分離すると、絶縁
層11は電荷を蓄積したままの状態で分離される。
この記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写真
法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層1
1上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
せず長期間保存される。
法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層1
1上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
せず長期間保存される。
この絶縁層11上の電荷保存期間は、絶縁体の性質によ
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。
以下、本願発明に用いられる感光体、および電荷保持媒
体の構成材料について説明する。
体の構成材料について説明する。
光導電層支持体5としては、感光体を支持することがで
きるある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは
特に制限がな(、例えば可撓性のあるプラスチックフィ
ルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、
金属板(電極を兼ねることもできる)等の剛体が使用さ
れる。但し、感光体側から光を入射して情報を記録する
装置に用いられる場合には、当然その光を透過させる特
性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光体側
から入射するカメラに用いられる場合には、厚み1mm
程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィルム
、シートが使用される。
きるある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは
特に制限がな(、例えば可撓性のあるプラスチックフィ
ルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、
金属板(電極を兼ねることもできる)等の剛体が使用さ
れる。但し、感光体側から光を入射して情報を記録する
装置に用いられる場合には、当然その光を透過させる特
性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光体側
から入射するカメラに用いられる場合には、厚み1mm
程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィルム
、シートが使用される。
感光体電極7は、光導電層支持体5に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体5に形成され、その
材質は比抵抗値が106Ω・cIl以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機全屈酸化物導電膜等であ
る。このような感光体電極7は、光導電層支持体5上に
、蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング、メツ
キ、ディッピング、電解重合等により形成される。また
その厚みは、感光体電極7を構成する材質の電気特性、
および情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要
があるが、例えばアルミニウムであれば、100〜30
00人程度である。この感光体電極7も光導電層支持体
5と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には、
上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光(
400〜700nm)であれば、r T O(InzO
s−3now) 、 S n 02等をスパッタリング
、蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にイン
キ化してコーティングしたような透明電極や、Au、A
I、Ag、Ni、Cr等を蒸着、またはスパッタリング
で作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン(T
CNQ) 、ポリアセチレン等のコーティングによる有
機透明電極等が使用される。
される場合を除いて光導電層支持体5に形成され、その
材質は比抵抗値が106Ω・cIl以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機全屈酸化物導電膜等であ
る。このような感光体電極7は、光導電層支持体5上に
、蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング、メツ
キ、ディッピング、電解重合等により形成される。また
その厚みは、感光体電極7を構成する材質の電気特性、
および情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要
があるが、例えばアルミニウムであれば、100〜30
00人程度である。この感光体電極7も光導電層支持体
5と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には、
上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光(
400〜700nm)であれば、r T O(InzO
s−3now) 、 S n 02等をスパッタリング
、蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にイン
キ化してコーティングしたような透明電極や、Au、A
I、Ag、Ni、Cr等を蒸着、またはスパッタリング
で作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン(T
CNQ) 、ポリアセチレン等のコーティングによる有
機透明電極等が使用される。
また情報光が赤外(700nm以上)光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。
更に、情報光が紫外(400Ωm以下)光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの(有機高分子材料、ソーダガラス
等)は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの(有機高分子材料、ソーダガラス
等)は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。
光導電層9は、光が照射されると照射部分で光キャリア
(Ti子、正孔)が発生し、それらのキャリアが肩幅を
移動することができる導電性層であり、特に電界が存在
する場合にその効果が顕著である層である。材料は無機
光導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材
料等で構成される。
(Ti子、正孔)が発生し、それらのキャリアが肩幅を
移動することができる導電性層であり、特に電界が存在
する場合にその効果が顕著である層である。材料は無機
光導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材
料等で構成される。
以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
(A)無機感光体(光導電体)
無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。
(イ)アモルファスシリコン感光体
アモルファスシリコン感光体としては
■水素化アモルファスシリコン(a−3t:H)■フッ
素化アモルファスシリコン(a−5i:F)・これらに
対して不純物をドーピングしないもの、 ・B、AI、Ga、In、TI等をドーピングによりP
型(ホール輸送型)にしたもの、・P、Ag、5bSB
i等をドーピングによりN型(電子輸送型)にしたも
の、 がある。
素化アモルファスシリコン(a−5i:F)・これらに
対して不純物をドーピングしないもの、 ・B、AI、Ga、In、TI等をドーピングによりP
型(ホール輸送型)にしたもの、・P、Ag、5bSB
i等をドーピングによりN型(電子輸送型)にしたも
の、 がある。
感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく 10−”〜
I Torr) 、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱した
電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体原
料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは積
層で使用する。膜厚は1〜50μmである。
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく 10−”〜
I Torr) 、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱した
電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体原
料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは積
層で使用する。膜厚は1〜50μmである。
また、透明電極7から電荷が注入され、露光してないの
にもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するため
に、感光体層8i7の表面に電荷注入防止層を設けるこ
とができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と
感光体最上層(表面層)の一方或いは両方に、グロー放
電、蒸着、スパッター法等によりa−5IN N、 a
−5iC層、Si01層、へ1203層等の絶縁層を設
けるとよい、この絶縁層を余り厚くしすぎると露光した
とき電流が流れないので、少なくとも1000Å以下と
する必要があり、作製し易さ等を考慮すると400〜5
00人程度が望ましい。
にもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するため
に、感光体層8i7の表面に電荷注入防止層を設けるこ
とができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と
感光体最上層(表面層)の一方或いは両方に、グロー放
電、蒸着、スパッター法等によりa−5IN N、 a
−5iC層、Si01層、へ1203層等の絶縁層を設
けるとよい、この絶縁層を余り厚くしすぎると露光した
とき電流が流れないので、少なくとも1000Å以下と
する必要があり、作製し易さ等を考慮すると400〜5
00人程度が望ましい。
また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層を
設ける0例えば、Siにボロンをドープしたa−3盪:
