JPH0284017A - サージ電圧制限回路 - Google Patents

サージ電圧制限回路

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JPH0284017A
JPH0284017A JP21846889A JP21846889A JPH0284017A JP H0284017 A JPH0284017 A JP H0284017A JP 21846889 A JP21846889 A JP 21846889A JP 21846889 A JP21846889 A JP 21846889A JP H0284017 A JPH0284017 A JP H0284017A
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surge
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thyristor
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Akira Tomono
明 伴野
Tadahiro Nagayama
長山 忠洋
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、′Mサージなどの過電圧から装置を防護する
ためのサージ電圧制限回路に関するものである。
従来、雷サージ防護素子としては放電形避雷器が使用さ
れたきた。しかし、放電形避雷器は放電電圧にばらつき
があることから、これに伴って線間に高電圧の横サージ
が発生することがあり、電子化された装置では、横サー
ジによって破壊、誤動作が問題になる。このため横サー
ジを吸収すべく、本発明者らは、先に、ダイオードブリ
ッジと電圧制限素子とサイリスタを主たる構成要素とす
る防護回路を発明した(特願昭55−086499号)
第1図は、前記発明の一実施例である。図において、l
−1〜1−4は線路、 2−1.2−2は放電形避″M
器。
3−1.3−2はダイオードブリッジ、4はバリスタな
どの電圧制限素子、5はサイリスタ、6,7.8はコン
デンサ、9は定電圧ダイオード、10は抵抗。
11は通信装置、 12は電圧制限回路である。動作原
理を簡単に説明する。任意の線間に発生した横サージは
3−1.3−2で極性が一定化され、電圧制限回路12
に印加される。電圧制限回路12は、横サージが印加さ
れると、まず、コンデンサ6がサージ波形の立上りをわ
ずかに鈍らせ、電圧制限素子4の動作電圧まで上昇する
。ここで、コンデンサ6は信号には影響のない静電容量
の小さなものである。
電圧制限素子4が動作すると大きな静電容量のコンデン
サ7によって波形の立上りは大きく鈍り、電圧制限素子
4の動作電圧と定電圧ダイオード9の動作電圧の和の電
圧まで上昇する。ここで、定電圧ダイオード9が動作す
るとコンデンサ8に電流が流れ、この電流がサイリスタ
5のゲートトリガ電流より大きい場合にサイリスタ5は
点弧し、サージ電圧は電圧制限素子4の動作電圧にまで
低下する。第2図はサージ吸収波形例を示す。図におい
て、13は印加サージ波形、14はサージ吸収波形、V
Vmは電圧制限素子4の動作電圧、 VffiDは。
定電圧ダイオード9の動作電圧である。
この回路では、コンデンサ7は波形の立上りを鈍らせる
ために静電容量の大きなものを用いるので、波形の立上
りが早く高電圧のサージの場合。
定電圧ダイオード9が動作するまでに電圧制限素子4に
流れる電流は数10Aと大きくなることがある。一方、
バリスタ、定電圧ダイオードなどの電圧制限素子は動作
領域で微分抵抗をもつので、コンデンサ7に流れる電流
によって電圧制限素子4の動作電圧は増大することにな
る。第3図は、代表的なバリスタの動作抵抗を示すもの
である。?11圧制限索子4の動作電圧が増大すると、
定電圧ダイオード9が動作するときの電圧制限回路12
の電圧も増大することになる。第4図の破線は、印加サ
ージ電圧に対する電圧制限回路I2の最大制限電圧特性
を示すものである。印加サージ電圧が増加すると、すな
