JPH0286665A - メッキ下地用導電性塗料およびそれを用いるメッキ方法 - Google Patents
メッキ下地用導電性塗料およびそれを用いるメッキ方法Info
- Publication number
- JPH0286665A JPH0286665A JP23634588A JP23634588A JPH0286665A JP H0286665 A JPH0286665 A JP H0286665A JP 23634588 A JP23634588 A JP 23634588A JP 23634588 A JP23634588 A JP 23634588A JP H0286665 A JPH0286665 A JP H0286665A
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- JP
- Japan
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- plating
- weight
- powder
- conductive paint
- paint
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は低温焼結型積層チップコンデンサたとえば鉛ベ
ロブス力イト系積層チップコンデンサの端子電極の形成
に有用なメッキ下地用導電性塗料に関する。さらにされ
を用いて得られた電極表面に有機絶縁性樹脂塗料を含浸
させて行うメッキ方法に関するものである。
ロブス力イト系積層チップコンデンサの端子電極の形成
に有用なメッキ下地用導電性塗料に関する。さらにされ
を用いて得られた電極表面に有機絶縁性樹脂塗料を含浸
させて行うメッキ方法に関するものである。
現在の主流であるチタン酸バリウム系等の強誘電体材料
を応用する積層チップコンデンサは１３００〜１４００
℃の高温度で焼結される。この高温焼結型積層チップコ
ンデンサの端子電極用導電性塗料にはＡｇ−Ｐｄ系４電
物を８５０℃で厚さ８０〜１００μｍに焼結して電極を
形成し、その電極上に１〜３μｍのＮｉメッキおよび３
〜５μｍの半田メッキ層を形成して、その後噴流半田法
で基板に実装固定するのが一般的である。
を応用する積層チップコンデンサは１３００〜１４００
℃の高温度で焼結される。この高温焼結型積層チップコ
ンデンサの端子電極用導電性塗料にはＡｇ−Ｐｄ系４電
物を８５０℃で厚さ８０〜１００μｍに焼結して電極を
形成し、その電極上に１〜３μｍのＮｉメッキおよび３
〜５μｍの半田メッキ層を形成して、その後噴流半田法
で基板に実装固定するのが一般的である。
Ｎｉ メッキ層はコンデンサ端子に焼結された導電性塗
料の溶融半田による半田喰われを防止する役割を持って
いる。
料の溶融半田による半田喰われを防止する役割を持って
いる。
しかし最近、誘電率が大きい、高容量化ができ、耐電圧
性が高い、誘電損失が少ない、高周波特性に優れている
等の特徴をもつ鉛ペロブスカイト系に代表されるような
誘電体材料の低温焼結化が開発され１０００℃以下にま
で焼結温度が下がっている。
性が高い、誘電損失が少ない、高周波特性に優れている
等の特徴をもつ鉛ペロブスカイト系に代表されるような
誘電体材料の低温焼結化が開発され１０００℃以下にま
で焼結温度が下がっている。
この低温焼結型積層チップコンデンサの端子電極用塗料
の焼結温度も誘電体材料の分解を防くために、低温化す
る必要があり、５５０〜７００℃で焼結される。ところ
が、今まで使われてきた端子電極用導電性塗料の焼結温
度を従来温度の８５０℃から５５０℃〜７００℃に低下
させると、焼結構造が極めて多孔質になり、メッキ処理
時に焼結膜中ヘメッキ液の浸みこみが起きて誘電体材料
を還元し、絶縁抵抗値の低下を招く問題が起きる。
の焼結温度も誘電体材料の分解を防くために、低温化す
る必要があり、５５０〜７００℃で焼結される。ところ