H(n’)は、ホールの輸送特性が上がって整流効果が
得られ、電荷注入防止層として機能する。
基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層を
設ける0例えば、Siにボロンをドープしたa−3盪:
H(n’)は、ホールの輸送特性が上がって整流効果が
得られ、電荷注入防止層として機能する。
(ロ)アモルファスセレン感光体
アモルファスセレン感光体としては、
■アモルファスセレン(a−3e)
■アモルファスセレンテルル(a −3e−Te)■ア
モルフアスひ素セレン化合物(a−AszSex”)■
アモルファスひ素セレン化合物十Teがある。
モルフアスひ素セレン化合物(a−AszSex”)■
アモルファスひ素セレン化合物十Teがある。
この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層として5iOxSA z、o、 、5iC
1SiN JIJを蒸着、スパッター、グロー放電法等
により電極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み
合わせ、積層型感光体としてもよい、感光体層の膜厚は
アモルファスシリコン感光体と同様である。
荷注入阻止層として5iOxSA z、o、 、5iC
1SiN JIJを蒸着、スパッター、グロー放電法等
により電極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み
合わせ、積層型感光体としてもよい、感光体層の膜厚は
アモルファスシリコン感光体と同様である。
(ハ)硫化カドミウム(CdS)
この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング法
により作製する。蒸着の場合はCdSの固体粒をタング
ステンボー、ドにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、E
B(エレクトロンビーム)蒸着により行う。またスパッ
タリングの場合はCdSターゲットを用いてアルゴンプ
ラズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモ
ルファス状態でCdSが堆積されるが、スパッタリング
条件を選択することにより結晶性の配向12(IIi厚
方向に配向)を得ることもできる。コーティングの場合
は、CdS粒子(粒径1〜100μm)をバインダー中
に分散させ、溶媒を添加して基板上にコーティングする
とよい。。
により作製する。蒸着の場合はCdSの固体粒をタング
ステンボー、ドにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、E
B(エレクトロンビーム)蒸着により行う。またスパッ
タリングの場合はCdSターゲットを用いてアルゴンプ
ラズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモ
ルファス状態でCdSが堆積されるが、スパッタリング
条件を選択することにより結晶性の配向12(IIi厚
方向に配向)を得ることもできる。コーティングの場合
は、CdS粒子(粒径1〜100μm)をバインダー中
に分散させ、溶媒を添加して基板上にコーティングする
とよい。。
(ニ)酸化亜鉛(Zn O)
この感光体はコーティング法、或いはCVD法で作製さ
れる。コーティング法としては、ZnS粒子(粒径1〜
100μm)をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またCVD
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中(10−”〜l Torr)で混
・合し、加熱した電極基Fi、(150〜400°C)
上で化学反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この
場合もa厚方向に配向した膜が得られる。
れる。コーティング法としては、ZnS粒子(粒径1〜
100μm)をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またCVD
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中(10−”〜l Torr)で混
・合し、加熱した電極基Fi、(150〜400°C)
上で化学反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この
場合もa厚方向に配向した膜が得られる。
(B)有機感光体
有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。
とがある。
(イ)単層系感光体
単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。
らなっている。
〈電荷発生物質系〉
光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。
く電荷輸送物質系〉
電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。
また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。
成させ、電荷移動錯体としてもよい。
通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発す物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール(PvK)は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン(TNF)は400nm波長近傍
しか感じないが、PVK−TNFiW体は650 nm
波長域まで感じるようになる。
特性を有するが、電荷発す物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール(PvK)は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン(TNF)は400nm波長近傍
しか感じないが、PVK−TNFiW体は650 nm
波長域まで感じるようになる。
このような単層系感光体の膜厚は、10〜50μmが好
ましい。
ましい。
(ロ)R能分離型感光体
電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない、そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない、そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。
く電荷発生層〉
電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、a−5e 、 a−S
i 、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、a−5e 、 a−S
i 、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。
〈電荷輸送層〉
電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ピラゾリン系、PVK系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。
系、ピラゾリン系、PVK系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。
機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を0
.1〜10μm、電荷輸送層を10〜50μmのl1f
f厚とするとよい。
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を0
.1〜10μm、電荷輸送層を10〜50μmのl1f
f厚とするとよい。
なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセクール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレート(PMMA)樹脂、メラミン樹脂
、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷発生材料各1
部に対し、0.1〜10部添加して付着し易いようにす
る。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着法
、スパッター法等を使用することができる。
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセクール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレート(PMMA)樹脂、メラミン樹脂
、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷発生材料各1
部に対し、0.1〜10部添加して付着し易いようにす
る。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着法
、スパッター法等を使用することができる。
次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。
電荷注入防止層は、光導電1’59の両表面の少なくと
も一方か、両方の面に、光導電N9の電圧印加時の暗電
流(電極からの電荷注入)、すなわち露光していないに
もかかわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動
する現象を防止するために設けることができるものであ
る。
も一方か、両方の面に、光導電N9の電圧印加時の暗電
流(電極からの電荷注入)、すなわち露光していないに
もかかわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動
する現象を防止するために設けることができるものであ
る。
この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方(電子、またはホール
)が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機!
!!緑性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいは
これらぢ積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例
えば八む03、BzOs、B1103 、CdS 、
CaO、Cent、Cr1es 、Coo 、Ge0t
、Hroz、Fezes 、Lag’s 、MgO、、
Mn0t、NdtOs 、Nbgos 、PbO,5b
zOs 、5tot、、5eO1、Tag’s 、Ti
1ts−〇1、■105、hos、 YzOs、Zr(
h、BaTi0=、八!20゜、BizTiO,、Ca
O−5rO、Ca0−Y、O,、Cr−5iO1LiT
aO1、PbTiO2、PbZrOs、Zr0l−Co
、Zr0z−SiOt % AIN 、 BN
SNbN Ss+、N、 、TaN 、 TiN5
νN、 ZrN 5SiC、Tic SWC,Al4C
