JPH0283965A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH0283965A JPH0283965A JP63234850A JP23485088A JPH0283965A JP H0283965 A JPH0283965 A JP H0283965A JP 63234850 A JP63234850 A JP 63234850A JP 23485088 A JP23485088 A JP 23485088A JP H0283965 A JPH0283965 A JP H0283965A
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- JP
- Japan
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- layer
- polycrystalline silicon
- resistor
- schottky barrier
- barrier diode
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 16
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ポリシリコン抵抗と該ポリシリコン抵抗に直
接接続するショットキーバリアダイオドを備えた半導体
集積回路に関するものである。
接接続するショットキーバリアダイオドを備えた半導体
集積回路に関するものである。
第５図、第６図はそれぞれ従来の半導体集積回路におけ
るポリシリコン抵抗、ショットキーバリアダイオードの
構造の一例を示す。
るポリシリコン抵抗、ショットキーバリアダイオードの
構造の一例を示す。
図において１はｎ−エピタキシャル層、２は低濃度ポリ
シリコン層、３は５ｉ０２膜、４は高濃度ポリシリコン
層、５Ｈｐアインレ一シヨン拡散層、６はｎ−を散層、
７はＡｔ膜である。
シリコン層、３は５ｉ０２膜、４は高濃度ポリシリコン
層、５Ｈｐアインレ一シヨン拡散層、６はｎ−を散層、
７はＡｔ膜である。
ポリシリコン抵抗は、ｎ−エピタキシャル層１上にポリ
シリコン層を生成、低濃度のイオン打込みを行い、抵抗
体とする低濃度ポリシリコン層２を形成し、抵抗体２の
両端にＡｔ膜７を高濃度７リシリコ、ン層４を挿んで接
着し、オーミック接続させて電極を形成したものであり
、ショットキー・シリアダイオードは、Ｐ”フインレー
ション拡散層５に囲われたアイランド内のｎ−エピタキ
シャル層１にＡｔ ７、ｐｔなどを接触させたものであ
る。
シリコン層を生成、低濃度のイオン打込みを行い、抵抗
体とする低濃度ポリシリコン層２を形成し、抵抗体２の
両端にＡｔ膜７を高濃度７リシリコ、ン層４を挿んで接
着し、オーミック接続させて電極を形成したものであり
、ショットキー・シリアダイオードは、Ｐ”フインレー
ション拡散層５に囲われたアイランド内のｎ−エピタキ
シャル層１にＡｔ ７、ｐｔなどを接触させたものであ
る。
従来、半導体集積回路で、ポリシリコン抵抗とショット
キーバリアダイオードを直列に直接接続する場合、上記
構造のポリシリコン抵抗とショットキーバリアダイオー
ドをＡｔ配線で接続する構造を採ってきた。
キーバリアダイオードを直列に直接接続する場合、上記
構造のポリシリコン抵抗とショットキーバリアダイオー
ドをＡｔ配線で接続する構造を採ってきた。
従来のポリシリコン抵抗とショットキーバリアダイオー
ドを直接接続した回路部分で、直接接続するメリットが
取り入れられておらず、ショットキーパリアダイオード
を他の素子と分離するためのアイソレーション拡散層５
が、省スペース化の障害となっていた。
ドを直接接続した回路部分で、直接接続するメリットが
取り入れられておらず、ショットキーパリアダイオード
を他の素子と分離するためのアイソレーション拡散層５
が、省スペース化の障害となっていた。
本発明は、上記の問題を解消するためＫなされたもので
、上記回路の省スペース化を計り、集積度を上げること
を目的とする。
、上記回路の省スペース化を計り、集積度を上げること
を目的とする。
本発明は、ポリシリコン抵抗の抵抗体の低ｉｊ１度ポリ
シリコン層をショットキー・マリアグイオードの半導体
領域層とすることで、ショットキーバリアダイオードを
他の素子と分離するアイソレーション拡散層を必要とし
なくしたものである。
シリコン層をショットキー・マリアグイオードの半導体
領域層とすることで、ショットキーバリアダイオードを
他の素子と分離するアイソレーション拡散層を必要とし
なくしたものである。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例の構造を
示し、各符号は第５図、第６図の同一符号と同一または
相当する部分を示す。
示し、各符号は第５図、第６図の同一符号と同一または
相当する部分を示す。
ｎ−エピタキシャル層１上に、ポリシリコン抵抗の抵抗
体とする低濃度ポリシリコン層２を形成し、この低濃度
プリシリコン層２の一方のコンタクト部を高濃度−リシ
リコン層４を挿んでＡｔ膜７にオーミック接続させ、も
う一方のコンタクト部では、低濃度ポリシリコン層２を