が、今まで使われてきた端子電極用導電性塗料の焼結温
度を従来温度の８５０℃から５５０℃〜７００℃に低下
させると、焼結構造が極めて多孔質になり、メッキ処理
時に焼結膜中ヘメッキ液の浸みこみが起きて誘電体材料
を還元し、絶縁抵抗値の低下を招く問題が起きる。
本発明は上記のような欠点を解消し、噴流半田付けに耐
え、しかも半田濡れが良好で、電気的絶縁特性の優れた
鉛ペロブスカイト系材料に代表される低温焼結型積層チ
ップコンデンサを製造するのに好適なメッキ下地用導電
性塗料およびそれを用いるメッキ方法を提供するもので
ある。
え、しかも半田濡れが良好で、電気的絶縁特性の優れた
鉛ペロブスカイト系材料に代表される低温焼結型積層チ
ップコンデンサを製造するのに好適なメッキ下地用導電
性塗料およびそれを用いるメッキ方法を提供するもので
ある。
本発明は、上記目的を達成するために第１として本発明
の塗料は、銀粉あるいは銀粉に対して１〜１０重量％の
パラジウム粉末を含有する金属粉５０〜８０重量％と軟
化点５００〜７５０°Ｃの耐酸性ガラス粉末１〜５重量
％および軟化点３５０〜５００°ＣのＰｂＯ−ＺｎＯ−
Ｂ２Ｏ，−３ｉ０２系ガラメガラス粉末１〜５と有機質
ビークル１０〜４８重量％を含有する点に特徴がある。
の塗料は、銀粉あるいは銀粉に対して１〜１０重量％の
パラジウム粉末を含有する金属粉５０〜８０重量％と軟
化点５００〜７５０°Ｃの耐酸性ガラス粉末１〜５重量
％および軟化点３５０〜５００°ＣのＰｂＯ−ＺｎＯ−
Ｂ２Ｏ，−３ｉ０２系ガラメガラス粉末１〜５と有機質
ビークル１０〜４８重量％を含有する点に特徴がある。
さらに第２としてこの塗料を用いるメッキ方法は、上記
メッキ下地用導電性塗料を塗布した低温焼結型積層チッ
プコンデンサに有機絶縁性樹脂塗料を含浸させ、熱硬化
し、研磨した後洗浄し、メッキすることに特徴がある。
メッキ下地用導電性塗料を塗布した低温焼結型積層チッ
プコンデンサに有機絶縁性樹脂塗料を含浸させ、熱硬化
し、研磨した後洗浄し、メッキすることに特徴がある。
第１の発明は焼結温度が５５０〜７００℃と低いＰｂ（
ＮＬ７３Ｎｂｚ７ａ）０３、Ｐ ｂ（Ｍｇ＋ｚ：＋Ｎｂ
ｚｚ３） Ｏ：ｌ、Ｐｂ（ＦｅｚｚｚＷ＋７３）０：＋
、Ｐｂ（Ｆｅ＋ｚｚＮｂ＋ｚｚ）０３等の鉛ペロブスカ
イト系低温焼結型積層チップコンデンサ用端子電極に好
適に用いられる。
ＮＬ７３Ｎｂｚ７ａ）０３、Ｐ ｂ（Ｍｇ＋ｚ：＋Ｎｂ
ｚｚ３） Ｏ：ｌ、Ｐｂ（ＦｅｚｚｚＷ＋７３）０：＋
、Ｐｂ（Ｆｅ＋ｚｚＮｂ＋ｚｚ）０３等の鉛ペロブスカ
イト系低温焼結型積層チップコンデンサ用端子電極に好
適に用いられる。
該銀粉の粒径は平均粒径０．５〜３．０μｍが好ましい
。銀粉あるいは銀粉に対して１〜１０重■％、好ましく
は３〜５重量％のパラジウム粉を添加することにより、
導電性塗料の焼結密度は向上し、その焼結膜と誘電体材
料との接着強度は改善される。
。銀粉あるいは銀粉に対して１〜１０重■％、好ましく
は３〜５重量％のパラジウム粉を添加することにより、
導電性塗料の焼結密度は向上し、その焼結膜と誘電体材
料との接着強度は改善される。
またパラジウム粉末については細かいほど銀粉との合金
化効率が良くなるので、平均粒径０．３μｍ以下が好ま
しい。
化効率が良くなるので、平均粒径０．３μｍ以下が好ま
しい。
該金属粉末は導電性塗料中５０〜８０重量％の範囲で用
いられ、５０重量％未満では、端子電極の厚みが不足し
、また８０重量％を越える場合はガラス粉末の添加を含
めて、均一な塗料特性を確保できない。
いられ、５０重量％未満では、端子電極の厚みが不足し
、また８０重量％を越える場合はガラス粉末の添加を含
めて、均一な塗料特性を確保できない。
該耐酸性ガラス粉末としてはＳｉｎｇ−Ｂ、０３ＴｉＯ
ｚ ＲＯ系（ＲＯはＭｇＯ，Ｃａｂ、ＺｎＯ１Ｂａｄ
、５ｒＯ）があり、その流動温度を降下させる必要上、
ガラス粉末の粒径を平均粒径１μｍ以下と微細にすると
好適である。
ｚ ＲＯ系（ＲＯはＭｇＯ，Ｃａｂ、ＺｎＯ１Ｂａｄ
