JPH0278265A - リードフレームおよびそのリードフレームを使用した複合半導体装置 - Google Patents

リードフレームおよびそのリードフレームを使用した複合半導体装置

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JPH0278265A
JPH0278265A JP23056288A JP23056288A JPH0278265A JP H0278265 A JPH0278265 A JP H0278265A JP 23056288 A JP23056288 A JP 23056288A JP 23056288 A JP23056288 A JP 23056288A JP H0278265 A JPH0278265 A JP H0278265A
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JP
Japan
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power
semiconductor device
lead frame
lead
terminal
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JP23056288A
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English (en)
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Hideharu Jinriki
神力 愛晴
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Nihon Inter Electronics Corp
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Nihon Inter Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、主として自動車用各種モータ制御用、家庭
用各種モータ制御用等として使用される複合半導体装置
に関する。
[従来の技術] この種の従来の複合半導体装置の構造を第3図以下に示
す。
第3図(a)は、ケースに収納された複合半導体装置の
外観を示し、同図(b)は、その内部の回路図である。
この複合半導体装置1は、同図(b)に示す端子P、N
に電源を接続し、端子DI、D2に例えばモータ等の負
荷を接続するとともに、電力用MO3FETQI−Q4
+7)Gl 、Sl”G4 。
S4間に制御信号を加えることにより負荷への電源の供
給をオン・オフさせるように構成されている。
なお、図中0.P、A、はオペアンプである。
上記の回路は、比較的大面積の絶縁基板上に各種回路部
品を搭載し、この回路部品間を配線した後、電源側の端
子P、Nおよび負荷側の端子(電力用端子)DI、D2
とともに、制御端子61〜G48よびS1〜54等が第
3図(a)に示すようにケース2の蓋体3の表面とに導
出する。
一方、ケース2の裏面側にはアルミ板4等の放熱面を有
し、このアルミ板4側を図示を省略した放熱フィン等に
取付け、電力用MO5FETの運転中の発熱を放熱する
ようにして使用するものである。
第4図(a)、(b)は、他の従来例を示し、この複合
半導体装置1においても前記の従来例と同様にケース2
の側方から電源端子6および負荷端子5と、M制御端子
7とを同一方向に導出している。
第5図に示す複合半導体装置は、リードフレーム8を使
用し、このリードフレーム8のチップ載置部に、例えば
電力用MO3FETチップ9、モノリシックICl0等
を載置・固着させ、所定の回路を形成すべくワイヤポン
ディング11をした後、リードフレーム8をアルミベー
ス12上に固着し、所要部分を樹脂モールド13したも
のである。この複合半導体装置においても、樹脂モール
ド13の一側面から端子14.15を導出している。
[発明が解決しようとする課題] 上記第3図および第4図に示した複合半導体装置では、
部品点数が多く製品自体のコストが高くなる。また、第
5図に示した複合半導体装置はり一ドフレームを使用し
、組立工程の自動化に適しており、そのため製品目体の
コストは低く押えられる利点があるが、に記第3図およ
び第4図に示したものと同様に電源および負荷に接続さ
れる電力用端子と制御端子が同一方向に導出しであるた
め、上記の複合半導体装置を、外部のCPU基板等に対
して、その制御端子を接続する場合、同一方向に突出す
る電源および負荷に接続される電力用端子が邪魔になり
、組立時の自動化が困難となる。
すなわち、第5図、第6図に示す様造は同一方向に突出
する電力用端子があるために、CPU基板に制御端子を
半田固着させるのに、半田バス等を使用することができ
ず、個々に制御端子をCPU基板に差込み、手作業によ
り半田付けを行うため、組立作業に時間がかかり、コス
ト高となるという課題があった。さらに搭載するMOS
FET等の半導体チップの大きさも比較的小さく、また
、リードフレーム自体に放熱部を形成しておらず、放熱
