JPS63105986A - 光デイスク用スタンパの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明に、元ディスク用スタンパの製造方法に関する。

〔発明の°概要〕

本発明は、元ディスク用スタンパの製造方法において、
導電化膜全形成したプリグループパターンつきガラス基
板を、ニッケルめっき液に浸漬して回転させ、ｃＬＩＶ
−ＣＬ３Ｖのいずれかに該当するマイナス電圧を印加し
、逆電解処理をすることによシ導電化膜の汚れ、および
酸化膜を取シ去シ、濡れ性全回復させる前処理を行なっ
た後、ニッケルめっき全行なうことによシ、導電化膜と
電気ニッケルめっきとの密着力全向上したものである。

〔従来の技術〕

従来、スタンパの製造方法としては、種々の方法が知ら
れている。その代表的な方法に、平滑なガラス基板に、
フォトレジスト（例えばＡＺ−１３５０）層を塗布し、
次いでセツティングマシンを使用し、レーザー元によ多
情報記録を行ない、現像の後、かかるレジスト塗布基板
にスパッタリング法もしくは真空蒸着法により、導電化
膜全形成し、この導電化膜を陰極として、Ｎ１めつきを
行ない、Ｎ１めつき層を得る。かかるＮ１めつき層をス
タンパとして供すものである。

第２図〜第５図は従来技術の工程を示すもので、詳細に
に次のようになる。

表面を研摩して平坦にした厚さ約６霧のガラス基板１の
上に、スピンコード法によシ、厚さ約０１μｍのレジス
ト膜２ｙｋ、形成する（第２図）。

次に、かかるレジスト膜２に、レーザーカッティングマ
シンを用いて情報記録を行ない。さらに現像全行なって
プリグループ３を、パターン形成する（第３図）。

次にかかる基板に、Ｎ１を約７００１の厚さにスパッタ
して導電化膜４を、形成する（第４図）。

次に導電化膜４七陰極として、Ｎ１めつき液に浸漬し、
電解金おこなって厚さ約５００μｍのめっき層５を形成
する（第５図）。

さらに、めっき表面研摩を行ない均一な厚さとした。

次にガラス基板１から剥離して、洗浄によシレジスト膜
２を除去して、スタンパ６が作られる。

このよう゛にして作られたスタンパ６は、鋳型として使
われ、多数の元ディスク基板がつくられるが、スタンパ
には、■長寿命であること、■離型性が良いこと、■転
写精度が高いこと、■欠陥密度が少ないこと、等の要求
がされるものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、前述の従来技術では、導電化膜４に、Ｎ１めつ
きを行ないめっき膜を作シ、次に、これを剥離してスタ
ンパ６を作る段階で、欠陥密度が増加する挙笑があシ、
これは導電化膜４をスパッタし、この導電化膜４を陰極
としてＮ１めっきする際の密着性が悪いことが原因であ
り、スタンパの品質を、低下させているという問題点を
有する。

そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、４電化膜とニッケルめつきノａ
との密着力を向上させることによシ転写精度の高い、か
つ欠陥密度の少ないスタンパを提供するところにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の元ディスク用スタンパの製造方法は、ガラス基
板に形成したるプリグループパターン上に、導電化膜全
形成した後、該ガラス基板１＝ツケルめつき液に浸漬し
て回転させ、Ｉ：Ｌ１〜α５ｖのいずれかに該当するマ
イナス電圧七印刀口し逆電解処理をすることにより、導
電化膜の濡れ性全回復させる前処理を行なった後、ニッ
ケルめっきを行なうこと？特徴とする。