直接Ａｔ膜７に接触させ、ショットキーバリアダイオー
ドを形成したものである。
体とする低濃度ポリシリコン層２を形成し、この低濃度
プリシリコン層２の一方のコンタクト部を高濃度−リシ
リコン層４を挿んでＡｔ膜７にオーミック接続させ、も
う一方のコンタクト部では、低濃度ポリシリコン層２を
直接Ａｔ膜７に接触させ、ショットキーバリアダイオー
ドを形成したものである。
上記構造にすること釦よって、ポリシリコン抵抗の領域
だけですみ、ショットキルバリアダイオード用の領域が
必要でなくなり、大幅な省スに一スになる。
だけですみ、ショットキルバリアダイオード用の領域が
必要でなくなり、大幅な省スに一スになる。
第２図は第１図に示す部分の構成回路を示す。
第３図は入力端子サージ保護回路の一例を示し、第４図
は第３図に示す回路に本発明を適用した実施例を示し、
各符号ｆ′ｉ第１図の同一符号が示す部分に相当する部
分を示す。
は第３図に示す回路に本発明を適用した実施例を示し、
各符号ｆ′ｉ第１図の同一符号が示す部分に相当する部
分を示す。
従来の場合に比べ、狭い領域にサージ保護回路を実現で
きる。
きる。
以上説明したように、本発明によれば、従来のものに比
べ、かなり狭い領域に抵抗とショットキーバリアダイオ
ードを直接接続する回路部分を実現でき、集積度を上げ
ることができるという効果がある。
べ、かなり狭い領域に抵抗とショットキーバリアダイオ
ードを直接接続する回路部分を実現でき、集積度を上げ
ることができるという効果がある。
９４１図（ａｌ 、 （ｂ） ＃ｉ本発明の一実施例を
示す平面図、断面図、第２図は第１図に示す部分の構成
回路を示す回路図、第３図は入力端子サージ保護回路の
一例を示す回路図、第４図＆″ｉ第３図忙示す回路に本
発明を適用しｆｃ実施例を示す平面図、第５図、第６図
はそれぞれ従来の半導体集積回路における、４ リシリ
コン抵抗、ショットキーバリアダイオードの構造の一例
を示す断面図である。 １・・・ｎ〜エピタキシャル層、２・・・低濃度ポリシ
リコン層、３・・・Ｓ＋０２Ｍ、４・・・高濃度ポリシ
リコン層、５・・・ｐ＋アイソレーション拡牧層、６・
・・ｎ＋拡散層、７・・・Ａｔ膜 なお図中同一符号は同一または相当する部分を示す。 １ｎ−エピタキシャル層 ｊ１１図 ＋キーーー 第２図 特許出願人 新日本無線株式会社 毒 第３図
示す平面図、断面図、第２図は第１図に示す部分の構成
回路を示す回路図、第３図は入力端子サージ保護回路の
一例を示す回路図、第４図＆″ｉ第３図忙示す回路に本
発明を適用しｆｃ実施例を示す平面図、第５図、第６図
はそれぞれ従来の半導体集積回路における、４ リシリ
コン抵抗、ショットキーバリアダイオードの構造の一例
を示す断面図である。 １・・・ｎ〜エピタキシャル層、２・・・低濃度ポリシ
リコン層、３・・・Ｓ＋０２Ｍ、４・・・高濃度ポリシ
リコン層、５・・・ｐ＋アイソレーション拡牧層、６・
・・ｎ＋拡散層、７・・・Ａｔ膜 なお図中同一符号は同一または相当する部分を示す。 １ｎ−エピタキシャル層 ｊ１１図 ＋キーーー 第２図 特許出願人 新日本無線株式会社 毒 第３図
Claims (1)
- ポリシリコン抵抗と、該ポリシリコン抵抗の抵抗体の低
濃度ポリシリコン層の一方のコンタクト部に低濃度ポリ
シリコン層表面に直接金属を接触させて形成したショッ
トキーバリアダイオードを備えた半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234850A JPH0283965A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234850A JPH0283965A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0283965A true JPH0283965A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=16977335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63234850A Pending JPH0283965A (ja) | 1988-09-21 | 1988-09-21 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0283965A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008177466A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置およびその表示装置を備えた電子機器 |
-
1988
- 1988-09-21 JP JP63234850A patent/JPH0283965A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008177466A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置およびその表示装置を備えた電子機器 |
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