3等をグロー放電、蒸着、スパッタリング等により形成
される。尚、この層の膜厚は電荷の注入を防止する絶縁
性と、トンネル効果の点を考慮して使用される材質ごと
に決められる。次ぎに整流効果を利用した電荷注入防止
層は、整流効果を利用して電極基板の極性と逆極性の電
荷輸送能を有する電荷輸送層を設ける。即ち、このよう
な電荷注入防止層は無機光導電層、を微光導電層、有機
無機複合型光導電層で形成され、その膜厚は0.1〜1
0μm程度である。具体的には、電極がマイナスの場合
はB5Al、Ga、In等をドープしたアモルフブスシ
リコン光導電層、アモルファスセレン、またはオキサジ
アゾール、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、スチ
ルベン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニルメ
タン、トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香族ア
ミン等を樹脂中に分散して形成した有機光導電層、電極
がプラスの場合は、P。
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方(電子、またはホール
)が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機!
!!緑性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいは
これらぢ積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例
えば八む03、BzOs、B1103 、CdS 、
CaO、Cent、Cr1es 、Coo 、Ge0t
、Hroz、Fezes 、Lag’s 、MgO、、
Mn0t、NdtOs 、Nbgos 、PbO,5b
zOs 、5tot、、5eO1、Tag’s 、Ti
1ts−〇1、■105、hos、 YzOs、Zr(
h、BaTi0=、八!20゜、BizTiO,、Ca
O−5rO、Ca0−Y、O,、Cr−5iO1LiT
aO1、PbTiO2、PbZrOs、Zr0l−Co
、Zr0z−SiOt % AIN 、 BN
SNbN Ss+、N、 、TaN 、 TiN5
νN、 ZrN 5SiC、Tic SWC,Al4C
3等をグロー放電、蒸着、スパッタリング等により形成
される。尚、この層の膜厚は電荷の注入を防止する絶縁
性と、トンネル効果の点を考慮して使用される材質ごと
に決められる。次ぎに整流効果を利用した電荷注入防止
層は、整流効果を利用して電極基板の極性と逆極性の電
荷輸送能を有する電荷輸送層を設ける。即ち、このよう
な電荷注入防止層は無機光導電層、を微光導電層、有機
無機複合型光導電層で形成され、その膜厚は0.1〜1
0μm程度である。具体的には、電極がマイナスの場合
はB5Al、Ga、In等をドープしたアモルフブスシ
リコン光導電層、アモルファスセレン、またはオキサジ
アゾール、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、スチ
ルベン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニルメ
タン、トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香族ア
ミン等を樹脂中に分散して形成した有機光導電層、電極
がプラスの場合は、P。
N5As、Sb、B i等をドープしたアモルファスシ
リコン光導電層、ZnO光導電層等をグロー放電、蒸着
、スパッタリング、CVD、コーティング等の方法によ
り形成される。
リコン光導電層、ZnO光導電層等をグロー放電、蒸着
、スパッタリング、CVD、コーティング等の方法によ
り形成される。
次ぎに、電荷保持媒体材料、および電荷保持媒体の作製
方法について説明する。
方法について説明する。
電荷保持媒体3は感光体1と共に用いられて、電荷保持
媒体3を構成する絶縁層11の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。
媒体3を構成する絶縁層11の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。
絶縁層支持体15は、上記のような電荷保持媒体3を強
度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支持
体5と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求さ
れる場合がある。具体的には、電荷保持媒体3がフレキ
シブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合に
は、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用
され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、ガ
ラス等の無機材料等が使用される。。
度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支持
体5と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求さ
れる場合がある。具体的には、電荷保持媒体3がフレキ
シブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合に
は、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用
され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、ガ
ラス等の無機材料等が使用される。。
電荷保持媒体電極13は、基本的には感光体電極7と同
じでよく、上述した感光体電極7と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体15上に形成される。
じでよく、上述した感光体電極7と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体15上に形成される。
絶縁層11ば、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で1014
Ω・cm以上の絶縁性を有することが要求される。この
ような絶縁7111は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ
、コーティング、ディッピングするか、または蒸着、ス
パッタリング法により層形成させることができる。
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で1014
Ω・cm以上の絶縁性を有することが要求される。この
ような絶縁7111は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ
、コーティング、ディッピングするか、または蒸着、ス
パッタリング法により層形成させることができる。
ここで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレン
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロール樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン66、ナイロン6、ポリカーボネー
ト、アセタールホモポリマー、弗素樹脂、セルロース樹
脂、フェノール樹脂。
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロール樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン66、ナイロン6、ポリカーボネー
ト、アセタールホモポリマー、弗素樹脂、セルロース樹
脂、フェノール樹脂。
ユリア樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂。
可撓性エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フ
ェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、PPO,ポリスル
ホン等、またポリイソプレン、ポリブタジェン、ポリク
ロロプレン、イソブチレン。
ェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、PPO,ポリスル
ホン等、またポリイソプレン、ポリブタジェン、ポリク
ロロプレン、イソブチレン。
、極高ニトリル、ポリアクリルゴム、クロロスルホン化
ポリエチレン、エチレン・プロピレンラバー。
ポリエチレン、エチレン・プロピレンラバー。
弗素ゴム、シリコンラバー、多硫化系合成ゴム。
ウレタンゴム等のゴムの単体、あるいは混合物が使用さ
れる。
れる。
またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等を電
荷保持媒体TL極13上に接着剤等を介して貼着するこ
とにより層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム
等に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、デ
ィッピングすることにより層形成してもよい。
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等を電
荷保持媒体TL極13上に接着剤等を介して貼着するこ
とにより層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム
等に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、デ
ィッピングすることにより層形成してもよい。
また絶&!M11として、ラングミュア−・プロシェド
法により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使
用することができる。
法により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使
用することができる。
またこれら絶縁層11には、電極面との間、または絶縁
層11上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷
保持強化層とは、強電界(104V / c m以上)
が印加された時には電荷が注入するが、低電界(10’
V’/cm以下)では電荷が注入しない層のことをいう
、、′@電荷保持強化層しては、例えば340□、A1
□Og 、SICs SIN等が使用でき、有機系物質
としては例えばポリエチレン蒸着膜、ポリバラキシレン
蒸着膜が使用できる。
層11上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷
保持強化層とは、強電界(104V / c m以上)
が印加された時には電荷が注入するが、低電界(10’
V’/cm以下)では電荷が注入しない層のことをいう
、、′@電荷保持強化層しては、例えば340□、A1
