JPH0285375A - スタンパー製造方法 - Google Patents
スタンパー製造方法Info
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- JPH0285375A JPH0285375A JP63234034A JP23403488A JPH0285375A JP H0285375 A JPH0285375 A JP H0285375A JP 63234034 A JP63234034 A JP 63234034A JP 23403488 A JP23403488 A JP 23403488A JP H0285375 A JPH0285375 A JP H0285375A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、微少凹凸（以下ピットと称する）を有する光
ディスク等の情報記録円盤を製造するために用いられる
ビットを担持した型円盤であるスタンパーの製造方法に
関する。
ディスク等の情報記録円盤を製造するために用いられる
ビットを担持した型円盤であるスタンパーの製造方法に
関する。
背景技術
従来のスタンパーの製造方法としては、第３図のフロー
チャートに示す工程８１〜Ｓ７を有する所謂銀スパッタ
法が知られている。
チャートに示す工程８１〜Ｓ７を有する所謂銀スパッタ
法が知られている。
まず、露光現像工程Ｓ１において、第４図（ａ）に示す
如き、ビットを有するフォトレジスト層２とガラス原盤
１とからなる現像原盤を得る。
如き、ビットを有するフォトレジスト層２とガラス原盤
１とからなる現像原盤を得る。
次に、ポストベイク工程Ｓ２において、かかる現像原盤
のフォトレジスト層２を乾燥させガラス原盤１上に定着
させて、第４図（ｂ）に示す如き乾燥した原盤を得る。
のフォトレジスト層２を乾燥させガラス原盤１上に定着
させて、第４図（ｂ）に示す如き乾燥した原盤を得る。
次に、銀スバツタ工程Ｓ３において、銀によりスパッタ
リングを施し、フォトレジスト層２上に銀導電膜３を形
成して、第４図（ｃ）に示す如き積層された原盤を得る
。このように、ビットを有するフォトレジスト層上にス
パッタリングすることによりフォトレジスト層上を導電
化する。
リングを施し、フォトレジスト層２上に銀導電膜３を形
成して、第４図（ｃ）に示す如き積層された原盤を得る
。このように、ビットを有するフォトレジスト層上にス
パッタリングすることによりフォトレジスト層上を導電
化する。
次に、電鋳工程Ｓ４において、ニッケル（Ｎｆ）を銀導
＠Ｉｌｔ＋３上にメッキして肉厚のニッケル層４すなわ
ちニッケルスタンパ−を形成して、第４図（ｄ）に示す
如き構成のものを得る。
＠Ｉｌｔ＋３上にメッキして肉厚のニッケル層４すなわ
ちニッケルスタンパ−を形成して、第４図（ｄ）に示す
如き構成のものを得る。
次に、スタンパー分離工程Ｓ５においては、第４図（ｅ
）に示す如くニッケル層４であるスタンパーをガラス原
盤１から分離する。
）に示す如くニッケル層４であるスタンパーをガラス原
盤１から分離する。
次に、フォトレジスト剥離工程Ｓ６においてニッケル層
４上に残ったフォトレジスト層２を剥離して、第４図（
ｆ）に示す如き構成のものを得る。
４上に残ったフォトレジスト層２を剥離して、第４図（
ｆ）に示す如き構成のものを得る。
フォトレジスト剥離にはアルカリ溶液または市販の有機
溶剤が用いられている。
溶剤が用いられている。
最後に、銀剥離工程Ｓ７において銀導電膜３をニッケル
層４から剥離して、第４図（ｇ）に示す如きニッケルス
タンパーを得る。
層４から剥離して、第４図（ｇ）に示す如きニッケルス
タンパーを得る。
しかしながら、従来の銀スパッタ法においては、銀が電
鋳工程中において腐食しやすい故に、腐食された四部が
信号欠陥の原因となる。形成された銀導電膜の表面が荒
くなるために、すべての電気信号のＳ／Ｎが悪くなり、
例えばビデオ光ディスクとした場合のその再生画面が劣
化するという欠点があった。
鋳工程中において腐食しやすい故に、腐食された四部が
信号欠陥の原因となる。形成された銀導電膜の表面が荒
くなるために、すべての電気信号のＳ／Ｎが悪くなり、
例えばビデオ光ディスクとした場合のその再生画面が劣
化するという欠点があった。
発明の概要
本発明はこのような従来のスタンパー製造方法の欠点を
除去するためになされたもので、本発明の目的は、銀導
電膜の電鋳中の腐食を防ぎフォトレジストが容易に除去
可能なスタンパー製造方法を提供することである。
除去するためになされたもので、本発明の目的は、銀導
電膜の電鋳中の腐食を防ぎフォトレジストが容易に除去
可能なスタンパー製造方法を提供することである。