わち、サージの立上りが速くなるとコンデンサ7に流れ
る電流は増大するので、これに伴い最大制限電圧も上昇
する様子がわかる。
この原因は、波形の立上りを鈍らせるコンデンサ7の回
路と、定電圧ダイオード9とコンデンサ8から成るサイ
リスタのゲート回路が、共に電圧f11限素子4に接続
されているため、コンデンサ7に流れる電流によって、
電圧制限素子4の動作電圧が上昇すると、その上昇分だ
け定電圧ダイオード9の動作が遅れることにある。
本発明は、サージの立上りを鈍らせるコンデンサを直列
に含む回路とサイリスタのゲートにトリガ電流を供給す
る回路を別々に構成し、これらを並列に接続することに
よって、立上り峻度抑制回路に流れる電流が変化しても
、サイルスタのゲート回路には、はぼ一定の電圧でゲー
トトリガ電流が供給され、低く安定した最大制限電圧特
性が得られるようにしたものである。
第5図は1本発明の一実施例である。同図において、4
は第1の電圧制限素子で、サージ電流1鼠の大きいバリ
スタ等が用いられる。4の動作電圧は電話の直流電圧で
ある48Vを僅かに超える電圧である。5はサイリスタ
である。4と5で主サージ吸収回路を構成する。34は
第2の電圧制限素子である定電圧ダイオードで、動作電
圧は電話のハウラ信号音電圧である約140vを僅かに
超えるものとする。8はコンデンサで0.1μF程度と
する。
34と8の直列回路がサイリスタのゲート点弧回路を成
す、また、32は動作電圧が電話の絶縁試験電圧である
250vを僅かに超える定電圧ダイオードであり、もう
1つのゲート点弧回路を成す。15は定電圧ダイオード
で、動作電圧は電話の直流電圧では48Vを僅かに超え
る電圧である。16は0.5μF程度のコンデンサであ
る。15と16でサージ電圧立ち上がり峻度制限回路を
構成する。 17は静電容量の小さなコンデンサ、36
はサイリスタ5が点弧する際、コンデンサ16の電荷を
放電するための抵抗、37はコンデンサ8の電荷を放電
するための抵抗、38は定電圧ダイオード34が動作す
る前にコンデンサ8に変位電流を流さないためのダイオ
ードで。
バリスタ4が動作したとき4から8へ流れるようとする
電流を阻止する。18はサイリスタ5が動作しなかった
とき、コンデンサ8および16の電荷を放電させるため
の抵抗で、電話の絶縁試験に影響しないようにIMΩ以
上の抵抗値のものである。
回路動作の詳細な説明に先立って、本実施例のねらいに
ついて述べる0本発明は、前述のように。
雷サージ等の過電圧から主として電子化された電子機器
を防護するための回路である。電子機器は過電圧に対し
て破壊されやすいため、電話で使用する信号電圧以外の
電圧はできるだけ低い電圧に制限することが望ましい、
電話には、従来より知られでいるように次の信号がある
■通話信号:電圧48V以下9周波数は数kl(z。
■ハウラ信号:@圧は140V、周波数は4001−1
x。
■回線絶縁試験電圧:ttt圧は250■、直流で印加
されIMΩ以上の抵 抗値が必要。
一方、回線に侵入するサージは雷サージに代表されるが
、電圧は数kV、時間は数声〜1@s(周波数に換算し
て約100014z以上)である、従って、信号に影響
せずサージのみを効率より吸収するための回路の目標と
しては、 ■400 f(z以上の電圧に対しては、できれば14
(IV以上でかつできるだけ低い電圧が動作すること。
また、少くとも250vを僅かに超える電圧が動作する
こと。
■直流に対しては、250V以下で動作しないこと。
である0本実施例がこの条件を満たすことを、従来の回
路(第1図)との比較において、以下に述べる。
第5図において、9!明の主たる部分は、4と5からな
る主サージ吸収回路と、定電圧ダイオード34とコンデ
ンサ8から成るサイリスタゲート回路である。なお、第
1図の従来の回路ではバリスタ4と定電圧ダイオード9
とコンデンサ8の直列回路によりゲート回路が構成され
ている。
動作を以下に述べる。第5図において、ゲート回路には
直列にコンデンサが入っているため、サージ吸収回路の
両端に直流が印加されてもサイリスタ5は動作せず回路
