JPH02112242A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02112242A JPH02112242A JP63264189A JP26418988A JPH02112242A JP H02112242 A JPH02112242 A JP H02112242A JP 63264189 A JP63264189 A JP 63264189A JP 26418988 A JP26418988 A JP 26418988A JP H02112242 A JPH02112242 A JP H02112242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- electrode region
- electrode
- metal wire
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置に関し、特にボンディングパラ１
くの形成位１？°ｊの改良に関するものである。
くの形成位１？°ｊの改良に関するものである。
（従来の技術）
従来の半導体装１１（〔のボンディングパ７＋−の形１
戊に関しては、同一金属電極トに１個だけ形成していた
。
戊に関しては、同一金属電極トに１個だけ形成していた
。
以ド、従来の半導体装置に−）いて説明する。
第；３図は、従来の半導体装置の組立図である。
第；３図にＪ′？いて、２】はエミッタ・リード、２２
はベース・リード、２：３はコレクタ・リ−１〜、２３
ａはチップ載１１イ部、２４はエミッタ・ボンディング
パッド、２５はベース・ボンディングパッド、２６は金
属ワイＡノー、２７はパッケージ、２８は１〜ランジス
タ素子である。。
はベース・リード、２：３はコレクタ・リ−１〜、２３
ａはチップ載１１イ部、２４はエミッタ・ボンディング
パッド、２５はベース・ボンディングパッド、２６は金
属ワイＡノー、２７はパッケージ、２８は１〜ランジス
タ素子である。。
第４図は、従来の半導体装置の１個の１−ランノ■
スタ素子の拡大図である。第４図において、２４はエミ
ッタ・ボンディングパッド、２５はベース・ボンディン
グパッド、２８は１ヘランジスタ素子、２４１はベース
電極領域、３０はエミッタ電極領域であり、ボンディン
グパッドが同一金属電極１・に１個だｃｌ形成されてい
るのがわかる。
ッタ・ボンディングパッド、２５はベース・ボンディン
グパッド、２８は１ヘランジスタ素子、２４１はベース
電極領域、３０はエミッタ電極領域であり、ボンディン
グパッドが同一金属電極１・に１個だｃｌ形成されてい
るのがわかる。
（発明が解決しようとする課題）
このような従来の構成では、Ｉ〜ランジスタ素了・を複
数個チップ載置部にいかなる方向で接着してキハいずれ
かの素子においてエミッタ・ボンディングパッドとエミ
ッタ・リードとの距離、またはベース・ボンディングパ
ッドとベース・リードとの距離のどちらかが長くなり、
そのため、そこに使用される金属ワイヤーも長くなり、
金属ワイヤーが倒れ、チップ載置部（コレクタ）と短絡
したり、また、金属ワイヤーが長いため、原価も１高く
なるという問題かぁ−】だ。
数個チップ載置部にいかなる方向で接着してキハいずれ
かの素子においてエミッタ・ボンディングパッドとエミ
ッタ・リードとの距離、またはベース・ボンディングパ
ッドとベース・リードとの距離のどちらかが長くなり、
そのため、そこに使用される金属ワイヤーも長くなり、
金属ワイヤーが倒れ、チップ載置部（コレクタ）と短絡
したり、また、金属ワイヤーが長いため、原価も１高く
なるという問題かぁ−】だ。
本発明は、このような問題点を解決するもので、金属ワ
イヤー長を最短にすること髪目的とするものである。
イヤー長を最短にすること髪目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
この問題を解決するために、本発明は、表面が第１電極
領域と第２電極領域に区分けされ、前記第２電極領域内
に複数のボンティングパッドが形成され、かつ裏面がコ
レクタ電極となった複数の１〜ランジスタ素子と、 チップ載置部を有するコレクタリードと、前記チップ載
置部の互いに直交する２辺に近接する位置にそれぞれ配
置された第１リードと第２リードとを有するリードフレ
ームと、 を備え、 前記各トランジスタ素子を、その第１電極領域が１）１
」記第１リード側に、第２電極領域が前記第１リードと
は反対の側に位置するように前記チップ載置部に接着し
、前記第１リードと１ＴＪ記第１電極領域十のボンティ
ングパッドとを金属ワイヤーで接続するとともに、前記
第２電極領域−［−に形成した複数のボンディングパッ
ドのうち、前記第２１１−に最も近いボンティングパッ
ドと前記第２リーＩ〜とを金属ワイヤーで接続すること
により、金：匁 属ワイヤー長を最短にする構成を有している。。
領域と第２電極領域に区分けされ、前記第２電極領域内
に複数のボンティングパッドが形成され、かつ裏面がコ
レクタ電極となった複数の１〜ランジスタ素子と、 チップ載置部を有するコレクタリードと、前記チップ載
置部の互いに直交する２辺に近接する位置にそれぞれ配
置された第１リードと第２リードとを有するリードフレ
ームと、 を備え、 前記各トランジスタ素子を、その第１電極領域が１）１
」記第１リード側に、第２電極領域が前記第１リードと
は反対の側に位置するように前記チップ載置部に接着し
、前記第１リードと１ＴＪ記第１電極領域十のボンティ
ングパッドとを金属ワイヤーで接続するとともに、前記
第２電極領域−［−に形成した複数のボンディングパッ
ドのうち、前記第２１１−に最も近いボンティングパッ
ドと前記第２リーＩ〜とを金属ワイヤーで接続すること