□Og 、SICs SIN等が使用でき、有機系物質
としては例えばポリエチレン蒸着膜、ポリバラキシレン
蒸着膜が使用できる。
また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層11
に、電子供与性を有する物!(ドナー材料)、あるいは
電子受容性を有する物質(アクセプター材料)を添加す
るとよい、ドナー材料としてはスチレン系、ピレン系、
ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン系
化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン(TT
F)、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、ボ
リビニルアントラセン、ボリアジン、ポリビニルピレン
、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して用
いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化合
物、シアン化合物、ニトロ化合物sがあり、具体的には
テトラシアノキノジメタン(TCNQ))リニトロフル
ルノン(TNF)等が使用され、一種、または混合して
使用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹脂等
に対して0.001〜lO%程度添加して使用される。
に、電子供与性を有する物!(ドナー材料)、あるいは
電子受容性を有する物質(アクセプター材料)を添加す
るとよい、ドナー材料としてはスチレン系、ピレン系、
ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン系
化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン(TT
F)、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、ボ
リビニルアントラセン、ボリアジン、ポリビニルピレン
、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して用
いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化合
物、シアン化合物、ニトロ化合物sがあり、具体的には
テトラシアノキノジメタン(TCNQ))リニトロフル
ルノン(TNF)等が使用され、一種、または混合して
使用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹脂等
に対して0.001〜lO%程度添加して使用される。
さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体中
に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体と
しては周期律表第rA族(アルカリ金W&)、同IB族
(銅族)、同IIA族(アルカリ土類金属)、同nB族
(亜鉛族)、同II[A族(アルミニウム族)、同I[
[B族(希土類)、同■B族(チタン族)、同VB族(
バナジウム族)、同VrB族(クロム族)、同■B族(
マンガン族)、同■族(鉄族、白金族)、また同IVA
族(炭素族)としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、同
vA族(窒素族)としてはアンチモン、ビスマス、同V
IA族(酸素族)としては硫黄、セレン、テルルが微細
粉状で使用される。また上記元素単体のうち金属類は金
属イオン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態とし
ても使用することができる。
に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体と
しては周期律表第rA族(アルカリ金W&)、同IB族
(銅族)、同IIA族(アルカリ土類金属)、同nB族
(亜鉛族)、同II[A族(アルミニウム族)、同I[
[B族(希土類)、同■B族(チタン族)、同VB族(
バナジウム族)、同VrB族(クロム族)、同■B族(
マンガン族)、同■族(鉄族、白金族)、また同IVA
族(炭素族)としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、同
vA族(窒素族)としてはアンチモン、ビスマス、同V
IA族(酸素族)としては硫黄、セレン、テルルが微細
粉状で使用される。また上記元素単体のうち金属類は金
属イオン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態とし
ても使用することができる。
更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体にごく僅か
添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対して0,0
f−10重量%程度でよい、 また絶縁層11は、絶縁
性の点からは少なくても1000人(0,1μm)以上
の厚みが必要であり、フレキシビル性の点からは100
μm以下が好ましい。
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体にごく僅か
添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対して0,0
f−10重量%程度でよい、 また絶縁層11は、絶縁
性の点からは少なくても1000人(0,1μm)以上
の厚みが必要であり、フレキシビル性の点からは100
μm以下が好ましい。
次に、このような電荷保持媒体を利用した本発明の複写
装置を説明する。
装置を説明する。
第2図は本発明の静電複写装置の構成を示す図で、図中
101は原稿、102は光源、103は搬送用ベルト、
104は現像機、105は転写フィルム、106は転写
装置、107はヒーター、108は供給ロール、109
は巻き取りロールである。
101は原稿、102は光源、103は搬送用ベルト、
104は現像機、105は転写フィルム、106は転写
装置、107はヒーター、108は供給ロール、109
は巻き取りロールである。
光源102により原稿101の面を照射し、その反射光
を感光体1に照射する。感光体1と電荷保持媒体3との
間には所定の電圧が印加されており、感光体lは原稿面
からの画像情報を帯びた光で面露光され、画像濃度に応
じて導電性を帯び、その結果、電荷保持媒体3に原稿1
01の画像に応じた静電潜像が形成される。−古層荷保
持媒体3は搬送用ベル)103で搬送され、現像Ia1
04によりトナー現像される。トナー現像された電荷保
持媒体3はコロトロン等からなる転写装置106により
、電荷保持媒体3上のトナーが通常の複写用紙またはフ
ィルム等からなる転写フィルム105に転写され、ヒー
ター107により転写フィルム上のトナー像は定着され
る。電荷保持媒体3は微弱光に対しても反応するので、
光源102としては通常の複写機に使用されているよう
なパワーの大きいものでなくてもよく、また電荷保持媒
体の静電潜像は長期間安定に保持されるので、静電潜像
形成後、直ちに現像する必要はなく、静電潜像形成した
電荷保持媒体の状態で保存しておき、その後任意の時点
で、任意の場所で現像して転写することも可能である。
を感光体1に照射する。感光体1と電荷保持媒体3との
間には所定の電圧が印加されており、感光体lは原稿面
からの画像情報を帯びた光で面露光され、画像濃度に応
じて導電性を帯び、その結果、電荷保持媒体3に原稿1
01の画像に応じた静電潜像が形成される。−古層荷保
持媒体3は搬送用ベル)103で搬送され、現像Ia1
04によりトナー現像される。トナー現像された電荷保
持媒体3はコロトロン等からなる転写装置106により
、電荷保持媒体3上のトナーが通常の複写用紙またはフ
ィルム等からなる転写フィルム105に転写され、ヒー
ター107により転写フィルム上のトナー像は定着され
る。電荷保持媒体3は微弱光に対しても反応するので、
光源102としては通常の複写機に使用されているよう
なパワーの大きいものでなくてもよく、また電荷保持媒
体の静電潜像は長期間安定に保持されるので、静電潜像
形成後、直ちに現像する必要はなく、静電潜像形成した
電荷保持媒体の状態で保存しておき、その後任意の時点
で、任意の場所で現像して転写することも可能である。
従って、静電潜像形成部分と現像、転写部分とは同一の
装置でなく、分離した装置として構成することも可能で
ある。
装置でなく、分離した装置として構成することも可能で
ある。
第3図は本発明の他の実施例を示す図で、第2図と同一
番号は同一内容を示している。なお、lto、111は
ミラー、112はイレーザ−1113は定着ロール、1
14はロールである。
番号は同一内容を示している。なお、lto、111は
ミラー、112はイレーザ−1113は定着ロール、1
14はロールである。
本実施例においては、光源としてはスリット光源を用い
て原稿面をスキャニングし、感光体lはスリット光源に
対応して細長い形状のものを使用しており、回転するド
ラム状電荷保持媒体3に順次原稿面の画像濃度に応じた
静電潜像を形成するようにしている。
て原稿面をスキャニングし、感光体lはスリット光源に
対応して細長い形状のものを使用しており、回転するド
ラム状電荷保持媒体3に順次原稿面の画像濃度に応じた
静電潜像を形成するようにしている。
次に作用を説明すると、スリット光源102を原稿面に
沿って走査し、原稿面からの反射光でミラー110,1
11を介して感光体1を露光する。
沿って走査し、原稿面からの反射光でミラー110,1
11を介して感光体1を露光する。
感光体1と電荷保持媒体3との間には所定の電圧が印加
されており、電荷保持媒体3は所定の速度で回転してい
るので、原稿面の画像濃度情報は順次電荷保持媒体3に
静電潜像として記録される。
されており、電荷保持媒体3は所定の速度で回転してい
るので、原稿面の画像濃度情報は順次電荷保持媒体3に
静電潜像として記録される。
記録された静電潜像は現像!1104でトナー現像され
、転写袋2106で転写フィルム105に転写される。
、転写袋2106で転写フィルム105に転写される。
そしてヒーターを内蔵した定着ロール113でトナー像
の定着が行われる。そして、現像後電荷保持媒体に残存
している静電潜像はイレーザ−112で消去され、次の
静電潜像形成に備えられる。なお、イレーザ−は電荷保
持媒体上に残像しているチャージをリークさせるればよ
いので、液体状、固体状等任意の導電体を電荷保持媒体
に接触させてアースさせるように構成するか或いは、A
Cコロナチャージで残留チャージをキャンセルさせる。
の定着が行われる。そして、現像後電荷保持媒体に残存
している静電潜像はイレーザ−112で消去され、次の
静電潜像形成に備えられる。なお、イレーザ−は電荷保
持媒体上に残像しているチャージをリークさせるればよ
いので、液体状、固体状等任意の導電体を電荷保持媒体
に接触させてアースさせるように構成するか或いは、A
Cコロナチャージで残留チャージをキャンセルさせる。
なお、図示の例では転写フィルムを連続状のものとして
説明しているが、通常の複写機のように1枚毎の用紙で
あってもよい。
説明しているが、通常の複写機のように1枚毎の用紙で
あってもよい。
次に、第4図〜第7図により電荷保持媒体としてフィル
