JPH0281425A - 結晶成長方法 - Google Patents
結晶成長方法Info
- Publication number
- JPH0281425A JPH0281425A JP23291188A JP23291188A JPH0281425A JP H0281425 A JPH0281425 A JP H0281425A JP 23291188 A JP23291188 A JP 23291188A JP 23291188 A JP23291188 A JP 23291188A JP H0281425 A JPH0281425 A JP H0281425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- layer
- pattern
- crystal growth
- gaas
- Prior art date
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- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、化合物半導体の結晶成長方法に関し、特に
再成長界面特性が良好で高品位の結晶を選択的に成長し
得る結晶成長方法に関するものである。
再成長界面特性が良好で高品位の結晶を選択的に成長し
得る結晶成長方法に関するものである。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来より用いられている化合物
半導体の選択成長方法を模式的に示したものである。
半導体の選択成長方法を模式的に示したものである。
まず、第２図（ａ）のように、ＧａＡｓ基板１上の第１
のＧａＡｓエピタキシャル成長層２上にプラズマＣＶＤ
法や熱ＣＶＤ法により５ｉｓＮ。
のＧａＡｓエピタキシャル成長層２上にプラズマＣＶＤ
法や熱ＣＶＤ法により５ｉｓＮ。
膜３を堆積し、その後、レジストや金属などのスマク材
料４からなるマスクパターンを用いてマスク材料４で被
われた箇所以外のＳｉ、Ｎ、膜３を第２図（ｂ）のよう
に除去し、さらに、マスク材勢４を除去してＳｉ３Ｎ４
膜３のパターンを形成する。この状態で、例えばＭＯＣ
ＶＤ法によりＧａＡｓのエピタキシャル成長を行うと、
第２図（Ｃ）のように、第２のＧａＡｓエピタキシャル
成長層５は５ｉｓＮ、膜３のパターン上を除いた他の部
分に成長し、選択成長が実現される。なお、７は再成長
界面を示す。
料４からなるマスクパターンを用いてマスク材料４で被
われた箇所以外のＳｉ、Ｎ、膜３を第２図（ｂ）のよう
に除去し、さらに、マスク材勢４を除去してＳｉ３Ｎ４
膜３のパターンを形成する。この状態で、例えばＭＯＣ
ＶＤ法によりＧａＡｓのエピタキシャル成長を行うと、
第２図（Ｃ）のように、第２のＧａＡｓエピタキシャル
成長層５は５ｉｓＮ、膜３のパターン上を除いた他の部
分に成長し、選択成長が実現される。なお、７は再成長
界面を示す。
上記のような従来の結晶の選択成長方法では、選択マス
クとなるＳｉ、Ｎ、膜３などの絶縁膜を、プラズマＣＶ
Ｄ法あるいは熱ＣＶＤ法などにより形成していた。この
場合、前者の方法では比較的低温プロセスではあるもの
の、プラズマにより半導体表面に損傷を与える欠点があ
り、また、後者のＭＣＶＤ法は高温プロセスとなるため
、熱的に弱い化合物半導体には不適であるなどの理由に
より、良好な再成長界面特性を得るのが困難であった。
クとなるＳｉ、Ｎ、膜３などの絶縁膜を、プラズマＣＶ
Ｄ法あるいは熱ＣＶＤ法などにより形成していた。この
場合、前者の方法では比較的低温プロセスではあるもの
の、プラズマにより半導体表面に損傷を与える欠点があ
り、また、後者のＭＣＶＤ法は高温プロセスとなるため
、熱的に弱い化合物半導体には不適であるなどの理由に
より、良好な再成長界面特性を得るのが困難であった。
乙の発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、低温プロセスで、しかもプラズマによる半
導体表面の損傷を避け、再成長界面特性が良好で高品位
の結晶を選択的に成長できる結晶成長方法を提供するこ
とを目的とする。
れたもので、低温プロセスで、しかもプラズマによる半
導体表面の損傷を避け、再成長界面特性が良好で高品位
の結晶を選択的に成長できる結晶成長方法を提供するこ
とを目的とする。
この発明に係る結晶成長方法は、半導体基板上の成長さ
れた半導体層をマスクパターンを用いて直接陽極酸化し
、その酸化膜を選択成長用マスクとして結晶成長させる
ものである。
れた半導体層をマスクパターンを用いて直接陽極酸化し
、その酸化膜を選択成長用マスクとして結晶成長させる
ものである。
「作用〕
この発明におけろ結晶成長においては、低温（室温）で
、しかもエピタキシャル成長が行われろ半導体表面を損
傷することのない陽極酸化法により選択成長用マスクが
形成されるため、再成長界面特性の良好で高品位の結晶
成長が行われる。
、しかもエピタキシャル成長が行われろ半導体表面を損
傷することのない陽極酸化法により選択成長用マスクが
形成されるため、再成長界面特性の良好で高品位の結晶
成長が行われる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例を示す結晶
成長プロセスの流れ図である。第１図において、第２図
と同一符号は同一または相当部分を示し、６は前記第１
のエピタキシャル成長層２を陽極酸化して形成された陽
極酸化膜である。
成長プロセスの流れ図である。第１図において、第２図
と同一符号は同一または相当部分を示し、６は前記第１
のエピタキシャル成長層２を陽極酸化して形成された陽
極酸化膜である。
まず、第１図（ａ）のように、ＧａＡｓ基板１上の第１
のＧａＡＳエピタキシャル成長層２上にマスク材料４に
より所望のパターンを形成する。
のＧａＡＳエピタキシャル成長層２上にマスク材料４に
より所望のパターンを形成する。
次に第１図（ｂ）のように、マスク材料４のパターンを