〔作　用〕

本発明の上記の構成によれば、スタンパ乙の形成段階で
欠陥密度が増加していることに、めつきＪｆｌ　５　ｋ
、ガラス基板１から剥離する際に導電化膜の一部がガラ
ス基板１、もしくはレジスト膜２に付着していることで
あシ、このことは、導電化膜４とめっき層５との密着性
が不光分なことを示している。この原因は、スパッタ過
程での導電化膜の油汚れ、ま念スパッタ後の取扱いによ
る酸化膜の形成及び汚れが原因と推定できる。そこで、
ニッケルめづきに際して導電化膜を、ニッケルめっき液
に浸漬してＣＬＩＶ−ｃＬ５Ｖのマイナス電圧全印加す
ることによシ逆電解処理し、導電化膜の表面に形成され
ているところの数ｚ〜数士Ａ台の酸化膜および汚れを取
り去るものである。このことによシ導電化膜は活性化さ
れ、濡れ性が向上し、密着力の高いスタンパを得ること
が出来る。

〔実施例〕

第１図は、本発明の実施例におけるスタンパの断面図で
あって、第２図〜第５図に示すように、表面を研摩して
平坦とし、さらに清浄に保たれた厚さ６簡のガラス原板
に、フォトレジストＡＺ１３５０ｉ用いてスピンコード
法によｆｉｌ　１００叉のレジスト膜２を形成した。さ
らに乾燥炉を用いてンフトベークを８０℃で１５分間行
なった。

次にレーザーカッティングマシンにかけて、情報記録上
行ない、ＡＺデベロッパーにて現１１＆’Ｙ行なつ之。

現像条件は２２℃番でおいて６０秒間行ない充分水洗し
た後、スピンドライを行なった。

次に乾燥炉を用いて９０℃で３０分間ボストベーキング
金行なった。さらにスパッタ装置に装着し基板面にＮ１
に７００Ｘの厚さにスパッタし、導電化膜とした。次に
Ｎ１めつき液に浸漬し、回転させた。回転数は４０　ｒ
ｐｍとした。次に導電化膜を陽極として、０２０Ｖで１
５秒間電解し導電化膜の酸化膜および汚れを除去、り１
７−ニングし、濡れ性全向上させた。この電解方法は、
通称逆電解と呼ばれるものであり、ｃＬ１ｖ以下では長
時間処理しても酸化膜除去できず、表面アレ金主じてし
まう。またα３Ｖｉ越えたときには、数秒間でも導電化
膜がエツチングされてしまい、パターン精度が低下し、
または、ニッケルめっき面に対して、悪影’ｌＴｈ与え
てしまうことになる。

このような処理を行なった後、ただちにニッケルめっき
′ｔ−３１０μｍ行ない、めっき／Ｉ　５を形成した。

さらにめっき表面研ＰＡｔ−行なＩ、−，２９，０μｍ
のスタンパを得た。

〔発明の効果〕

以上述べたように、発明によれば、導電化膜全形成した
ガラス基板全ニッケルめっき液に浸漬して回転させ（Ｌ
ＩＶ−α３ｖのいずれかに該当するマイナス電圧を印加
し、導電化膜の濡れ性を回復させる前処理を行なった後
ニッケルめっきを行なうことによシ、欠陥密度を低下さ
せることが可能とな９党ディスクの品質全向上させるこ
とが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の元ディスク用スタンパの実施例を示
す主要断面図。 第２図乃至第６図は、従来の元ディスク用スタンバの製
造工程を説明する断面図。 １・・・ガラス基板 ２・・・レジスト膜 ３・・・プリグループ ４・・・導電化膜 ５・・・めっき層 ６・・・・・・スタンパ 以　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社 第３１￥１ 茅＋霞 部６１力

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ガラス基板に形成したるプリグルーブパターン上に、導
   電化膜を形成した後、該ガラス基板を、ニッケルメッキ
   液に浸漬して回転させ、０．１Ｖ〜０．３Ｖのいずれか
   に該当するマイナス電圧を印加し、逆電解処理をするこ
   とにより、導電化膜の濡れ性を回復させる前処理を行な
   つた後、ニッケルめつきを行なうことを特徴とする光デ
   ィスク用スタンパの製造方法。