JPH0287619A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0287619A JPH0287619A JP24148188A JP24148188A JPH0287619A JP H0287619 A JPH0287619 A JP H0287619A JP 24148188 A JP24148188 A JP 24148188A JP 24148188 A JP24148188 A JP 24148188A JP H0287619 A JPH0287619 A JP H0287619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- bath
- layer
- standby position
- inp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特に液相エピ
タキシャル成長において極めて薄い層を形成する方法に
関する。
タキシャル成長において極めて薄い層を形成する方法に
関する。
従来、半導体素子の液相エピタキシャル成長膜長いて極
めて薄い層を形成する方法としては、成長時間を限りな
く短時間とするか、溶液の過飽和度を小さくし制御速度
を小さくする方法が用いられている。
めて薄い層を形成する方法としては、成長時間を限りな
く短時間とするか、溶液の過飽和度を小さくし制御速度
を小さくする方法が用いられている。
上述した従来の液相エピタキシャル成長方法は、成長時
間をできるだけ短かくするとしても成長基板の保持され
たスライド板を機械的に安全確実に移動させ短時間にし
ても浴槽の真下に停止させる方法となっているので、数
百Ａ以下の層を形成するのは困難であった。又この時に
成長基板を浴槽の真下に停止させずに通過させるだけの
方法であっても百〜数百へ程度の層が成長してしまうと
いう欠点がある。一方、溶液の過飽和度を非常に小さな
値にした場合は確かに薄い成長層を得る−ことも可能で
あるが、同時にメルトバックが起り易く、基板と成長層
との界面の平坦性が悪化するという欠点がある。
間をできるだけ短かくするとしても成長基板の保持され
たスライド板を機械的に安全確実に移動させ短時間にし
ても浴槽の真下に停止させる方法となっているので、数
百Ａ以下の層を形成するのは困難であった。又この時に
成長基板を浴槽の真下に停止させずに通過させるだけの
方法であっても百〜数百へ程度の層が成長してしまうと
いう欠点がある。一方、溶液の過飽和度を非常に小さな
値にした場合は確かに薄い成長層を得る−ことも可能で
あるが、同時にメルトバックが起り易く、基板と成長層
との界面の平坦性が悪化するという欠点がある。
本発明の半導体素子の製造方法は、浴槽の幅を基板の幅
と比較して充分狭くしこの幅の狭いスリット状の浴槽の
下を基板を高速で移動させながら極めて薄いエピタキシ
ャル成長層を形成することを特徴とする。
と比較して充分狭くしこの幅の狭いスリット状の浴槽の
下を基板を高速で移動させながら極めて薄いエピタキシ
ャル成長層を形成することを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
及び第２図は本発明の第１の実施例を説明するための断
面図である。ここではカーボンボートを用いたＩ ｎＧ
ａＡｓ活性層 ｎＰ系の液相エピタキシャル成長法によ
り１．５５μｍの発光波長を有する活性層を含むダブル
へテロエピタキシャル層を形成する方法について述べる
。スライダー１に基板２をセットし浴槽３，４，５．６
にＩｎとそれぞれ所要量のＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ
を入れる。スライダー１を第１図の位置にした状態でこ
れらを６３０℃で１時間保持し、それぞれの浴槽でＩｎ
中にＰ、Ｇａ、Ａｓを充分に溶かし込む。次に系全体を
毎分０．５℃で降温する。所定の温度まで下った所でス
ライダー１を引き基板２を第１の浴槽３の下部に移動さ
せ所定時間ＩｎＰ層をエピタキシャル成長させる。その
後再びスライダー１を引き基板２を第２の浴槽４の下部
に移動させ、所定時間ＩｎＧａＡｓＰ活性層をエピタキ
シャル成長させる。さらにスライダー１を引き基板２を
第４の浴槽６の下部に移動させＩｎＰ層を成長させる。
