JPH0287322A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、磁気ディスク装置などの磁気記録装置に用い
られる磁気記録媒体に間し、特に耐久性が向上された磁
気記録媒体に間する。

［従来の技術］ ハード磁気ディスク等の高密度記録を行う磁気記録媒体
に於ては、従来の磁性粉とバインダを含む塗布型の磁性
膜を用いた塗布型媒体に変わって、めっき、スパッタ、
蒸着等の方法により形成される金属磁性薄膜媒体が使用
されてきている。

ハード磁気ディスクに対して、記録再生を行う場合には
、ディスクに所定の回転を与えることによって磁気ヘッ
ドと磁気ディスクとの間に微少な空気層を形成し、この
状態で記録再生を行うＣ８Ｓ方式（コンタクト・スター
ト・ストップ方式）を用０るのが一般的である。

Ｃ８Ｓ方式では、停止状態ではヘットと磁気ディスク面
とは物理的に接触しており、回転開始時や回転終了時に
おけるヘッドと磁気ディスクは接触摩凛状態で相対運動
をする。このときの摩擦力によりヘッド及び磁気ディス
ク面の摩耗が進行〜する。また、記録再生中に微少な塵
なとの存在によりヘッドが高速で磁気ディスク面と接触
しヘットと磁気ディスク面との間に大きな摩擦力が働い
てヘッドや磁性膜が破壊されることがある。

特に金属磁性薄膜媒体においては、金属磁性膜のＲ擦係
数が大きく、膜厚も小さいために上記の問題が顕著であ
る。そこで従来金属磁性膜の上部に耐腐食性と潤滑性を
持たせるため炭素保護膜を形成したり、炭素保護膜の上
部に液体の潤滑剤を塗布した磁気記録媒体が用いられて
いたく例えば特開昭６ｌ−２０８６２０）、　　またこ
の液体潤滑剤として官能基を有するものを用いることに
より炭素膜との結合力を上げることが試みられている（
特開昭６２−６６４１７）。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら従来の磁気記録媒体においては、炭素膜と
潤滑剤の結合が弱いためにＣ８Ｓを繰り返すと次第に潤
滑剤の効果が低減しＲＷＩ力が増加して、十分な耐摩耗
性、耐損傷性は得られていなかった。さらに官能基を有
する潤滑剤を塗布した場合には潤滑オイル間の結合も増
すためヘッドの走行性が悪化すると言う問題点があった
。

［課題を解決するための手段］ 上記従来の問題点を解決するために、本発明は基板上に
形成された磁気記録層の表面に耐久性を向上させるため
の炭素保！Ｊ！膜が形成され、該炭素保護膜上に潤滑剤
が塗布されている磁気記録媒体において、該炭素保護膜
に水素を含ませている。

該炭素保護膜の水素は、あまり少ないと本発明の効果が
あられれにくく、またあまり多いと製造しにくくなる。

水素化炭素膜中の水素量は、被膜の、波数２９００ｃ＋
ｗ−’付近（Ｃ−Ｈ結合の伸縮振動）の吸収を測定した
際、１００〜ｌｏｏＯｃｍ−’の吸収係数となるものが
好ましい。

本発明においては、炭素膜中に水素が含まれていること
によって潤滑剤との界面エネルギーが減少し潤滑剤と炭
素膜の付着力が増加し、長期間にわたって潤滑剤の効力
が持続すると考えられる。

該水素化炭素膜は、例えばアルゴンガスに水素ガスを０
．５Ｖｏ１％〜５０Ｖｏ１％混入した雰囲気中で炭素を
マグネトロンスパッタし、飛散する炭素を基板上に析出
させる方法（マグネトロンスパッタ法）により形成でき
る。マグネトロンスパッタリング法を用いることにより
ガスのイオン化率を高め、効率よく炭素膜中に水素を取
り込むことが出来る。

このとき０゜５ｖ０１％以下の水素ガス濃度では十分な
潤滑剤との付着力は得られない、また、５０Ｖｏ１％以
上の水素ガス濃度では水素化炭素膜の硬度が減少し保護
膜として十分な耐久性を示さない。また水素と炭素の十
分な反応性と、硬度を確保するためにスパッタリング時
の全圧力は３Ｐａ以下にすることが必要であり、特にｌ
Ｐａ以下が望ましい。

