JPS6220571A - 導電性組成物 - Google Patents
導電性組成物Info
- Publication number
- JPS6220571A JPS6220571A JP15924085A JP15924085A JPS6220571A JP S6220571 A JPS6220571 A JP S6220571A JP 15924085 A JP15924085 A JP 15924085A JP 15924085 A JP15924085 A JP 15924085A JP S6220571 A JPS6220571 A JP S6220571A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive composition
- paste
- conductive
- glass
- glass frit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 13
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 23
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、厚膜Cuペースト用の導電性組成物、更に詳
しくは、半田濡れ性と引張り強度に優れた厚膜Cuペー
スト用の導電性組成物に関する。
しくは、半田濡れ性と引張り強度に優れた厚膜Cuペー
スト用の導電性組成物に関する。
厚膜導電ペーストとして、Auペースト、Ag・Pbペ
ーストは各種分野に用いられているが、これ等貴金属ペ
ーストは比較的高価である。これに対し、Cuを主成分
とするCuペーストは、N2雰囲気中等の不活性雰囲気
中で焼成する必要はあるが、安価で導電性が高く、誘電
体上にも製膜可能で、半田付けもでき半田により金属間
化合物を生成する等の利点があり、導電性ペーストのコ
ストダウンを計る上で有力な材料である。
ーストは各種分野に用いられているが、これ等貴金属ペ
ーストは比較的高価である。これに対し、Cuを主成分
とするCuペーストは、N2雰囲気中等の不活性雰囲気
中で焼成する必要はあるが、安価で導電性が高く、誘電
体上にも製膜可能で、半田付けもでき半田により金属間
化合物を生成する等の利点があり、導電性ペーストのコ
ストダウンを計る上で有力な材料である。
このCuペーストのうち、(U粉末、ガラスフリット、
有機ビヒクルからなる所謂ガラスボンドタイプのペース
トは、ガラスと基板との接合力で導電パターンを基板上
に被着させるものであるが、一般にガラス成分が導電パ
ターン表面に浮上り易く、半田濡れ性(半田付は性)を
劣下させる上、基板との接着強度にも問題がある。
有機ビヒクルからなる所謂ガラスボンドタイプのペース
トは、ガラスと基板との接合力で導電パターンを基板上
に被着させるものであるが、一般にガラス成分が導電パ
ターン表面に浮上り易く、半田濡れ性(半田付は性)を
劣下させる上、基板との接着強度にも問題がある。
そこで、半田濡れ性と接着強度の改善のために、ガラス
ボンドタイプのCuペーストにB 12o3を添加・混
入することが、一部で試みられており、且つ発明者等も
これを試みたが、B12O3の添加量を、導電性組成物
(有機溶剤に分散・混入前の組成物)の5wt%程度以
上゛としなければ、半田濡れ性と接着強度の充分な改善
が見られないものであった。しかしながら、Br203
の添加量が増すと、Cu粉末の全体に占める割合が低下
して必然的にシート抵抗値の増大を招いて、導電率を低
下させるという欠点を招来する。また、Bi2O3は半
田付は時の加熱によって、 2B1203+35n−+4Bi+:3Sn03の酸化
ビスマス還元反応が徐々に進行して、接着強度を劣下さ
せる上、導電パターン内のガラスネットワークを脆弱化
させ易いという欠点もあり、Bi2O3の添加量を多く
することには、信頼性の点で問題があることは否めなか
った。
ボンドタイプのCuペーストにB 12o3を添加・混
入することが、一部で試みられており、且つ発明者等も
これを試みたが、B12O3の添加量を、導電性組成物
(有機溶剤に分散・混入前の組成物)の5wt%程度以
上゛としなければ、半田濡れ性と接着強度の充分な改善
が見られないものであった。しかしながら、Br203
の添加量が増すと、Cu粉末の全体に占める割合が低下
して必然的にシート抵抗値の増大を招いて、導電率を低
下させるという欠点を招来する。また、Bi2O3は半