は不導通である。従って。
上記の250 Vの絶縁試験は問題ない、一方、サージ
が加わった場合には、コンデンサ8に変位定流が流れる
ため、この電流がサイリスタのゲートオン電流以上であ
ればサイリスタは導通する。サイリスタのターンオン時
間は従来良く知られたようにゲート電流に依存する。即
ち、ゲート電流が大きくなる程高速にオンする。サージ
吸収用サイリスタでは高速な動作が望ましいためグー1
〜電流は比較的高くなる1本実施例の場合には、loO
mA程度の電流が必要である。サージが印加されたとき
、このゲートオン電流をできるだけ少ない遅れ時間で如
何に供給できるかがサージ吸収回路の特性を決める重要
な要素である。
本実施例では、ゲート回路は定電圧ダイオード34とコ
ンデンサ8を用いている。定電圧ダイオードは、サージ
電流耐量は小さいが、動作電圧近傍のインピーダンスは
低い利点がある。具体的には、動作電圧が140V程度
の定電圧ダイオードの場合、100mA程度の通電によ
る電圧降下は数■である。
従って、サージ電圧が140vを僅かに超えると。
サイリスタのゲートには速やかに十分な電流が流れる。
少しの遅れ時間の後サイリスタは点弧する。
サイリスタが点弧すると、主サージ吸収回路が動作する
ので、サージ電流はバリスタ4とサイリスタ5を通過す
る。従ってサージ電圧はバリスタ4の電圧に制限される
。バリスタ4は第3図に示したように動作電圧近傍でサ
ージインピーダンスが高い欠点であるが、サージ電流耐
量が高いため大電流を流せる利点がある。48■を僅か
に超えるような電圧(例えば70〜80v)で動作する
バリスタを選ぶと、100A程度のサージ電流が流れた
場合の電圧降下は第3図より約2倍の電圧降下140〜
160■となる。このように1本実施例によれば、14
0■を僅かに超えた電圧で主サージ吸収回路が動作し、
サージ電圧を160V程度以下に制限する。
一方、第1図に示す従来の回路では、ゲート回路に主サ
ージ回路を硝酸するバリスタ4が用いられている。即ち
、サイリスタを点弧させるためには、4と9が動作しな
ければならない。バリスタ4は第3図に示し、また上記
のように動作電圧近傍のインピーダンスが高い欠点があ
る。従って。
サイリスタの動作に必要な100mAのflL流が流れ
る間にバリスタの電圧は第3図に示すように数10%上
昇する。更に、サイリスタが点弧するまでの遅れ時間に
バリスタの電圧は更に上昇する。このようにして、サー
ジ電圧が上がるに従って、即ち波形の立ち上がりが急峻
になるに従って、吸収電圧は第4図の破線で示すように
上昇ることとなる。
次に、第5図に示す本実施例の回路構成の機能について
第6図を用いて説明する。第6図は第5図の回路の動作
によるサージ吸収波形を示すものである(第6図はサー
ジ電流が50A程度の場合である)、第6図において、
13はサージ電圧である。
サージが加わると、先ずコンデンサ17と16の直列回
路が動作し波形を少し鈍らせる。サージ電圧が定電圧ダ
イオード15の動作電圧(48vを僅かに超える電圧)
に達すると、定電圧ダイオード15と静電容量の大きな
コンデンサ16の直列回路が動作し波形を大きく鈍らせ
る。更に電圧が上昇し、定電圧ダイオード34が、14
0Vを僅かに超える電圧で動作すると、サイリスタのゲ
ートに電流が流れ。
少しの遅れの時間の後サイリスタ5は動作する。
サイリスタ5が動作するとバリスタ4にサージ電流が流
れる。サージ電流が50A程度とすると、第3図より制
限電圧はバリスタの動作電圧の1.5倍程度となる。即
ち、動作電圧が70〜80vのバリスタを用いている制
限電圧は120V程度に下がる。
第3図でV vatの電圧である。また、サイリスが導
通すると、コンデンサ8に充電された電荷は3B。
37.5の経路で放電される。更に、コンデンサ16に
充電された電荷は15,4.5の経路で放電される。サ
ージが去ると1本回路に印加される電圧は電話の直流電
圧のみとなる。即ち、48v程度となるためバリスタ4
はオフ状態になる。従って、サイリスタ5には電流が流
れなくなり、サイリスタもオフ状態に戻る。
第5図の回路において、32は250 Vを僅かに超え