ム状のものを使用した例について説明す第4図は磁気ブ
ラシ現像装置を電荷保持媒体を挟んで感光体と対向配置
した本発明の他の実施例を示す図で、図中、120は現
像装置、121は回転マグネットである。
ム状のものを使用した例について説明す第4図は磁気ブ
ラシ現像装置を電荷保持媒体を挟んで感光体と対向配置
した本発明の他の実施例を示す図で、図中、120は現
像装置、121は回転マグネットである。
本実施例の場合には、電荷保持媒体3としてフィルム状
のものを用い、ここに直接トナー像を形成するものであ
る。
のものを用い、ここに直接トナー像を形成するものであ
る。
第4図(イ)は磁気ブラシ現像装置120を電荷保持媒
体に対して感光体と対向配置した構成を示し、電荷保持
媒体3は第4図(ロ)に示すように電極がない単なる絶
縁フィルムであり、磁気ブラシ現像装置をアースし、感
光体1の電極に所定の電圧を印加する。そして、光源1
02により原稿面を照射し、その反射光で感光体1を面
露光すると、フィルム状電荷保持媒体3に静電潜像が形
成され、同時に現像装置120でトナー現像される。現
像装置ff1120は、回転マグネット121を有して
磁性トナー粒子を回転させ、磁性トナー粒子をブラシ状
にして電荷保持媒体3に接触させることにより露光と同
時に現像し、トナー像は露光装置と反対側に形成される
。この場合、現像装置は電極の機能も兼ね、磁性トナー
粒子を介して電荷保持媒体のチャージをアースしている
ので、露光面全体にわたって電荷保持媒体と対向させる
のが望ましく、そのために必要に応じて複数の現像装置
を配置するようにする。こうして現像した後ヒーター1
07で熱定着する。
体に対して感光体と対向配置した構成を示し、電荷保持
媒体3は第4図(ロ)に示すように電極がない単なる絶
縁フィルムであり、磁気ブラシ現像装置をアースし、感
光体1の電極に所定の電圧を印加する。そして、光源1
02により原稿面を照射し、その反射光で感光体1を面
露光すると、フィルム状電荷保持媒体3に静電潜像が形
成され、同時に現像装置120でトナー現像される。現
像装置ff1120は、回転マグネット121を有して
磁性トナー粒子を回転させ、磁性トナー粒子をブラシ状
にして電荷保持媒体3に接触させることにより露光と同
時に現像し、トナー像は露光装置と反対側に形成される
。この場合、現像装置は電極の機能も兼ね、磁性トナー
粒子を介して電荷保持媒体のチャージをアースしている
ので、露光面全体にわたって電荷保持媒体と対向させる
のが望ましく、そのために必要に応じて複数の現像装置
を配置するようにする。こうして現像した後ヒーター1
07で熱定着する。
なお、本実施例の場合には電荷保持媒体が単にフィルム
状絶縁体で電極を有していないため、現像装置に電極の
機能を兼ねさせ、その結果大きな現像装置、或いは複数
の現像装置を必要とする場合があるので、面露光でなく
スリット光、或いは走査ビーム光による露光方法を用い
、現像装置を細長い小型の形状とするのが好ましい。
状絶縁体で電極を有していないため、現像装置に電極の
機能を兼ねさせ、その結果大きな現像装置、或いは複数
の現像装置を必要とする場合があるので、面露光でなく
スリット光、或いは走査ビーム光による露光方法を用い
、現像装置を細長い小型の形状とするのが好ましい。
第5図は磁気ブラシ現像装置120を電荷保持媒体に対
して感光体と同じ側に配置する本発明の他の実施例を示
す図で、電荷保持媒体3は、第5図(ロ)に示すように
絶縁層支持体15上に電極13を、さらにその上に絶縁
層を形成した通常の構成とし、感光体の電極と電荷保持
媒体の電極13間に所定の電圧を印加して露光すること
により静電潜像を形成し、現像は露光後任意時間後に行
えばよく、トナー像は露光側に形成される。
して感光体と同じ側に配置する本発明の他の実施例を示
す図で、電荷保持媒体3は、第5図(ロ)に示すように
絶縁層支持体15上に電極13を、さらにその上に絶縁
層を形成した通常の構成とし、感光体の電極と電荷保持
媒体の電極13間に所定の電圧を印加して露光すること
により静電潜像を形成し、現像は露光後任意時間後に行
えばよく、トナー像は露光側に形成される。
第6図は感光体としてスリット光源に対応して細長い形
状のものを使用した本発明の他の実施例を示す図である
。
状のものを使用した本発明の他の実施例を示す図である
。
本実施例においては、紙面に垂直方向に細長い感光体1
に対向して同様に細長い形状の電極122を電荷保持媒
体3を介して別途配置し、感光体1と電極122との間
に所定の電圧を印加して画像をペーパーまたはフィルム
状の絶縁体に記録しようとするものである。
に対向して同様に細長い形状の電極122を電荷保持媒
体3を介して別途配置し、感光体1と電極122との間
に所定の電圧を印加して画像をペーパーまたはフィルム
状の絶縁体に記録しようとするものである。
次に作用を説明すると、図示しない原稿面からのレーザ
ー走査光またはスリット光で細長い感光体1を照射する
。一方、ベーパー状の電荷保持媒体3は電極122と接
触しながら供給ロール、巻き取りロールで連続的に搬送
されており、感光体1と電極122との間に電圧を印加
することにより、電荷保持媒体3には画像情報に応じた
静電潜像が順次形成される。ペーパー状電荷保持媒体に
形成された静電潜像は、直ちに、あるいは任意時間経過
後磁気ブラシ現像装置120によりトナー現像され、そ
の後、図示しない定着装置により定着される。
ー走査光またはスリット光で細長い感光体1を照射する
。一方、ベーパー状の電荷保持媒体3は電極122と接
触しながら供給ロール、巻き取りロールで連続的に搬送
されており、感光体1と電極122との間に電圧を印加
することにより、電荷保持媒体3には画像情報に応じた
静電潜像が順次形成される。ペーパー状電荷保持媒体に
形成された静電潜像は、直ちに、あるいは任意時間経過
後磁気ブラシ現像装置120によりトナー現像され、そ
の後、図示しない定着装置により定着される。
第7図は面露光するようにした本発明の他の実施例を示
す図である。
す図である。
本実施例においては、感光体1を面状に形成し、ペーパ
ーまたはフィルム状電荷保持媒体3を挟んで感光体lと
対向配置する電極122を感光体と同様面状に形成して
いる。そして、電荷保持媒体3を間欠送りして露光時、
所定位置で停止させ、順次露光を行っていく、このよう
に面露光であるので、露光時間を大幅に短縮することが
可能である。
ーまたはフィルム状電荷保持媒体3を挟んで感光体lと
対向配置する電極122を感光体と同様面状に形成して
いる。そして、電荷保持媒体3を間欠送りして露光時、
所定位置で停止させ、順次露光を行っていく、このよう
に面露光であるので、露光時間を大幅に短縮することが
可能である。
以上のように電荷保持媒体をフィルム状とし、電荷保持
媒体3自体がトナー像形成媒体きなっているので、転写
プロセスが省略され、筒略化されたコパクトな複写機を
構成することが可能であり、勿論、ペーパー状電荷保持
媒体からさらに他の用紙等に転写するようにしてもよい
。また、電荷保持媒体が長期間安定に潜像電位を保持で
きれば、現像は任意の時点で行うことができ、装置を構
成する場合にも潜像電位形成部分と現像部分等を分離し
て構成することも可能である。
媒体3自体がトナー像形成媒体きなっているので、転写
プロセスが省略され、筒略化されたコパクトな複写機を
構成することが可能であり、勿論、ペーパー状電荷保持
媒体からさらに他の用紙等に転写するようにしてもよい
。また、電荷保持媒体が長期間安定に潜像電位を保持で
きれば、現像は任意の時点で行うことができ、装置を構
成する場合にも潜像電位形成部分と現像部分等を分離し
て構成することも可能である。
次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィル
タについて説明する。
タについて説明する。
第8図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図中
、31,33.35はプリズムブロック、37.39.
41はフィルタ、43.45は反射鏡である。
、31,33.35はプリズムブロック、37.39.
41はフィルタ、43.45は反射鏡である。
色分解光学系は3つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック71のa面から入射した光情報は、b面に
おいて一部が分離反射され、さらにa面で反射されてフ
ィルタ37からB色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック33に入射し、0面まで進んで一
部が分離反射され、フィルタ39からG色光酸分、他は
直進してフィルタ41からR色光成分が取り出される。
ズムブロック71のa面から入射した光情報は、b面に
おいて一部が分離反射され、さらにa面で反射されてフ
ィルタ37からB色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック33に入射し、0面まで進んで一
部が分離反射され、フィルタ39からG色光酸分、他は
直進してフィルタ41からR色光成分が取り出される。
そして、G、 B色光成分を、反射鏡43.45で反射
させることにより、R,G、B光を平行光として取り出
すことができる。
させることにより、R,G、B光を平行光として取り出
すことができる。
このようなフィルタ51を、第9図に示すように感光体
lの前面に配置して撮影することにより、第9図(ロ)
のようにR,G、B分解した電荷保持媒体3セツトで1
コマを形成するか、また第9図(ハ)に示すように1平
面上にR,G、B像として並べて1セツトで1コマとす
ることもできる。
lの前面に配置して撮影することにより、第9図(ロ)
のようにR,G、B分解した電荷保持媒体3セツトで1
コマを形成するか、また第9図(ハ)に示すように1平
面上にR,G、B像として並べて1セツトで1コマとす
ることもできる。
第10図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例えば
、レジストをコーティングしたフィルムをマスクパター
ンで露光してR,G、Bストライプパターンを形成し、
それぞれR,G、B染色することにより形成する方法、
または第8図のような方法で色分解した光を、それぞれ
細いスリットに通すことにより生じるR、G、Bの干渉
縞をホログラム記録媒体に記録させることにより形成す
る方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し、
静tMJ像によるR、G、Bストライブパターンを形成
し、これをトナー現像して3回転写することによりカラ
ー合成してトナーのストライブを形成する方法等により
形成する。このような方法で形成されたフィルタのR,
G、81組で1画素を形成し、1画素を10μm程度の
微細なものにする。このフィルタを第9図のフィルタ5
1として使用することによりカラー静電潜像を形成する
ことができる。この場合、フィルタは感光体と離して配
置しても、あるいは感光体と一体に形成するようにして
もよい。
、レジストをコーティングしたフィルムをマスクパター
ンで露光してR,G、Bストライプパターンを形成し、
それぞれR,G、B染色することにより形成する方法、
または第8図のような方法で色分解した光を、それぞれ
細いスリットに通すことにより生じるR、G、Bの干渉
縞をホログラム記録媒体に記録させることにより形成す
る方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し、