田付は時の加熱によって、 2B1203+35n−+4Bi+:3Sn03の酸化
ビスマス還元反応が徐々に進行して、接着強度を劣下さ
せる上、導電パターン内のガラスネットワークを脆弱化
させ易いという欠点もあり、Bi2O3の添加量を多く
することには、信頼性の点で問題があることは否めなか
った。
本発明は上記の点に鑑み成されたもので、Bi2O3等
の添加量をさほどまで増大させることなくして充分な導
電性を保証し、且つ、半田濡れ性と、引張り強度(接着
強度)の良好な、厚膜Cuペースト用の導電性組成物を
提供するにある。
の添加量をさほどまで増大させることなくして充分な導
電性を保証し、且つ、半田濡れ性と、引張り強度(接着
強度)の良好な、厚膜Cuペースト用の導電性組成物を
提供するにある。
本発明者等は種々検討の結果、Bi2O3とsb 20
3とを所定比率で添加することによって上記目的を達成
することを見出したもので、その概要は、92wtチ以
上のCu粉末、1.5〜20wt係のガラスフリット、
3.0〜4.5wtチのBiz03,0.05〜l、Q
wt%の5l)203を含有してなる導電性組成物にあ
る。
3とを所定比率で添加することによって上記目的を達成
することを見出したもので、その概要は、92wtチ以
上のCu粉末、1.5〜20wt係のガラスフリット、
3.0〜4.5wtチのBiz03,0.05〜l、Q
wt%の5l)203を含有してなる導電性組成物にあ
る。
本発明に用いられる導電性組成物の主成分となるCu粉
末は、(有機ビヒクルを含まない)導電性組成物全体に
対し92wt%以上、望ましくは、93〜95.45w
t%とされる。これはCu成分が多い程導電率が良好と
なるからであり、また、Cu粉末の粒径は、0.3〜1
.5μrnの範囲のものが選定され、必要に応じ粒径の
異なるCu粉末が調合して用いられる。
末は、(有機ビヒクルを含まない)導電性組成物全体に
対し92wt%以上、望ましくは、93〜95.45w
t%とされる。これはCu成分が多い程導電率が良好と
なるからであり、また、Cu粉末の粒径は、0.3〜1
.5μrnの範囲のものが選定され、必要に応じ粒径の
異なるCu粉末が調合して用いられる。
ガラスボンディングのためのガラスフリットとしては、
ホウケイ酸鉛ガラスに代表される各種低融点ガラスが適
用可能で、例えば、pbQ−5iO2−B203系ガラ
ス、pbo−5i02系ガラス、pb。
ホウケイ酸鉛ガラスに代表される各種低融点ガラスが適
用可能で、例えば、pbQ−5iO2−B203系ガラ
ス、pbo−5i02系ガラス、pb。
−B203−ZnO系ガラス、Zn Q −8203系
ガラス等々を爾いることができるが、望ましくは、ガラ
スフリット全体に対し、PbOが50wt%以上含まれ
たものが選択される。また、該ガラスフリットの軟化点
(Softening point )は、低い温度の
ものが選定され、後述する本発明の厚膜Cuペーストの
焼成温度から見て、その軟化点が250〜400℃低い
範囲のものが選定される。これは、比重の大きいPbO
が多く、且つ軟化点が低いと、焼成時に導電パターン内
部でガラス成分の基板側への沈下・流動が相当に期待で
きるからである。
ガラス等々を爾いることができるが、望ましくは、ガラ
スフリット全体に対し、PbOが50wt%以上含まれ
たものが選択される。また、該ガラスフリットの軟化点
(Softening point )は、低い温度の
ものが選定され、後述する本発明の厚膜Cuペーストの
焼成温度から見て、その軟化点が250〜400℃低い
範囲のものが選定される。これは、比重の大きいPbO
が多く、且つ軟化点が低いと、焼成時に導電パターン内
部でガラス成分の基板側への沈下・流動が相当に期待で
きるからである。
また、このガラスフリットは、導電性組成物全体に対し
、1.5〜2.Qwt%の割合とされる。
、1.5〜2.Qwt%の割合とされる。
半田付は性、接着強度改善のために添加されるBi2O
3および5b203は、前者が導電性組成物全体に対し
、3.0〜4.5wt%の割合に、また、後者が0.0
5〜1.(1wt%の割合とされ、各々は、粒径2μm
以下のものが用いられ、導電率を相当に高いものとする
ときには、5b203は0.2 W t%以下とされる
。
3および5b203は、前者が導電性組成物全体に対し
、3.0〜4.5wt%の割合に、また、後者が0.0
5〜1.(1wt%の割合とされ、各々は、粒径2μm
以下のものが用いられ、導電率を相当に高いものとする