マスクにして第１のＧａＡｓエピタキシャル成長層２を
直接陽極酸化し、マスク材料４のパターンを除去して陽
極酸化膜６のパターンを形成する。次に第１図（Ｃ）の
ように、陽極酸化膜６をマスクとして選択成長を行うこ
とにより、第１図（Ｃ）に示すように、第２のＧａＡｓ
エピクキシャル層５が選択成長されろ。
マスクにして第１のＧａＡｓエピタキシャル成長層２を
直接陽極酸化し、マスク材料４のパターンを除去して陽
極酸化膜６のパターンを形成する。次に第１図（Ｃ）の
ように、陽極酸化膜６をマスクとして選択成長を行うこ
とにより、第１図（Ｃ）に示すように、第２のＧａＡｓ
エピクキシャル層５が選択成長されろ。
上記の実施例において最も重要な点は、陽極酸化による
陽極酸化膜６の形成にある。陽極酸化の方法としては、
電界液を用いた湿式のものと酸素プラズマによる乾式の
プラズマ酸化法が挙げられるが、いずれも室温程度の低
温プロセスであることが特長である。
陽極酸化膜６の形成にある。陽極酸化の方法としては、
電界液を用いた湿式のものと酸素プラズマによる乾式の
プラズマ酸化法が挙げられるが、いずれも室温程度の低
温プロセスであることが特長である。
上記の実施例においては、マスク材料４の工夫によりい
ずれの方法も適用可能であり、特に第２図に示す従来例
にあるようなプラズマによる第１のＧａＡｓエピタキシ
ャル成長層２の表面の損傷もしくは高温プロセスを避け
ることができるため、第１図（ｃ）における第１のＧ
ａ Ａ ｓエピタキシャル成長層２と第２のＧａＡｓエ
ピタキシャル成長層５の再成長界面７の特性は、著しく
改善され、また、そのため高品質のエピタキシャル成長
層が得られる。
ずれの方法も適用可能であり、特に第２図に示す従来例
にあるようなプラズマによる第１のＧａＡｓエピタキシ
ャル成長層２の表面の損傷もしくは高温プロセスを避け
ることができるため、第１図（ｃ）における第１のＧ
ａ Ａ ｓエピタキシャル成長層２と第２のＧａＡｓエ
ピタキシャル成長層５の再成長界面７の特性は、著しく
改善され、また、そのため高品質のエピタキシャル成長
層が得られる。
なお、上記実施例では、エピタキシャル成長層としてＧ
ａＡｓの場合について説明したが、この発明はこれ以外
の材料、例えばＡｊＧａＡｓ。
ａＡｓの場合について説明したが、この発明はこれ以外
の材料、例えばＡｊＧａＡｓ。
ＩｎＰなどの従来より行われている化合物半導体への適
用も可能である。
用も可能である。
以上説明したようにこの発明は、半導体基板上に形成さ
れた化合物半導体層を直接陽極酸化した陽極酸化膜をマ
スクとして前記化合物半導体層上に選択的に結晶成長を
行うので、低温プロセスで、結晶成長が実現でき、した
がって、再成長界面特性が著しく改善され、かつ高品位
のエピタキシャル層が得られる。
れた化合物半導体層を直接陽極酸化した陽極酸化膜をマ
スクとして前記化合物半導体層上に選択的に結晶成長を
行うので、低温プロセスで、結晶成長が実現でき、した
がって、再成長界面特性が著しく改善され、かつ高品位
のエピタキシャル層が得られる。
第１図はこの発明の一実施例による結晶成長方法の工程
を説明するための流れ図、第２図は従来の結晶成長方法
を説明するための流れ図である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２は第１のＧａＡｓエ
ピタキシャル成長層、３はＳｉ３Ｎ。 膜、４はマスク材料、５は第２のＧａＡｓエピタキシャ
ル成長層、６は陽極酸化膜、７は再成長界面である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第 図 ５ｉａＮ４膜 １、事件の表示 特願昭６３ ２３２９１１号 ２、発明の名称 結晶成長方法 ３、補正をする者 事件との関係
を説明するための流れ図、第２図は従来の結晶成長方法
を説明するための流れ図である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２は第１のＧａＡｓエ
ピタキシャル成長層、３はＳｉ３Ｎ。 膜、４はマスク材料、５は第２のＧａＡｓエピタキシャ
ル成長層、６は陽極酸化膜、７は再成長界面である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第 図 ５ｉａＮ４膜 １、事件の表示 特願昭６３ ２３２９１１号 ２、発明の名称 結晶成長方法 ３、補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された化合物半導体層を直接陽極酸
化した陽極酸化膜をマスクとして前記化合物半導体層上
に選択的に結晶成長を行うことを特徴とする結晶成長方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23291188A JPH0281425A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23291188A JPH0281425A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281425A true JPH0281425A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16946771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23291188A Pending JPH0281425A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0281425A (ja) |
-
1988
- 1988-09-17 JP JP23291188A patent/JPH0281425A/ja active Pending
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