JPH0280585A - ドライエッチング後処理方法 - Google Patents
ドライエッチング後処理方法Info
- Publication number
- JPH0280585A JPH0280585A JP22871488A JP22871488A JPH0280585A JP H0280585 A JPH0280585 A JP H0280585A JP 22871488 A JP22871488 A JP 22871488A JP 22871488 A JP22871488 A JP 22871488A JP H0280585 A JPH0280585 A JP H0280585A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry etching
- post
- treatment
- gas
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はドライエツチング後処理方法に関し、特にアル
ミニウム合金膜等のドライエツチング後の腐食を防止す
るのに好適なドライエツチング後処理方法に関するもの
である。
ミニウム合金膜等のドライエツチング後の腐食を防止す
るのに好適なドライエツチング後処理方法に関するもの
である。
従来のアルミニウム合金膜のエツチング後処理としては
、例えば、特公昭６２−３０２６８号公報に記載のよう
に処理室容器内でエツチングを行な９た後間−容器内で
フルオロカーボンと酸素の混合ガスプラズマ処理を行な
ったり、また、例えば、特開昭５９−１８６３２６号公
報に記載のように別の真空後処理室にて酸素プラズマ処
理を行なっていた。
、例えば、特公昭６２−３０２６８号公報に記載のよう
に処理室容器内でエツチングを行な９た後間−容器内で
フルオロカーボンと酸素の混合ガスプラズマ処理を行な
ったり、また、例えば、特開昭５９−１８６３２６号公
報に記載のように別の真空後処理室にて酸素プラズマ処
理を行なっていた。
上記従来技術は、エツチング後の基板を大気にさらす二
となく、レジストを１プシングゐるいははアルミニウム
合金膜表面をプラズマ処理できるためレジスト中の塩素
やアルミニウム合金膜表面に付着した塩素を効果的に除
去できる。しかしながらアルミエツチングにおいてはエ
ツチングガスとアルミ合金膜の反応生成物がアルミ配線
パターンの側壁部に付着する場合が多く、実際には、こ
の側壁付着物によりアルミ合金膜の異方性加工を可能と
している場合が多い。実際に側壁付着物を分析したとこ
ろＭを主成分とした３ｉ、 Ｃ，（Ｊの化合物であるこ
とが判った。従ってこの組成の反応生成物は上記従来の
プラズマ処理では除去できないため側壁付着物に覆われ
た部分の塩素は除去されないまま大気にさらされること
になる。一方最近の賽導体の高集積化にともない、アル
ミ配線のパターン寸法も１μｍ以下となりつつあり配線
材料として耐エレクトロマイグレーシ茸ン耐ストレスマ
イグレーシ璽ンの点からＡｇ−Ｃｕ ＳｉではＣｕ濃
度が１〜４％と高くなりまたＭ−Ｃｕと他の高融点金属
例えば、Ｔｉ、 Ｗ、 Ｍｏの化合物との多層膜が採用
されている。これらの材料では従来のＭ−８１Ｍあるい
はＣＬＩ濃度がｌ−以下のＭ合金膜に比べ腐食に対して
は、はるかに弱いため、従来腐食が発生しない残留塩素
レベルでも腐食が発生してしまう。
となく、レジストを１プシングゐるいははアルミニウム
合金膜表面をプラズマ処理できるためレジスト中の塩素
やアルミニウム合金膜表面に付着した塩素を効果的に除
去できる。しかしながらアルミエツチングにおいてはエ
ツチングガスとアルミ合金膜の反応生成物がアルミ配線
パターンの側壁部に付着する場合が多く、実際には、こ
の側壁付着物によりアルミ合金膜の異方性加工を可能と
している場合が多い。実際に側壁付着物を分析したとこ
ろＭを主成分とした３ｉ、 Ｃ，（Ｊの化合物であるこ
とが判った。従ってこの組成の反応生成物は上記従来の
プラズマ処理では除去できないため側壁付着物に覆われ
た部分の塩素は除去されないまま大気にさらされること
になる。一方最近の賽導体の高集積化にともない、アル
ミ配線のパターン寸法も１μｍ以下となりつつあり配線
材料として耐エレクトロマイグレーシ茸ン耐ストレスマ
イグレーシ璽ンの点からＡｇ−Ｃｕ ＳｉではＣｕ濃
度が１〜４％と高くなりまたＭ−Ｃｕと他の高融点金属
例えば、Ｔｉ、 Ｗ、 Ｍｏの化合物との多層膜が採用
されている。これらの材料では従来のＭ−８１Ｍあるい
はＣＬＩ濃度がｌ−以下のＭ合金膜に比べ腐食に対して
は、はるかに弱いため、従来腐食が発生しない残留塩素