ときには、5b203は0.2 W t%以下とされる
。
即ち、本発明の導電性組成物は、上記した重量比のCu
粉末、ガラスフリット、B i 203.5bzO3が
混合され、これに必要に応じて、微量の分散剤、消泡剤
が添加されて調合されろ。そして、このように作製され
た導電性組成物100重量部に対して、有機ビヒクルを
12〜16重量部加えて、有機ビヒクル中に導電性組成
物を分散・混合して、導電ペーストとされる。この導電
ペーストは、スクリーン印刷・乾燥後、ピーク温度83
0〜950℃で焼成される。
粉末、ガラスフリット、B i 203.5bzO3が
混合され、これに必要に応じて、微量の分散剤、消泡剤
が添加されて調合されろ。そして、このように作製され
た導電性組成物100重量部に対して、有機ビヒクルを
12〜16重量部加えて、有機ビヒクル中に導電性組成
物を分散・混合して、導電ペーストとされる。この導電
ペーストは、スクリーン印刷・乾燥後、ピーク温度83
0〜950℃で焼成される。
上記した本発明による導電性組成物を用いた導電ペース
トを焼成して得られた導電パターンは、充分な導電性と
、良好な半田濡れ性、引張り強度を示し、これは、全体
としてCu粉末の含有率を大きくできること、Bi2O
3,5b203が焼成時に溶融し、この両酸化物の溶融
によってガラス成分の粘度が低下して、ガラス成分が基
板側へ移行し易くなり、導電パターン表面部にガラス成
分が殆んど浮き上らないこと等が相俟ってなるものと推
測される。即ち、上記Bi2O3と5b203との融点
M、Pと沸点B、Pと焼成温度との関係は、M、P<焼
成温度<B、P の関係にあり、両者はガラス成分の軟化と共に、一部ガ
ラスに溶は込むように作用する。よって、ガラス成分が
基板側に集中して、充分な接着強度を保証すると共に、
この反作用として導電パターン表面には金属成分CCU
)が集中することになって充分な半田濡れ性を保証する
。勿論、この際、前述したガラスフリット自体の成分・
軟化点も重要なファクターとなり、望ましくは、前述し
た条件が満たされる。
トを焼成して得られた導電パターンは、充分な導電性と
、良好な半田濡れ性、引張り強度を示し、これは、全体
としてCu粉末の含有率を大きくできること、Bi2O
3,5b203が焼成時に溶融し、この両酸化物の溶融
によってガラス成分の粘度が低下して、ガラス成分が基
板側へ移行し易くなり、導電パターン表面部にガラス成
分が殆んど浮き上らないこと等が相俟ってなるものと推
測される。即ち、上記Bi2O3と5b203との融点
M、Pと沸点B、Pと焼成温度との関係は、M、P<焼
成温度<B、P の関係にあり、両者はガラス成分の軟化と共に、一部ガ
ラスに溶は込むように作用する。よって、ガラス成分が
基板側に集中して、充分な接着強度を保証すると共に、
この反作用として導電パターン表面には金属成分CCU
)が集中することになって充分な半田濡れ性を保証する
。勿論、この際、前述したガラスフリット自体の成分・
軟化点も重要なファクターとなり、望ましくは、前述し
た条件が満たされる。
一方、この半田付は性と接着強度の向上と、導電性の向
上とは相反する関係にあり、B!zo3とSb2O3を
多くすると、導電性は劣下する。従って、本発明におい
ては、Bi2O3は3.0〜4.5wt%とされる。こ
れはBi2O3が多いと前述した従来欠点が露呈するか
らである。そして、B!203の不足分を補うものとし
て、5b203が0.05〜1.0wt%添加される。
上とは相反する関係にあり、B!zo3とSb2O3を
多くすると、導電性は劣下する。従って、本発明におい
ては、Bi2O3は3.0〜4.5wt%とされる。こ
れはBi2O3が多いと前述した従来欠点が露呈するか
らである。そして、B!203の不足分を補うものとし
て、5b203が0.05〜1.0wt%添加される。
この5b203はBi2O3との協働で両酸化物を合わ
せて見ても比較的少い量で(Bi203 を単独で半田
付は性と接着強度向上のナニめの添加剤としたものに比
して)、半田付は性と接着強度の改善がなされる。しか
し、5b203は1.□wt%を越えると、シート抵抗
を3mΩ/口/15μm以上とすることが実験で確認さ
れ(勿論、この程度でも、Ag−Pd ペーストに比
してはるかに良好なものであるが)、Cuペーストに本
来求められるべき高導電率を満足させるには、l、Qw
t %以下、望ましくは、92w1%以下であることが
実験で確認された。
せて見ても比較的少い量で(Bi203 を単独で半田
