JPH0758234A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0758234A JPH0758234A JP5206532A JP20653293A JPH0758234A JP H0758234 A JPH0758234 A JP H0758234A JP 5206532 A JP5206532 A JP 5206532A JP 20653293 A JP20653293 A JP 20653293A JP H0758234 A JPH0758234 A JP H0758234A
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- semiconductor device
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- insulating substrate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
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- Dicing (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面実装が可能で、かつ量産性の高い半導体
装置の製造方法を提供すること。 【構成】 金属からなる放熱用基板上に、スルーホール
接続された電極が形成された絶縁基板を積層する工程
と、前記放熱用基板上に半導体素子を搭載し、該半導体
素子と前記絶縁基板上に形成された電極、及び前記放熱
用基板とを金属ワイヤで電気的に接続する工程と、前記
絶縁基板上にキャップ基板を積層する工程とにより、複
数個分の半導体装置が一体に形成された積層体を形成し
た後、上記積層体を切断機により切断し、個々の半導体
装置を切り出す半導体装置の製造方法。
装置の製造方法を提供すること。 【構成】 金属からなる放熱用基板上に、スルーホール
接続された電極が形成された絶縁基板を積層する工程
と、前記放熱用基板上に半導体素子を搭載し、該半導体
素子と前記絶縁基板上に形成された電極、及び前記放熱
用基板とを金属ワイヤで電気的に接続する工程と、前記
絶縁基板上にキャップ基板を積層する工程とにより、複
数個分の半導体装置が一体に形成された積層体を形成し
た後、上記積層体を切断機により切断し、個々の半導体
装置を切り出す半導体装置の製造方法。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に高出力半導体素子を搭載した半導体装置の
製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来の高出力半導体素子、例えば、ガリ
ウムヒ素電界効果トランジスタを搭載した半導体装置
は、図４に示すように、放熱用基板１１上に、所定の部
分が打ち抜かれた絶縁基板１２を積層し、該絶縁基板１
２上に入出力リード端子１３を取り付け、その上に所定
の部分が打ち抜かれた第１キャップ基板１４と半導体装
置の上蓋となる第２キャップ基板１５を積層した構成と
なっている。そして、半導体素子１６は、第１キャップ
基板１４及び第２キャップ基板１５を積層する前に、放
熱用基板１１上に搭載され、金属ワイヤ１７で入出力リ
ード端子１３及び放熱用基板１１に電気的に接続され
る。 【０００３】前記放熱用基板１１は、熱伝導度のよい材
質、例えば、銅からなる金属板であり、入出力電極、例
えば、電界効果トランジスタのソース電極としても利用
されている。また、一般的に、絶縁基板１２及び第１キ
ャップ基板１４は、セラミックからなり、第２キャップ
基板１５は、セラミックまたは金属からなっている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来例
の半導体装置においては、入出力リード端子１３は、絶
縁基板１２上に水平に突出して取り付けられているの
で、入出力電極としても利用される放熱用基板１１との
間に段差が生じている。このため、この半導体装置を回
路基板に実装するには、入出力用リード端子１３を下方
に折り曲げ整形後、はんだ付けする必要があり、表面実
装には適していなかった。 【０００５】また、入出力リード端子１３は、絶縁基板
１２及び第１キャップ基板１４の側面より突出してお
り、上記従来例の半導体装置を製造するには、半導体装
置１個ごとに各基板を積層して、半導体素子１６を搭載
し、ワイヤボンディングしなければならず、量産性が悪
く、製造コストが高くついていた。 【０００６】そこで、本発明の目的は、以上のような従