レベルでも腐食が発生してしまう。
本発明の目的は、上記のような腐食に弱い膜種に対して
も十分な防食効果を得ることができるドライエツチング
後処理方法を提供することにある。
も十分な防食効果を得ることができるドライエツチング
後処理方法を提供することにある。
上記目的はエツチングされた被処理基板を酸素ガスを含
むプラズマ処理を行なった後、炭素と水素あるいは、こ
れらを含む化合物ガスプラズマ処理を行なうことにより
達成される。
むプラズマ処理を行なった後、炭素と水素あるいは、こ
れらを含む化合物ガスプラズマ処理を行なうことにより
達成される。
酸素ガスを含むプラズマ処理によりレジストを１ブシン
グしレジスト中の塩素あるいはアルミ合金膜表面の酸素
を除去した後炭素と水素あるいはこれらの化合弁ガスプ
ラズマ処理を行なうことによりアルミ合金膜表面にポリ
マーを形成する。この結果アルミ側壁に付着した反応生
成物内に塩素が残されていても表面にポリマーにより被
覆されているため大ｚ中の水分と接触することがなく、
従って次工程まで十分に腐食を防止できる。
グしレジスト中の塩素あるいはアルミ合金膜表面の酸素
を除去した後炭素と水素あるいはこれらの化合弁ガスプ
ラズマ処理を行なうことによりアルミ合金膜表面にポリ
マーを形成する。この結果アルミ側壁に付着した反応生
成物内に塩素が残されていても表面にポリマーにより被
覆されているため大ｚ中の水分と接触することがなく、
従って次工程まで十分に腐食を防止できる。
以下本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図において１はエツチング処理室、２は後処理室、
３は処理室と後処理室をつなく°ためのゲートバルブで
ある。後処理室２は、マグネトロン４により２４５６Ｈ
！のマイクロ波を円形導波管５内に導き、導波管５下端
に設けられた石英ベルジャ６的にプラズマを発生させ、
下方に設置された基板７を処理するいわゆるアフターグ
ロ一方式となっている。このような装置においてＭ−３
％Ｃｕ−８ｉ膜を処理室ｌにてエヅチングした後図示さ
れていない搬送アーム−こで後処理室２に移し、まず酸
素ガスを含むプラズマとしてＱ２４００ ｃｃ／ｍｉｎ
添加ガスとしてＣＨＦ３２０ ＣＣ／ ｍｉｎ を流
し圧力ＩＴｏｒｒ に保ってマイクロ波を１０００”印
加すると、放電管内蕃こプラズマが発生しここで発生し
たプラズマ中の酸素ラジカルやフッ素ラジカルによりレ
ジストが除去される。二の時のレジスト除去速度は約２
μｍ／ｍｉｎが得られた。この状態で次にガスをＣＨＦ
３５０ ＣＣ／ ｍｉｎ流し圧力０．８Ｔｏｒｒにてプ
ラズマ処理を３０秒行なうとＭ合金膜上に約４０ＯＡの
ポリマーが堆積した。
３は処理室と後処理室をつなく°ためのゲートバルブで
ある。後処理室２は、マグネトロン４により２４５６Ｈ
！のマイクロ波を円形導波管５内に導き、導波管５下端
に設けられた石英ベルジャ６的にプラズマを発生させ、
下方に設置された基板７を処理するいわゆるアフターグ
ロ一方式となっている。このような装置においてＭ−３
％Ｃｕ−８ｉ膜を処理室ｌにてエヅチングした後図示さ
れていない搬送アーム−こで後処理室２に移し、まず酸
素ガスを含むプラズマとしてＱ２４００ ｃｃ／ｍｉｎ
添加ガスとしてＣＨＦ３２０ ＣＣ／ ｍｉｎ を流
し圧力ＩＴｏｒｒ に保ってマイクロ波を１０００”印
加すると、放電管内蕃こプラズマが発生しここで発生し
たプラズマ中の酸素ラジカルやフッ素ラジカルによりレ
ジストが除去される。二の時のレジスト除去速度は約２
μｍ／ｍｉｎが得られた。この状態で次にガスをＣＨＦ
３５０ ＣＣ／ ｍｉｎ流し圧力０．８Ｔｏｒｒにてプ
ラズマ処理を３０秒行なうとＭ合金膜上に約４０ＯＡの
ポリマーが堆積した。
二の状態で大気に取り出した場合腐食は２週間以上発生
しなかった。一方しシストを０２とＣＨＦ３混合ガスプ
ラズマにて除去しただけで大気蕃こ取り出した場合は約
５０時間で腐食が見られた。またレジストを残したまま
でＣＨＦ２によるポリマー形成のみで俄り出したものに
ついても約５０ ｈｒで腐食が発生した。以上の結果か
ら腐食を完全に抑えるには、レジストを除去し表面をプ
ラズマ処理しただけ、あるいは表面をポリマーで覆うだ
けでは十分とはいえず、両方を連続して行なうことによ
ってより高い防食効果が得られる。
しなかった。一方しシストを０２とＣＨＦ３混合ガスプ
ラズマにて除去しただけで大気蕃こ取り出した場合は約
５０時間で腐食が見られた。またレジストを残したまま
でＣＨＦ２によるポリマー形成のみで俄り出したものに
ついても約５０ ｈｒで腐食が発生した。以上の結果か