潤滑剤としてはパーフルオロアルキルポリエーテルが好
ましく用いられ、良好なヘッドの走行性と水素化炭素膜
への強い結合力を示し優れた潤滑性と耐久性を発現する
。

この潤滑剤は、例えば溶剤等で希釈され、塗布法、スピ
ンコード法、ディッピング法などの方法で水素化炭素保
護膜まで形成した磁気ディスクにコートされる。

この潤滑剤を塗布した磁気記録媒体は、６０℃〜２００
℃の温度範囲に一旦保持されることが好ましい。

この６０℃〜２００℃の範囲での熱処理は、潤滑剤の水
素化炭素膜への付着力の増加の効果を著しく促進する。

［作用］ 本発明によれば、金属磁性薄膜上に形成されている炭素
保護膜中に水素が含まれているため、炭素保護膜と潤滑
剤との界面エネルギーが減少し、結果として炭素保護膜
と潤滑剤との結合が強くなど考えられる。

［実施例］ 以下、実施例により本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の磁気記録媒体の構成を示す断面図であ
る。化学強化が施されたガラス円！！、’ｌ　ｌ上に下
地層としてクロム（Ｃｒ）膜２を成膜し、この上に金属
磁性層としてコバルト−ニッケルークロム（Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ）合金［ＩＩ３を約５０　ｎ　ｒｎの厚さに成膜
する。この場合該下地膜、金属磁性膜はスパッタリング
法を用いて該ガラス基板上に成膜される。更にその上に
保護層として水素化炭素膜４を約４０ｎｍ成股する０本
実施例ではマグネトロンスパッタリング法により、ガス
圧ｌＰａ５　　電力密瓜１．５Ｗ／ｃｍ２の条件で成膜
されており、このときアルゴン雰囲気ガス中には１ＯＶ
ｏ１％の水素ガスが混入されている。

この様に作製された水素化炭素膜の赤外吸収スペクトル
を第２図に示す、波数２９００ｃ’ｍ−’付近に４６２
ｃｍ−’の吸収係数のＣ−Ｈ結合の伸縮振動がみられ、
膜中に水素が存在していることが分かる。

次に、この上に潤滑剤としてパーフロロアルキルポリエ
ーテル（Ｆｏｍｂ　ｌ　ｉ　ｎ　　ＡＭ２００１）を溶
媒トリクロロトリフロロエタンで０．５％に希釈したも
のをディッピング法により塗布し１１０℃で５分間放置
した。

ここで潤滑剤塗布後に加える熱処理は、水素化炭素保護
膜と潤滑剤の反応性を高めるためのものである。

またディスクを３６００ｒｐｍの速度で高速回転させヘ
ッドの離発着を繰り返す試験（Ｃ８Ｓ試験）にかけた結
果を第３図に示す０通常の炭素保護膜上に潤滑剤を塗布
したディスクでは２０００回でディスク表面に摩耗痕の
発生がみられ、Ｕ摩擦係数値も増大したが、本発明のデ
ィスクでは２００００回の試験後もディスク表面に何等
以上はみられず、動摩擦系数値の増加もわずかであった
。

上記実施例においては、炭素保護膜をすべて水素化炭素
としているが、本発明は上記に限らず表面が水素化炭素
となっていれば、通常の炭素保護膜表面を水素化炭素と
する構造等、任意の形状で実施できる。

［発明の効果コ この様に本発明においては金属磁性体上に形成された炭
素保護膜に水素が含まれていることにより潤滑剤の付着
力が大幅に向上し、潤滑性、耐摩耗性に優れた磁気記録
媒体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記録媒体の概略を示す断面図、第
２図は本発明の水素化炭素膜の赤外吸収スペクトルを示
す図、第３図はＣ８Ｓ試験回数に対する動摩擦係数の変
化を示す図で、実線は本発明のディスクに対する結果で
あり、鎖線は保護膜に従来の炭素膜を用いたディスクの
試験結果である。 波　数（ｃｍ−１） 第２図 第１図 Ｃ５Ｓ回数（ａｒｂ、ｕｎｉｔ） 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に形成された磁気記録層の表面に耐久性を
   向上させるための炭素保護膜が形成され、該炭素保護膜
   上に潤滑剤が塗布されている磁気記録媒体において、該
   炭素保護膜に水素を含ませることを特徴とする磁気記録
   媒体。