静tMJ像によるR、G、Bストライブパターンを形成
し、これをトナー現像して3回転写することによりカラ
ー合成してトナーのストライブを形成する方法等により
形成する。このような方法で形成されたフィルタのR,
G、81組で1画素を形成し、1画素を10μm程度の
微細なものにする。このフィルタを第9図のフィルタ5
1として使用することによりカラー静電潜像を形成する
ことができる。この場合、フィルタは感光体と離して配
置しても、あるいは感光体と一体に形成するようにして
もよい。
第11図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図で、フレネルレンズによってR,G
、Bパターンを縮小して記録することができ、また通常
のレンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能と
なる。
合わせた例を示す図で、フレネルレンズによってR,G
、Bパターンを縮小して記録することができ、また通常
のレンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能と
なる。
第12図ばND (Neutral Density
)フィルタとR,、G、Bフィルターを併用した3面分
割の例を示す図で、入射光をNDフィルター81.83
及び反射ミラー85で3分割し、それぞれRフィルター
87、Gフィルター89、Bフィルター91を通すこと
により、R,G、、B光を平行光として取り出すことが
できる。
)フィルタとR,、G、Bフィルターを併用した3面分
割の例を示す図で、入射光をNDフィルター81.83
及び反射ミラー85で3分割し、それぞれRフィルター
87、Gフィルター89、Bフィルター91を通すこと
により、R,G、、B光を平行光として取り出すことが
できる。
本発明は、感光体を通して電荷保持媒体を露光し、静電
潜像を形成して該静電潜像をトナー現像して転写するも
ので、全面コロナ帯電せず、低電圧化、低消費電力を図
ることが可能であり、また面状アナログ記録を行うこと
により解像度を上げることができ、さらに、電荷保持媒
体を平面状、ドラム状に構成して従来のような複写機を
構成することができると共に、電荷保持媒体を連続紙ま
たは連続フィルムから構成し、それ自体を複写用紙とし
て使用することにより転写プロセスを省略して複写機の
構成を簡素化する等複写機の多様化を図ることが可能と
なる。
潜像を形成して該静電潜像をトナー現像して転写するも
ので、全面コロナ帯電せず、低電圧化、低消費電力を図
ることが可能であり、また面状アナログ記録を行うこと
により解像度を上げることができ、さらに、電荷保持媒
体を平面状、ドラム状に構成して従来のような複写機を
構成することができると共に、電荷保持媒体を連続紙ま
たは連続フィルムから構成し、それ自体を複写用紙とし
て使用することにより転写プロセスを省略して複写機の
構成を簡素化する等複写機の多様化を図ることが可能と
なる。
以下、実施例を説明する。
〔実施例1〕・・・電荷保持媒体の作製方法メチルフヱ
ニルシリコン樹脂10g1キシレン−ブタノール1:1
溶媒10gの組成を有する混合液に、硬化剤(金属触媒
):商品名 CR−15を1重量%(0,2g)加えて
よく攪拌し、Alを1000人蒸着レムガラス基板上に
ドクターブレード4ミルを用いてコーティングを行った
。
ニルシリコン樹脂10g1キシレン−ブタノール1:1
溶媒10gの組成を有する混合液に、硬化剤(金属触媒
):商品名 CR−15を1重量%(0,2g)加えて
よく攪拌し、Alを1000人蒸着レムガラス基板上に
ドクターブレード4ミルを用いてコーティングを行った
。
その後150℃、lhrの乾燥を行ない、膜厚10μm
の電荷保持媒体(a)を得た。
の電荷保持媒体(a)を得た。
また上記混合液を、/lを1000人蒸着レム100μ
mポリエステルフィルム上に同様の方法でコーディング
し、次いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体(b)を
得た。
mポリエステルフィルム上に同様の方法でコーディング
し、次いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体(b)を
得た。
また上記混合液を、ANをtooo人蒸着した4インチ
ディスク形状アクリル(1m+厚)基板上にスピンナー
2000rp■でコーディングし、50°C13hr乾
燥させ、膜厚7μmのディスク状電荷保持媒体(C)を
得た。
ディスク形状アクリル(1m+厚)基板上にスピンナー
2000rp■でコーディングし、50°C13hr乾
燥させ、膜厚7μmのディスク状電荷保持媒体(C)を
得た。
また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を01g添加
し、同様のコーティング、乾燥を行い、10μmの膜厚
を有する電荷保持媒体(d)を得た。
し、同様のコーティング、乾燥を行い、10μmの膜厚
を有する電荷保持媒体(d)を得た。
〔実施例2〕
ポリイミド樹脂10g5N−メチルピロリドン10gの
組成を有する混合液を、Alを1000人蒸着レムガラ
ス基板上にスピンナーコーティング(1000rpm、
20秒)した、溶媒を乾燥させるため150℃で30分
間、前乾燥を行った後、硬化させるため350°C,2
時間加熱した。
組成を有する混合液を、Alを1000人蒸着レムガラ
ス基板上にスピンナーコーティング(1000rpm、
20秒)した、溶媒を乾燥させるため150℃で30分
間、前乾燥を行った後、硬化させるため350°C,2
時間加熱した。
膜厚8μmを有する均一な被膜が形成された。
〔実施例3〕・・・単層系有機感光体(PVK −TN
F )作製方法 ポIJ N−ビニルカルバゾール10 g (亜南香
料(株)製L2,4.7−)リニトロフルオレノン10
g、ポリエステル樹脂2g(バインダー:バイロン20
0東洋紡(株)製)、テトラハイドロフラン(THF)
90gの組成を有する混合液を暗所で作製し、In、O
,−3nO1を約1000人の膜厚でスパッターしたガ
ラス基板(1閣厚)に、ドクターブレードを用いて塗布
し、60°Cで約1時間通風乾燥し、膜厚的10t!m
の光導電層を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行う
ために、更に1日自然乾燥を行って用いた。
F )作製方法 ポIJ N−ビニルカルバゾール10 g (亜南香
料(株)製L2,4.7−)リニトロフルオレノン10
g、ポリエステル樹脂2g(バインダー:バイロン20
0東洋紡(株)製)、テトラハイドロフラン(THF)
90gの組成を有する混合液を暗所で作製し、In、O
,−3nO1を約1000人の膜厚でスパッターしたガ
ラス基板(1閣厚)に、ドクターブレードを用いて塗布
し、60°Cで約1時間通風乾燥し、膜厚的10t!m
の光導電層を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行う
ために、更に1日自然乾燥を行って用いた。
Cli例4)・・・アモルファスシリコンaSi:H無
機感光体の作製方法 ■基板洗浄 SnO□の薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコーニ
ング社7059ガラス(23X16X0゜9t、光学研
磨済)をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各液
中、この順番に各々10分ずつ超音波洗浄する。
機感光体の作製方法 ■基板洗浄 SnO□の薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコーニ
ング社7059ガラス(23X16X0゜9t、光学研
磨済)をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各液
中、この順番に各々10分ずつ超音波洗浄する。
■装置の準備
洗浄の済んだ基板を第13図の反応室204内のアノー
ド206上に熱伝導が十分であるようにセットした後、
反応室内をt O−’Torr台までり。
ド206上に熱伝導が十分であるようにセットした後、
反応室内をt O−’Torr台までり。
Pにより真空引きし、反応容器およびガス管の焼出しを
tso”c〜350’Cで約1時間行い、焼出し後装置
を冷却する。
tso”c〜350’Cで約1時間行い、焼出し後装置
を冷却する。
■a−3i :H(n” )の堆積
ガラス基板が350”Cになるようにヒーター208を
調整、加熱し、予めタンク201内で混合しておいたP
Hs /5iH4−1000pp−のガスをニードルバ
ルブとPMBの回転数を制御することによって反応室2
04の内圧が200■T。
調整、加熱し、予めタンク201内で混合しておいたP
Hs /5iH4−1000pp−のガスをニードルバ
ルブとPMBの回転数を制御することによって反応室2
04の内圧が200■T。
rrになるように流し内圧が一定になった後、Ma t
ching Box203を通じて、40WのRr P
ower 202 (13,56KHz)を投入し、カ
ソード・アノード間にプラズマを形成する。堆積は4分
間行い、Rfの投入を止め、ニードルパルプを閉じる。
ching Box203を通じて、40WのRr P
ower 202 (13,56KHz)を投入し、カ
ソード・アノード間にプラズマを形成する。堆積は4分
間行い、Rfの投入を止め、ニードルパルプを閉じる。
その結果、ブロッキング層を構成する約0. 2μmの
a−3i:H(n”)112が基奢反上に堆!貞された
。
a−3i:H(n”)112が基奢反上に堆!貞された
。
■a−3i :Hの堆積
5iHnlOO%ガスを■と同じ方法で内圧が200s
Torrになるように流し、内圧が一定になったとこ
ろで、Matching Box203を通じて40W
のRfPower 202 (13,56KHz)を投
入し、プラズマを形成して70分間維持する。堆積終了
はRfの投入を止め、ニードルバルブを閉しる。Hea
ter2080ff後、基板が冷えているから取り出す
。
Torrになるように流し、内圧が一定になったとこ
ろで、Matching Box203を通じて40W
のRfPower 202 (13,56KHz)を投
入し、プラズマを形成して70分間維持する。堆積終了
はRfの投入を止め、ニードルバルブを閉しる。Hea
ter2080ff後、基板が冷えているから取り出す
。
この結果、約18.8μmの膜がa−si:H(n゛)
膜上に堆積された。
膜上に堆積された。
こうしてSnO,/a−5j : H(n” )ブロッ
キング層/a−3t :H(non−dope)20μ
mの感光体、を作製することができた。
キング層/a−3t :H(non−dope)20μ
mの感光体、を作製することができた。
(実、1例5)・・・アモルファスセレン−テルルjQ
[l感光体の作製方法 セレン(Se)に対しテルル(To)が13重重量の割
合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりa−5e−
Te薄膜を真空度10−’Torr、抵抗加熱法でIT
Oガラス基板上に蒸着した。膜厚は1μmとした。さら
に真空度を維持した状態で、同じく抵抗加熱法でSeの
みの蒸着を行いa −5e−Te層上に10μma−3
e層を積層した。
[l感光体の作製方法 セレン(Se)に対しテルル(To)が13重重量の割
