JPH0288793A - 気密端子のメッキ方法 - Google Patents
気密端子のメッキ方法Info
- Publication number
- JPH0288793A JPH0288793A JP63237787A JP23778788A JPH0288793A JP H0288793 A JPH0288793 A JP H0288793A JP 63237787 A JP63237787 A JP 63237787A JP 23778788 A JP23778788 A JP 23778788A JP H0288793 A JPH0288793 A JP H0288793A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- alloy
- airtight terminal
- chip
- die
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の１
本発明は気密端子のメッキ方法に関し、詳しくは半導体
装置用ステム等の、金属面上にＡｕメッキを施す気密端
子に適用する。
装置用ステム等の、金属面上にＡｕメッキを施す気密端
子に適用する。
従沸］支術−
電子部品に於いて、ダイボンディング性、ワイヤボンデ
ィング性、ハンダ付は性、耐熱性、耐食性、耐薬品性な
ど、全ての面で、金は他の金属より優れているため、電
子部品にＡｕメッキを施したものは広く利用されている
。
ィング性、ハンダ付は性、耐熱性、耐食性、耐薬品性な
ど、全ての面で、金は他の金属より優れているため、電
子部品にＡｕメッキを施したものは広く利用されている
。
以下に金属面上にＡｕメッキを施した気密端子に関して
説明する。従来の気密端子は、ガラス封着後、−船釣に
無電解、または電解によりＮｉメッキ後、Ａｕメッキを
施す。
説明する。従来の気密端子は、ガラス封着後、−船釣に
無電解、または電解によりＮｉメッキ後、Ａｕメッキを
施す。
次いで半導体チップをＡｕ−８ｉ共品合金、５ｎ−Ｐｂ
共晶合金などでダイボンディングする。
共晶合金などでダイボンディングする。
ダイボンディングにＡｕ−８ｉ共品合金を用いた場合、
Ａｕ−８ｉ共品合金層とＡｕメッキ層は合金化する。こ
れによりＡｕ−８ｉ合金層とＮｉメッキ層が接触するが
、この場合Ｎｉ−８ｉ合金層が生じる場合がある。Ｎｉ
とＮｉ−８ｉ合金とは密着性が悪く、剥がれる危険性が
ある。
Ａｕ−８ｉ共品合金層とＡｕメッキ層は合金化する。こ
れによりＡｕ−８ｉ合金層とＮｉメッキ層が接触するが
、この場合Ｎｉ−８ｉ合金層が生じる場合がある。Ｎｉ
とＮｉ−８ｉ合金とは密着性が悪く、剥がれる危険性が
ある。
本発明の主な目的は、Ａｕメッキ被膜上にＡｕ−８ｉ共
品合金を用いて半導体チップをダイボンディングする気
密端子において、ダイボンディング時にＮｉ−８ｉ合金
の生成をおさえるメッキ方法を提供することにある。
品合金を用いて半導体チップをダイボンディングする気
密端子において、ダイボンディング時にＮｉ−８ｉ合金
の生成をおさえるメッキ方法を提供することにある。
＝ パ ０の
本発明はＡｕメッキを施す気密端子において、Ａｕメッ
キの下地被膜として、Ｎ Ｉ Ｆ ｅ合金メッキを施
す特徴とする。
キの下地被膜として、Ｎ Ｉ Ｆ ｅ合金メッキを施
す特徴とする。
１府
上記の方法によれば、Ａｕ−８ｉ共品合金にてダイボン
ディングを行っても、下地被膜として形成されたＮ ｉ
−Ｆ ｅ合金メッキ被膜のＮｉとＦｅの結合力が、Ｎ
ｉとＳｉの結合力よりも強いため、Ｎ ｓとＳｉの合金
化を防ぐことができる。
ディングを行っても、下地被膜として形成されたＮ ｉ
−Ｆ ｅ合金メッキ被膜のＮｉとＦｅの結合力が、Ｎ
ｉとＳｉの結合力よりも強いため、Ｎ ｓとＳｉの合金
化を防ぐことができる。
ＫＬ外
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第１図は完成した気密端子の断面図であり、１はＦｅ製
ベース、２，２はリード封着孔、３，３はリード封着孔
２，２にガラス４，４を介して気密に封着されたリード
、５，５は電気Ｎｉ−Ｆｅ合金メッキ被膜、６，６は電
気Ａｕメッキ被膜である。７はＳｉチップ、８，８はワ
イヤボンディングが施されたワイヤ、９は封止キャップ
である。
ベース、２，２はリード封着孔、３，３はリード封着孔
２，２にガラス４，４を介して気密に封着されたリード
、５，５は電気Ｎｉ−Ｆｅ合金メッキ被膜、６，６は電
気Ａｕメッキ被膜である。７はＳｉチップ、８，８はワ
イヤボンディングが施されたワイヤ、９は封止キャップ
である。
気密端子の封着後品におけるＦｅ製ベース１およびリー
ド３，３に、直接または電気Ｎｉメッキまたは電気Ｃｕ
メッキを介して、電気Ｎｉ−Ｆｅ合金メッキ被膜５，５
を２〜８μｍ形成する。この場合、Ｎｉメッキ液（例え
ばワット浴）にＦｅを２５０〜８００ｐｐｍの範囲で混
入させたメッキ液を使用する。鉄分は硫酸第一鉄、硫酸
第二鉄などを使用する。この電気Ｎｉメッキ液は、陰極
電流密度が０．１〜０．２Ａ／ｄ１１２の場合、電気Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金メッキ被膜５，５中に２〜８％のＦｅを混
入させることができる。さらに、この電気Ｎｉ−Ｆｅ合
金メッキ被膜５，５上に、電気Ａｕメッキ被膜６゜６を