及び第２図は本発明の第１の実施例を説明するための断
面図である。ここではカーボンボートを用いたＩ ｎＧ
ａＡｓ活性層 ｎＰ系の液相エピタキシャル成長法によ
り１．５５μｍの発光波長を有する活性層を含むダブル
へテロエピタキシャル層を形成する方法について述べる
。スライダー１に基板２をセットし浴槽３，４，５．６
にＩｎとそれぞれ所要量のＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ
を入れる。スライダー１を第１図の位置にした状態でこ
れらを６３０℃で１時間保持し、それぞれの浴槽でＩｎ
中にＰ、Ｇａ、Ａｓを充分に溶かし込む。次に系全体を
毎分０．５℃で降温する。所定の温度まで下った所でス
ライダー１を引き基板２を第１の浴槽３の下部に移動さ
せ所定時間ＩｎＰ層をエピタキシャル成長させる。その
後再びスライダー１を引き基板２を第２の浴槽４の下部
に移動させ、所定時間ＩｎＧａＡｓＰ活性層をエピタキ
シャル成長させる。さらにスライダー１を引き基板２を
第４の浴槽６の下部に移動させＩｎＰ層を成長させる。
このようにして１，５５μｍの発光波長を有する活性層
上にＩｎＰを成長する場合活性層が溶液で溶解してしま
うメルトバック現象が起る。そこで活性層を成長した後
Ｉ ｎＧａＡｓ活性層とＩｎＰとの中間の組成を有する
層を薄く活性層上に成長させ活性層のメルトバックを防
止する。この層をアンチメルトバック層と称し、１．５
５μｍの活性層を有するＤ Ｈエピタキシャル成長にお
いては不可欠の層である。
上にＩｎＰを成長する場合活性層が溶液で溶解してしま
うメルトバック現象が起る。そこで活性層を成長した後
Ｉ ｎＧａＡｓ活性層とＩｎＰとの中間の組成を有する
層を薄く活性層上に成長させ活性層のメルトバックを防
止する。この層をアンチメルトバック層と称し、１．５
５μｍの活性層を有するＤ Ｈエピタキシャル成長にお
いては不可欠の層である。
このアンチメルトバック層は活性層のメルトバックを防
止するものであるから成長溶液は過飽和度の高いもので
なければならず、又活性層とクラッド層との間に挟まれ
ている層としてできるだけ薄い方が特性上望ましい。こ
のアンチメルトバック層を成長するための溶液が浴槽５
に入っている。
止するものであるから成長溶液は過飽和度の高いもので
なければならず、又活性層とクラッド層との間に挟まれ
ている層としてできるだけ薄い方が特性上望ましい。こ
のアンチメルトバック層を成長するための溶液が浴槽５
に入っている。
この浴槽の下部は狭くスリット状になっており、基板２
がこの浴Ｍ５の下部を通過する時に基板２が溶液に触れ
ている時間は極めて短いものとなる。この結果溶液の過
飽和度を活性層をメルトバックしない程度に大きく保っ
たままでも実効的成長時間が極めて短いなめ５０〜１０
０人のアンチメルトバック層が得られ、その上のＩｎＰ
層の成長も容易にでき質の良いＨＤエピタキシャル層が
得られる。
がこの浴Ｍ５の下部を通過する時に基板２が溶液に触れ
ている時間は極めて短いものとなる。この結果溶液の過
飽和度を活性層をメルトバックしない程度に大きく保っ
たままでも実効的成長時間が極めて短いなめ５０〜１０
０人のアンチメルトバック層が得られ、その上のＩｎＰ
層の成長も容易にでき質の良いＨＤエピタキシャル層が
得られる。
第３図は本発明の第２の実施例を説明するための断面図
である。初めにスライダー１１上に置かれた基板１２は
第１の浴槽１３でＩｎＰ層を成長した後に表面の熱劣化
防止用のＩｎＰ基板下の第１の待機位置１４に置かれる
。次に再びスライダー１１を引き基板１２を第２．第３
の浴槽１５゜１６下を通過させＩｎＰ基板下の第２の待
機位置１７まで移動させる。この時下部がスリット状に
狭くなっている浴槽１５．１６の下を通過する際にそれ
ぞれＩ ｎＧａＡｓ及びＩｎＧａＡｓＰの薄膜が成長す
る。次に今度は第２の待機位置１７から逆に第１の待機
位置１４へ基板１２を移動させる。この時浴槽１６．１
５の下を通過する際にそれぞれＩｎＧａＡｓＰ及びＩ
ｎＧａＡｓの薄膜が成長する。これらの行為を複数回繰
り返すことによりＩ ｎＧａＡｓとＩ ｎＧａＡｓＰの
多重量子井戸構造を液相成長により形成できる。さらに
スライダー１１を引き次の浴槽１８によりこの上にＩｎ
Ｐクラッド層を成長せしめることにより多重量子井戸構