本発明のスタンパー製造方法は、情報信号に対応する微
少凹凸を有する原盤上に第１の金属を物理蒸着法によっ
て積層して剥離容易な第１導電層を形成する第１導電層
形成工程と、 前記第１導電層上に第１の金属に対して剥離の容易な第
２の金属を物理蒸着法によって積層して第２導電層を形
成する第２導電層形成工程と、前記第２導電層上に前記
第２の金属を電鋳によりメッキしてスタンパー基板を形
成する電鋳工程と、 前記原盤から前記スタンパー基板を第１及び第２導電層
とともに分離するスタンパー基板分離工程と、 前記スタンパー基板から前記第１導電層を剥離する第１
導電層剥離工程とを含むことを特徴とする。
少凹凸を有する原盤上に第１の金属を物理蒸着法によっ
て積層して剥離容易な第１導電層を形成する第１導電層
形成工程と、 前記第１導電層上に第１の金属に対して剥離の容易な第
２の金属を物理蒸着法によって積層して第２導電層を形
成する第２導電層形成工程と、前記第２導電層上に前記
第２の金属を電鋳によりメッキしてスタンパー基板を形
成する電鋳工程と、 前記原盤から前記スタンパー基板を第１及び第２導電層
とともに分離するスタンパー基板分離工程と、 前記スタンパー基板から前記第１導電層を剥離する第１
導電層剥離工程とを含むことを特徴とする。
発明の構成
以下に、本発明の構成を図面を参照しつつ説明する。
本発明のスタンパー製造方法は、第１図のフローチャー
トに示す工程Ｓｌｌ〜ｓ＋８を含む。
トに示す工程Ｓｌｌ〜ｓ＋８を含む。
（１）情報信号のビットを有する原盤作成工程（Ｓｎ及
びＳ＋２）： 露光現像工程ｓｎにおいて、ガラス原盤上にフォトレジ
ストを一様に塗布しフォトレジスト層を形成したものを
用意して、これを回転させつつ、記録すべき情報に応じ
て明滅するレーザビームをフォトレジスト層に照射して
露光させる。次いで、露光原盤を現像して、第２図（ａ
）に示す如きビットを有するフォトレジスト層２とガラ
ス原盤１とからなる現像原盤を得る。次に、ポストベイ
ク工程Ｓ＋２において、フォトレジスト層２を乾燥させ
ガラス原盤１上に定着させ第２図（ｂ）に示す如き乾燥
した原盤を得る。
びＳ＋２）： 露光現像工程ｓｎにおいて、ガラス原盤上にフォトレジ
ストを一様に塗布しフォトレジスト層を形成したものを
用意して、これを回転させつつ、記録すべき情報に応じ
て明滅するレーザビームをフォトレジスト層に照射して
露光させる。次いで、露光原盤を現像して、第２図（ａ
）に示す如きビットを有するフォトレジスト層２とガラ
ス原盤１とからなる現像原盤を得る。次に、ポストベイ
ク工程Ｓ＋２において、フォトレジスト層２を乾燥させ
ガラス原盤１上に定着させ第２図（ｂ）に示す如き乾燥
した原盤を得る。
（２）第１導電層形成工程（Ｓ＋３）：次に、銀スバツ
タ工程ＳＩ３においては、物理蒸着法によって例えば第
１の金属として銀によりスパッタリングを施し、フォト
レジスト層２上に第１導電層として銀導電膜３を形成し
て、第２図（ｃ）に示す如き積層された原盤を得る。
タ工程ＳＩ３においては、物理蒸着法によって例えば第
１の金属として銀によりスパッタリングを施し、フォト
レジスト層２上に第１導電層として銀導電膜３を形成し
て、第２図（ｃ）に示す如き積層された原盤を得る。
（３）第２導電層形成工程（Ｓ＋４）：さらに、ニツケ
ルスバッタ工程Ｓ＋４においては、第２の金属としてニ
ッケルによりスパッタリングを施し、銀導電膜３の上に
第２導電層としてニッケル導電膜４を形成して、第２図
（ｄ）に示す如き積層された原盤を得る。なお、第２導
電層としてのニッケルの代わりに、高導電率で高硬度を
有しかつ耐腐食性があり第１の金属に対して剥離が容易
な金属、例えばクロム等を用いることも可能である。ニ
ッケル導電膜４は、次の電鋳工程ＳＩＳにおいて電鋳液
により銀導電膜が侵されないような厚さを有するものが
望ましい。
ルスバッタ工程Ｓ＋４においては、第２の金属としてニ
ッケルによりスパッタリングを施し、銀導電膜３の上に
第２導電層としてニッケル導電膜４を形成して、第２図
（ｄ）に示す如き積層された原盤を得る。なお、第２導
電層としてのニッケルの代わりに、高導電率で高硬度を
有しかつ耐腐食性があり第１の金属に対して剥離が容易
な金属、例えばクロム等を用いることも可能である。ニ
ッケル導電膜４は、次の電鋳工程ＳＩＳにおいて電鋳液
により銀導電膜が侵されないような厚さを有するものが
望ましい。
第１及び第２の導電膜形成工程において、銀及びニッケ
ルをスパッタリングを用いた場合について説明したが、
成膜に際してスパッタリングの代わりに真空蒸着あるい
は無電解めっきなどの方法を用いてもよい。また、真空
蒸着法及びスパッタリング蒸着法等の物理蒸着法で成膜
する場合は、第１及び第２導電層形成工程の２つの工程