ら腐食を完全に抑えるには、レジストを除去し表面をプ
ラズマ処理しただけ、あるいは表面をポリマーで覆うだ
けでは十分とはいえず、両方を連続して行なうことによ
ってより高い防食効果が得られる。
なお、上記一実施例の他に、上記の後処理をエツチング
処理室で実施しても良い。
処理室で実施しても良い。
本発明基こよれば、より高い防食効果が得られるので、
アルミ合金膜特に腐食に弱い材料のエツチング後処理に
有効であり製品の歩留りを向上できる効果がある。
アルミ合金膜特に腐食に弱い材料のエツチング後処理に
有効であり製品の歩留りを向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のエツチング後処理装置の装
置構成図である。 １・・・・・・エツチング処理室、２・・・・・・後処
理室、３・・・・・・ゲートバルブ、４・・・・・・マ
グネトロン、５・・・・・・円形導波管、６・・・・・
・石英ベルジャ、７・・・・・・基板代理人 弁理士
小 川 勝 男 図 ３−−一ケニドパンレア°。 ０死べ゛ルジマ
置構成図である。 １・・・・・・エツチング処理室、２・・・・・・後処
理室、３・・・・・・ゲートバルブ、４・・・・・・マ
グネトロン、５・・・・・・円形導波管、６・・・・・
・石英ベルジャ、７・・・・・・基板代理人 弁理士
小 川 勝 男 図 ３−−一ケニドパンレア°。 ０死べ゛ルジマ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ハロゲンあるいはハロゲン化合物ガスを用いて真空
処理室でアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜また
はこれらの膜とその他の金属膜との多層膜のドライエッ
チングを実施した後、酸素を含むガスプラズマ処理を施
し、その後、炭素と水素あるいはこれらを含む化合物ガ
スプラズマ処理を施すことを特徴とするドラィエッチン
グ後処理方法。 ２、前記ドラィエッチング後のガスプラス処理を、プラ
スマ発生部と離れた位置に被処理基板を置いて実施する
第１請求項に記載のドライエッチング後処理方法。 ３、前記ドライエッチング後のガスプラズマ発生手段が
、マイクロ波電界による第１請求項に記載のドライエッ
チング後処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22871488A JPH0280585A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | ドライエッチング後処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22871488A JPH0280585A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | ドライエッチング後処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0280585A true JPH0280585A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16880664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22871488A Pending JPH0280585A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | ドライエッチング後処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0280585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415919A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Hitachi Ltd | 後処理方法 |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP22871488A patent/JPH0280585A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415919A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Hitachi Ltd | 後処理方法 |
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