造のＤＨエピタキシャル層を得ることができる。
である。初めにスライダー１１上に置かれた基板１２は
第１の浴槽１３でＩｎＰ層を成長した後に表面の熱劣化
防止用のＩｎＰ基板下の第１の待機位置１４に置かれる
。次に再びスライダー１１を引き基板１２を第２．第３
の浴槽１５゜１６下を通過させＩｎＰ基板下の第２の待
機位置１７まで移動させる。この時下部がスリット状に
狭くなっている浴槽１５．１６の下を通過する際にそれ
ぞれＩ ｎＧａＡｓ及びＩｎＧａＡｓＰの薄膜が成長す
る。次に今度は第２の待機位置１７から逆に第１の待機
位置１４へ基板１２を移動させる。この時浴槽１６．１
５の下を通過する際にそれぞれＩｎＧａＡｓＰ及びＩ
ｎＧａＡｓの薄膜が成長する。これらの行為を複数回繰
り返すことによりＩ ｎＧａＡｓとＩ ｎＧａＡｓＰの
多重量子井戸構造を液相成長により形成できる。さらに
スライダー１１を引き次の浴槽１８によりこの上にＩｎ
Ｐクラッド層を成長せしめることにより多重量子井戸構
造のＤＨエピタキシャル層を得ることができる。
以上説明したように本発明は、浴槽の下部を基板の巾よ
り充分狭いスリット状にすることにより液相エピタキシ
ャル成長により薄いエピタキシャル層が安定して得られ
るという効果がある。
り充分狭いスリット状にすることにより液相エピタキシ
ャル成長により薄いエピタキシャル層が安定して得られ
るという効果がある。
第１図、第２図は本発明の第１の実施例を説明するため
の断面図、第３図は本発明の第２の実施例を説明するた
めの断面図である。 １．１１・・・スライダー、２，１２・・・基板、３゜
１３・・・第１の浴槽、４．１５・・・第２の浴槽、５
゜６・・・第３の浴槽、 ６ 。 ８・・・第４の浴槽、 ・・・第１の待機位置、 ７・・・第２の待機位置。
の断面図、第３図は本発明の第２の実施例を説明するた
めの断面図である。 １．１１・・・スライダー、２，１２・・・基板、３゜
１３・・・第１の浴槽、４．１５・・・第２の浴槽、５
゜６・・・第３の浴槽、 ６ 。 ８・・・第４の浴槽、 ・・・第１の待機位置、 ７・・・第２の待機位置。
Claims (1)
- 基板の幅と比較して充分に狭いスリット状にした浴槽の
下を基板を高速で通過させることにより極めて薄いエピ
タキシャル成長膜を形成することを特徴とする半導体素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24148188A JPH0287619A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24148188A JPH0287619A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287619A true JPH0287619A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17074955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24148188A Pending JPH0287619A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0287619A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102660290A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-09-12 | 东北林业大学 | 一种具有抗氧化活性的橡子壳色素及其制备方法和应用 |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP24148188A patent/JPH0287619A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102660290A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-09-12 | 东北林业大学 | 一种具有抗氧化活性的橡子壳色素及其制备方法和应用 |
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