付は性と接着強度向上のナニめの添加剤としたものに比
して)、半田付は性と接着強度の改善がなされる。しか
し、5b203は1.□wt%を越えると、シート抵抗
を3mΩ/口/15μm以上とすることが実験で確認さ
れ(勿論、この程度でも、Ag−Pd ペーストに比
してはるかに良好なものであるが)、Cuペーストに本
来求められるべき高導電率を満足させるには、l、Qw
t %以下、望ましくは、92w1%以下であることが
実験で確認された。
また、導電ペーストの焼成温度も重要なファクターとな
り、830℃以上であると、Cu粒子同志の結合が良好
となって、シート抵抗値を、約2.6mΩ/ロ/15μ
m以下として、充分な導電性を満足させることが確認さ
れた。また、焼成温度が950℃以下であると、高温加
熱によるガラス成分の導電パターン表面への浮上りも少
なく、さほどまで半田付は性を劣下させることがないこ
とが確認された。
り、830℃以上であると、Cu粒子同志の結合が良好
となって、シート抵抗値を、約2.6mΩ/ロ/15μ
m以下として、充分な導電性を満足させることが確認さ
れた。また、焼成温度が950℃以下であると、高温加
熱によるガラス成分の導電パターン表面への浮上りも少
なく、さほどまで半田付は性を劣下させることがないこ
とが確認された。
(実験例1)
Cu粉末として、粒径0.77μrn、比表面積0.6
8m!/g、タップ密度3.61g/ccの三井金属鉱
業(ハ)製のS−841201PNを、94.6wtチ
、ガラスフリットとして、旭硝子■製の低融点ガラス、
ASF−1370(ガラスフリット全体を100重量部
として、B2O3が10.PbOが50.5i02が3
5、Al 203が5重量部で、軟化点が600℃)を
、1.77wtチ、B!zoa を3.55wtチ、5
b203を0.06wt%とじ、微量の分散剤を添加し
た導電性組成物を調合した。調合に際しては、ガラスフ
リット、Bi2O3粉末、5l)203粉末をボールミ
ルで8時間以上粉砕した後、Cu粉末を加えて導電性組
成物とし、これを、・メーテルピネオールにエチルセル
ロースヲ溶解させた有機ビヒクルに混合し、三本ロール
ミルにて充分混合・分散して導電ペーストを作製した。
8m!/g、タップ密度3.61g/ccの三井金属鉱
業(ハ)製のS−841201PNを、94.6wtチ
、ガラスフリットとして、旭硝子■製の低融点ガラス、
ASF−1370(ガラスフリット全体を100重量部
として、B2O3が10.PbOが50.5i02が3
5、Al 203が5重量部で、軟化点が600℃)を
、1.77wtチ、B!zoa を3.55wtチ、5
b203を0.06wt%とじ、微量の分散剤を添加し
た導電性組成物を調合した。調合に際しては、ガラスフ
リット、Bi2O3粉末、5l)203粉末をボールミ
ルで8時間以上粉砕した後、Cu粉末を加えて導電性組
成物とし、これを、・メーテルピネオールにエチルセル
ロースヲ溶解させた有機ビヒクルに混合し、三本ロール
ミルにて充分混合・分散して導電ペーストを作製した。
この有機ビヒクルは、導電性組成物100重量部に対し
て、14.2重帯部とした。
て、14.2重帯部とした。
上記のように作製した導電ペーストを、京セラ■製の9
6%アルミナ基板上に、2(10メツシユステンレスス
クリーンテ、スキージ硬度60、ギヤノブ0.4龍、印
刷スピード40朋/sec、印圧4 kgの印刷条件で
、導電パターンを形成し、10分間レベリングした後、
120℃で20〜30分乾燥した。これを、850℃、
900℃、930℃の各ピーク焼成温度で、ピーク温度
保持時間を5〜10分とし、昇温速度を約40℃/mi
n とし、60分プロフィルで焼成した。また、焼成
後の導電パターンの膜厚は13〜15μrnとした。
6%アルミナ基板上に、2(10メツシユステンレスス
クリーンテ、スキージ硬度60、ギヤノブ0.4龍、印
刷スピード40朋/sec、印圧4 kgの印刷条件で
、導電パターンを形成し、10分間レベリングした後、
120℃で20〜30分乾燥した。これを、850℃、
900℃、930℃の各ピーク焼成温度で、ピーク温度
保持時間を5〜10分とし、昇温速度を約40℃/mi
n とし、60分プロフィルで焼成した。また、焼成
後の導電パターンの膜厚は13〜15μrnとした。
この導電パターンのシート抵抗値を4端子法による電圧
値の読み取りで行ない、引張り強度試6峡を、 −2
mm口の導電パターン上に0.8φの折曲げスズメッキ