により、金：匁 属ワイヤー長を最短にする構成を有している。。
（作 用）
この構成により、金属ワイヤー長は最短になＩｌ、金属
ワイヤーの倒れによるコレクタ部との短絡不良は低減さ
れ、また、金属ワイヤーの使用１１（、も減り、原価を
低減することができろ。
ワイヤーの倒れによるコレクタ部との短絡不良は低減さ
れ、また、金属ワイヤーの使用１１（、も減り、原価を
低減することができろ。
（実施例）
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の実施例にｊ′？けろ゛Ｉ′机ｆ体装
置の組立図を示すものである。同図に才ｊいて、１はエ
ミッタ・リード１２はベース・リ−１く、：３はコレク
タ・リード、：３ａはチップ載置部、４はエミッタ・ボ
ンディングパッド．５は金属ワイヤー６はパッケージ、
７は＋−ランシスタ素子、８はベース・ボンディングバ
ット（１）であり、９はベス・ボンディングパット（２
）である。
置の組立図を示すものである。同図に才ｊいて、１はエ
ミッタ・リード１２はベース・リ−１く、：３はコレク
タ・リード、：３ａはチップ載置部、４はエミッタ・ボ
ンディングパッド．５は金属ワイヤー６はパッケージ、
７は＋−ランシスタ素子、８はベース・ボンディングバ
ット（１）であり、９はベス・ボンディングパット（２
）である。
第２図は、本発明の実施例における゛１Δ導体装置の１
個の１〜ランジスタ素子の拡大図である１、同図におい
て、４はエミッタ・ボンデインクバラ１へ、７は１〜ラ
ンジスタ素子、８はベース・ボンデインクバラＦ（１）
、９はベース・ボンディングパッド（２）、１０はベー
ス電極領域であり、１１はエミッタ電極領域である。
個の１〜ランジスタ素子の拡大図である１、同図におい
て、４はエミッタ・ボンデインクバラ１へ、７は１〜ラ
ンジスタ素子、８はベース・ボンデインクバラＦ（１）
、９はベース・ボンディングパッド（２）、１０はベー
ス電極領域であり、１１はエミッタ電極領域である。
以十のように、本実施例によれば、ベース電極領域１０
内に複数のボンディングパッド８，９を形成することに
より、チップ載置部３ａ１・の全てのトランジスタ索了
７において、金属ワイヤー５でベース・リード２とベー
ス電極領域とを接続する際に、ベース・リ−１＜ ２に
最も近いボンディングパッドを使用し、金属ワイヤー長
を最短にすることができる。
内に複数のボンディングパッド８，９を形成することに
より、チップ載置部３ａ１・の全てのトランジスタ索了
７において、金属ワイヤー５でベース・リード２とベー
ス電極領域とを接続する際に、ベース・リ−１＜ ２に
最も近いボンディングパッドを使用し、金属ワイヤー長
を最短にすることができる。
なお、実施例において、１，４．、ＩＩをエミッタとし
、２，８．９．１０をベースとしたが、１，４゜１１を
ベース、２，８，９．１０をエミッタとしてもよい、。
、２，８．９．１０をベースとしたが、１，４゜１１を
ベース、２，８，９．１０をエミッタとしてもよい、。
（発明の効果）
以１−のように本発明は、第２電極領域内に複数のボン
ティングパッドを形成することにより、金属ワイヤー長
を最少（！にすることができる優れた半導体装置を実現
できるものである。
ティングパッドを形成することにより、金属ワイヤー長
を最少（！にすることができる優れた半導体装置を実現
できるものである。
第１図は本発明の実施例における甲、導体装Ｍ＋’、の
組立図、第２図は本発明の実施例における゛１４導体装
置の１個の１〜ランジスタ素子の拡大図、第３１！１は
従来の半導体装同の組−’／、ｌン１、第４図は従来の
゛Ｉ″導体装置の１個のトランジスタ素子の拡大図であ
る。 １・・・エミッタ・リード、 ２ ・ベース・リード
、 ３ コレクタ・リード、 ：３８・チップ載置
部、 ４・エミッタ・ボンディングバラ１−１ ５ 金
属ワイヤー、 ６パツケージ、 ７・ トランジスタ
素子、８・・・ベース・ボンディングパソド（１）、９
・・・ベース・ボンデインクハラＦ Ｃ２）、１０・・
ベース電極領域、 １１・・エミッタ電極領域。 特許出願人 松ド電子工業株式会社
組立図、第２図は本発明の実施例における゛１４導体装
置の１個の１〜ランジスタ素子の拡大図、第３１！１は
従来の半導体装同の組−’／、ｌン１、第４図は従来の
゛Ｉ″導体装置の１個のトランジスタ素子の拡大図であ
る。 １・・・エミッタ・リード、 ２ ・ベース・リード
、 ３ コレクタ・リード、 ：３８・チップ載置
部、 ４・エミッタ・ボンディングバラ１−１ ５ 金
属ワイヤー、 ６パツケージ、 ７・ トランジスタ
素子、８・・・ベース・ボンディングパソド（１）、９
・・・ベース・ボンデインクハラＦ Ｃ２）、１０・・
ベース電極領域、 １１・・エミッタ電極領域。 特許出願人 松ド電子工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 表面が第１電極領域と第２電極領域に区分けされ、前記
第２電極領域内に複数のボンディングパッドが形成され
、かつ裏面がコレクタ電極となった複数のトランジスタ
素子と、 チップ載置部を有するコレクタリードと、前記チップ載
置部の互いに直交する２辺に近接する位置にそれぞれ配
置された第１リードと第２リードとを有するリードフレ
ームと、 を備え、 前記各トランジスタ素子を、その第１電極領域が前記第
１リード側に、第２電極領域が前記第１リードとは反対
の側に位置するように前記チップ載置部に接着し、前記
第１リードと前記第１電極領域上のボンディングパッド
とを金属ワイヤーで接続するとともに、前記第２電極領
域上に形成した複数のボンディングパッドのうち、前記
第２リードに最も近いボンディングパッドと前記第２リ