、５ｒＯ）があり、その流動温度を降下させる必要上、
ガラス粉末の粒径を平均粒径１μｍ以下と微細にすると
好適である。
該耐酸性ガラスの軟化点が７５０°Ｃを越えると端子電
極用導電性塗料の焼結温度域５５０〜７００°Ｃで導電
性塗料の焼結性が著しく悪くなる。また、該耐酸性ガラ
スは軟化点が５００℃未満ではガラス成分中の５ｉ０２
．１゛１０２含有率が低くなり耐酸性が劣る。
極用導電性塗料の焼結温度域５５０〜７００°Ｃで導電
性塗料の焼結性が著しく悪くなる。また、該耐酸性ガラ
スは軟化点が５００℃未満ではガラス成分中の５ｉ０２
．１゛１０２含有率が低くなり耐酸性が劣る。
該ＰｂＯＺｎＯＢｚＣ１＋ Ｓｉｎｇ系ガラスにおい
ては、軟化点が５００°Ｃを越えると該耐酸性ガラスの
流動温度を降下させる効果がない。また軟化点が３５０
°Ｃ未満ではこの組成系を作ることができない。
ては、軟化点が５００°Ｃを越えると該耐酸性ガラスの
流動温度を降下させる効果がない。また軟化点が３５０
°Ｃ未満ではこの組成系を作ることができない。
上記ガラス粉末の混合比率は該耐酸性ガラス粉末１０部
に対して、該ＰｂＯＺｎＯＢ２Ｏ３ＳｉＯ□系ガラス粉
末は１〜５部が望ましい。
に対して、該ＰｂＯＺｎＯＢ２Ｏ３ＳｉＯ□系ガラス粉
末は１〜５部が望ましい。
また該金属粉末に対する該ガラス粉末混合物の比率は、
５〜１２重量％に限定され、５重量％未満ではメッキ液
の焼結導電性塗料膜への浸みごみが多くなり、端子電極
の接着強度および絶縁抵抗値の低下となる。また１２重
量％を越える場合は焼結された端子電極表面に表出する
ガラスが増すため、ニッケルメッキの濡れが阻害される
。５〜１２重量％と指定されたガラスわ）未混合組成で
は、５５０〜７００℃の低温焼結温度でも効果的に溶融
し、誘電体材料への拡散と、端子電極層中に均質に分散
して焼結される。
５〜１２重量％に限定され、５重量％未満ではメッキ液
の焼結導電性塗料膜への浸みごみが多くなり、端子電極
の接着強度および絶縁抵抗値の低下となる。また１２重
量％を越える場合は焼結された端子電極表面に表出する
ガラスが増すため、ニッケルメッキの濡れが阻害される
。５〜１２重量％と指定されたガラスわ）未混合組成で
は、５５０〜７００℃の低温焼結温度でも効果的に溶融
し、誘電体材料への拡散と、端子電極層中に均質に分散
して焼結される。
本発明の塗料成分の一つである該有機ビヒクルとしてエ
チルセルローズ、ブチルカルピトール、ブチルカルピト
ールアセテート、ターピネオール、石油ナフサ、アルキ
ッド樹脂、可塑剤および分散剤等から構成される。該導
電性塗料を得る製法は常法に従って行えばよい。すなわ
ち上記で述べた所定量の金属粉末、ガラスｊ５）末およ
び有機質ビヒクルをスリーロールミルで常温で均一に混
練して得られる。該有機質ビヒクルの含有量は１０〜４
８重量％がよい。
チルセルローズ、ブチルカルピトール、ブチルカルピト
ールアセテート、ターピネオール、石油ナフサ、アルキ
ッド樹脂、可塑剤および分散剤等から構成される。該導
電性塗料を得る製法は常法に従って行えばよい。すなわ
ち上記で述べた所定量の金属粉末、ガラスｊ５）末およ
び有機質ビヒクルをスリーロールミルで常温で均一に混
練して得られる。該有機質ビヒクルの含有量は１０〜４
８重量％がよい。
１０重量％未満では塗料の粘性が高くなり過ぎ、４８重
世％を越える場合は逆に粘性が低くなり過ぎてチップコ
ンデンサ端部への均一な塗布膜形成に不都合が生じる。
世％を越える場合は逆に粘性が低くなり過ぎてチップコ
ンデンサ端部への均一な塗布膜形成に不都合が生じる。
またチップコンデンサ端部への導電性塗料の塗布には、
バロマ一方式等の方法によって行えばよい。
バロマ一方式等の方法によって行えばよい。
さらに第２の発明において、該低温焼結型積層チップコ
ンデンサの絶縁性を高めるためにメッキ処理を行う必要
がある。そのためにはまず該有機絶縁性樹脂塗料を減圧