銅線を半田付けしてこれを引剥すビール試験法で行なっ
た。また、半田濡れ性状、暇のため、千住金属株製のク
リーム半田、5PT−2063を用いてこれを印刷し、
これをリフロー条件、ビーク230±10℃、200℃
以上のアップ時間を30〜60SeCとして半田付けを
行ない、導電パターン表面の半田付は偉態を拡大観察し
た。
値の読み取りで行ない、引張り強度試6峡を、 −2
mm口の導電パターン上に0.8φの折曲げスズメッキ
銅線を半田付けしてこれを引剥すビール試験法で行なっ
た。また、半田濡れ性状、暇のため、千住金属株製のク
リーム半田、5PT−2063を用いてこれを印刷し、
これをリフロー条件、ビーク230±10℃、200℃
以上のアップ時間を30〜60SeCとして半田付けを
行ない、導電パターン表面の半田付は偉態を拡大観察し
た。
以上による実験結果は、下記の表−1の通りで、表−1
930℃の焼成条件で、半田付は性に若干問題がある以
外には、他は総べて良好な結果を示した。
外には、他は総べて良好な結果を示した。
ここで、○印は、シート抵抗においては、 −1:、、
8〜2、OmΩ/口/15μm以下、半田付は性におい
ては全面半田被着、引張り強度においては、3〜5kg
/2mg口以上のものをそれぞれ指している。
8〜2、OmΩ/口/15μm以下、半田付は性におい
ては全面半田被着、引張り強度においては、3〜5kg
/2mg口以上のものをそれぞれ指している。
(実験例2)
Sb203を0.12wtチとし、他は総べて実験例1
と同等の条件で試験を行なった結果、表−2に示すよう
に総べて良好な結果を示した。
と同等の条件で試験を行なった結果、表−2に示すよう
に総べて良好な結果を示した。
表−2
〔発明の効果〕
以上詳述したように本発明によれば、導電率、半田付は
性、接着強度に優れた導電性組成物が得られ、その産業
的価値は多大である。
性、接着強度に優れた導電性組成物が得られ、その産業
的価値は多大である。
Claims (4)
- (1)92wt%以上のCu粉末、1.5〜2.0wt
%のガラスフリット、3.0〜4.5wt%のBi_2
O_3、0.05〜1.0wt%のSb_2O_3を含
有してなることを特徴とする導電性組成物。 - (2)前記ガラスフリットはPbOを含み、該ガラスフ
リット全体に対し、PbOは50wt%以上配合されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の
導電性組成物。 - (3)前記導電性組成物を用いた導電ペーストの焼成温
度に対し、前記ガラスフリットの軟化点は、250〜4
00℃低い温度であることを特徴とする特許請求の範囲
第(1)項記載の導電組成物。 - (4)前記導電性組成物を用いた導電ペーストの焼成温
度は、830〜950℃であることを特徴とする特許請
求の範囲第(1)項記載の導電性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15924085A JPS6220571A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 導電性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15924085A JPS6220571A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 導電性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220571A true JPS6220571A (ja) | 1987-01-29 |
| JPH0588746B2 JPH0588746B2 (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15689407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15924085A Granted JPS6220571A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 導電性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6220571A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63131405A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | 旭硝子株式会社 | 導体用組成物 |
