JPH0287645A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0287645A JPH0287645A JP24143188A JP24143188A JPH0287645A JP H0287645 A JPH0287645 A JP H0287645A JP 24143188 A JP24143188 A JP 24143188A JP 24143188 A JP24143188 A JP 24143188A JP H0287645 A JPH0287645 A JP H0287645A
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- JP
- Japan
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- evaluation
- dry etching
- measured
- etching operation
- damage
- Prior art date
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Links
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造評価法に関し、特にＧａＡ
ｓ等化合物半導体装置でのドライエツチングのタメージ
評価に関する。
ｓ等化合物半導体装置でのドライエツチングのタメージ
評価に関する。
従来、この種の評価では、ドライエツチング面への金属
ショットキー特性やフォトルミネッセンスによる結晶評
価を行なっていた。
ショットキー特性やフォトルミネッセンスによる結晶評
価を行なっていた。
上述した従来の評価では、金属ショットキー特性評価で
は活性層濃度が低い場合に正確な評価を行なうのが困難
であり、またフォトルミネッセンスの評価では定量的評
価が困難であるという欠点がある。
は活性層濃度が低い場合に正確な評価を行なうのが困難
であり、またフォトルミネッセンスの評価では定量的評
価が困難であるという欠点がある。
本発明は特に化合物半導体装置の製造でのドライエツチ
ングのダメージの評価において、ホール測定を行うこと
を特徴として有している。
ングのダメージの評価において、ホール測定を行うこと
を特徴として有している。
次に、本発明を図面を参照してより詳細に説明する。
第１図に本発明の一実施例の図を示した。評価素子は、
Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ金属から成る電極部１
と活性層部２から構成されており、活性層２は、基板３
がＧａＡｓである場合、Ｓｉイオン注入を４０ ｋ ｅ
ｖ〜５０ ｋ ｅＶの注入エネルギー４〜５Ｘ １０
”／ｃｎｔのドースで行なった後、８００℃のアニール
を行い形成する。評価は次の手順に従う。
Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ金属から成る電極部１
と活性層部２から構成されており、活性層２は、基板３
がＧａＡｓである場合、Ｓｉイオン注入を４０ ｋ ｅ
ｖ〜５０ ｋ ｅＶの注入エネルギー４〜５Ｘ １０
”／ｃｎｔのドースで行なった後、８００℃のアニール
を行い形成する。評価は次の手順に従う。
■評価素子をドライエツチング前に測定し基準データー
とする。■次に評価素子をそのままドライエツチングを
行う。ドライエツチングは通常約５分間行う。■そのま
ま後処理なしで測定を行う。
とする。■次に評価素子をそのままドライエツチングを
行う。ドライエツチングは通常約５分間行う。■そのま
ま後処理なしで測定を行う。
■、■の測定径適当な熱処理（〜４００℃）を行う。■
再度測定を行う。通常■の測定では測定不可能であるが
■の熱処理によりダメージが熱回復し、■の測定で測定
が可能となる。■のデーターの■の測定結果に対する比
をドライエツチングダメージの評価値とする。
再度測定を行う。通常■の測定では測定不可能であるが
■の熱処理によりダメージが熱回復し、■の測定で測定
が可能となる。■のデーターの■の測定結果に対する比
をドライエツチングダメージの評価値とする。
この実施例の代表的評価データーを第２図に示した。同
図中Ｎ ｓ／ Ｎ ｓｏは■で測定したデーター値の■
の測定結果に対する比（＝ダメージ回復率）であり、こ
の値のプロセスパラメーター（例えばｒｆ ｐｏｗｅｒ
）依存性を調べることにより、素子へ与える影響を定量
的かつ正確に推定することが可能となる。
図中Ｎ ｓ／ Ｎ ｓｏは■で測定したデーター値の■
の測定結果に対する比（＝ダメージ回復率）であり、こ
の値のプロセスパラメーター（例えばｒｆ ｐｏｗｅｒ
）依存性を調べることにより、素子へ与える影響を定量
的かつ正確に推定することが可能となる。
第３図は本発明の他の実施例で本評価素子は半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板５に活性層４のみのホールパターンを形成し
たものである。この実施例ではオーミック電極部を有し
ないため、ドライエツチング後のダメージ回復アニール
が４００℃以上の高温とすることができ、８００℃前後
のアニールでの回復率を評価することができる。オーミ
ック電極はダメージ回復アニール後Ｉｎ金属によりコン
タクトを取る。ドライエツチング面にオーミックコンタ
クトを取る場合コンタクト抵抗が著しく増加する場合が
あり、このためコンタクト電極部にはドライエツチング
前にフォト・レジスト等による保護膜を付けることが必
要である。
ａＡｓ基板５に活性層４のみのホールパターンを形成し
たものである。この実施例ではオーミック電極部を有し
ないため、ドライエツチング後のダメージ回復アニール
が４００℃以上の高温とすることができ、８００℃前後
のアニールでの回復率を評価することができる。オーミ
ック電極はダメージ回復アニール後Ｉｎ金属によりコン
タクトを取る。ドライエツチング面にオーミックコンタ
クトを取る場合コンタクト抵抗が著しく増加する場合が
あり、このためコンタクト電極部にはドライエツチング
前にフォト・レジスト等による保護膜を付けることが必
要である。
本発明は、従来の評価方法とは異なり、ドライエツチン
グのダメージ評価においてホール測定を用いることによ
り正確かつ定量的に評価を行うことができる効果があり
、実デバイスへ与えるダメージの影響を正確に評価する
ことが可能である。
グのダメージ評価においてホール測定を用いることによ
り正確かつ定量的に評価を行うことができる効果があり
、実デバイスへ与えるダメージの影響を正確に評価する
ことが可能である。
第１図および第３図はそれぞれ本発明の実施例を示す平
面図であり、第２図は第１図の実施例の評価データ例を
示すグラフである。 １・・・・・・Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉから成
るオーミック電極部、２・・・・・・活性層部、３・・
・・・・半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、４・・・・・・
活性層部、５・・・・・・半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板
。 代理人 弁理士 内 原 晋 、６１ｍ 第３図
面図であり、第２図は第１図の実施例の評価データ例を
示すグラフである。 １・・・・・・Ａ ｕ ／ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉから成
るオーミック電極部、２・・・・・・活性層部、３・・
・・・・半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板、４・・・・・・
活性層部、５・・・・・・半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ基板
。 代理人 弁理士 内 原 晋 、６１ｍ 第３図
Claims (1)
- 半導体装置の製造でのドライエッチングのダメージをホ
ール測定を利用して評価することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24143188A JPH0287645A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24143188A JPH0287645A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287645A true JPH0287645A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17074198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24143188A Pending JPH0287645A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0287645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786360A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Nec Corp | エッチングダメージの評価方法 |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP24143188A patent/JPH0287645A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786360A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Nec Corp | エッチングダメージの評価方法 |
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