来の高出力半導体素子を搭載した半導体装置が持つ問題
点を解消し、表面実装が可能で、かつ量産性の高い半導
体装置の製造方法を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、金属からなる放熱用基板上に、スルーホ
ール接続された電極が形成された絶縁基板を積層する工
程と、前記放熱用基板上に半導体素子を搭載し、該半導
体素子と前記絶縁基板上に形成された電極、及び前記放
熱用基板とを金属ワイヤで電気的に接続する工程と、前
記絶縁基板上にキャップ基板を積層する工程とにより、
複数個分の半導体装置が一体に形成された積層体を形成
した後、上記積層体を切断機により切断し、個々の半導
体装置を切り出すことを特徴とするものである。 【０００８】 【作用】上記の構成によれば、絶縁基板の上下両面の電
極は、スルーホール接続により接続されているので、絶
縁基板の下面に形成された電極は、放熱用基板と同一面
に形成することができる。また、絶縁基板にスルーホー
ル接続された電極を形成することにより、各基板を積層
し、複数個分の半導体装置を一体に形成した後、個々の
半導体装置を切り出すことができる。 【０００９】 【実施例】図１に示すように、本発明の製造方法によっ
て製造される半導体装置は、半導体素子６が搭載された
放熱用基板１上に、電極３が形成された絶縁基板２を積
層し、絶縁基板２上に半導体素子６を封止するための第
１キャップ基板４及び第２キャップ基板５を積層した構
成となっている。そして、半導体素子６は、金属ワイヤ
７で絶縁基板２上に形成された電極３、及び放熱用基板
１に電気的に接続されている。 【００１０】以下、図面を参照して、本発明の半導体装
置の製造方法について説明する。図において、同一部分
については同一符号を付す。 【００１１】図２に示すように、放熱用基板１、電極３
が形成された絶縁基板２、第１キャップ基板４、第２キ
ャップ基板５を用意する。各基板は、最終的に得られる
図１に示した半導体装置の複数個分に相当する比較的大
きな寸法の矩形の基板である。図２において、半導体装
置１個に相当する部分を破線で囲んで示す。 【００１２】そして、図３に１部を拡大して示すよう
に、半導体素子６を内蔵し、上記各基板を積層した後、
切断機により切断して、図１に示すような個々の半導体
装置を得ている。 【００１３】放熱用基板１は、熱伝導度のよい材質、例
えば、銅または銅合金等からなる金属板であり、図２
（ｄ）に示すように、半導体素子６が搭載される以外の
所定の部分が矩形状に打ち抜かれている。また、この放
熱用基板１は、半導体装置の入出力用電極、例えば、電
界効果トランジスタのソース電極としても利用されるも
のである。 【００１４】絶縁基板２は、アルミナ等のセラミック基
板であり、図２（ｃ）に示すように、電極３が形成さ
れ、半導体素子６が収納される部分が円形状に打ち抜か
れている。そして、絶縁基板２上に形成された電極３
は、図１（ｂ）及び図３に示すように、金属ペーストの
印刷により絶縁基板２の上下両面に渡って形成され、ス
ルーホール接続により接続されている。 【００１５】第１キャップ基板４は、アルミナ等のセラ
ミック基板であり、図２（ｂ）に示すように、金属ワイ
ヤ７が収納される部分が円形状に打ち抜かれている。 【００１６】第２キャップ基板５は、半導体装置の上蓋
となるものであり、セラミックまたは金属からなってい
る。 【００１７】具体的には、まず、放熱用基板１上に、電
極３が形成された絶縁基板２をエポキシ系接着剤等で接
着、または金属のロウ付け等により積層する。次に、半
導体素子６を放熱用基板１上にダイボンドし、ワイヤボ
ンディングにより半導体素子６の電極パッドと絶縁基板
２上に形成された電極３の上面側、及び放熱用基板１と
を金属ワイヤ７で電気的に接続する。次に、前記絶縁基
板２上に第１キャップ基板４を、第１キャップ基板４上
に第２キャップ基板５をエポキシ系接着剤等で接着、ま
たはガラス封止等により順次積層する。 【００１８】上記工程により、図３に示すような半導体
素子６を内蔵した複数個の半導体装置が形成された積層
体が得られる。この積層体を図３に破線で示した切断線
Ａ、Ｂに沿って、ダイシング・ソーにより切断して、図
１に示すような半導体装置が得られる。 【００１９】そして、図１及び図３に示すように、絶縁
基板２上に形成された電極３の下面側は、放熱用基板１
と同一面に形成されている。つまり、回路基板に接続さ
れる半導体装置の電極となる電極３の一部及び放熱用基
板１は、半導体装置の下面に形成される。 【００２０】なお、上記実施例では、絶縁基板２、第１
キャップ基板４の所定の部分の打ち抜き形状は、円形状
としているが、その形状は、特に限定するものではな