１〜３μｍ形成する。Ａｕメッキ後、Ｓｉチップ７をＡ
ｕ−８ｉ共晶合金にてダイボンディングし、ワイヤ８，
８をボンディングする。その後キャップ９にて気密封止
する。１０はＡｕ−５ｉとＡｕの合金層である。
ド３，３に、直接または電気Ｎｉメッキまたは電気Ｃｕ
メッキを介して、電気Ｎｉ−Ｆｅ合金メッキ被膜５，５
を２〜８μｍ形成する。この場合、Ｎｉメッキ液（例え
ばワット浴）にＦｅを２５０〜８００ｐｐｍの範囲で混
入させたメッキ液を使用する。鉄分は硫酸第一鉄、硫酸
第二鉄などを使用する。この電気Ｎｉメッキ液は、陰極
電流密度が０．１〜０．２Ａ／ｄ１１２の場合、電気Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金メッキ被膜５，５中に２〜８％のＦｅを混
入させることができる。さらに、この電気Ｎｉ−Ｆｅ合
金メッキ被膜５，５上に、電気Ａｕメッキ被膜６゜６を
１〜３μｍ形成する。Ａｕメッキ後、Ｓｉチップ７をＡ
ｕ−８ｉ共晶合金にてダイボンディングし、ワイヤ８，
８をボンディングする。その後キャップ９にて気密封止
する。１０はＡｕ−５ｉとＡｕの合金層である。
以上の方法で製造した気密端子は、Ｓｉチップ７のダイ
ボンディングを行っても、Ｓｉチップ７の剥離は全く発
生せず、良好な結果を得た。これに対して、Ｆｅを含有
しない電気Ｎｉメッキ被膜を形成した気密端子は、Ａｕ
−８ｉ共品合金にてＳｉチップ７のダイボンディングを
行うと、約１０％のＳｉチップ７の剥離が発生した。
ボンディングを行っても、Ｓｉチップ７の剥離は全く発
生せず、良好な結果を得た。これに対して、Ｆｅを含有
しない電気Ｎｉメッキ被膜を形成した気密端子は、Ａｕ
−８ｉ共品合金にてＳｉチップ７のダイボンディングを
行うと、約１０％のＳｉチップ７の剥離が発生した。
なお、電気Ｎｉメッキ液中のＦｅ濃度が上記の２５０〜
８００ｐｐｍの範囲を外れると、ボンディングワイヤ８
，８の剥離が生じた。
８００ｐｐｍの範囲を外れると、ボンディングワイヤ８
，８の剥離が生じた。
ｉ匪盆肱刺
本発明によれば、Ａｕ５Ｉロウよりダイボンディングを
行っても、チップはがれのない高信頼性の気密端子が得
られる。
行っても、チップはがれのない高信頼性の気密端子が得
られる。
６・・・・・・電気Ａｕメッキ被膜、
７・・・・・・Ｓｉチップ、
８・・・・・・ボンディングワイヤ、
１０＝ （Ａｕ−８１）−Ａｕ合金層。
第１図は本発明の一実施例方法について説明する気密端
子の断面図である。 １・・・・・・Ｆｅ製ベース、 ３・・・・・・リード、 ４・・・・・・ガラス、 ５・・・・・・電気Ｎｉ−Ｆｅ合金メッキ被膜、−５＝
子の断面図である。 １・・・・・・Ｆｅ製ベース、 ３・・・・・・リード、 ４・・・・・・ガラス、 ５・・・・・・電気Ｎｉ−Ｆｅ合金メッキ被膜、−５＝
Claims (1)
- 金属面上にＡｕメッキを施す気密端子において、Ａｕメ
ッキの下地被膜として、Ｎｉ−Ｆｅ合金メッキを施すこ
とを特徴とする気密端子のメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237787A JPH0288793A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 気密端子のメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237787A JPH0288793A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 気密端子のメッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0288793A true JPH0288793A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17020426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63237787A Pending JPH0288793A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 気密端子のメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0288793A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS595581A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-12 | 田中貴金属工業株式会社 | 整流子用接触片材料 |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63237787A patent/JPH0288793A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS595581A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-12 | 田中貴金属工業株式会社 | 整流子用接触片材料 |
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