は主としてリードフレームと絶縁を保って載置・固定す
るアルミベース板により行うために、電流容量をあまり
大きくとることができないというpa題もあった。
[発明の目的] この発明は、上記のような課題を解決するためになされ
たもので、製品自体のコストおよび総合組立コストを共
に低く押えることができ、しかも電流容量を大きくする
ことができる複合半導体装置を提供することを目的とす
る。
[闇題点を解決するための手段] この発明に係る複合半導体装置は、電源および負荷が接
続される電力用端子と制御端子とを同一方向に形成する
ことなく、互いに反対方向に形成したリードフレームを
使用し、このリードフレームの所定部分に電力用MO3
FETチップ等の回路部品を搭載・固着した後、アルミ
ベース板と組合せて丑記のリードフレームの所定部分を
樹脂封止して樹脂モールド部を形成し、この樹脂モール
ド部の互いに反対側となる側面から導出したリードフレ
ームの連結部の不要部分を切除して電力用端子と制御端
子を互いに反対方向に導出したものである。
[作用] この発明の複合半導体装置では、電力用端子と制御端子
とが互いに反対方向に導出しであるため、制御端子を例
えばCPU基板の回路パターンの所定部分に差込み、半
田バスを使用した自動的かつ一括的半田付けが可能とな
る。
また、リードフレームへの大面積のチップ・1配置部の
形成により大面積の半導体チップの搭・戒が可能になる
とともに、その部分での動作時の放熱により電流容量を
大きくすることができる。
さらに上記のようなリードフレームを使用しているため
、半導体チップ等の回路部品の自動搭載、回路部品間の
自動配線が可能となり組立コストを低く押えることがで
きる。
[実施例] 以下、この発明の一実施例を第1図および第2図に基づ
いて説明する。
図において、リードフレーム20は、略平行に配置され
た少なくとも2木の連結部21゜22と、一方の連結部
21からは制御用端子となる複数のリード23が延在し
、他方の連結部22からは電源および負荷に接続される
電力用端子となる複数のリード24が延在し、かつ、前
記連結部21.22間には、比較的大面積の複数の電力
用半導体素子用チップ等の回路部品搭載部25が形成さ
れている。
1−記のリードフレーム20の回路部品搭載部25に対
し、ロボットハンド等により自動的に複数の′重力用M
O3FETチップ、サーミスタ、シャント抵抗、オペア
ンプ等の回路部品26゜27を搭載し、半田固着させた
後、各回路部品26.27と制御端子、電力用端子とな
るリード23.24間をそれぞれワイヤポンディング2
8する。
次に、上記のリードフレーム20をアルミベース板29
と組合せ、前記MO5FETチップ等の各回路部品26
.27を含むめでリードフレーム20の所要部分を樹脂
封止し、樹脂モールド部30を形成する。
その後、樹脂モールド部30外に露出させた連結部21
.22の不要部分を切除して複合半導体装置を完成する
なお、上記のリードフレーム20の回路部品搭載部25
の数、面積およびリードの本数、幅は目的とする回路構
成により異り、第1図および第2図に示したものに限定
されるものではない。
また、アルミベースとリードフレーム間は、セラミック
等の絶縁板を介在させても良いし、アルミベースの表面
に絶縁層、導体パターン層を形成し、その上にリードフ
レームを半田固着しても良い。さらにまた、その組立は
アルミベース、リードフレーム、リードフレーム、?を
力用’t’4体チップのそれぞれの半田固着を同時に行
っても良い。
[発明の効果] 以−Lの説明から明らかなように、この発明の複合半導
体装置によれば、電力用端子となるリードと制御端子と
なるリードとを互いに反対方向になるように配置したリ
ードフレームを使用し、その連結部間には、比較的大面
積の回路部品搭載部を形成するようにしたので、概略以
下のような効果を奏する。
(1)制御端子を外部部品であるCPU基板等に接続す
る場合でも電力端子が邪魔にならず、したがって半田バ
ス等を使用して自動的かつ一括的に半田付は工程を実施
することが可能となり、総合組立コストを低減すること
ができる。
(2) ?!!力用端子、制御端子を備えたリードフレ
ームを使用するため、個々リード部品等を不要とし、部
品点数の削減により製品自体のコストを低減することが
できる。
(3)大面積の回路部品搭載部の形成により′it、v
t容場の大きな半導体チップの搭載を可能にし、また、
その部分での放熱が期待でき、したがって総合的に見て
電流容量の大きな複合半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、(b)および第2図(a)。 (b)は、この発明の複合を導体装置の内部構成を示す
f面図および外観を示す側面図、第3図は、従来の複合
半導体装置を示し、同図(a)は、その外観図、同図(
b)は、その内部回路図、第4図は、同じ〈従来の複合
半導体装置を示し、同図(a)は、その正面図、同図(
b)は、その側面図、第5図は、同じ〈従来の複合半導