い。また、キャップ基板として、第１キャップ基板４と
キャップ基板５の２枚の基板を使用したが、セラミック
基板の所定の部分に凹部を形成した１枚のキャップ基板
を使用してもよい。また、切断機としてはダイシング・
ソーを使用したが、これに限るものではなく、ワイヤ・
ソー等の他の切断機、切断方法を用いてもよい。 【００２１】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
により得られた半導体装置は、回路基板にはんだ付けさ
れる電極がすべて半導体装置の下面に形成されるので、
はんだリフローによる表面実装が可能となる。すなわ
ち、この半導体装置を回路基板に実装する場合、実装コ
ストを大幅に低減することができる。 【００２２】さらに、本発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、複数個の半導体素子を搭載し、キャップ基
板を積層して、複数個分の半導体装置を一体に形成した
後、切断機により個々の半導体装置を切り出すことによ
り、従来のように半導体装置個々にキャップ基板を取り
付ける方法に比べ、量産性を大幅に向上することができ
る。すなわち、半導体装置の製造コストを大幅に低減す
ることができる。
に関し、特に高出力半導体素子を搭載した半導体装置の
製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来の高出力半導体素子、例えば、ガリ
ウムヒ素電界効果トランジスタを搭載した半導体装置
は、図４に示すように、放熱用基板１１上に、所定の部
分が打ち抜かれた絶縁基板１２を積層し、該絶縁基板１
２上に入出力リード端子１３を取り付け、その上に所定
の部分が打ち抜かれた第１キャップ基板１４と半導体装
置の上蓋となる第２キャップ基板１５を積層した構成と
なっている。そして、半導体素子１６は、第１キャップ
基板１４及び第２キャップ基板１５を積層する前に、放
熱用基板１１上に搭載され、金属ワイヤ１７で入出力リ
ード端子１３及び放熱用基板１１に電気的に接続され
る。 【０００３】前記放熱用基板１１は、熱伝導度のよい材
質、例えば、銅からなる金属板であり、入出力電極、例
えば、電界効果トランジスタのソース電極としても利用
されている。また、一般的に、絶縁基板１２及び第１キ
ャップ基板１４は、セラミックからなり、第２キャップ
基板１５は、セラミックまたは金属からなっている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来例
の半導体装置においては、入出力リード端子１３は、絶
縁基板１２上に水平に突出して取り付けられているの
で、入出力電極としても利用される放熱用基板１１との
間に段差が生じている。このため、この半導体装置を回
路基板に実装するには、入出力用リード端子１３を下方
に折り曲げ整形後、はんだ付けする必要があり、表面実
装には適していなかった。 【０００５】また、入出力リード端子１３は、絶縁基板
１２及び第１キャップ基板１４の側面より突出してお
り、上記従来例の半導体装置を製造するには、半導体装
置１個ごとに各基板を積層して、半導体素子１６を搭載
し、ワイヤボンディングしなければならず、量産性が悪
く、製造コストが高くついていた。 【０００６】そこで、本発明の目的は、以上のような従
来の高出力半導体素子を搭載した半導体装置が持つ問題
点を解消し、表面実装が可能で、かつ量産性の高い半導
体装置の製造方法を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、金属からなる放熱用基板上に、スルーホ
ール接続された電極が形成された絶縁基板を積層する工
程と、前記放熱用基板上に半導体素子を搭載し、該半導
体素子と前記絶縁基板上に形成された電極、及び前記放
熱用基板とを金属ワイヤで電気的に接続する工程と、前
記絶縁基板上にキャップ基板を積層する工程とにより、
複数個分の半導体装置が一体に形成された積層体を形成
した後、上記積層体を切断機により切断し、個々の半導
体装置を切り出すことを特徴とするものである。 【０００８】 【作用】上記の構成によれば、絶縁基板の上下両面の電
極は、スルーホール接続により接続されているので、絶
縁基板の下面に形成された電極は、放熱用基板と同一面
に形成することができる。また、絶縁基板にスルーホー
ル接続された電極を形成することにより、各基板を積層
し、複数個分の半導体装置を一体に形成した後、個々の
半導体装置を切り出すことができる。 【０００９】 【実施例】図１に示すように、本発明の製造方法によっ
て製造される半導体装置は、半導体素子６が搭載された