下で繰り返し導電性塗料焼結膜の空孔部へ含浸させる。
ンデンサの絶縁性を高めるためにメッキ処理を行う必要
がある。そのためにはまず該有機絶縁性樹脂塗料を減圧
下で繰り返し導電性塗料焼結膜の空孔部へ含浸させる。
該有機絶縁性樹脂塗料としてはシリコン樹脂、アクリル
樹脂等のような電気的に安定な熱硬化性のものが良く、
特にシリコン樹脂が優れている。
樹脂等のような電気的に安定な熱硬化性のものが良く、
特にシリコン樹脂が優れている。
該有機絶縁性樹脂塗料の含浸方法としては、真空ポンプ
を使って約１トールに減圧したセラミックコンデンサの
入ったチャンバー内に該樹脂塗ネミｌを注いで、導電性
塗料焼結膜の空孔部を該樹脂■ねで埋める。次に遠心脱
液してセラミックコンデンサに付着している過剰の該樹
脂塗料を除き、これをメソシュ網の上に置いて熱硬化さ
せる。
を使って約１トールに減圧したセラミックコンデンサの
入ったチャンバー内に該樹脂塗ネミｌを注いで、導電性
塗料焼結膜の空孔部を該樹脂■ねで埋める。次に遠心脱
液してセラミックコンデンサに付着している過剰の該樹
脂塗料を除き、これをメソシュ網の上に置いて熱硬化さ
せる。
硬化温度、硬化時間は樹脂によって異なるが１５０〜３
００“Ｃ１１０〜４０分で処理され、望ましくは２Ｏ０
°Ｃ３３０分の条件である。
００“Ｃ１１０〜４０分で処理され、望ましくは２Ｏ０
°Ｃ３３０分の条件である。
熱硬化処理後、該導電性塗料焼結膜上に残っている該有
機絶縁性樹脂塗料を除去するため、研摩材を満たした容
器内でバレル研磨を約１時間はど行う。研廖材としては
ＳｉＣｌ ００メツシユ粉末が好適に使用される。
機絶縁性樹脂塗料を除去するため、研摩材を満たした容
器内でバレル研磨を約１時間はど行う。研廖材としては
ＳｉＣｌ ００メツシユ粉末が好適に使用される。
更にまた該導電性樹脂塗料焼結膜の研磨表面を清浄にす
るために、鉱酸５〜ｌＯ％水溶液で１０〜６０秒間超音
波洗浄処理し、その後超音波水洗してメッキの濡れの良
好な面を形成する。メッキ方法としては、ハロゲンイオ
ンを含まないメッキ浴内でハレルメソキをするのが好適
である。
るために、鉱酸５〜ｌＯ％水溶液で１０〜６０秒間超音
波洗浄処理し、その後超音波水洗してメッキの濡れの良
好な面を形成する。メッキ方法としては、ハロゲンイオ
ンを含まないメッキ浴内でハレルメソキをするのが好適
である。
〔実施例１〕
鉛ペロブスカイト系誘電体材料ＰｂＩ□Ｓｒ、（Ｍｇ、
Ｗ）Ｏ，。
Ｗ）Ｏ，。
を調整し、Ａｇ ８５／Ｐｄ １５組成の内部電極ペ
ーストを用いてコンデンサグリーンチップを作り、これ
を最高温度９９０°Ｃで焼成して３−２ Ｘ １．６ｍ
ｍクイプＺ５［Ｊの積層チップコンデンサを得た。この
チップコンデンサ端子に、下記のメッキ下地用導電性塗
料を塗布し、乾燥後６５０°Ｃで焼き（＝Ｊけを行った
。
ーストを用いてコンデンサグリーンチップを作り、これ
を最高温度９９０°Ｃで焼成して３−２ Ｘ １．６ｍ
ｍクイプＺ５［Ｊの積層チップコンデンサを得た。この
チップコンデンサ端子に、下記のメッキ下地用導電性塗
料を塗布し、乾燥後６５０°Ｃで焼き（＝Ｊけを行った
。
低温焼結用メッキ下地導電性塗料組成
銀粉（平均粒径２μｍ） ３５重量％銀粉
（平均粒径１μｍ） ３２重量％パラジウ
ム粉（平均粒径０．１μｍ） ３重量％耐酸性ガ
ラス粉末（軟化点５８０℃）＊ ４重量％ＰｂＯ−Ｚｎ
０−Ｂ２Ｏ２−５ｉＯｚ系ガラス粉末（軟化点３６０℃
） ３重量％ 有機ビヒクル ２３重量％＊５ｉ
Ｏｚ−ＴｉＯｚ−８２Ｏ．、−ＭｇＯ−ＣａＯ−Ｎａｚ
Ｏ−に２゜（ＳｉＯｚ−３０ｗｔχ 、ＴｉＯ２・２Ｏ
匈むχ）このチップコンデンサにシリコン樹脂１０％キ
シレン？容ン夜（信越シリコーンＫＲ−２８２）を３回
繰り返して真空含浸し、１００℃で乾燥し、最後に２Ｏ
０″Ｃで３０分間熱硬化させた。次に、電極表面をＳｉ
Ｃ粉を使って乾式研磨し、１０％ｌｉｌ！ｉ酸溶液の処
理によりその電極表面を活性化させ、以下の条件でニッ