| JPH0286665A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | メッキ下地用導電性塗料およびそれを用いるメッキ方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107607A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | 田中マツセイ株式会社 | 導体組成物 |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP15924085A patent/JPS6220571A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107607A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | 田中マツセイ株式会社 | 導体組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63131405A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | 旭硝子株式会社 | 導体用組成物 |
| JPH0286665A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | メッキ下地用導電性塗料およびそれを用いるメッキ方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0588746B2 (ja) | 1993-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4070518A (en) | Copper metallizations | |
| US5645765A (en) | Lead-free conductive paste | |
| EP0131778B2 (en) | Copper-containing thick-film conductor compositions | |
| KR101786722B1 (ko) | 도전성 페이스트 | |
| JP4291146B2 (ja) | 銀導体組成物 | |
| TW200418221A (en) | Terminal electrode compositions for multilayer ceramic capacitors | |
| US3838071A (en) | High adhesion silver-based metallizations | |
| JP2007176785A (ja) | オーバーコート用ガラスペースト及び厚膜抵抗素子 | |
| JP2000048642A (ja) | 導電性ペースト及びガラス回路基板 | |
| JP4466402B2 (ja) | 厚膜導体形成用組成物 | |
| JP4432604B2 (ja) | 導電性ペースト | |
| JP3297531B2 (ja) | 導電性ペースト | |
| JP4423832B2 (ja) | ガラス組成物およびこれを用いた厚膜ペースト | |
| JP2005085495A (ja) | 導電性ペースト及びセラミック電子部品 | |
| JPH07335402A (ja) | チップ抵抗器上面電極形成用ペースト | |
| JPS6222868A (ja) | 導伝性組成物 | |
| JPS6220571A (ja) | 導電性組成物 | |
| JPH11130459A (ja) | ガラス基板用導電性組成物および自動車用防曇窓ガラス | |
| JP2965222B2 (ja) | 導体ペースト | |
| JPH0239410A (ja) | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 | |
| JPH08298018A (ja) | 導電性ペースト | |
| JP2537007B2 (ja) | 低温焼成用銅組成物 | |
| JPH0440803B2 (ja) | ||
| JP3964342B2 (ja) | 導電ペースト | |
| JPH0917232A (ja) | 導体ペースト組成物 |