放熱用基板１上に、電極３が形成された絶縁基板２を積
層し、絶縁基板２上に半導体素子６を封止するための第
１キャップ基板４及び第２キャップ基板５を積層した構
成となっている。そして、半導体素子６は、金属ワイヤ
７で絶縁基板２上に形成された電極３、及び放熱用基板
１に電気的に接続されている。 【００１０】以下、図面を参照して、本発明の半導体装
置の製造方法について説明する。図において、同一部分
については同一符号を付す。 【００１１】図２に示すように、放熱用基板１、電極３
が形成された絶縁基板２、第１キャップ基板４、第２キ
ャップ基板５を用意する。各基板は、最終的に得られる
図１に示した半導体装置の複数個分に相当する比較的大
きな寸法の矩形の基板である。図２において、半導体装
置１個に相当する部分を破線で囲んで示す。 【００１２】そして、図３に１部を拡大して示すよう
に、半導体素子６を内蔵し、上記各基板を積層した後、
切断機により切断して、図１に示すような個々の半導体
装置を得ている。 【００１３】放熱用基板１は、熱伝導度のよい材質、例
えば、銅または銅合金等からなる金属板であり、図２
（ｄ）に示すように、半導体素子６が搭載される以外の
所定の部分が矩形状に打ち抜かれている。また、この放
熱用基板１は、半導体装置の入出力用電極、例えば、電
界効果トランジスタのソース電極としても利用されるも
のである。 【００１４】絶縁基板２は、アルミナ等のセラミック基
板であり、図２（ｃ）に示すように、電極３が形成さ
れ、半導体素子６が収納される部分が円形状に打ち抜か
れている。そして、絶縁基板２上に形成された電極３
は、図１（ｂ）及び図３に示すように、金属ペーストの
印刷により絶縁基板２の上下両面に渡って形成され、ス
ルーホール接続により接続されている。 【００１５】第１キャップ基板４は、アルミナ等のセラ
ミック基板であり、図２（ｂ）に示すように、金属ワイ
ヤ７が収納される部分が円形状に打ち抜かれている。 【００１６】第２キャップ基板５は、半導体装置の上蓋
となるものであり、セラミックまたは金属からなってい
る。 【００１７】具体的には、まず、放熱用基板１上に、電
極３が形成された絶縁基板２をエポキシ系接着剤等で接
着、または金属のロウ付け等により積層する。次に、半
導体素子６を放熱用基板１上にダイボンドし、ワイヤボ
ンディングにより半導体素子６の電極パッドと絶縁基板
２上に形成された電極３の上面側、及び放熱用基板１と
を金属ワイヤ７で電気的に接続する。次に、前記絶縁基
板２上に第１キャップ基板４を、第１キャップ基板４上
に第２キャップ基板５をエポキシ系接着剤等で接着、ま
たはガラス封止等により順次積層する。 【００１８】上記工程により、図３に示すような半導体
素子６を内蔵した複数個の半導体装置が形成された積層
体が得られる。この積層体を図３に破線で示した切断線
Ａ、Ｂに沿って、ダイシング・ソーにより切断して、図
１に示すような半導体装置が得られる。 【００１９】そして、図１及び図３に示すように、絶縁
基板２上に形成された電極３の下面側は、放熱用基板１
と同一面に形成されている。つまり、回路基板に接続さ
れる半導体装置の電極となる電極３の一部及び放熱用基
板１は、半導体装置の下面に形成される。 【００２０】なお、上記実施例では、絶縁基板２、第１
キャップ基板４の所定の部分の打ち抜き形状は、円形状
としているが、その形状は、特に限定するものではな
い。また、キャップ基板として、第１キャップ基板４と
キャップ基板５の２枚の基板を使用したが、セラミック
基板の所定の部分に凹部を形成した１枚のキャップ基板
を使用してもよい。また、切断機としてはダイシング・
ソーを使用したが、これに限るものではなく、ワイヤ・
ソー等の他の切断機、切断方法を用いてもよい。 【００２１】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
により得られた半導体装置は、回路基板にはんだ付けさ
れる電極がすべて半導体装置の下面に形成されるので、
はんだリフローによる表面実装が可能となる。すなわ
ち、この半導体装置を回路基板に実装する場合、実装コ
ストを大幅に低減することができる。 【００２２】さらに、本発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、複数個の半導体素子を搭載し、キャップ基
板を積層して、複数個分の半導体装置を一体に形成した
後、切断機により個々の半導体装置を切り出すことによ
り、従来のように半導体装置個々にキャップ基板を取り
付ける方法に比べ、量産性を大幅に向上することができ
る。すなわち、半導体装置の製造コストを大幅に低減す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の製造方法により製造された