ケル、スズの順でメッキが行われた。
（平均粒径１μｍ） ３２重量％パラジウ
ム粉（平均粒径０．１μｍ） ３重量％耐酸性ガ
ラス粉末（軟化点５８０℃）＊ ４重量％ＰｂＯ−Ｚｎ
０−Ｂ２Ｏ２−５ｉＯｚ系ガラス粉末（軟化点３６０℃
） ３重量％ 有機ビヒクル ２３重量％＊５ｉ
Ｏｚ−ＴｉＯｚ−８２Ｏ．、−ＭｇＯ−ＣａＯ−Ｎａｚ
Ｏ−に２゜（ＳｉＯｚ−３０ｗｔχ 、ＴｉＯ２・２Ｏ
匈むχ）このチップコンデンサにシリコン樹脂１０％キ
シレン？容ン夜（信越シリコーンＫＲ−２８２）を３回
繰り返して真空含浸し、１００℃で乾燥し、最後に２Ｏ
０″Ｃで３０分間熱硬化させた。次に、電極表面をＳｉ
Ｃ粉を使って乾式研磨し、１０％ｌｉｌ！ｉ酸溶液の処
理によりその電極表面を活性化させ、以下の条件でニッ
ケル、スズの順でメッキが行われた。
ニッケル −−−−−−ワット浴（ｐ［−１＝
４．５ ）カルボンスズ浴 −−−−−Ｐ Ｈ＝ ５
．５（キザイ株式会社製） 得られたメッキ品の断面は高温焼成タイプの端子と変わ
らない三層構造を示した。メッキ前後の初期的電気特性
は第１表に示す通りであり、メッキによる劣化は排除さ
れたことを示している。
４．５ ）カルボンスズ浴 −−−−−Ｐ Ｈ＝ ５
．５（キザイ株式会社製） 得られたメッキ品の断面は高温焼成タイプの端子と変わ
らない三層構造を示した。メッキ前後の初期的電気特性
は第１表に示す通りであり、メッキによる劣化は排除さ
れたことを示している。
ブ積層チンプコンデンサを測定したところ第２表に示す
ごとく満足すべき電気特性が得られた。
ごとく満足すべき電気特性が得られた。
低温焼結用メッキ下地導電性塗料組成
銀粉（平均粒径１．５μｍ） ３７重世％恨
粉（平均粒径１．０μｍ） ３５重量％耐酸
性ガラス粉末（軟化点５８０℃） ５重量％Ｚｎ０
−Ｂｚ０３−５ｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ系ガラス粉末（軟化点
４３０°Ｃ） ２重量％ 有機ビヒクル ２１重量％Ｃ実施
例２） 下記記載のメッキ下地用端子電極塗料を用い、ＢａＴｉ
０：＋で安定化した鉛ペロブスカイト系材料を用いて、
実施例１と同様にして得たメッキタイ（３，２Ｘｌ、６
タイプ Ｆ１０３Ｚ）〔比較例〕 下記組成で示す酸化ビスマス粉末を含む端子電ＪｇＡ塗
料を用いて、実施例Ｉと同様にして６５０℃で焼成して
端子電極を形成した後、ニソケルメ・ツキ、スズメッキ
を施した。
粉（平均粒径１．０μｍ） ３５重量％耐酸
性ガラス粉末（軟化点５８０℃） ５重量％Ｚｎ０
−Ｂｚ０３−５ｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ系ガラス粉末（軟化点
４３０°Ｃ） ２重量％ 有機ビヒクル ２１重量％Ｃ実施
例２） 下記記載のメッキ下地用端子電極塗料を用い、ＢａＴｉ
０：＋で安定化した鉛ペロブスカイト系材料を用いて、
実施例１と同様にして得たメッキタイ（３，２Ｘｌ、６
タイプ Ｆ１０３Ｚ）〔比較例〕 下記組成で示す酸化ビスマス粉末を含む端子電ＪｇＡ塗
料を用いて、実施例Ｉと同様にして６５０℃で焼成して
端子電極を形成した後、ニソケルメ・ツキ、スズメッキ
を施した。
メッキ下地導電性像ｆミ１組成
銀粉（平均粒径１，５μｍ） ６５．０重量
％パラジウム粉（平均粒径０．１μｍ） ５．０重
量％ＰｂＯ−１１ｚＯｚ−５Ｉ０２系ガラスわ）末
１，０重吋％酸化ビスマス
３．０重壇％有機ビヒクル ２６．
０重量％結果は第３表に要約されるがメッキによる特性
劣化、特に絶縁抵抗不良は顕著であり、導涌品は半数を
占めた。
％パラジウム粉（平均粒径０．１μｍ） ５．０重
量％ＰｂＯ−１１ｚＯｚ−５Ｉ０２系ガラスわ）末
１，０重吋％酸化ビスマス
３．０重壇％有機ビヒクル ２６．
０重量％結果は第３表に要約されるがメッキによる特性
劣化、特に絶縁抵抗不良は顕著であり、導涌品は半数を
占めた。
本発明により、鉛ペロブスカイト系である低温焼結型積