る電圧が動作する定電圧ダイオードである。この回路は
1例えば、電話回路にサージ以外の直流の過電圧が印加
された場合等に1本回路を動作状態にし、電子化電子機
器を防護するためのものである。
本発明において、第2の電圧制限素子は1つの定電圧ダ
イオードとは限る必要はなく、複数の定電圧ダイオード
を直列に接続してもよい、第7図はこのような実施例で
ある。第7図において、9は定電圧ダイオードである。
9の動作電圧は15と9の直列回路の動作電圧が140
 Vを僅かに超えるように設定する。即ち、定電圧ダイ
オード15の動作電圧を60v程度とすると、定電圧ダ
イオード9は80v程度で動作するように設定する。ゲ
ート回路は15と30と31と33と9と8の直列回路
で構成される。動作は第5図と同様であるので簡単に説
明する。先ず、サージが加わると、15と16の直列回
路が動作し波形を鈍らせる0次に、電圧が140vを僅
かに超えると上記のゲート回路が動作し、サイリスタが
導通し、バリスタの制限電圧になる。
本発明は、サージの立ち上がりを低い電圧で鈍らせるこ
とができ、また、印加サージ電圧が上昇しても最大制限
電圧を低く抑えることができるため、低い電圧がサージ
電圧を制限する必要があるPNPNスイッチを使用する
通信装置へ適用した場合、信頼性向上に効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のサージ防護回路、第2図は第1図のサー
ジ吸収波形、第3図はバリスタの電圧・電流特性、第4
図は最大制限電圧特性、第5図は本発明の一実施例、第
6図は第5図のサージ吸収波形、第7図は本発明の他の
実施例である。 1−1〜1−4・・・線路、  2−1.2−2・・・
放電形避雷器、3−1.3−2・・・ダイオードブリッ
ジ、 4 ・・・電圧制限素子(バリスタ)、5 ・・
・サイリスタ、  6.7.8.16.17・・・コン
デンサ、  9 、15.32.34・・・電圧制限素
子(定電圧ダイオード)、10.1g。 30、33.36.37・・・抵抗、11・・・通信装
置、12・・・電圧制限回路、13・・・印加サージ波
形、14・・・サージ吸収波形、31、15.38・・
・ ダイオード。 特許出願人 日本電信電話株式会社 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 ” 2VV’lll 第 図 岬faブーシ゛(番■) 第 ア 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1の電圧制限素子(4)と該素子に直列に接続された
    サイリスタ(5)とからなる主サージ吸収回路と、前記
    サイリスタの点弧回路と、を有するサージ吸収回路であ
    って、前記点弧回路は、該動作開始電圧が前記第1の電
    圧制限素子の制限電圧よりも高い第2の電圧制限素子(
    34)とコンデンサ(8)の直列回路を有して構成され
    、前記点弧回路は、一端が前記第1の電圧制限素子のサ
    イリスタが接続されていない側の端子に接続され、他端
    が前記サイリスタのゲート端子に接続されていることを
    特徴とするサージ電圧制限回路。
JP21846889A 1989-08-28 1989-08-28 サージ電圧制限回路 Granted JPH0284017A (ja)

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JP21846889A JPH0284017A (ja) 1989-08-28 1989-08-28 サージ電圧制限回路

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JPH0284017A true JPH0284017A (ja) 1990-03-26
JPH0368619B2 JPH0368619B2 (ja) 1991-10-29

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