体装置を示す一部切欠外観図である。 20・・・ リードフレーム 21.22・・・連結部 23.24・・・ リード 25・・・回路部品搭載部 26.27・・・回路部品 28・・・ワイヤポンディング 29・・・アルミベース板 30・・・樹脂モールド部 特許出願人 日本インター株式会社 第1図 第3図 (b) 第4図 rσノ            (b)第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、略平行に配置された少なくとも2本の連結部と、一
    方の連結部からは制御用端子となるリードが延在し、他
    方の連結部からは電源および負荷に接続される電力用端
    子となるリードが延在し、かつ、前記連結部間には、複
    数の電力用半導体素子用チップ等の回路部品搭載部を形
    成したことを特徴する複合半導体装置用リードフレーム
    。 2、チップ形状の電力用半導体素子等の回路部品を搭載
    する回路部品搭載部およびこの電力用半導体素子を制御
    するための制御端子とを有し、かつ、上記回路部品搭載
    部に搭載・固着した回路部品を含めてリードフレームの
    所要部分を樹脂封止した複合半導体装置において、前記
    電力用半導体素子の電源および負荷にそれぞれ接続され
    る電力用端子と、前記電力用半導体素子を制御するため
    の制御用端子とを前記樹脂封止によって形成された樹脂
    モールド部の互いに反対側となる側面より導出したこと
    を特徴とする複合半導体装置。
JP23056288A 1988-09-14 1988-09-14 リードフレームおよびそのリードフレームを使用した複合半導体装置 Pending JPH0278265A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04171754A (ja) * 1990-11-02 1992-06-18 Mitsubishi Electric Corp インテリジェントパワーモジュールの製造方法
WO1998010508A1 (en) * 1996-09-06 1998-03-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US7148562B2 (en) 2003-10-31 2006-12-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor device and power semiconductor module
JP2008027993A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
US20180012828A1 (en) * 2016-07-05 2018-01-11 Danfoss Silicon Power Gmbh Lead frame and method of fabricating the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5757552B2 (ja) * 1973-05-07 1982-12-04 Dart Ind Inc
JPS62202548A (ja) * 1986-02-28 1987-09-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5757552B2 (ja) * 1973-05-07 1982-12-04 Dart Ind Inc
JPS62202548A (ja) * 1986-02-28 1987-09-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04171754A (ja) * 1990-11-02 1992-06-18 Mitsubishi Electric Corp インテリジェントパワーモジュールの製造方法
WO1998010508A1 (en) * 1996-09-06 1998-03-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US7148562B2 (en) 2003-10-31 2006-12-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor device and power semiconductor module
JP2008027993A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
US20180012828A1 (en) * 2016-07-05 2018-01-11 Danfoss Silicon Power Gmbh Lead frame and method of fabricating the same
US10796985B2 (en) * 2016-07-05 2020-10-06 Danfoss Silicon Power Gmbh Lead frame and method of fabricating the same

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