半導体装置の斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ線切断
断面図、（ｃ）は、（ａ）のＹ−Ｙ線切断断面図であ
る。 【図２】（ａ）は、本発明の第２キャップ基板の平面
図、（ｂ）は、本発明の第１キャップ基板の平面図、
（ｃ）は、本発明の電極が形成された絶縁基板の平面
図、（ｄ）は、本発明の放熱用基板の平面図である。 【図３】本発明の複数個分の半導体装置が形成された積
層体の１部拡大断面図である。 【図４】従来の半導体装置の断面図である。 【符号の説明】 １ 放熱用基板 ２ 絶縁基板 ３ 電極 ４ 第１キャップ基板 ５ 第２キャップ基板 ６ 半導体素子 ７ 金属ワイヤ
半導体装置の斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ線切断
断面図、（ｃ）は、（ａ）のＹ−Ｙ線切断断面図であ
る。 【図２】（ａ）は、本発明の第２キャップ基板の平面
図、（ｂ）は、本発明の第１キャップ基板の平面図、
（ｃ）は、本発明の電極が形成された絶縁基板の平面
図、（ｄ）は、本発明の放熱用基板の平面図である。 【図３】本発明の複数個分の半導体装置が形成された積
層体の１部拡大断面図である。 【図４】従来の半導体装置の断面図である。 【符号の説明】 １ 放熱用基板 ２ 絶縁基板 ３ 電極 ４ 第１キャップ基板 ５ 第２キャップ基板 ６ 半導体素子 ７ 金属ワイヤ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｈ０１Ｌ 21/338
29/812
7376−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/80 Ｂ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 金属からなる放熱用基板上に、スルーホール接続された
電極が形成された絶縁基板を積層する工程と、 前記放熱用基板上に半導体素子を搭載し、該半導体素子
と前記絶縁基板上に形成された電極、及び前記放熱用基
板とを金属ワイヤで電気的に接続する工程と、 前記絶縁基板上にキャップ基板を積層する工程と、 により、複数個分の半導体装置が一体に形成された積層
体を形成した後、 上記積層体を切断機により切断し、個々の半導体装置を
切り出すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20653293A JP3428083B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20653293A JP3428083B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758234A true JPH0758234A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3428083B2 JP3428083B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=16524935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20653293A Expired - Fee Related JP3428083B2 (ja) | 1993-08-20 | 1993-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3428083B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11251488A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミックパッケージ |
-
1993
- 1993-08-20 JP JP20653293A patent/JP3428083B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11251488A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミックパッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3428083B2 (ja) | 2003-07-22 |
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