ードとを金属ワイヤーで接続したことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264189A JPH02112242A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264189A JPH02112242A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02112242A true JPH02112242A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17399714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63264189A Pending JPH02112242A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02112242A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6049126A (en) * | 1995-12-14 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Semiconductor package and amplifier employing the same |
| KR20020026026A (ko) * | 2000-09-30 | 2002-04-06 | 한백상 | 실내 바닥 청소장치 |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP63264189A patent/JPH02112242A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6049126A (en) * | 1995-12-14 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Semiconductor package and amplifier employing the same |
| KR20020026026A (ko) * | 2000-09-30 | 2002-04-06 | 한백상 | 실내 바닥 청소장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6271582B1 (en) | Interdigitated leads-over-chip lead frame, device, and method for supporting an integrated circuit die | |
| EP0590986A1 (en) | Lead-on-chip inner lead bonding lead frame, bonding method and apparatus | |
| US6052289A (en) | Interdigitated leads-over-chip lead frame for supporting an integrated circuit die | |
| JPH04155954A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6249635A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0821668B2 (ja) | 立設実装形半導体装置 | |
| JPS63152161A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6020936Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2973712B2 (ja) | 平行平板型コンデンサの電極取り付け構造 | |
| JPS5874048A (ja) | 半導体集積回路の実装方式 | |
| JP2629461B2 (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| JPH0414250A (ja) | ワイヤボンディングリード | |
| JPH07114217B2 (ja) | テープキャリア方式の半導体装置 | |
| JPH0637234A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6076148A (ja) | チツプキヤリヤ | |
| JPH0536890A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6025243A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59145047U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60147126A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62219936A (ja) | 電子素子 | |
| JPH04287961A (ja) | リードフレーム | |
| JPH01239962A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5858354U (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPS63153832A (ja) | 半導体装置のワイヤボンデイング構造 | |
| JPH04196258A (ja) | リードフレーム |