JPH0281081U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の第１に係る光電変換モジユー
ルの実施例の斜視図、第２図は同実施例の正面図
、第３図は同実施例の回路図、第４図は受光素子
の両方のリードをフレキシブル基板に接続した場
合の斜視図、第５図は本考案の第１に係る光電変
換モジユールの他の実施例の斜視図、第６図は同
実施例の回路図、第７図、第８図は本考案の第１
に係る光電変換モジユールのさらに他の実施例の
回路図、第９図は本考案の第２に係る光電変換モ
ジユールの実施例の斜視図、第１０図は同実施例
の回路図、第１１図ないし第１３図は本考案の第
２に係る光電変換モジユールの他の実施例の回路
図である。 １０……フレキシブル基板、１２，４０，５４
，７０，７２……パターン、１４……受光素子（
ホトダイオード）、１６……負荷抵抗器、２０…
…基板リード、３０……プリント基板、３２……
アース部、５０，６０……増幅部（ＦＥＴ、演算
増幅器）、５２……ＦＥＴ負荷抵抗器、７４，９
２……駆動素子（トランジスタ、ＦＥＴ）、７６
……抵抗器（電流制限抵抗器）、７８……発光素
子（発光ダイオード）。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 受光素子と、この受光素子の負荷抵抗器と
   をフレキシブル基板に装着したことを特徴とする
   光電変換モジユール。 (2) 前記受光素子と前記負荷抵抗器とは、前記
   受光素子の出力信号を増幅する増幅部に接続され
   、かつ前記フレキシブル基板に装着されているこ
   とを特徴とする請求項１記載の光電変換モジユー
   ル。 (3) 前記増幅部は電界効果トランジスタである
   ことを特徴とする請求項２に記載の光電変換モジ
   ユール。 (4) 前記増幅部は演算増幅器であることを特徴
   とする請求項２記載の光電変換モジユール。 (5) 前記受光素子は、ホトダイオードであるこ
   とを特徴とする請求項１または２記載の光電変換
   モジユール。 (6) 発光素子と、入力する電気光信号を受けて
   発光素子を駆動する駆動素子とをフレキシブル基
   板に装着したことを特徴とする光電変換モジユー
   ル。 (7) 前記駆動素子は、この駆動素子を流れる電
   流を制限する電流制限抵抗器が接続してあること
   を特徴とする請求項６記載の光電変換モジユール
   。 (8) 前記駆動素子はバイポーラ型トランジスタ
   であることを特徴とする請求項６または７記載の
   光電変換モジユール。 (9) 前記駆動素子は電界効果トランジスタであ
   ることを特徴とする請求項６または７記載の光電
   変換モジユール。 (10) 前記発光素子は、発光ダイオードであるこ
   とを特徴とする請求項６記載の光電変換モジユー
   ル。