合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりa−5e−
Te薄膜を真空度10−’Torr、抵抗加熱法でIT
Oガラス基板上に蒸着した。膜厚は1μmとした。さら
に真空度を維持した状態で、同じく抵抗加熱法でSeの
みの蒸着を行いa −5e−Te層上に10μma−3
e層を積層した。
〔実施例6〕・・・機能分離型感光体の作製方法(電荷
発生層の形成方法) クロロジアンブルー0.4g、ジクロルエタン40gの
組成を有する混合液を250mf容積のステンレス容器
に入れ、更にガラスピーズNo3.180mlを加え、
振動ミル(安用電機製作所KED9−4)により、約4
時間の粉砕を行い粒径〜5μmのクロロシアンブルーを
得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネート、ニー
ピロンE−2000(三菱ガス化学)を0.4g加え約
4時間攪拌する。この溶液をInzOs−SnOgを約
1000人スパッターしたガラス基板(1s厚)にドク
ターブレードを用いて塗布し、膜厚的1μmの電荷発生
層を得た。乾燥は室温で1日行った。
発生層の形成方法) クロロジアンブルー0.4g、ジクロルエタン40gの
組成を有する混合液を250mf容積のステンレス容器
に入れ、更にガラスピーズNo3.180mlを加え、
振動ミル(安用電機製作所KED9−4)により、約4
時間の粉砕を行い粒径〜5μmのクロロシアンブルーを
得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネート、ニー
ピロンE−2000(三菱ガス化学)を0.4g加え約
4時間攪拌する。この溶液をInzOs−SnOgを約
1000人スパッターしたガラス基板(1s厚)にドク
ターブレードを用いて塗布し、膜厚的1μmの電荷発生
層を得た。乾燥は室温で1日行った。
4−ジベンジルアミノ−2−メチルベンズアルデヒド−
1,1’−ジフェニルヒドラゾン0.1g。
1,1’−ジフェニルヒドラゾン0.1g。
ポリカーボネート(ニーピロンE−2000)0.
Ig。
Ig。
ジクロルエタン2.0gの組成を有する混合液をドクタ
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約10μ
mの電荷輸送層を得た。乾燥は60°Cで2時間行った
。
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約10μ
mの電荷輸送層を得た。乾燥は60°Cで2時間行った
。
〔実施例7〕
(電荷発生層の形成方法)
酢酸ブチル10gにブチラール樹脂(種水化学、5LE
C)0.25g、下記の構造式を有するアズレニウムC
IO,塩、 0.5g、ガラスピーズNo、133gとを混合し、タ
ッチミキサーで1日間撹拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したTTO上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥させ
た。乾燥後の膜厚は1μm以下。
C)0.25g、下記の構造式を有するアズレニウムC
IO,塩、 0.5g、ガラスピーズNo、133gとを混合し、タ
ッチミキサーで1日間撹拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したTTO上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥させ
た。乾燥後の膜厚は1μm以下。
(電荷輸送層の形成方法)
テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC1
91) 0.5gとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。膜ff
loμm以下であった。
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC1
91) 0.5gとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。膜ff
loμm以下であった。
(電荷発生層の形成方法)
テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(iff水
化学、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0
.25g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.2
5g、ガラスピーズN001を33g、タッチミキサー
で1日間撹拌し、よ(分散させものをドクターブレード
、またはアプリケーターでガラス板上に積層したITO
上に塗布し、60 ’C12時間以上乾燥させた。乾燥
後の被H2は、膜!¥、1μm以下であった。
化学、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0
.25g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.2
5g、ガラスピーズN001を33g、タッチミキサー
で1日間撹拌し、よ(分散させものをドクターブレード
、またはアプリケーターでガラス板上に積層したITO
上に塗布し、60 ’C12時間以上乾燥させた。乾燥
後の被H2は、膜!¥、1μm以下であった。
(′@、荷輸送層の作製方法)
ジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネート(三菱ガ
ス化学、ニーピロンE2000)0.5g、上記ヒドラ
ゾン誘導体(阿南香料、CTCI91)0.5gを溶解
し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、6
0°C12時間以上乾燥させた。膜厚は10μm以上で
あった。
ス化学、ニーピロンE2000)0.5g、上記ヒドラ
ゾン誘導体(阿南香料、CTCI91)0.5gを溶解
し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、6
0°C12時間以上乾燥させた。膜厚は10μm以上で
あった。
〔実施例9〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離型
感光体の作製方法 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に可溶性ポリアミy (
東11成化学、FS−175SV10)をスピンコータ
ーにより0.5〜1μm塗L60°C12時間以上乾燥
させた。
感光体の作製方法 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に可溶性ポリアミy (
東11成化学、FS−175SV10)をスピンコータ
ーにより0.5〜1μm塗L60°C12時間以上乾燥
させた。
(電荷発生層の形成方法)
酢酸ブチル10gにブチラール樹脂(種水化学、5LE
C)0.25g、前記したアズレニウムClO4塩o、
sg、ガラスピーズNo、133gとを混合し、タッチ
ミキサーで1日間撹拌し、よく分散させものをドクター
ブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層
上に塗布し、60″C12時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚1μm以下であった。
C)0.25g、前記したアズレニウムClO4塩o、
sg、ガラスピーズNo、133gとを混合し、タッチ
ミキサーで1日間撹拌し、よく分散させものをドクター
ブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層
上に塗布し、60″C12時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚1μm以下であった。
(電荷輸送層の形成方法)
テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと前記した
ヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.5g
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、60’C,2時間以上乾燥させた。膜厚10a
m以下であった。
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと前記した
ヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.5g
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、60’C,2時間以上乾燥させた。膜厚10a
m以下であった。
〔実施例10〕
(電荷注入防止層の形成方法)
ガラス板上に積層したITO上に可溶性ポリアミ)”
(東亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコー
ターにより0.5〜lt!m塗布、60°C22時間以
上乾燥させた。
(東亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコー
ターにより0.5〜lt!m塗布、60°C22時間以
上乾燥させた。
(電荷発生層の形成方法)
テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(種水化学
、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.2
5g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.25g
、ガラスピーズN001を33g、タッチミキサーで1
日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、
60°C12時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜
厚1μm以下であった。
、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.2
5g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.25g
、ガラスピーズN001を33g、タッチミキサーで1
日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、
60°C12時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜
厚1μm以下であった。
(1荷輸送層の形成方法)
溶媒であるジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネー
ト(三菱ガス化学、ニーピロンE2000)0.5g、
前記ヒドラゾン誘導体(阿南香料、cTc191)0.
5g壱溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、60°C12時間以上乾燥させた。膜厚は10
μm以上であった。
ト(三菱ガス化学、ニーピロンE2000)0.5g、
前記ヒドラゾン誘導体(阿南香料、cTc191)0.