を１つの真空チャンバー内で行なうことができる故に、
作業時間の短縮に有効である。
ルをスパッタリングを用いた場合について説明したが、
成膜に際してスパッタリングの代わりに真空蒸着あるい
は無電解めっきなどの方法を用いてもよい。また、真空
蒸着法及びスパッタリング蒸着法等の物理蒸着法で成膜
する場合は、第１及び第２導電層形成工程の２つの工程
を１つの真空チャンバー内で行なうことができる故に、
作業時間の短縮に有効である。
（４）電鋳工程（Ｓ＋ｓ）：
次に、電鋳工程ＳＩ５においては、ニッケルをニッケル
導電膜４上にメッキしてニッケル導電膜４と一体となっ
た肉厚のニッケル層４すなわち第２の金属のニッケルス
タンパ−を銀導電膜３上に形成して、第２図（ｅ）に示
す如き構成のものを得る。
導電膜４上にメッキしてニッケル導電膜４と一体となっ
た肉厚のニッケル層４すなわち第２の金属のニッケルス
タンパ−を銀導電膜３上に形成して、第２図（ｅ）に示
す如き構成のものを得る。
（５）スタンパー分離工程（Ｓ’ｓ）：次に、スタンパ
ー分離工程Ｓ＋６においては、第２図（ｆ）に示す如く
ニッケル層４であるスタンパーをガラス原盤１から分離
する。
ー分離工程Ｓ＋６においては、第２図（ｆ）に示す如く
ニッケル層４であるスタンパーをガラス原盤１から分離
する。
（６）第１導電層剥離工程（Ｓ１２及び５１ｇ）：次に
、フォトレジスト剥離工程Ｓ＋７においてニッケル層４
上に残ったフォトレジスト層２を剥離して、第２図（ｇ
）に示す如き構成のものを得る。
、フォトレジスト剥離工程Ｓ＋７においてニッケル層４
上に残ったフォトレジスト層２を剥離して、第２図（ｇ
）に示す如き構成のものを得る。
最後に、銀剥離工程Ｓ＋８において銀導電膜、３をニッ
ケル層４から剥離して、第２図（ｈ）に示す如きスタン
パーを得る。銀剥離の方法は、アンモニア、過酸化水素
水および純水からなる処理液にスタンパーを浸して行う
。この間、超音波をかけてもよい。銀剥離の方法は、別
にこれに限定されず銀導電膜３を溶かし、ニッケル導電
膜３を侵さない処理液をも用い得る。
ケル層４から剥離して、第２図（ｈ）に示す如きスタン
パーを得る。銀剥離の方法は、アンモニア、過酸化水素
水および純水からなる処理液にスタンパーを浸して行う
。この間、超音波をかけてもよい。銀剥離の方法は、別
にこれに限定されず銀導電膜３を溶かし、ニッケル導電
膜３を侵さない処理液をも用い得る。
また、上記の第１導電層形成工程（Ｓ＋３）においては
、第１導電層としての銀の代わりに、第２導電層のニッ
ケル、クロム等の金属を侵さずに除去できかつかかる金
属に対して剥離が容易な金属、例えば銅、アルミニウム
、亜鉛等を用い得る。また、銀導電膜等の第１導電層は
フォトレジストを除去するために設けられているから少
なくともピットの信号面部分に均一かつ薄く形成されれ
ばよい。
、第１導電層としての銀の代わりに、第２導電層のニッ
ケル、クロム等の金属を侵さずに除去できかつかかる金
属に対して剥離が容易な金属、例えば銅、アルミニウム
、亜鉛等を用い得る。また、銀導電膜等の第１導電層は
フォトレジストを除去するために設けられているから少
なくともピットの信号面部分に均一かつ薄く形成されれ
ばよい。
実施例
実施例として、第１導電層の第１の金属を銀としてスパ
ッタリングを施し、第２導電層の第１の金属をニッケル
としてスパッタリングを施してニッケルスタンパーを作
成した。
ッタリングを施し、第２導電層の第１の金属をニッケル
としてスパッタリングを施してニッケルスタンパーを作
成した。
このとき、フォトレジスト上に第１導電層の銀導電膜を
従来のものよりも薄く５０〜２００人の膜厚で形成した
。銀導１！膜厚は２００Å以上と厚（形成するとピット
形状および表面荒さが悪化し、５０Å以下に薄くすると
フォトレジストとともに除去され難くなった。したがっ
て銀導電膜厚さは５０〜２００人が好ましかった。
従来のものよりも薄く５０〜２００人の膜厚で形成した
。銀導１！膜厚は２００Å以上と厚（形成するとピット
形状および表面荒さが悪化し、５０Å以下に薄くすると
フォトレジストとともに除去され難くなった。したがっ
て銀導電膜厚さは５０〜２００人が好ましかった。
さらに、第２導電層形成工程においてニッケル導電膜厚
は１０００Å以上と厚くすると膜応力が高くなって電鋳
時に導電膜の不良が生じ、３００Å以下に薄くすると電
鋳初期の通電量が限定された。したがって、ニッケル導
電膜厚は３００〜１０００人が好ましかった。
は１０００Å以上と厚くすると膜応力が高くなって電鋳
時に導電膜の不良が生じ、３００Å以下に薄くすると電
鋳初期の通電量が限定された。したがって、ニッケル導
電膜厚は３００〜１０００人が好ましかった。
発明の効果
