JPH0143872Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、可撓性絶縁基体上に半導体チツプ載
置部ならびに外部リード部を形成するための金属
層が設けられた構造のリードフレームに関する。

ポリイミドフイルムあるいはポリエステルフイ
ルム等の可撓性をもつ絶縁基体上に、所定の厚み
の金属層を設け、この金属層で半導体チツプ載置
部ならびに外部リード部を形成した構造のリード
フレームとして、従来、第１図で示す構造を具備
するものが知られている。

第１図で示すリードフレームは、例えば、ポリ
イミドフイルム１の片面に銅箔を貼着し、これに
選択エツチング処理を施して半導体チツプ載置部
２、外部リード部３および４を形成するととも
に、半導体チツプ載置部２および外部リード部
３，４のワイヤボンデイング部分となる各一方の
端部に、半導体チツプの接着ならびにワイヤボン
デイングを容易にする金属めつき層５を形成した
構造となつている。そして、このリードフレーム
を用いた半導体装置の組み立ては、図示するよう
に半導体チツプ６を接着したのち、半導体チツプ
上の電極と外部リード部３および４との間を金属
細線７で接続することによつてなされる。

このようにして形成された半導体装置では、外
部リード部の各他方の端部が被接続基板への取り
付け用端子として用いられる。すなわち、図示す
るように、被接続基板８の導体層９および１０と
外部リード部３と４とを対向させ、両者間を鑞材
を用いて接続することにより半導体装置の取りつ
けがなされる。

ところで、従来の可撓性リードフレームでは、
半導体チツプの接着およびワイヤボンデイングを
行い半導体装置を完成させると、金属細線がリー
ドフレームの外部リード部の面よりも上部（第１
図では下部）に位置するところとなる。したがつ
て、被接続基板８へ半導体装置を取りつけるに際
してはこの高さを考慮し、リードフレーム面と被
接着基板面との間に所定の間隙ｌを付与する配慮
を払わねばならなかつた。また、間隙ｌを付与し
て被接続基板８へ半導体装置を取り付けるために
は、両者間にスペーサを介装すること、あるい
は、被接続基板８に特別な加工を施すことなどの
対策を講じる必要があり、取り付け作業の煩雑化
あるいは被接着基板のコストの高騰などの問題が
派生するところとなる。

考案の目的 本考案は、可撓性リードフレームそのものによ
つて、被接続基板への取り付け時に必要とされる
間隙を付与することができる可撓性リードフレー
ムの構造の提供を目的とするものである。

考案の構成 本考案にかかるリードフレームは、半導体チツ
プ載置部および外部リード部形成用の金属層が一
方の面上に設けられた可撓性絶縁基体の、前記外
部リード部形成用金属層の形成面部分に、90゜以
下の２重折り返し曲げ加工が施されて構成された
ものであり、これにより、半導体チツプならびに
金属細線の周囲に所定の間隙が付与される状態を
成立させて、半導体装置を被接続基板へ取り付け
ることのできるリードフレームが実現される。

実施例の説明 第２図は、本考案のリードフレームとこれを用
いて形成した半導体装置の構造を示す断面図であ
り、構成要素の全ては、第１図で示した従来のも
のと同じであり、同一構成要素には同一の番号を
付与している。このように、構成要素面では同じ
であるが、本考案のリードフレームでは、外部リ
ード部３と４が形成された可撓性絶縁基体、たと
えばポリイミドフイルム１の部分１１と１２に対
して、90゜以下の第１の折り曲げ加工が施され、
さらに、これらの部分よりも外方に位置する部分
１３と１４に対して、第１の折り曲げ加工による
折り曲げ方向とは逆の方向に向う90゜以下の第２
の折り曲げ加工が施されている。

ところで、リードフレーム面から金属細線の最
高点までの高さは、通常、0.1〜0.5mm程度であ
る。したがつて、上記の２重折り返し曲げ加工に
より、外部リード部３および４の各他方の端部面
が金属細線の最高点を越えるところに位置し、図
示するように半導体チツプ６および金属細線７の
すべてが確実に収納される凹部１５を得るには、
曲げ半径を0.1mm以上に設定する必要がある。こ
のような値に曲げ半径を設定するならば、折り返
えされたリードフレームの厚みが加わり所期の目
的が達成される。なお、曲げ半径を必要以上に大
きくすることは、凹所１５を必要以上に深くする
ことにつながり、リードフレーム素材の使用量の
増加あるいは半導体装置の大型化などの不都合が
生じる。このような不都合は、上記の曲げ半径を
0.5mm以下にとどめることにより殆んど回避する
ことができる。

本考案のリードフレームでは、上記のように折
り返し曲げ加工を施すことが不可欠であるが、使
用するフイルム基材としては、その厚さが、
105μｍ，75μｍ，50μｍ，25μｍおよび12.5μｍの
標準グレードのものの全てを使用することが可能
である。一方、フイルム基材に貼着する銅箔等の
金属層および接着剤の標準的な厚みは10〜70μｍ
程度であるが、通常のものでは折り返し曲げ加工
により剥離などの不都合をきたすおそれがある
が、硫酸銅浴あるいはシアン化銅浴を用いて形成
される比較的延展性のよい銅箔に1μｍ程度の厚
さの裏面亜鉛めつきを施したものを用いるととも
に、接着剤として芳香族アミンアダクト化合物を
硬化剤として配合したエポキシ樹脂を用いること
により、折り返し曲げ加工による剥離などの不都
合を排除することができる。この接着剤は、単に
可撓性の面ですぐれているばかりでなく、耐熱性
の面でもすぐれており、リードフレームの耐熱特
性を向上させる点からみても好ましいものであ
る。

以上のような配慮の下で形成した本考案のリー
ドフレームを使用して形成した半導体装置を被接
続基板８へ取り付けるに際しては、その導体層９
および１０とリードフレームの外部リード部３お
よび４の各一端とを必要最少限度の鑞材を用いて
接着すればよく、この取り付けにより、半導体チ
ツプ６および金属細線７は被接続基板８によつて
塞がれた凹所１５の中に位置するところとなる。

考案の効果 本考案のリードフレームは、これ自体が凹所を
もち、この内部で半導体チツプの接着ならびにワ
イヤボンデイングをなしうるものであり、従来の
もののように被接続基板への取り付けに際して、
特別な配慮を払う必要がない。このため、取り付
け作業の高能率化あるいは被接続基板のコストの
低減などの効果が奏される。

なお、リードフレームの凹所の開口部の大きさ
が半導体チツプの大きさを考慮するとともにワイ
ヤボンデイング位置を考慮して決定されること
は、あえて詳しく説明するまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のリードフレームとこれを用い
て形成した半導体装置の構造を示す断面図、第２
図は、本考案のリードフレームとこれを用いて形
成した半導体装置の構造を示す断面図である。 １……ポリイミドフイルム、２……半導体チツ
プ載置部、３，４……外部リード部、５……金属
めつき層、６……半導体チツプ、７……金属細
線、８……被接続基板、９，１０……導体層、１
１〜１４……折り曲げ加工部、１５……凹所。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半導体チツプ載置部および外部リード部形成用
   の金属層が一方の面上に形成された可撓性絶縁基
   体の、前記外部リード部形成用金属層の形成面部
   分に、90゜以下の２重折り返し曲げ加工が施され
   ていることを特徴とするリードフレーム。