層コンデンサ端子電極のメツ；１−化が達成された。メ
ッキ処理を施した端子電極は半田喰われに極めて強く、
メッキによる電気特性の劣化は見られなかった。従って
、噴流半田処理が可能となり、鉛ペロブスカイ］・系積
層チップコンデンサの用途を拡大し、その効果は極めて
大きい。
層コンデンサ端子電極のメツ；１−化が達成された。メ
ッキ処理を施した端子電極は半田喰われに極めて強く、
メッキによる電気特性の劣化は見られなかった。従って
、噴流半田処理が可能となり、鉛ペロブスカイ］・系積
層チップコンデンサの用途を拡大し、その効果は極めて
大きい。
Claims (2)
- （１）銀粉あるいは銀粉に対して１〜１０重量％のパラ
ジウム粉を含有する金属粉末５０〜８０重量％と軟化点
５００〜７５０℃の耐酸性ガラス粉末１〜５重量％およ
び軟化点３５０〜５００℃のＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ＿２Ｏ
＿３−ＳｉＯ＿２系ガラス粉末１〜５重量％と有機質ビ
ヒクル１０〜４８重量％とから成るメッキ下地用導電性
塗料。 - （２）請求の範囲（１）項のメッキ下地用導電性塗料を
塗布した低温焼結型積層チップコンデンサに有機絶縁性
樹脂塗料を含浸させ、熱硬化し、研磨した後洗浄し、メ
ッキすることを特徴とするメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63236345A JP2618019B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | メッキ下地用導電性塗料およびそれを用いるメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63236345A JP2618019B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | メッキ下地用導電性塗料およびそれを用いるメッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0286665A true JPH0286665A (ja) | 1990-03-27 |
| JP2618019B2 JP2618019B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=16999435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63236345A Expired - Lifetime JP2618019B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | メッキ下地用導電性塗料およびそれを用いるメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2618019B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1156498A3 (en) * | 2000-04-25 | 2006-06-07 | TDK Corporation | Multi-layer ceramic electronic device and method for producing same |
| EP1083578A4 (en) * | 1999-03-30 | 2007-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Conductive paste, multiple layer ceramic substrate and method of making the same |
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