本発明によれば、電鋳に用いる導電層を２層化して第１
導電層に剥離容易導電金属を用いている故に、転写され
るべきビットの形状を殆ど変化させずにフォトレジスト
を第１導電層とともに剥離させることができるので、フ
ォトレジストを完全に除去できる。さらに、第１導電層
の上に第２導電層を形成したので電鋳工程の際に第１導
電層を腐食させることがないので表面形状の良いビット
を有するスタンパ−を製作することができる。
導電層に剥離容易導電金属を用いている故に、転写され
るべきビットの形状を殆ど変化させずにフォトレジスト
を第１導電層とともに剥離させることができるので、フ
ォトレジストを完全に除去できる。さらに、第１導電層
の上に第２導電層を形成したので電鋳工程の際に第１導
電層を腐食させることがないので表面形状の良いビット
を有するスタンパ−を製作することができる。
第１図は本発明によるスタンパ−の製造方法の工程を示
すフローチャート、第２図は第１図の各工程における部
材の概略断面図、第３図は銀スパッタ法によるスタンパ
−の製造方法を示すフローチャート、第４図は第３図の
各工程における部材の概略断面図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・ガラス原盤 ２・・・・・・フォトレジスト ３・・・・・・銀導電層 ４・・・・・・ニッケル導電層
すフローチャート、第２図は第１図の各工程における部
材の概略断面図、第３図は銀スパッタ法によるスタンパ
−の製造方法を示すフローチャート、第４図は第３図の
各工程における部材の概略断面図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・ガラス原盤 ２・・・・・・フォトレジスト ３・・・・・・銀導電層 ４・・・・・・ニッケル導電層
Claims (5)
- （１）情報信号に対応する微少凹凸を有する原盤上に第
１の金属を物理蒸着法によって積層して剥離容易な第１
導電層を形成する第１導電層形成工程と、 前記第１導電層上に第１の金属に対して剥離の容易な第
２の金属を物理蒸着法によって積層して第２導電層を形
成する第２導電層形成工程と、前記第２導電層上に前記
第２の金属を電鋳によりメッキしてスタンパー基板を形
成する電鋳工程と、 前記原盤から前記スタンパー基板を第１及び第２導電層
とともに分離するスタンパー基板分離工程と、 前記スタンパー基板から前記第１導電層を剥離する第１
導電層剥離工程とを含むことを特徴とするスタンパー製
造方法。 - （２）前記第１の金属は銀であり、かつ前記第２の金属
はニッケルであることを特徴とする請求項１記載のスタ
ンパー製造方法。 - （３）前記物理蒸着法はスパッタ蒸着法であることを特
徴とする請求項２記載のスタンパー製造方法。 - （４）前記物理蒸着法は真空蒸着法であることを特徴と
する請求項２記載のスタンパー製造方法。 - （５）前記第１導電層の膜厚は５０〜２００Åであり、
かつ前記第２導電層の膜厚は３００〜１０００Åである
ことを特徴とする請求項１から４までのいずれか１記載
のスタンパー製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234034A JPH0678590B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | スタンパー製造方法 |
| US07/346,537 US5015338A (en) | 1988-09-19 | 1989-05-02 | Method of manufacturing a stamper for formation of optical information carrying disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234034A JPH0678590B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | スタンパー製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0285375A true JPH0285375A (ja) | 1990-03-26 |
| JPH0678590B2 JPH0678590B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=16964527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Cited By (1)
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