JPH0286131U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0286131U JPH0286131U JP16708088U JP16708088U JPH0286131U JP H0286131 U JPH0286131 U JP H0286131U JP 16708088 U JP16708088 U JP 16708088U JP 16708088 U JP16708088 U JP 16708088U JP H0286131 U JPH0286131 U JP H0286131U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductivity type
- type formed
- epitaxial formation
- formation layer
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 4
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例を示す断面図、第
２図は従来のＮＰＮトランジスタを示す断面図で
ある。 ２……エミツタ層、４……ベース層、６……エ
ピタキシヤル層、８……埋込層、１６……付加埋
込層。
２図は従来のＮＰＮトランジスタを示す断面図で
ある。 ２……エミツタ層、４……ベース層、６……エ
ピタキシヤル層、８……埋込層、１６……付加埋
込層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 埋込層の上部に形成されている第１導電型のエ
ピタキシヤル形成層、 エピキタシヤル形成層の上部に形成されている
第２導電型の層、 第２導電型の層の上部に形成されている第１導
電型の層、 を備えた半導体装置において、 埋込層と第２導電型の層との間であつて、第１
導電型層の下部付近に、エピタキシヤル形成層よ
り濃度の濃い付加埋込層を設けたことを特徴とす
るもの。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16708088U JPH0286131U (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16708088U JPH0286131U (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0286131U true JPH0286131U (ja) | 1990-07-09 |
Family
ID=31455053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16708088U Pending JPH0286131U (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0286131U (ja) |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP16708088U patent/JPH0286131U/ja active Pending