5g壱溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、60°C12時間以上乾燥させた。膜厚は10
μm以上であった。
〔実施例11)
(感光体電極層の形成方法)
青板ガラス上に、酸化インジウム錫(IT○、比抵抗1
00Ω・cm”)をスパッタリング法により蒸着させた
。
00Ω・cm”)をスパッタリング法により蒸着させた
。
また、EB法により同様に蒸着させることができる。
(電荷注入防止層の形成方法)
上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。
により蒸着させた。
膜厚は100〜3000人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにEB法により同様に蒸着
させることができる。
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにEB法により同様に蒸着
させることができる。
(電荷発生層の形成方法)
上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル(テルル含有
1i13重量%)を抵抗加熱により蒸着させた。1li
ffは2μm以下である。
1i13重量%)を抵抗加熱により蒸着させた。1li
ffは2μm以下である。
(電荷輸送層の形成方法)
上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着させた。膜厚は10μm以下である。
より蒸着させた。膜厚は10μm以下である。
〔発明の効果]
以上のように本発明によれば、コロナ帯電を行っていな
いので高電圧を必要とせず、電荷保持媒体の潜像形成に
要する光量は少なくて済むので、低電圧化、低消費電力
化を図ることができ、また電荷保持媒体に形成された潜
像電位は減衰せずに安定に保持されるので任意の時点で
の現像が可能となり、その結果静電潜像形成部分と現像
転写部分とを分離して複写機を構成することもでき、さ
らに電荷保持媒体自体をフィルム上に形成することによ
り電荷保持媒体にトナー像を形成することができるので
、転写プロセスを省略することも可能となり、複写機の
構成の面素化、多様化を実現することができる。
いので高電圧を必要とせず、電荷保持媒体の潜像形成に
要する光量は少なくて済むので、低電圧化、低消費電力
化を図ることができ、また電荷保持媒体に形成された潜
像電位は減衰せずに安定に保持されるので任意の時点で
の現像が可能となり、その結果静電潜像形成部分と現像
転写部分とを分離して複写機を構成することもでき、さ
らに電荷保持媒体自体をフィルム上に形成することによ
り電荷保持媒体にトナー像を形成することができるので
、転写プロセスを省略することも可能となり、複写機の
構成の面素化、多様化を実現することができる。
第1図は本発明の静電画像記録再生方法の原理を説明す
るための図、第2図は本発明の静電複写装置の構成を示
す図、第3図は゛ドラム状電荷保持媒体を使用した本発
明の他の実施例を示す図、第4図はフィルム状電荷保持
媒体を使用した本発明の他の実施例を示す図、第5図は
磁気ブラシ現像装置を電荷保持媒体に対して感光体と同
じ側に配置する本発明の他の実施例を示す図、第6図は
感光体としてスリット光源に対応して細長い形状のもの
を使用した本発明の他の実施例を示す図、第7図は面露
光するようにした本発明の他の実施例を示す図、第8図
は色分解光学系の構成を示す図、第9図はカラー静電潜
像を形成する場合の説明図、第10図は微細カラーフィ
ルタの例を示す図、第11図は微細カラーフィルタとフ
レネルレンズを組み合わせた例を示す図、第12図はN
DフィルタとR,G、Bフィルタの併用による3面分割
を示す図、第13図はa−3i:H感光体の作製方法を
説明するための図である。 l・・・感光体、3・・・電荷保持媒体、101・・・
原稿、102・・・光源、103・・・搬送用ベルト、
104・・・現像機、105・・・転写フィルム、10
6・・・転写装置、107・・・ヒーター。 出 願 人 大日本印刷株式会社代理人 弁理士
蛭 川 昌 信(外4名)第1図 (ハ) (ニ) 第2図 第3図 第4図 (イ) (ロ) 第5図 (イ) (ロ) 第6図 箔7図 第10図 第11図 第12図
るための図、第2図は本発明の静電複写装置の構成を示
す図、第3図は゛ドラム状電荷保持媒体を使用した本発
明の他の実施例を示す図、第4図はフィルム状電荷保持
媒体を使用した本発明の他の実施例を示す図、第5図は
磁気ブラシ現像装置を電荷保持媒体に対して感光体と同
じ側に配置する本発明の他の実施例を示す図、第6図は
感光体としてスリット光源に対応して細長い形状のもの
を使用した本発明の他の実施例を示す図、第7図は面露
光するようにした本発明の他の実施例を示す図、第8図
は色分解光学系の構成を示す図、第9図はカラー静電潜
像を形成する場合の説明図、第10図は微細カラーフィ
ルタの例を示す図、第11図は微細カラーフィルタとフ
レネルレンズを組み合わせた例を示す図、第12図はN
DフィルタとR,G、Bフィルタの併用による3面分割
を示す図、第13図はa−3i:H感光体の作製方法を
説明するための図である。 l・・・感光体、3・・・電荷保持媒体、101・・・
原稿、102・・・光源、103・・・搬送用ベルト、
104・・・現像機、105・・・転写フィルム、10
6・・・転写装置、107・・・ヒーター。 出 願 人 大日本印刷株式会社代理人 弁理士
蛭 川 昌 信(外4名)第1図 (ハ) (ニ) 第2図 第3図 第4図 (イ) (ロ) 第5図 (イ) (ロ) 第6図 箔7図 第10図 第11図 第12図
Claims (6)
- (1)原稿面を照射する光源と、原稿面からの情報光が
照射される感光体と、感光体に対向配置された電荷保持
媒体と、電荷保持媒体をトナー現像する現像機とを備え
、感光体と電荷保持媒体との間に電圧を印加した状態で
露光することにより電荷保持媒体に静電潜像を形成し、
トナー現像することを特徴とする静電複写装置。 - (2)電荷保持媒体は平面状であって、トナー現像後定
着される請求項1記載の静電複写装置。 - (3)電荷保持媒体はドラム状であって、現像されたト
ナー画像を紙またはフィルに転写後定着される請求項1
記載の静電複写装置。 - (4)原稿面を照射する光源はスリット光源であり、感
光体はドラムの軸に平行なスリット状である請求項3記
載の静電複写装置。 - (5)電荷保持媒体状の静電潜像はイレーザーにより消
去される請求項3記載の静電複写装置。 - (6)電荷保持媒体が連続紙または連続フィルムからな
り、回転マグネットにより形成される磁気ブラシにより
トナー現像を行う請求項1記載の静電複写装置。
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12360188A JPH01293359A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 静電複写装置 |
| US07/352,525 US5161233A (en) | 1988-05-17 | 1989-05-16 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
| DE68929129T DE68929129T2 (de) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Verfahren zur Informationsaufzeichnung und -wiedergabe, Vorrichtung dazu und Aufzeichnungsmedium |
| DE68927280T DE68927280T2 (de) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Verfahren zur Informationsaufzeichnung und -wiedergabe, Vorrichtung dazu und Aufzeichnungsmedium |
| ES89305010T ES2094728T3 (es) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Procedimiento para grabar y reproducir informacion, aparato para ejecutar el procedimiento indicado y medio para grabar. |
| EP96100346A EP0714093B1 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
| ES96100346T ES2143097T3 (es) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Procedimiento para grabar y reproducir informacion, aparato para el mismo, y medio de grabacion. |
| EP89305010A EP0342968B1 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
| IL9032389A IL90323A (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Install and mediate information entry and recovery |
| CA000599963A CA1339151C (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor andrecording medium |
| US08/462,775 US5638103A (en) | 1988-02-20 | 1995-06-05 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
| US08/462,595 US5983057A (en) | 1988-05-17 | 1995-06-05 | Color imaging system with selectively openable optical shutter |
| US08/812,559 US6493013B2 (en) | 1988-05-17 | 1997-03-07 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12360188A JPH01293359A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 静電複写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293359A true JPH01293359A (ja) | 1989-11-27 |
Family
ID=14864649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12360188A Pending JPH01293359A (ja) | 1988-02-20 | 1988-05-20 | 静電複写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01293359A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP12360188A patent/JPH01293359A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
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